JPS61284092A - 薄膜el表示素子 - Google Patents
薄膜el表示素子Info
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- JPS61284092A JPS61284092A JP60123880A JP12388085A JPS61284092A JP S61284092 A JPS61284092 A JP S61284092A JP 60123880 A JP60123880 A JP 60123880A JP 12388085 A JP12388085 A JP 12388085A JP S61284092 A JPS61284092 A JP S61284092A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、透明電極と対向電極との間にエレクトロルミ
ネッセンス(以下、ELと称する)発光層を設け、KL
発光層に電圧を印加して発光させる薄[EL表示素子に
関する。
ネッセンス(以下、ELと称する)発光層を設け、KL
発光層に電圧を印加して発光させる薄[EL表示素子に
関する。
「従来技術およびその問題点」
薄膜EL表示素子は、近年各種ディスプレイに応用され
つつあり、交流駆動、直流駆動のものに大きく分けられ
る。従来、一般的な薄11iEL表示素子は、例えば第
4図に示すように、ガラス基板1上に、透明電極2)絶
縁層3 、 IEL発光暦4、絶縁層5および対向電極
6を順次積層した二重絶縁膜を有する6層構造で構成さ
れている。そして、この薄膜EL表示素子は、透明電極
2と対向電極Bとの間に数十Hzから数KHzの交流電
界を印加することによってEL発光層4内の活性種イオ
ンが励起され発光するようになっている。
つつあり、交流駆動、直流駆動のものに大きく分けられ
る。従来、一般的な薄11iEL表示素子は、例えば第
4図に示すように、ガラス基板1上に、透明電極2)絶
縁層3 、 IEL発光暦4、絶縁層5および対向電極
6を順次積層した二重絶縁膜を有する6層構造で構成さ
れている。そして、この薄膜EL表示素子は、透明電極
2と対向電極Bとの間に数十Hzから数KHzの交流電
界を印加することによってEL発光層4内の活性種イオ
ンが励起され発光するようになっている。
薄膜EL表示素子がディスプレイとして使用される場合
の重要な点は、他の表示素子(例えば液晶等)と同様に
、室外においては日光の明るさの下で、室内においては
各種照明の明るさの下で、表示内容が鮮明に視認できる
ことである。薄膜EL表示素子の対向電極6としては、
アルミニウム等の金属膜が用いられる。特にアルミ9ニ
ウム膜は、高い金属光沢を有すgため、薄膜KL表示素
子の対向電極6の表面で外部光を反射され、EL発光層
4の発光といっしょになって観察される。このため、外
部光が強い場合、従来の薄膜EL表示素子では、EL発
光1fj4の発光している部分と発光していない部分と
の区別がつきにくく、表示の判読がしに〈〈なっていた
。
の重要な点は、他の表示素子(例えば液晶等)と同様に
、室外においては日光の明るさの下で、室内においては
各種照明の明るさの下で、表示内容が鮮明に視認できる
ことである。薄膜EL表示素子の対向電極6としては、
アルミニウム等の金属膜が用いられる。特にアルミ9ニ
ウム膜は、高い金属光沢を有すgため、薄膜KL表示素
子の対向電極6の表面で外部光を反射され、EL発光層
4の発光といっしょになって観察される。このため、外
部光が強い場合、従来の薄膜EL表示素子では、EL発
光1fj4の発光している部分と発光していない部分と
の区別がつきにくく、表示の判読がしに〈〈なっていた
。
このため、表示コントラストを高める種々の試みがなさ
れている0例えばガラス基板l中に黒色物質を導入した
り、黒色フィルターを取付けたりしたものが知られてい
る。しかし、かかるEL表示素子では、表示面側が黒色
となるので、反射光は確かに減少できるが、それと同時
にEL発光も減少してしまい、コントラストの向上効果
が小さかった。
れている0例えばガラス基板l中に黒色物質を導入した
り、黒色フィルターを取付けたりしたものが知られてい
る。しかし、かかるEL表示素子では、表示面側が黒色
となるので、反射光は確かに減少できるが、それと同時
にEL発光も減少してしまい、コントラストの向上効果
が小さかった。
また、第5図に示すように、EL発光層4の背面の絶縁
層5と対向電極6との間に黒色の光吸収層7を設けたも
のが知られている。この場合、光吸収層7がlliL発
光層4の背面側に設けられるので。
層5と対向電極6との間に黒色の光吸収層7を設けたも
のが知られている。この場合、光吸収層7がlliL発
光層4の背面側に設けられるので。
光吸収層7によってEL発光が減少することはなくなる
。しかし、第8図に示すように、照明光などの入射光は
その一部が絶縁層5と光吸収層7との界面で反射する傾
向があり、絶縁層5と光吸収層7との界面における反射
光は表示面側から観察すると黒色メタリック色となるた
め、結果としてコントラストは充分に良好なものとなっ
ていなかった。
。しかし、第8図に示すように、照明光などの入射光は
その一部が絶縁層5と光吸収層7との界面で反射する傾
向があり、絶縁層5と光吸収層7との界面における反射
光は表示面側から観察すると黒色メタリック色となるた
め、結果としてコントラストは充分に良好なものとなっ
ていなかった。
「発明の目的」
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決して表示
のコントラストを高め、明るい場所においても鮮明に表
示内容を視認せしめることができる薄1lIEL表示素
子を提供することにある。
のコントラストを高め、明るい場所においても鮮明に表
示内容を視認せしめることができる薄1lIEL表示素
子を提供することにある。
「発明の構成」
本発明の薄膜EL表示素子は、EL発光層の背面側にE
L発光層の構成成分の少なくとも発光中心以外の成分を
含む黒色の光吸収層が設けられていることを特徴とする
。
L発光層の構成成分の少なくとも発光中心以外の成分を
含む黒色の光吸収層が設けられていることを特徴とする
。
以下、本発明の薄111iEL表示素子についてさらに
具体的に説明する。
具体的に説明する。
本発明による薄膜EL表示素子は1例えばガラス基板上
に、透明電極、絶縁膜、KL発光層、黒色の光吸収層、
絶縁層および対向電極が順次積層した7層構造で構成さ
れる。この場合、いずれかの絶縁膜を省略することもで
きる。また、黒色の光吸収層をEL発光層の背面側に形
成された絶縁膜と対向電極との間に配置してもよい、そ
して、透明電極と対向電極との間に電界を印加すること
により、EL発光層が発光するようになっている。
に、透明電極、絶縁膜、KL発光層、黒色の光吸収層、
絶縁層および対向電極が順次積層した7層構造で構成さ
れる。この場合、いずれかの絶縁膜を省略することもで
きる。また、黒色の光吸収層をEL発光層の背面側に形
成された絶縁膜と対向電極との間に配置してもよい、そ
して、透明電極と対向電極との間に電界を印加すること
により、EL発光層が発光するようになっている。
本発明においては、黒色の光吸収層として、EL発光層
の構成成分の少なくとも発光中心以外の成分を含む黒色
のものが使用される0例えば、EL発光層の母体が硫化
亜鉛でそれに発光中心として金属または金属化合物が含
まれている場合、光吸収層としては、硫化亜鉛(ZnS
x、 [0(x(11)か、あるいは金属または金属化
合物をドープした硫化亜鉛(ZnSx:M[0cxcl
、M−金属または金属化合物J)等が使用できる。なお
、Zn5x:Mにおける舅としてより具体的には、Mn
、希土類元素、希土類ハロゲン化物などが挙げられる。
の構成成分の少なくとも発光中心以外の成分を含む黒色
のものが使用される0例えば、EL発光層の母体が硫化
亜鉛でそれに発光中心として金属または金属化合物が含
まれている場合、光吸収層としては、硫化亜鉛(ZnS
x、 [0(x(11)か、あるいは金属または金属化
合物をドープした硫化亜鉛(ZnSx:M[0cxcl
、M−金属または金属化合物J)等が使用できる。なお
、Zn5x:Mにおける舅としてより具体的には、Mn
、希土類元素、希土類ハロゲン化物などが挙げられる。
このように、EL発光層の構成成分の少なくとも発光中
心以外の成分を含む黒色の光吸収層を設けることにより
、光吸収層の界面における反射を防止して!L発光を鮮
明とし、コントラストを良好にすることができる。
心以外の成分を含む黒色の光吸収層を設けることにより
、光吸収層の界面における反射を防止して!L発光を鮮
明とし、コントラストを良好にすることができる。
黒色の光吸収層の具体的な形成方法としては、例えばR
F−スパッタリング法が採用される0例えば硫化亜鉛(
ZnSx、 [0(!(1])または−17ガy (K
n)をドープした硫化亜鉛(ZnSx:MnrO<x<
1])からなる光吸収層を形成する場合、ZnSターゲ
ットまたはZnS:Nnターゲットを用い、スパッタリ
ングガスはヘリウム()Ie)ガスを用いるa ZnS
ターゲットまたはZnS : Mnターゲットを、約I
Pa ノアルゴン(At)ガスでRFスパッタリングす
ると透明なZnS膜あるいはZnS : In膜が形成
されるが、スパッタリングガスとしてアルゴン(Ar)
ガスの代りにヘリウム(He)ガスを用いると約IPa
から1OPaのガス圧範囲で黒色のZn5x(Oct(
1)あるいはZn5x:Kn(0<x<L)膜が形成さ
れる。光吸収層の膜厚によって色の濃淡が変化するが、
膜厚は数百人程度で充分である。また、光吸収層の厚さ
を変えることにより、色相を変化させることが可能であ
る。
F−スパッタリング法が採用される0例えば硫化亜鉛(
ZnSx、 [0(!(1])または−17ガy (K
n)をドープした硫化亜鉛(ZnSx:MnrO<x<
1])からなる光吸収層を形成する場合、ZnSターゲ
ットまたはZnS:Nnターゲットを用い、スパッタリ
ングガスはヘリウム()Ie)ガスを用いるa ZnS
ターゲットまたはZnS : Mnターゲットを、約I
Pa ノアルゴン(At)ガスでRFスパッタリングす
ると透明なZnS膜あるいはZnS : In膜が形成
されるが、スパッタリングガスとしてアルゴン(Ar)
ガスの代りにヘリウム(He)ガスを用いると約IPa
から1OPaのガス圧範囲で黒色のZn5x(Oct(
1)あるいはZn5x:Kn(0<x<L)膜が形成さ
れる。光吸収層の膜厚によって色の濃淡が変化するが、
膜厚は数百人程度で充分である。また、光吸収層の厚さ
を変えることにより、色相を変化させることが可能であ
る。
本発明において、黒色の光吸収層をEL発光層と同じ材
質とした場合、光吸収層の形成は、スパッタリングガス
をアルゴンからヘリウムに連続的に交換するだけで、E
L発光層の形成と連続して行なうことができる。このよ
うに、EL発光層を形成した後、スパッタリングガスを
交換して光吸収層を連続して形成すると、EL発光層お
よび光吸収層は界面を形成することなく連続的に形成さ
れるので、EL発光層と光吸収層との界面がなくなり、
入射光は反射することなく、光吸収層によ〈吸収され、
表示コントラストをより一層向上させることができる。
質とした場合、光吸収層の形成は、スパッタリングガス
をアルゴンからヘリウムに連続的に交換するだけで、E
L発光層の形成と連続して行なうことができる。このよ
うに、EL発光層を形成した後、スパッタリングガスを
交換して光吸収層を連続して形成すると、EL発光層お
よび光吸収層は界面を形成することなく連続的に形成さ
れるので、EL発光層と光吸収層との界面がなくなり、
入射光は反射することなく、光吸収層によ〈吸収され、
表示コントラストをより一層向上させることができる。
「発明の実施例」
実施例!
第1図に示すように、市販のガラス基板(コーニング#
7059) 1の上にl1lz(h−9n02系の透明
電極2をスパッタリング法により約2000人の厚さで
形成し、その上に5i3pHn 、SiO2を複合した
絶縁層3を同じくスパッタリング法により約3000人
の厚さで形成した。絶縁層3の上にZnS:In(0,
5wt%)からなるEL発光暦4をスパッタリング法に
より約8000人の厚さで形成し、その上にZIIS!
(0<!(1)からなる黒色の光吸収@8をヘリウム(
He)ガス約IPaの存在下でスパッタリング法により
約200人の厚さで形成した0次に、 5i3Na 、
SiO□の複合物からなる絶縁層5をスパッタリング
法により約3000人の厚さで形成し、最後にアルミニ
ウムを真空蒸着して対向電極6を約1500人の厚さで
形成し、薄111EL表示素子を得た。
7059) 1の上にl1lz(h−9n02系の透明
電極2をスパッタリング法により約2000人の厚さで
形成し、その上に5i3pHn 、SiO2を複合した
絶縁層3を同じくスパッタリング法により約3000人
の厚さで形成した。絶縁層3の上にZnS:In(0,
5wt%)からなるEL発光暦4をスパッタリング法に
より約8000人の厚さで形成し、その上にZIIS!
(0<!(1)からなる黒色の光吸収@8をヘリウム(
He)ガス約IPaの存在下でスパッタリング法により
約200人の厚さで形成した0次に、 5i3Na 、
SiO□の複合物からなる絶縁層5をスパッタリング
法により約3000人の厚さで形成し、最後にアルミニ
ウムを真空蒸着して対向電極6を約1500人の厚さで
形成し、薄111EL表示素子を得た。
実施例2
第2図に示すように、市販のガラス基板(コーニング#
7059) 1の上にIn2Q3−9n02系の透明電
極2をスパッタリング法により約2000人の厚さで形
成し、その上にTazOsからなる絶縁層3を同じくス
パッタリング法により約3000人の厚さで形成した0
次に、絶縁層3の上にZnS:Mn(0,5wt%)か
らなるEL発光層礁をスパー、クリング法により形成し
、それに連続して、スパッタリングガスをアルゴンガス
からヘリウム(He)ガスに連続的に交換し、ヘリウム
(He)ガス約I Paの存在下とすることにより、Z
n5x :M!I(0(!(1)からなる黒色の光吸収
層8を約2GO人の厚さで形成した。そして、TazO
sからなる絶縁層5をスパー2タリング法により形成し
、最後にアルミニウムを真空蒸着して対向電極6を形成
し、薄11EL表示素子を得た。この薄膜EL表示素子
においては、EL発光暦4と光吸収層8との間に明瞭な
界面が形成されず、連続的に変化した暦となっていた。
7059) 1の上にIn2Q3−9n02系の透明電
極2をスパッタリング法により約2000人の厚さで形
成し、その上にTazOsからなる絶縁層3を同じくス
パッタリング法により約3000人の厚さで形成した0
次に、絶縁層3の上にZnS:Mn(0,5wt%)か
らなるEL発光層礁をスパー、クリング法により形成し
、それに連続して、スパッタリングガスをアルゴンガス
からヘリウム(He)ガスに連続的に交換し、ヘリウム
(He)ガス約I Paの存在下とすることにより、Z
n5x :M!I(0(!(1)からなる黒色の光吸収
層8を約2GO人の厚さで形成した。そして、TazO
sからなる絶縁層5をスパー2タリング法により形成し
、最後にアルミニウムを真空蒸着して対向電極6を形成
し、薄11EL表示素子を得た。この薄膜EL表示素子
においては、EL発光暦4と光吸収層8との間に明瞭な
界面が形成されず、連続的に変化した暦となっていた。
こうして製造された各薄膜EL表示素子を表示面から観
察したとき、第3図の黒色の光吸収層の可視光透過スペ
クトルかられかるように、EL発光層4の発光部分と非
発光部分とのコントラストは良好であった。
察したとき、第3図の黒色の光吸収層の可視光透過スペ
クトルかられかるように、EL発光層4の発光部分と非
発光部分とのコントラストは良好であった。
なお、実施例1および実施例2におけるZnS、Zn5
x(0(x(1) およびZn5x:Mn(Mn=0
.5wt%、O(!(1)の成膜条件を第1表に示す。
x(0(x(1) およびZn5x:Mn(Mn=0
.5wt%、O(!(1)の成膜条件を第1表に示す。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、 EL発光暦の
背面側にKL発光暦母体と同一の構成元素からなる黒色
の光吸収層を設けたので、照明等の外部からの入射光が
EL発光層と光吸収層との界面において反射することが
少なくなり、外部からの入射光が光吸収層に効率よく吸
収され、表示コントラストを向上させることができる。
背面側にKL発光暦母体と同一の構成元素からなる黒色
の光吸収層を設けたので、照明等の外部からの入射光が
EL発光層と光吸収層との界面において反射することが
少なくなり、外部からの入射光が光吸収層に効率よく吸
収され、表示コントラストを向上させることができる。
また、本発明によれば、EL発光層および光吸収層は、
スパッタリングガスを交換するだけで容易に形成するこ
とが可能である。したがって、スパッタリングガスを適
当に選択すると、EL発光層および光吸収層は界面を形
成することなく連続的に形成することができる。その結
果、EL発光層と光吸収層との界面がなくなり、入射光
は反射することなく、光吸収層によく吸収され、表示コ
ントラストをより一層向丘させることができる。
スパッタリングガスを交換するだけで容易に形成するこ
とが可能である。したがって、スパッタリングガスを適
当に選択すると、EL発光層および光吸収層は界面を形
成することなく連続的に形成することができる。その結
果、EL発光層と光吸収層との界面がなくなり、入射光
は反射することなく、光吸収層によく吸収され、表示コ
ントラストをより一層向丘させることができる。
第1図は本発明による薄IIIEL表示素子の一実施例
を示す断面図、第2図は本発明による薄膜KL表示素子
の他の実施例を示す断面図、第3図は黒色の光吸収層に
おける可視光透過スペクトルを示す図表、第4図は従来
の薄膜EL表示素子の一例を示す断面図、第5図は従来
の薄膜EL表示素子の他の例を示す断面図、第6図は第
4図の薄膜EL表示素子の入射光の反射状態を示す断面
図である。 図中、lはガラス基板、2は透明電極、3.5は絶縁層
、4はEL発光層、Bは対向電極、8.9は黒色の光吸
収層である。
を示す断面図、第2図は本発明による薄膜KL表示素子
の他の実施例を示す断面図、第3図は黒色の光吸収層に
おける可視光透過スペクトルを示す図表、第4図は従来
の薄膜EL表示素子の一例を示す断面図、第5図は従来
の薄膜EL表示素子の他の例を示す断面図、第6図は第
4図の薄膜EL表示素子の入射光の反射状態を示す断面
図である。 図中、lはガラス基板、2は透明電極、3.5は絶縁層
、4はEL発光層、Bは対向電極、8.9は黒色の光吸
収層である。
Claims (4)
- (1)透明電極と対向電極との間にEL発光層を挾持し
てなる薄膜EL表示素子において、前記EL発光層の背
面側に該EL発光層の構成成分の少なくとも発光中心以
外の成分を含む黒色の光吸収層が設けられていることを
特徴とする薄膜EL表示素子。 - (2)特許請求の範囲第1項において、前記黒色の光吸
収層は硫化亜鉛(ZnSx,【0<x<1】)、あるい
は硫化亜鉛に金属または金属化合物をドープした硫化亜
鉛(ZnSx:M【0<x<1,M=金属または金属化
合物】)からなることを特徴とする薄膜EL表示素子。 - (3)特許請求の範囲第1項または第2項において、前
記黒色の光吸収層は前記発光層と前記発光層の背面側に
形成された絶縁層との間に設けられている薄膜EL表示
素子。 - (4)特許請求の範囲第1項または第2項において、前
記黒色の光吸収層は前記発光層の背面側に形成された絶
縁層と前記対向電極との間に設けられている薄膜EL表
示素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60123880A JPS61284092A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 薄膜el表示素子 |
US06/872,214 US4758765A (en) | 1985-06-07 | 1986-06-06 | Black layer for thin film EL display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60123880A JPS61284092A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 薄膜el表示素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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