JPS60180093A - 薄膜el素子 - Google Patents
薄膜el素子Info
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- JPS60180093A JPS60180093A JP59034017A JP3401784A JPS60180093A JP S60180093 A JPS60180093 A JP S60180093A JP 59034017 A JP59034017 A JP 59034017A JP 3401784 A JP3401784 A JP 3401784A JP S60180093 A JPS60180093 A JP S60180093A
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- Japan
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- light
- back electrode
- thin film
- transmittance
- emitting layer
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
- H05B33/24—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S428/917—Electroluminescent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコントラストを高くした薄膜[L素子に関する
。
。
従来、この簿膜EL素子としては、第1図(a)、(b
)及び(C)に示すような構造のものが知られていた。
)及び(C)に示すような構造のものが知られていた。
先ず、第1図(a)は、ガラス基板1上にIn2O3,
8002等の透明電極2と、Y2O3゜■102等から
なる第1の絶縁層3を順次、スパッタリング法又は電子
ビーム蒸着法により重畳形成し、この第1の絶縁層3上
にはZnS:Hn焼結ペレットを電子ビーム蒸着するこ
とにより発光層4をVi層する。この時ZnS蒸着材料
に添加する8口の濃度は目的により異なるが、通常0.
1〜2.0wt%に設定される。この発光層4上には第
1の絶縁層3と同様の材質からなる第2の絶縁層5を積
層し、この上にはAl1等からなる背面電極6を蒸着形
成する。そして、透明電極2と背面電極6に交流又は直
流電源を接続して、この&9 fl!I!E L素子を
駆動して、黄橙色の発光を呈する。
8002等の透明電極2と、Y2O3゜■102等から
なる第1の絶縁層3を順次、スパッタリング法又は電子
ビーム蒸着法により重畳形成し、この第1の絶縁層3上
にはZnS:Hn焼結ペレットを電子ビーム蒸着するこ
とにより発光層4をVi層する。この時ZnS蒸着材料
に添加する8口の濃度は目的により異なるが、通常0.
1〜2.0wt%に設定される。この発光層4上には第
1の絶縁層3と同様の材質からなる第2の絶縁層5を積
層し、この上にはAl1等からなる背面電極6を蒸着形
成する。そして、透明電極2と背面電極6に交流又は直
流電源を接続して、この&9 fl!I!E L素子を
駆動して、黄橙色の発光を呈する。
このような構造の薄膜EL素子は、その発光特性、寿命
の面では実用化に迫る特性を備えているにもか)ねらず
、第2の絶縁層5と背面電極6との間の光反射係数が大
きく、外部から大剣した光の50%以上をも反射するこ
とから、明るい場所で表示させる場合には、コントラス
トが低下する欠点があった。このような欠点を除去する
ために、第1図(b)及び(C)に示すような構造の薄
膜EL素子が提案されている。
の面では実用化に迫る特性を備えているにもか)ねらず
、第2の絶縁層5と背面電極6との間の光反射係数が大
きく、外部から大剣した光の50%以上をも反射するこ
とから、明るい場所で表示させる場合には、コントラス
トが低下する欠点があった。このような欠点を除去する
ために、第1図(b)及び(C)に示すような構造の薄
膜EL素子が提案されている。
先ず、第1図(b)は同図<a)に示した発光層4と第
2の絶縁層5どの間にCaTe等の高抵抗光吸収体層7
を挿入することにより、EL素子のコントラストを高く
している。しかし、このEL素子は、発光特性において
同図(a)に示したEl素子と対比して大きく変わって
しまい、輝度が低下する欠点があり、高電界を加えたと
きには絶縁破壊しやすい欠点もあった。
2の絶縁層5どの間にCaTe等の高抵抗光吸収体層7
を挿入することにより、EL素子のコントラストを高く
している。しかし、このEL素子は、発光特性において
同図(a)に示したEl素子と対比して大きく変わって
しまい、輝度が低下する欠点があり、高電界を加えたと
きには絶縁破壊しやすい欠点もあった。
次に、第1図(C)は同図(a)に示した第2の絶縁層
5と背面電極6との間にCaTe等の高抵抗光吸収体層
8を挿入することにより、同図(b)に示したものと同
様、EL素子のコントラストを高くしているが、発光開
始電圧が高くなってしまうという致命的欠点があり、ま
た同図(C)のものと同様、高電界を加えたときには絶
縁破壊しやすい欠点もあった。
5と背面電極6との間にCaTe等の高抵抗光吸収体層
8を挿入することにより、同図(b)に示したものと同
様、EL素子のコントラストを高くしているが、発光開
始電圧が高くなってしまうという致命的欠点があり、ま
た同図(C)のものと同様、高電界を加えたときには絶
縁破壊しやすい欠点もあった。
本発明は、上記のような従来の欠点を除去するためにな
されたものであり、光反射体を背面電極の後方に設置し
、かつ光吸収体をE’L素子の光取り出し側に配置する
ことを主構成とすることにより、発光輝度特性を変える
ことなく、発光時のコン1〜ラストを高くした薄膜EL
索子を提供することを目的としている。
されたものであり、光反射体を背面電極の後方に設置し
、かつ光吸収体をE’L素子の光取り出し側に配置する
ことを主構成とすることにより、発光輝度特性を変える
ことなく、発光時のコン1〜ラストを高くした薄膜EL
索子を提供することを目的としている。
以下、本発明の実施例図面を参照しながら、本発明の詳
細な説明する。
細な説明する。
第2図(a)は本発明の一実施例を示し、透明144f
i1から背面電極6までの構造部分は、第1図(a)に
示したEL素子と同一であり、先ず、石英ガラス基板1
上に酸化インジウムスズ(以下、[I TOJという。
i1から背面電極6までの構造部分は、第1図(a)に
示したEL素子と同一であり、先ず、石英ガラス基板1
上に酸化インジウムスズ(以下、[I TOJという。
)の透明電極2(膜厚: 2000人)を直流マグネト
ロン・スパッタリング法(基板温度Ts=200℃、ス
パッタ電流密度I=1 、5mへ/ cA 。
ロン・スパッタリング法(基板温度Ts=200℃、ス
パッタ電流密度I=1 、5mへ/ cA 。
pAr= 3x10 Torr)により成膜Jる。その
際、透明電極2の表面を平滑面状に形成するために、ス
パッタリング法が適している。真空蒸着法によれば、そ
の表面に突起部が発生しがちであり、その突起部に電界
が集中して、絶縁破壊を起こしやづくなる。次に、Y2
O3の第1の絶縁層3(膜厚: 3000人)を反応性
蒸着法(Ts=300℃、P02=1×101Orr)
により蒸着し、次に、Hnを0.5wt%m 加したZ
nS:Hn焼結ペレットを素材にして真空蒸着法(Ts
=200℃)により発光層4(°膜厚:5000人)を
蒸着し、次に、第1の絶縁層3と同様に第2の絶縁層5
(膜厚: 3000人)を蒸着する。
際、透明電極2の表面を平滑面状に形成するために、ス
パッタリング法が適している。真空蒸着法によれば、そ
の表面に突起部が発生しがちであり、その突起部に電界
が集中して、絶縁破壊を起こしやづくなる。次に、Y2
O3の第1の絶縁層3(膜厚: 3000人)を反応性
蒸着法(Ts=300℃、P02=1×101Orr)
により蒸着し、次に、Hnを0.5wt%m 加したZ
nS:Hn焼結ペレットを素材にして真空蒸着法(Ts
=200℃)により発光層4(°膜厚:5000人)を
蒸着し、次に、第1の絶縁層3と同様に第2の絶縁層5
(膜厚: 3000人)を蒸着する。
そして、この第2の絶縁層5上にAlからなる背面電極
6(膜厚: 2000人)を真空蒸着法(TS=180
℃)により蒸着する。本例の薄膜[L素子も透明電極2
と背面電極6との間に電界を印加することにより、両電
極2,6間で互に交差した発光層4の部分(絵素)から
透明基板1を通して黄橙色のEL発光を呈Jる。
6(膜厚: 2000人)を真空蒸着法(TS=180
℃)により蒸着する。本例の薄膜[L素子も透明電極2
と背面電極6との間に電界を印加することにより、両電
極2,6間で互に交差した発光層4の部分(絵素)から
透明基板1を通して黄橙色のEL発光を呈Jる。
以上得られた透明基板1から背面電極6までのEL素子
において、背面電極6の存在する領域Aとその存在しな
い領域Bでの透明基板1側で児1こ可視光平均反射率を
測定した結果、領v1.A及び領域Bではそれぞれ約6
0%及び約20%であり、コントラストが低いばかりで
なく、背面電極6のノくターン形状が明瞭に見えてしま
う。
において、背面電極6の存在する領域Aとその存在しな
い領域Bでの透明基板1側で児1こ可視光平均反射率を
測定した結果、領v1.A及び領域Bではそれぞれ約6
0%及び約20%であり、コントラストが低いばかりで
なく、背面電極6のノくターン形状が明瞭に見えてしま
う。
そこで本発明では、先ず、ソーダライムガラスからなる
封止用のガラス板10の上面(又はその−ト面、すなわ
ち背面電極6と対面する側の面)にCrからなる反射用
の金属膜11(膜厚: 1ooo人)をスパッタリング
法又は真空蒸着法により形成してなる光反射体12を背
面゛電極6の後方に配置している。
封止用のガラス板10の上面(又はその−ト面、すなわ
ち背面電極6と対面する側の面)にCrからなる反射用
の金属膜11(膜厚: 1ooo人)をスパッタリング
法又は真空蒸着法により形成してなる光反射体12を背
面゛電極6の後方に配置している。
本例では、この配置手段として透明電極2の周辺に光硬
化型接着剤9を塗布して、前述したガラス板10と接合
し、同時に透明電極2にり上方の絶縁層3から背面電極
6までの積層部分を封止している。このような光反射体
により、透明基板1側で見た可視光平均反射率は、領域
Aにおいて背面電極6で反射されて前述した通り約60
%であり、領域已において金属膜11で反射されてここ
でも約60%になり、両領域A及び已において実質的に
等しくなる。その結果、背面電極6のパターン形状にお
けるコントンストが著しく低下するために、そのパター
ン形状を透明基板1側から非常に見にくくすることがで
きる。
化型接着剤9を塗布して、前述したガラス板10と接合
し、同時に透明電極2にり上方の絶縁層3から背面電極
6までの積層部分を封止している。このような光反射体
により、透明基板1側で見た可視光平均反射率は、領域
Aにおいて背面電極6で反射されて前述した通り約60
%であり、領域已において金属膜11で反射されてここ
でも約60%になり、両領域A及び已において実質的に
等しくなる。その結果、背面電極6のパターン形状にお
けるコントンストが著しく低下するために、そのパター
ン形状を透明基板1側から非常に見にくくすることがで
きる。
更に本発明では、シリカボウ酸n2o<アルカリ金属酸
化物)系ガラスに鉄とコバルトを添加したガラス板13
と、その両面に蒸谷形成したH(] F2の誘電体層1
4(光学膜厚:入/71.入=580nm )とからな
る光吸収体15を本例EL素子の光取り出し側に配置し
ている。本例の光吸収体15の可視光透過率は、第3図
の分光透過率特性曲線aで示すように、24%〜34%
であり、その中心値29%に対して±5%の透過率でほ
ぼ平坦特性を有している。
化物)系ガラスに鉄とコバルトを添加したガラス板13
と、その両面に蒸谷形成したH(] F2の誘電体層1
4(光学膜厚:入/71.入=580nm )とからな
る光吸収体15を本例EL素子の光取り出し側に配置し
ている。本例の光吸収体15の可視光透過率は、第3図
の分光透過率特性曲線aで示すように、24%〜34%
であり、その中心値29%に対して±5%の透過率でほ
ぼ平坦特性を有している。
そして、この可視光透過率の好ましい範囲は、次のよう
な理由により10〜70%の範囲内である。光吸収体1
5の両面での光反射を実用上無視して、光吸収体15の
透過率をtとし、領域Aにおける光反射率をrとし、こ
の光吸収体15が存在しないときのEL素子の発光輝度
をbとすると、本発明によるE、L素子の発光輝度B及
び光反射率Rは、B=tb及びR=t rとなる。ここ
で、透過率tを小さくすることにより、光反射率Rを小
さくりることかできるが、発光輝度Bも透過率tに比例
して小さくなるため、透過率tを無制限に小さくしても
無意味である。そこで、この透過率tの実用上好ましい
範囲を検討すると、その上限値t maxについては光
反射率Rを光反射率rの1/2にまで減少させることが
望ましいことから、tmax−f]てフγ〒−−70%
となり、その下限値については、発光輝度b(本例:
100cd / rd )に対する最小限必要とされる
発光輝度3 m1n(本例: 10cd/ ml )の
比tmin =Bmin /b=10%となる。そして
、この光吸収体15の透過率tは10%〜70%範囲内
にあって、可視光(波長:400〜80onm )にお
いて一様なコントラストを得るために、波長に対する透
過率の変動の許容差が±10%内で実質的に平坦特性で
あることが望ましい。
な理由により10〜70%の範囲内である。光吸収体1
5の両面での光反射を実用上無視して、光吸収体15の
透過率をtとし、領域Aにおける光反射率をrとし、こ
の光吸収体15が存在しないときのEL素子の発光輝度
をbとすると、本発明によるE、L素子の発光輝度B及
び光反射率Rは、B=tb及びR=t rとなる。ここ
で、透過率tを小さくすることにより、光反射率Rを小
さくりることかできるが、発光輝度Bも透過率tに比例
して小さくなるため、透過率tを無制限に小さくしても
無意味である。そこで、この透過率tの実用上好ましい
範囲を検討すると、その上限値t maxについては光
反射率Rを光反射率rの1/2にまで減少させることが
望ましいことから、tmax−f]てフγ〒−−70%
となり、その下限値については、発光輝度b(本例:
100cd / rd )に対する最小限必要とされる
発光輝度3 m1n(本例: 10cd/ ml )の
比tmin =Bmin /b=10%となる。そして
、この光吸収体15の透過率tは10%〜70%範囲内
にあって、可視光(波長:400〜80onm )にお
いて一様なコントラストを得るために、波長に対する透
過率の変動の許容差が±10%内で実質的に平坦特性で
あることが望ましい。
本例の光吸収体15を通した分光反射率特性は、第4図
の曲線すで示すように可視光反射率を4〜7%にまで著
しく低下させることができ、その結果、EL素子のコン
トラストを充分に高くすることができる。
の曲線すで示すように可視光反射率を4〜7%にまで著
しく低下させることができ、その結果、EL素子のコン
トラストを充分に高くすることができる。
本発明は以上の実施例の他、光反射体12についではガ
ラス板10の材質をアルミノボロシリケート等の多成分
系ガラス又は石英ガラスなど透光性ガラスにしてもよく
、金属膜11の材質をTa、旧。
ラス板10の材質をアルミノボロシリケート等の多成分
系ガラス又は石英ガラスなど透光性ガラスにしてもよく
、金属膜11の材質をTa、旧。
NiCr、 No、Al1等の金属にしてもよい。更に
ガラス板10を使用しないで、前記金属素材を板状に加
工したものでもよい。光吸収体15については、誘電体
層14をSi Oの単層、又はH!II F2. Si
02゜Ti O□、 III 02等のうら2層以上
の多層にしてもよく、また、PbTe、 CdTe、
C等の光吸収性簿膜をガラス板13の両面又は片面に形
成してもにり、ここで使用づるガラス板13を透明基板
1として兼用してもよい。この兼用の場合は、第2図に
おいて透明基板1の代わりに光吸収体15を設置するこ
とになる。ここで使用したガラス板13については、誘
電体層又は光吸収性薄膜をその表面に形成した場合に、
前述したどおり可視光透過率が10〜70%の範囲内に
あって、波長に対してその透過率の変動の許容差が±1
0%内であるガラスであることが好ましいが、ガラスの
硝種については実施例に限定されない。また、シリカホ
ウ酸R2o系ガラスの添加物としてニッケルとコバルト
を使用してもよい。
ガラス板10を使用しないで、前記金属素材を板状に加
工したものでもよい。光吸収体15については、誘電体
層14をSi Oの単層、又はH!II F2. Si
02゜Ti O□、 III 02等のうら2層以上
の多層にしてもよく、また、PbTe、 CdTe、
C等の光吸収性簿膜をガラス板13の両面又は片面に形
成してもにり、ここで使用づるガラス板13を透明基板
1として兼用してもよい。この兼用の場合は、第2図に
おいて透明基板1の代わりに光吸収体15を設置するこ
とになる。ここで使用したガラス板13については、誘
電体層又は光吸収性薄膜をその表面に形成した場合に、
前述したどおり可視光透過率が10〜70%の範囲内に
あって、波長に対してその透過率の変動の許容差が±1
0%内であるガラスであることが好ましいが、ガラスの
硝種については実施例に限定されない。また、シリカホ
ウ酸R2o系ガラスの添加物としてニッケルとコバルト
を使用してもよい。
その伯の変形例を挙げれば、本発明では透明電極2から
背面電極6までの積層構造は任意であり、例えば第1図
(a)の基本構造において絶縁層3を除いて透明電極2
と発光層4を隣接した、いわゆるMIS構造タイプでも
よく、また次の通り材質を変えてもよい。先ず、透明長
板については石英ガラスに代えて、ソーダライムガラス
、アルミノボロシリケートガラス等の多成分系のガラス
基板でもよく、透明電極についてはITOに代えて、l
0203若しくはこれにWを添加したもの又はSn O
,にSb、 F等を添加したものであってもよい。
背面電極6までの積層構造は任意であり、例えば第1図
(a)の基本構造において絶縁層3を除いて透明電極2
と発光層4を隣接した、いわゆるMIS構造タイプでも
よく、また次の通り材質を変えてもよい。先ず、透明長
板については石英ガラスに代えて、ソーダライムガラス
、アルミノボロシリケートガラス等の多成分系のガラス
基板でもよく、透明電極についてはITOに代えて、l
0203若しくはこれにWを添加したもの又はSn O
,にSb、 F等を添加したものであってもよい。
次に、絶縁層については Y2O3に代えて、Ta20
5. Ti O2,AjL203. Si3N4又は5
i02等を使用してもよい。次に、発光層については、
母材としてZnSの代わりに、Zn5e又はこれら混合
物等を使用してもよく、これらの母材に対して活性材と
してHn、 Cu、An、希土類、ハロゲン等が添加さ
れる。例えば、ZnS :Cu、八jLでは黄緑色、加
(S−Se) : Cu、 8rでは緑色、母材Z’n
Sに対して活性材としてSmは赤色、Tbは緑色、Tm
は青色を発光1゛る。また、この発光層は中間層として
透明誘電体層(Y O、Ta2O,、Ti O2゜3 AL203,513N4又は、SiO2等)を介在して
第1及び第2の発光層に分けてもよく、その場合に第1
及び第2の発光層は同一材質に選定できることは勿論の
こと、異種材質、例えば第1の発光層として■b6F3
を添加したZnS H膜を使用した場合、第1の発光層
からは緑色を発光し、第2の発光層としてSm F3を
添加したZnS薄膜を使用した場合、第2の発光層から
は赤色を発光して、全体として緑色と赤色との中間色を
発光する薄膜[L素子が得られる。次に、背面電極につ
いてはAlに代えて、ra、 No、 Fe、 Nt、
NiCr等の金属を使用してもよい。
5. Ti O2,AjL203. Si3N4又は5
i02等を使用してもよい。次に、発光層については、
母材としてZnSの代わりに、Zn5e又はこれら混合
物等を使用してもよく、これらの母材に対して活性材と
してHn、 Cu、An、希土類、ハロゲン等が添加さ
れる。例えば、ZnS :Cu、八jLでは黄緑色、加
(S−Se) : Cu、 8rでは緑色、母材Z’n
Sに対して活性材としてSmは赤色、Tbは緑色、Tm
は青色を発光1゛る。また、この発光層は中間層として
透明誘電体層(Y O、Ta2O,、Ti O2゜3 AL203,513N4又は、SiO2等)を介在して
第1及び第2の発光層に分けてもよく、その場合に第1
及び第2の発光層は同一材質に選定できることは勿論の
こと、異種材質、例えば第1の発光層として■b6F3
を添加したZnS H膜を使用した場合、第1の発光層
からは緑色を発光し、第2の発光層としてSm F3を
添加したZnS薄膜を使用した場合、第2の発光層から
は赤色を発光して、全体として緑色と赤色との中間色を
発光する薄膜[L素子が得られる。次に、背面電極につ
いてはAlに代えて、ra、 No、 Fe、 Nt、
NiCr等の金属を使用してもよい。
以上のとおり、本発明の薄膜EL素子ににれば、発光輝
度特性を良好に維持しつ・、高いコントラストを得るこ
とができる。
度特性を良好に維持しつ・、高いコントラストを得るこ
とができる。
第1図(a)、(b)及び(c)はそれぞれ従来の薄膜
EL素子を示す断面図、第2図は本発明の薄膜EL素子
による実施例を示す断面図、第3図は本実施例における
光吸収体の分光透過率特性図、並びに第4図は本実施例
の分光透過率特性図である。 2・・・透明電極、4・・・発光層、6・・パ背面電極
、12・・・光反射体、15・・・光吸収体第1図 2 1 第2図 第3図 浪 &(τ町 第4図 浪 長 (lrL俟〕 手 続 補 正 書 く自発) 1.事件の表示 昭和59年特許願第34017号2、
発明の名称 薄膜EL素子゛ 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合2丁目7番5号〒161’
置 03(952) 1151ホ ヤ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 (1) 明細書の「発明の詳細な説明」の欄5、補正の
内容 (1) 明細書第1頁第19及び16行目に「CaTe
」とあるを[cdTelと訂正する。 以上 手 続 補 正 書 (自発) 昭和60年3月4日 1、事件の表示 昭和59年特許願第34017号2、
発明の名称 薄膜EL素子 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合2丁目7番5号〒161 T
E L 03(952) 1151名称 ホ − ヤ
株 式 会 社 (1)明細書の「発明の詳細な説明」の欄5、補正の内
容 (1)明細書第1頁第19行に「コントラストを」とあ
るを「コントラスト及び画像品位を」と補正する。 ストを」とあるを「コントラスト及び画像品位を」と補
正する。 (3)明細書第6頁第5行に1見えてしまう。」とある
を「見えてしまい、発光絵素が見にくくなり、画像品位
が低下する。」と補正する。 (4)明細書第7頁第16行に「実用上無視して、」と
あるを「単純化のため無視して、」と補正する。 (5)明細書第9頁第2行に「できる。」とあるを「で
きる。また、光反射体12を設置したことにより、背面
電極6のパターン形状を見えなくすることと、光吸収体
15による光吸収効果との相乗効果を得て、EL素子は
非富に見やすくなる。 」と補正する。 (6)明細書第12頁第1行から第2行に「高いコンl
−ラス[〜」とあるを「優れた画像品位と高いコントラ
スト」と補正する。 以上
EL素子を示す断面図、第2図は本発明の薄膜EL素子
による実施例を示す断面図、第3図は本実施例における
光吸収体の分光透過率特性図、並びに第4図は本実施例
の分光透過率特性図である。 2・・・透明電極、4・・・発光層、6・・パ背面電極
、12・・・光反射体、15・・・光吸収体第1図 2 1 第2図 第3図 浪 &(τ町 第4図 浪 長 (lrL俟〕 手 続 補 正 書 く自発) 1.事件の表示 昭和59年特許願第34017号2、
発明の名称 薄膜EL素子゛ 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合2丁目7番5号〒161’
置 03(952) 1151ホ ヤ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 (1) 明細書の「発明の詳細な説明」の欄5、補正の
内容 (1) 明細書第1頁第19及び16行目に「CaTe
」とあるを[cdTelと訂正する。 以上 手 続 補 正 書 (自発) 昭和60年3月4日 1、事件の表示 昭和59年特許願第34017号2、
発明の名称 薄膜EL素子 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合2丁目7番5号〒161 T
E L 03(952) 1151名称 ホ − ヤ
株 式 会 社 (1)明細書の「発明の詳細な説明」の欄5、補正の内
容 (1)明細書第1頁第19行に「コントラストを」とあ
るを「コントラスト及び画像品位を」と補正する。 ストを」とあるを「コントラスト及び画像品位を」と補
正する。 (3)明細書第6頁第5行に1見えてしまう。」とある
を「見えてしまい、発光絵素が見にくくなり、画像品位
が低下する。」と補正する。 (4)明細書第7頁第16行に「実用上無視して、」と
あるを「単純化のため無視して、」と補正する。 (5)明細書第9頁第2行に「できる。」とあるを「で
きる。また、光反射体12を設置したことにより、背面
電極6のパターン形状を見えなくすることと、光吸収体
15による光吸収効果との相乗効果を得て、EL素子は
非富に見やすくなる。 」と補正する。 (6)明細書第12頁第1行から第2行に「高いコンl
−ラス[〜」とあるを「優れた画像品位と高いコントラ
スト」と補正する。 以上
Claims (1)
- (1) 透明電極と背面電極との間に発光層を介在し、
両電極間に電界を加えることにより、前記発光層がEL
発光づるEL素子において、光反射体を前記背面電極の
後方に配置し、かつ光吸収体を前記EL素子の光取り出
し側に配置したことを特徴とづる薄膜Eし素子。 (2、特許請求の範囲第1項記載において、前記光反射
体の可視光反射率が前記背面電極の存在づる領域におけ
る前記透明電極側から見た可視光反射率と実質的に等し
く、かつ前記光吸収体の可視透過率が10〜70%の範
囲内にあって、波長に対する透過率の変動の許容差が±
10%内であることを特徴とする薄膜EL素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59034017A JPS60180093A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 薄膜el素子 |
US06/704,380 US4590128A (en) | 1984-02-24 | 1985-02-22 | Thin film EL element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59034017A JPS60180093A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 薄膜el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60180093A true JPS60180093A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12402620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59034017A Pending JPS60180093A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 薄膜el素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4590128A (ja) |
JP (1) | JPS60180093A (ja) |
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- 1985-02-22 US US06/704,380 patent/US4590128A/en not_active Expired - Fee Related
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