JPS60180093A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPS60180093A JPS60180093A JP59034017A JP3401784A JPS60180093A JP S60180093 A JPS60180093 A JP S60180093A JP 59034017 A JP59034017 A JP 59034017A JP 3401784 A JP3401784 A JP 3401784A JP S60180093 A JPS60180093 A JP S60180093A
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- Japan
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- light
- back electrode
- thin film
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- emitting layer
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
- H05B33/24—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコントラストを高くした薄膜［Ｌ素子に関する
。
。
従来、この簿膜ＥＬ素子としては、第１図（ａ）、（ｂ
）及び（Ｃ）に示すような構造のものが知られていた。
）及び（Ｃ）に示すような構造のものが知られていた。
先ず、第１図（ａ）は、ガラス基板１上にＩｎ２Ｏ３，
８００２等の透明電極２と、Ｙ２Ｏ３゜■１０２等から
なる第１の絶縁層３を順次、スパッタリング法又は電子
ビーム蒸着法により重畳形成し、この第１の絶縁層３上
にはＺｎＳ：Ｈｎ焼結ペレットを電子ビーム蒸着するこ
とにより発光層４をＶｉ層する。この時ＺｎＳ蒸着材料
に添加する８口の濃度は目的により異なるが、通常０．
１〜２．０ｗｔ％に設定される。この発光層４上には第
１の絶縁層３と同様の材質からなる第２の絶縁層５を積
層し、この上にはＡｌ１等からなる背面電極６を蒸着形
成する。そして、透明電極２と背面電極６に交流又は直
流電源を接続して、この＆９ ｆｌ！Ｉ！Ｅ Ｌ素子を
駆動して、黄橙色の発光を呈する。
８００２等の透明電極２と、Ｙ２Ｏ３゜■１０２等から
なる第１の絶縁層３を順次、スパッタリング法又は電子
ビーム蒸着法により重畳形成し、この第１の絶縁層３上
にはＺｎＳ：Ｈｎ焼結ペレットを電子ビーム蒸着するこ
とにより発光層４をＶｉ層する。この時ＺｎＳ蒸着材料
に添加する８口の濃度は目的により異なるが、通常０．
１〜２．０ｗｔ％に設定される。この発光層４上には第
１の絶縁層３と同様の材質からなる第２の絶縁層５を積
層し、この上にはＡｌ１等からなる背面電極６を蒸着形
成する。そして、透明電極２と背面電極６に交流又は直
流電源を接続して、この＆９ ｆｌ！Ｉ！Ｅ Ｌ素子を
駆動して、黄橙色の発光を呈する。
このような構造の薄膜ＥＬ素子は、その発光特性、寿命
の面では実用化に迫る特性を備えているにもか）ねらず
、第２の絶縁層５と背面電極６との間の光反射係数が大
きく、外部から大剣した光の５０％以上をも反射するこ
とから、明るい場所で表示させる場合には、コントラス
トが低下する欠点があった。このような欠点を除去する
ために、第１図（ｂ）及び（Ｃ）に示すような構造の薄
膜ＥＬ素子が提案されている。
の面では実用化に迫る特性を備えているにもか）ねらず
、第２の絶縁層５と背面電極６との間の光反射係数が大
きく、外部から大剣した光の５０％以上をも反射するこ
とから、明るい場所で表示させる場合には、コントラス
トが低下する欠点があった。このような欠点を除去する
ために、第１図（ｂ）及び（Ｃ）に示すような構造の薄
膜ＥＬ素子が提案されている。
先ず、第１図（ｂ）は同図＜ａ）に示した発光層４と第
２の絶縁層５どの間にＣａＴｅ等の高抵抗光吸収体層７
を挿入することにより、ＥＬ素子のコントラストを高く
している。しかし、このＥＬ素子は、発光特性において
同図（ａ）に示したＥｌ素子と対比して大きく変わって
しまい、輝度が低下する欠点があり、高電界を加えたと
きには絶縁破壊しやすい欠点もあった。
２の絶縁層５どの間にＣａＴｅ等の高抵抗光吸収体層７
を挿入することにより、ＥＬ素子のコントラストを高く
している。しかし、このＥＬ素子は、発光特性において
同図（ａ）に示したＥｌ素子と対比して大きく変わって
しまい、輝度が低下する欠点があり、高電界を加えたと
きには絶縁破壊しやすい欠点もあった。
次に、第１図（Ｃ）は同図（ａ）に示した第２の絶縁層
５と背面電極６との間にＣａＴｅ等の高抵抗光吸収体層
８を挿入することにより、同図（ｂ）に示したものと同
様、ＥＬ素子のコントラストを高くしているが、発光開
始電圧が高くなってしまうという致命的欠点があり、ま
た同図（Ｃ）のものと同様、高電界を加えたときには絶
縁破壊しやすい欠点もあった。
５と背面電極６との間にＣａＴｅ等の高抵抗光吸収体層
８を挿入することにより、同図（ｂ）に示したものと同
様、ＥＬ素子のコントラストを高くしているが、発光開
始電圧が高くなってしまうという致命的欠点があり、ま
た同図（Ｃ）のものと同様、高電界を加えたときには絶
縁破壊しやすい欠点もあった。
本発明は、上記のような従来の欠点を除去するためにな
されたものであり、光反射体を背面電極の後方に設置し
、かつ光吸収体をＥ’Ｌ素子の光取り出し側に配置する
ことを主構成とすることにより、発光輝度特性を変える
ことなく、発光時のコン１〜ラストを高くした薄膜ＥＬ
索子を提供することを目的としている。
されたものであり、光反射体を背面電極の後方に設置し
、かつ光吸収体をＥ’Ｌ素子の光取り出し側に配置する
ことを主構成とすることにより、発光輝度特性を変える
ことなく、発光時のコン１〜ラストを高くした薄膜ＥＬ
索子を提供することを目的としている。
以下、本発明の実施例図面を参照しながら、本発明の詳
細な説明する。
細な説明する。
第２図（ａ）は本発明の一実施例を示し、透明１４４ｆ
ｉ１から背面電極６までの構造部分は、第１図（ａ）に
示したＥＬ素子と同一であり、先ず、石英ガラス基板１
上に酸化インジウムスズ（以下、［Ｉ ＴＯＪという。
ｉ１から背面電極６までの構造部分は、第１図（ａ）に
示したＥＬ素子と同一であり、先ず、石英ガラス基板１
上に酸化インジウムスズ（以下、［Ｉ ＴＯＪという。
）の透明電極２（膜厚： ２０００人）を直流マグネト
ロン・スパッタリング法（基板温度Ｔｓ＝２００℃、ス
パッタ電流密度Ｉ＝１ 、５ｍへ／ ｃＡ 。
ロン・スパッタリング法（基板温度Ｔｓ＝２００℃、ス
パッタ電流密度Ｉ＝１ 、５ｍへ／ ｃＡ 。
ｐＡｒ＝ ３ｘ１０ Ｔｏｒｒ）により成膜Ｊる。その
際、透明電極２の表面を平滑面状に形成するために、ス
パッタリング法が適している。真空蒸着法によれば、そ
の表面に突起部が発生しがちであり、その突起部に電界
が集中して、絶縁破壊を起こしやづくなる。次に、Ｙ２
Ｏ３の第１の絶縁層３（膜厚： ３０００人）を反応性
蒸着法（Ｔｓ＝３００℃、Ｐ０２＝１×１０１Ｏｒｒ）
により蒸着し、次に、Ｈｎを０．５ｗｔ％ｍ 加したＺ
ｎＳ：Ｈｎ焼結ペレットを素材にして真空蒸着法（Ｔｓ
＝２００℃）により発光層４（°膜厚：５０００人）を
蒸着し、次に、第１の絶縁層３と同様に第２の絶縁層５
（膜厚： ３０００人）を蒸着する。
際、透明電極２の表面を平滑面状に形成するために、ス
パッタリング法が適している。真空蒸着法によれば、そ
の表面に突起部が発生しがちであり、その突起部に電界
が集中して、絶縁破壊を起こしやづくなる。次に、Ｙ２
Ｏ３の第１の絶縁層３（膜厚： ３０００人）を反応性
蒸着法（Ｔｓ＝３００℃、Ｐ０２＝１×１０１Ｏｒｒ）
により蒸着し、次に、Ｈｎを０．５ｗｔ％ｍ 加したＺ
ｎＳ：Ｈｎ焼結ペレットを素材にして真空蒸着法（Ｔｓ
＝２００℃）により発光層４（°膜厚：５０００人）を
蒸着し、次に、第１の絶縁層３と同様に第２の絶縁層５
（膜厚： ３０００人）を蒸着する。
そして、この第２の絶縁層５上にＡｌからなる背面電極
６（膜厚： ２０００人）を真空蒸着法（ＴＳ＝１８０
℃）により蒸着する。本例の薄膜［Ｌ素子も透明電極２
と背面電極６との間に電界を印加することにより、両電
極２，６間で互に交差した発光層４の部分（絵素）から
透明基板１を通して黄橙色のＥＬ発光を呈Ｊる。
６（膜厚： ２０００人）を真空蒸着法（ＴＳ＝１８０
℃）により蒸着する。本例の薄膜［Ｌ素子も透明電極２
と背面電極６との間に電界を印加することにより、両電
極２，６間で互に交差した発光層４の部分（絵素）から
透明基板１を通して黄橙色のＥＬ発光を呈Ｊる。
以上得られた透明基板１から背面電極６までのＥＬ素子
において、背面電極６の存在する領域Ａとその存在しな
い領域Ｂでの透明基板１側で児１こ可視光平均反射率を
測定した結果、領ｖ１．Ａ及び領域Ｂではそれぞれ約６
０％及び約２０％であり、コントラストが低いばかりで
なく、背面電極６のノくターン形状が明瞭に見えてしま
う。
において、背面電極６の存在する領域Ａとその存在しな
い領域Ｂでの透明基板１側で児１こ可視光平均反射率を
測定した結果、領ｖ１．Ａ及び領域Ｂではそれぞれ約６
０％及び約２０％であり、コントラストが低いばかりで
なく、背面電極６のノくターン形状が明瞭に見えてしま
う。
そこで本発明では、先ず、ソーダライムガラスからなる
封止用のガラス板１０の上面（又はその−ト面、すなわ
ち背面電極６と対面する側の面）にＣｒからなる反射用
の金属膜１１（膜厚： １ｏｏｏ人）をスパッタリング
法又は真空蒸着法により形成してなる光反射体１２を背
面゛電極６の後方に配置している。
封止用のガラス板１０の上面（又はその−ト面、すなわ
ち背面電極６と対面する側の面）にＣｒからなる反射用
の金属膜１１（膜厚： １ｏｏｏ人）をスパッタリング
法又は真空蒸着法により形成してなる光反射体１２を背
面゛電極６の後方に配置している。
本例では、この配置手段として透明電極２の周辺に光硬
化型接着剤９を塗布して、前述したガラス板１０と接合
し、同時に透明電極２にり上方の絶縁層３から背面電極
６までの積層部分を封止している。このような光反射体
により、透明基板１側で見た可視光平均反射率は、領域
Ａにおいて背面電極６で反射されて前述した通り約６０
％であり、領域已において金属膜１１で反射されてここ
でも約６０％になり、両領域Ａ及び已において実質的に
等しくなる。その結果、背面電極６のパターン形状にお
けるコントンストが著しく低下するために、そのパター
ン形状を透明基板１側から非常に見にくくすることがで
きる。
化型接着剤９を塗布して、前述したガラス板１０と接合
し、同時に透明電極２にり上方の絶縁層３から背面電極
６までの積層部分を封止している。このような光反射体
により、透明基板１側で見た可視光平均反射率は、領域
Ａにおいて背面電極６で反射されて前述した通り約６０
％であり、領域已において金属膜１１で反射されてここ
でも約６０％になり、両領域Ａ及び已において実質的に
等しくなる。その結果、背面電極６のパターン形状にお
けるコントンストが著しく低下するために、そのパター
ン形状を透明基板１側から非常に見にくくすることがで
きる。
更に本発明では、シリカボウ酸ｎ２ｏ＜アルカリ金属酸
化物）系ガラスに鉄とコバルトを添加したガラス板１３
と、その両面に蒸谷形成したＨ（］ Ｆ２の誘電体層１
４（光学膜厚：入／７１．入＝５８０ｎｍ ）とからな
る光吸収体１５を本例ＥＬ素子の光取り出し側に配置し
ている。本例の光吸収体１５の可視光透過率は、第３図
の分光透過率特性曲線ａで示すように、２４％〜３４％
であり、その中心値２９％に対して±５％の透過率でほ
ぼ平坦特性を有している。
化物）系ガラスに鉄とコバルトを添加したガラス板１３
と、その両面に蒸谷形成したＨ（］ Ｆ２の誘電体層１
４（光学膜厚：入／７１．入＝５８０ｎｍ ）とからな
る光吸収体１５を本例ＥＬ素子の光取り出し側に配置し
ている。本例の光吸収体１５の可視光透過率は、第３図
の分光透過率特性曲線ａで示すように、２４％〜３４％
であり、その中心値２９％に対して±５％の透過率でほ
ぼ平坦特性を有している。
そして、この可視光透過率の好ましい範囲は、次のよう
な理由により１０〜７０％の範囲内である。光吸収体１
５の両面での光反射を実用上無視して、光吸収体１５の
透過率をｔとし、領域Ａにおける光反射率をｒとし、こ
の光吸収体１５が存在しないときのＥＬ素子の発光輝度
をｂとすると、本発明によるＥ、Ｌ素子の発光輝度Ｂ及
び光反射率Ｒは、Ｂ＝ｔｂ及びＲ＝ｔ ｒとなる。ここ
で、透過率ｔを小さくすることにより、光反射率Ｒを小
さくりることかできるが、発光輝度Ｂも透過率ｔに比例
して小さくなるため、透過率ｔを無制限に小さくしても
無意味である。そこで、この透過率ｔの実用上好ましい
範囲を検討すると、その上限値ｔ ｍａｘについては光
反射率Ｒを光反射率ｒの１／２にまで減少させることが
望ましいことから、ｔｍａｘ−ｆ］てフγ〒−−７０％
となり、その下限値については、発光輝度ｂ（本例：
１００ｃｄ ／ ｒｄ ）に対する最小限必要とされる
発光輝度３ ｍ１ｎ（本例： １０ｃｄ／ ｍｌ ）の
比ｔｍｉｎ ＝Ｂｍｉｎ ／ｂ＝１０％となる。そして
、この光吸収体１５の透過率ｔは１０％〜７０％範囲内
にあって、可視光（波長：４００〜８０ｏｎｍ ）にお
いて一様なコントラストを得るために、波長に対する透
過率の変動の許容差が±１０％内で実質的に平坦特性で
あることが望ましい。
な理由により１０〜７０％の範囲内である。光吸収体１
５の両面での光反射を実用上無視して、光吸収体１５の
透過率をｔとし、領域Ａにおける光反射率をｒとし、こ
の光吸収体１５が存在しないときのＥＬ素子の発光輝度
をｂとすると、本発明によるＥ、Ｌ素子の発光輝度Ｂ及
び光反射率Ｒは、Ｂ＝ｔｂ及びＲ＝ｔ ｒとなる。ここ
で、透過率ｔを小さくすることにより、光反射率Ｒを小
さくりることかできるが、発光輝度Ｂも透過率ｔに比例
して小さくなるため、透過率ｔを無制限に小さくしても
無意味である。そこで、この透過率ｔの実用上好ましい
範囲を検討すると、その上限値ｔ ｍａｘについては光
反射率Ｒを光反射率ｒの１／２にまで減少させることが
望ましいことから、ｔｍａｘ−ｆ］てフγ〒−−７０％
となり、その下限値については、発光輝度ｂ（本例：
１００ｃｄ ／ ｒｄ ）に対する最小限必要とされる
発光輝度３ ｍ１ｎ（本例： １０ｃｄ／ ｍｌ ）の
比ｔｍｉｎ ＝Ｂｍｉｎ ／ｂ＝１０％となる。そして
、この光吸収体１５の透過率ｔは１０％〜７０％範囲内
にあって、可視光（波長：４００〜８０ｏｎｍ ）にお
いて一様なコントラストを得るために、波長に対する透
過率の変動の許容差が±１０％内で実質的に平坦特性で
あることが望ましい。
本例の光吸収体１５を通した分光反射率特性は、第４図
の曲線すで示すように可視光反射率を４〜７％にまで著
しく低下させることができ、その結果、ＥＬ素子のコン
トラストを充分に高くすることができる。
の曲線すで示すように可視光反射率を４〜７％にまで著
しく低下させることができ、その結果、ＥＬ素子のコン
トラストを充分に高くすることができる。
本発明は以上の実施例の他、光反射体１２についではガ
ラス板１０の材質をアルミノボロシリケート等の多成分
系ガラス又は石英ガラスなど透光性ガラスにしてもよく
、金属膜１１の材質をＴａ、旧。
ラス板１０の材質をアルミノボロシリケート等の多成分
系ガラス又は石英ガラスなど透光性ガラスにしてもよく
、金属膜１１の材質をＴａ、旧。
ＮｉＣｒ、 Ｎｏ、Ａｌ１等の金属にしてもよい。更に
ガラス板１０を使用しないで、前記金属素材を板状に加
工したものでもよい。光吸収体１５については、誘電体
層１４をＳｉ Ｏの単層、又はＨ！ＩＩ Ｆ２． Ｓｉ
０２゜Ｔｉ Ｏ□、 ＩＩＩ ０２等のうら２層以上
の多層にしてもよく、また、ＰｂＴｅ、 ＣｄＴｅ、
Ｃ等の光吸収性簿膜をガラス板１３の両面又は片面に形
成してもにり、ここで使用づるガラス板１３を透明基板
１として兼用してもよい。この兼用の場合は、第２図に
おいて透明基板１の代わりに光吸収体１５を設置するこ
とになる。ここで使用したガラス板１３については、誘
電体層又は光吸収性薄膜をその表面に形成した場合に、
前述したどおり可視光透過率が１０〜７０％の範囲内に
あって、波長に対してその透過率の変動の許容差が±１
０％内であるガラスであることが好ましいが、ガラスの
硝種については実施例に限定されない。また、シリカホ
ウ酸Ｒ２ｏ系ガラスの添加物としてニッケルとコバルト
を使用してもよい。
ガラス板１０を使用しないで、前記金属素材を板状に加
工したものでもよい。光吸収体１５については、誘電体
層１４をＳｉ Ｏの単層、又はＨ！ＩＩ Ｆ２． Ｓｉ
０２゜Ｔｉ Ｏ□、 ＩＩＩ ０２等のうら２層以上
の多層にしてもよく、また、ＰｂＴｅ、 ＣｄＴｅ、
Ｃ等の光吸収性簿膜をガラス板１３の両面又は片面に形
成してもにり、ここで使用づるガラス板１３を透明基板
１として兼用してもよい。この兼用の場合は、第２図に
おいて透明基板１の代わりに光吸収体１５を設置するこ
とになる。ここで使用したガラス板１３については、誘
電体層又は光吸収性薄膜をその表面に形成した場合に、
前述したどおり可視光透過率が１０〜７０％の範囲内に
あって、波長に対してその透過率の変動の許容差が±１
０％内であるガラスであることが好ましいが、ガラスの
硝種については実施例に限定されない。また、シリカホ
ウ酸Ｒ２ｏ系ガラスの添加物としてニッケルとコバルト
を使用してもよい。
その伯の変形例を挙げれば、本発明では透明電極２から
背面電極６までの積層構造は任意であり、例えば第１図
（ａ）の基本構造において絶縁層３を除いて透明電極２
と発光層４を隣接した、いわゆるＭＩＳ構造タイプでも
よく、また次の通り材質を変えてもよい。先ず、透明長
板については石英ガラスに代えて、ソーダライムガラス
、アルミノボロシリケートガラス等の多成分系のガラス
基板でもよく、透明電極についてはＩＴＯに代えて、ｌ
０２０３若しくはこれにＷを添加したもの又はＳｎ Ｏ
，にＳｂ、 Ｆ等を添加したものであってもよい。
背面電極６までの積層構造は任意であり、例えば第１図
（ａ）の基本構造において絶縁層３を除いて透明電極２
と発光層４を隣接した、いわゆるＭＩＳ構造タイプでも
よく、また次の通り材質を変えてもよい。先ず、透明長
板については石英ガラスに代えて、ソーダライムガラス
、アルミノボロシリケートガラス等の多成分系のガラス
基板でもよく、透明電極についてはＩＴＯに代えて、ｌ
０２０３若しくはこれにＷを添加したもの又はＳｎ Ｏ
，にＳｂ、 Ｆ等を添加したものであってもよい。
次に、絶縁層については Ｙ２Ｏ３に代えて、Ｔａ２０
５． Ｔｉ Ｏ２，ＡｊＬ２０３． Ｓｉ３Ｎ４又は５
ｉ０２等を使用してもよい。次に、発光層については、
母材としてＺｎＳの代わりに、Ｚｎ５ｅ又はこれら混合
物等を使用してもよく、これらの母材に対して活性材と
してＨｎ、 Ｃｕ、Ａｎ、希土類、ハロゲン等が添加さ
れる。例えば、ＺｎＳ ：Ｃｕ、八ｊＬでは黄緑色、加
（Ｓ−Ｓｅ） ： Ｃｕ、 ８ｒでは緑色、母材Ｚ’ｎ
Ｓに対して活性材としてＳｍは赤色、Ｔｂは緑色、Ｔｍ
は青色を発光１゛る。また、この発光層は中間層として
透明誘電体層（Ｙ Ｏ、Ｔａ２Ｏ，、Ｔｉ Ｏ２゜３ ＡＬ２０３，５１３Ｎ４又は、ＳｉＯ２等）を介在して
第１及び第２の発光層に分けてもよく、その場合に第１
及び第２の発光層は同一材質に選定できることは勿論の
こと、異種材質、例えば第１の発光層として■ｂ６Ｆ３
を添加したＺｎＳ Ｈ膜を使用した場合、第１の発光層
からは緑色を発光し、第２の発光層としてＳｍ Ｆ３を
添加したＺｎＳ薄膜を使用した場合、第２の発光層から
は赤色を発光して、全体として緑色と赤色との中間色を
発光する薄膜［Ｌ素子が得られる。次に、背面電極につ
いてはＡｌに代えて、ｒａ、 Ｎｏ、 Ｆｅ、 Ｎｔ、
ＮｉＣｒ等の金属を使用してもよい。
５． Ｔｉ Ｏ２，ＡｊＬ２０３． Ｓｉ３Ｎ４又は５
ｉ０２等を使用してもよい。次に、発光層については、
母材としてＺｎＳの代わりに、Ｚｎ５ｅ又はこれら混合
物等を使用してもよく、これらの母材に対して活性材と
してＨｎ、 Ｃｕ、Ａｎ、希土類、ハロゲン等が添加さ
れる。例えば、ＺｎＳ ：Ｃｕ、八ｊＬでは黄緑色、加
（Ｓ−Ｓｅ） ： Ｃｕ、 ８ｒでは緑色、母材Ｚ’ｎ
Ｓに対して活性材としてＳｍは赤色、Ｔｂは緑色、Ｔｍ
は青色を発光１゛る。また、この発光層は中間層として
透明誘電体層（Ｙ Ｏ、Ｔａ２Ｏ，、Ｔｉ Ｏ２゜３ ＡＬ２０３，５１３Ｎ４又は、ＳｉＯ２等）を介在して
第１及び第２の発光層に分けてもよく、その場合に第１
及び第２の発光層は同一材質に選定できることは勿論の
こと、異種材質、例えば第１の発光層として■ｂ６Ｆ３
を添加したＺｎＳ Ｈ膜を使用した場合、第１の発光層
からは緑色を発光し、第２の発光層としてＳｍ Ｆ３を
添加したＺｎＳ薄膜を使用した場合、第２の発光層から
は赤色を発光して、全体として緑色と赤色との中間色を
発光する薄膜［Ｌ素子が得られる。次に、背面電極につ
いてはＡｌに代えて、ｒａ、 Ｎｏ、 Ｆｅ、 Ｎｔ、
ＮｉＣｒ等の金属を使用してもよい。
以上のとおり、本発明の薄膜ＥＬ素子ににれば、発光輝
度特性を良好に維持しつ・、高いコントラストを得るこ
とができる。
度特性を良好に維持しつ・、高いコントラストを得るこ
とができる。
第１図（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ従来の薄膜
ＥＬ素子を示す断面図、第２図は本発明の薄膜ＥＬ素子
による実施例を示す断面図、第３図は本実施例における
光吸収体の分光透過率特性図、並びに第４図は本実施例
の分光透過率特性図である。 ２・・・透明電極、４・・・発光層、６・・パ背面電極
、１２・・・光反射体、１５・・・光吸収体第１図 ２ １ 第２図 第３図 浪 ＆（τ町 第４図 浪 長 （ｌｒＬ俟〕 手 続 補 正 書 く自発） １．事件の表示 昭和５９年特許願第３４０１７号２、
発明の名称 薄膜ＥＬ素子゛ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合２丁目７番５号〒１６１’
置 ０３（９５２） １１５１ホ ヤ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄５、補正の
内容 （１） 明細書第１頁第１９及び１６行目に「ＣａＴｅ
」とあるを［ｃｄＴｅｌと訂正する。 以上 手 続 補 正 書 （自発） 昭和６０年３月４日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第３４０１７号２、
発明の名称 薄膜ＥＬ素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合２丁目７番５号〒１６１ Ｔ
Ｅ Ｌ ０３（９５２） １１５１名称 ホ − ヤ
株 式 会 社 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄５、補正の内
容 （１）明細書第１頁第１９行に「コントラストを」とあ
るを「コントラスト及び画像品位を」と補正する。 ストを」とあるを「コントラスト及び画像品位を」と補
正する。 （３）明細書第６頁第５行に１見えてしまう。」とある
を「見えてしまい、発光絵素が見にくくなり、画像品位
が低下する。」と補正する。 （４）明細書第７頁第１６行に「実用上無視して、」と
あるを「単純化のため無視して、」と補正する。 （５）明細書第９頁第２行に「できる。」とあるを「で
きる。また、光反射体１２を設置したことにより、背面
電極６のパターン形状を見えなくすることと、光吸収体
１５による光吸収効果との相乗効果を得て、ＥＬ素子は
非富に見やすくなる。 」と補正する。 （６）明細書第１２頁第１行から第２行に「高いコンｌ
−ラス［〜」とあるを「優れた画像品位と高いコントラ
スト」と補正する。 以上
ＥＬ素子を示す断面図、第２図は本発明の薄膜ＥＬ素子
による実施例を示す断面図、第３図は本実施例における
光吸収体の分光透過率特性図、並びに第４図は本実施例
の分光透過率特性図である。 ２・・・透明電極、４・・・発光層、６・・パ背面電極
、１２・・・光反射体、１５・・・光吸収体第１図 ２ １ 第２図 第３図 浪 ＆（τ町 第４図 浪 長 （ｌｒＬ俟〕 手 続 補 正 書 く自発） １．事件の表示 昭和５９年特許願第３４０１７号２、
発明の名称 薄膜ＥＬ素子゛ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合２丁目７番５号〒１６１’
置 ０３（９５２） １１５１ホ ヤ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄５、補正の
内容 （１） 明細書第１頁第１９及び１６行目に「ＣａＴｅ
」とあるを［ｃｄＴｅｌと訂正する。 以上 手 続 補 正 書 （自発） 昭和６０年３月４日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第３４０１７号２、
発明の名称 薄膜ＥＬ素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合２丁目７番５号〒１６１ Ｔ
Ｅ Ｌ ０３（９５２） １１５１名称 ホ − ヤ
株 式 会 社 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄５、補正の内
容 （１）明細書第１頁第１９行に「コントラストを」とあ
るを「コントラスト及び画像品位を」と補正する。 ストを」とあるを「コントラスト及び画像品位を」と補
正する。 （３）明細書第６頁第５行に１見えてしまう。」とある
を「見えてしまい、発光絵素が見にくくなり、画像品位
が低下する。」と補正する。 （４）明細書第７頁第１６行に「実用上無視して、」と
あるを「単純化のため無視して、」と補正する。 （５）明細書第９頁第２行に「できる。」とあるを「で
きる。また、光反射体１２を設置したことにより、背面
電極６のパターン形状を見えなくすることと、光吸収体
１５による光吸収効果との相乗効果を得て、ＥＬ素子は
非富に見やすくなる。 」と補正する。 （６）明細書第１２頁第１行から第２行に「高いコンｌ
−ラス［〜」とあるを「優れた画像品位と高いコントラ
スト」と補正する。 以上
Claims (1)
- （１） 透明電極と背面電極との間に発光層を介在し、
両電極間に電界を加えることにより、前記発光層がＥＬ
発光づるＥＬ素子において、光反射体を前記背面電極の
後方に配置し、かつ光吸収体を前記ＥＬ素子の光取り出
し側に配置したことを特徴とづる薄膜Ｅし素子。 （２、特許請求の範囲第１項記載において、前記光反射
体の可視光反射率が前記背面電極の存在づる領域におけ
る前記透明電極側から見た可視光反射率と実質的に等し
く、かつ前記光吸収体の可視透過率が１０〜７０％の範
囲内にあって、波長に対する透過率の変動の許容差が±
１０％内であることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034017A JPS60180093A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 薄膜ｅｌ素子 |
| US06/704,380 US4590128A (en) | 1984-02-24 | 1985-02-22 | Thin film EL element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034017A JPS60180093A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180093A true JPS60180093A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12402620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59034017A Pending JPS60180093A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4590128A (ja) |
| JP (1) | JPS60180093A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS638594U (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-20 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0679513B2 (ja) * | 1985-12-25 | 1994-10-05 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
| JPS63146398A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-18 | 日産自動車株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1568111A (en) * | 1975-07-22 | 1980-05-29 | Phosphor Prod Co Ltd | Electroluminescent devices |
| JPS54122990A (en) * | 1978-03-16 | 1979-09-22 | Sharp Corp | Manufacture for thin film el panel |
| CA1144265A (en) * | 1978-12-29 | 1983-04-05 | John M. Lo | High contrast display device having a dark layer |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP59034017A patent/JPS60180093A/ja active Pending
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1985
- 1985-02-22 US US06/704,380 patent/US4590128A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4590128A (en) | 1986-05-20 |
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