JPS61283126A - 処理ステ−シヨン内壁の洗浄方法と装置 - Google Patents
処理ステ−シヨン内壁の洗浄方法と装置Info
- Publication number
- JPS61283126A JPS61283126A JP60289129A JP28912985A JPS61283126A JP S61283126 A JPS61283126 A JP S61283126A JP 60289129 A JP60289129 A JP 60289129A JP 28912985 A JP28912985 A JP 28912985A JP S61283126 A JPS61283126 A JP S61283126A
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- Japan
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- rotating body
- cleaning liquid
- wall
- annular chamber
- forward position
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は処理ステーシミン内壁の洗浄方法と装置に関
するものであり、更に詳しくはフォトエツチングなどの
処理を行う処理ステーションにおいて処理後に内部の洗
浄を行う技術の改良に関するものである。
するものであり、更に詳しくはフォトエツチングなどの
処理を行う処理ステーションにおいて処理後に内部の洗
浄を行う技術の改良に関するものである。
(従来技術)
従来一般には回転体を用いて洗浄液の散布を行うことが
行われている。そのような回転体を使用するシステムは
、パイプ塗装や(アメリカ特許第3719168号〕液
体噴霧や(アメリカ特許第2902223号)や皿洗い
(アメリカ特許第344870号)に用いられており、
対象物上や空気中に無差別に処理液体を散布している。
行われている。そのような回転体を使用するシステムは
、パイプ塗装や(アメリカ特許第3719168号〕液
体噴霧や(アメリカ特許第2902223号)や皿洗い
(アメリカ特許第344870号)に用いられており、
対象物上や空気中に無差別に処理液体を散布している。
しかし液体を無差別には散布できないような条件下では
そのようなシステムは使用されてない。
そのようなシステムは使用されてない。
(発明の要旨)
この発明の目的は液体を急差別には散布できなぃような
条件下で対象物に悪影響を及ぼすことなく散布を行うこ
とにある。
条件下で対象物に悪影響を及ぼすことなく散布を行うこ
とにある。
この発明にあっては、処理対象物をa、置する回転体の
方からその回転を利用しててこれを取り巻く処理ステー
ションの内壁に向けて洗浄液を散布するものである。
方からその回転を利用しててこれを取り巻く処理ステー
ションの内壁に向けて洗浄液を散布するものである。
(実施18様〕
第1.2図に示す処理ステーション10は半導体の製造
に用いられるシリコンウニ7アーにフォトエツチングを
施すのに適したものであり、ポール体12とチャックユ
ニット14とを有している。
に用いられるシリコンウニ7アーにフォトエツチングを
施すのに適したものであり、ポール体12とチャックユ
ニット14とを有している。
ポール体12は底部16と壁18とを有しており、底部
16は排出口22と連通する円溝2oと八26を備えた
内筒24とを有している。排出口22は通路28によっ
て内筒24と接続されている。底部16からは円フラン
ジ30が上方に向けて延在しており、この7ランジ30
は小直径の上端34と大直径の下端36を備えた通路3
2を有しており、ここから圧カドに洗浄液を注入する。
16は排出口22と連通する円溝2oと八26を備えた
内筒24とを有している。排出口22は通路28によっ
て内筒24と接続されている。底部16からは円フラン
ジ30が上方に向けて延在しており、この7ランジ30
は小直径の上端34と大直径の下端36を備えた通路3
2を有しており、ここから圧カドに洗浄液を注入する。
壁18は下側置溝40と上側内溝42とこれらを分離す
る円形リブ44を備えた側壁38を有しており、その上
端46には開048がまたその下端50には舌52が、
それぞれ形成されている。
る円形リブ44を備えた側壁38を有しており、その上
端46には開048がまたその下端50には舌52が、
それぞれ形成されている。
壁18が底部16上にシールされると、この舌り2が丘
部16と協力して環状の通路54を構成する。チャック
ユニット14は第2図中に実線で示す後退位置と点線で
示す前進位置との間を可動であり、ポール体12の穴2
6内に回転可能に収容された軸56と、この軸に一体回
転すべく付設されたチャック58とを、有している。軸
56にはシールリング60が支持されて、穴26をシー
ルする。 チャック58は環状室62を有しており、チ
ャックユニット14がその後退位置にあるときこれがポ
ール体12のフランジ30を受けるような寸法になって
いる。チャック58の円周64に設けられたオリフィス
66は環状室62の方に延在している。チャック58の
上面68は処理されるシリコンウェファ−を受けるよう
になっている。
部16と協力して環状の通路54を構成する。チャック
ユニット14は第2図中に実線で示す後退位置と点線で
示す前進位置との間を可動であり、ポール体12の穴2
6内に回転可能に収容された軸56と、この軸に一体回
転すべく付設されたチャック58とを、有している。軸
56にはシールリング60が支持されて、穴26をシー
ルする。 チャック58は環状室62を有しており、チ
ャックユニット14がその後退位置にあるときこれがポ
ール体12のフランジ30を受けるような寸法になって
いる。チャック58の円周64に設けられたオリフィス
66は環状室62の方に延在している。チャック58の
上面68は処理されるシリコンウェファ−を受けるよう
になっている。
つぎに動作について説明する。まずチャック58の上面
にシリコンエフア−が載置される。
にシリコンエフア−が載置される。
チャックユニット14をその後退位置に保ったままで、
フォトエツチング処理がシリコンウェファーに施される
。この処理の間チャック58は回転され、その遠心力に
よりフォトレジストがポール体12の側壁38に向けて
放出される。かく放出されたフォトレジストのほとんど
は通路54から円溝20はと流れおち、さらに排出口2
2を通って排出される。 しかしその一部は側壁38
上に残る。
フォトエツチング処理がシリコンウェファーに施される
。この処理の間チャック58は回転され、その遠心力に
よりフォトレジストがポール体12の側壁38に向けて
放出される。かく放出されたフォトレジストのほとんど
は通路54から円溝20はと流れおち、さらに排出口2
2を通って排出される。 しかしその一部は側壁38
上に残る。
この側壁3B上に残ったフォトレジストを洗浄するため
に、まずチャック58の上面からシリコンウェファ−を
取り除き、チャックユニット14をその前進位置に移動
させ、オリフィス66を円形リブ44とほぼ同じ高さに
する。チャック58が回転しているので、洗浄液が圧力
下に通路32に供給され、チャック58の環状室62に
洗浄液が散布される。チャック58の回転により洗浄液
はオリフィス66からポール体12の下側置溝40、上
側内溝42および円形リブ44に向けて扇状に散布され
、ポール体12の側壁38の全域を洗浄する。かくして
洗浄液は洗浄したフォトレジストとともに#壁38上を
流れおち通路54を介して円溝20に流れこみ、やがて
は排出口22から排出される。内筒24中に集った洗浄
液および/もしくはフォトレジストは全て通路28から
円kIt20へと流れ、そこから排出口22に流れこむ
、かくして完全に洗浄された処理ステーション10は次
のフォトエツチング処理に用いることができる。
に、まずチャック58の上面からシリコンウェファ−を
取り除き、チャックユニット14をその前進位置に移動
させ、オリフィス66を円形リブ44とほぼ同じ高さに
する。チャック58が回転しているので、洗浄液が圧力
下に通路32に供給され、チャック58の環状室62に
洗浄液が散布される。チャック58の回転により洗浄液
はオリフィス66からポール体12の下側置溝40、上
側内溝42および円形リブ44に向けて扇状に散布され
、ポール体12の側壁38の全域を洗浄する。かくして
洗浄液は洗浄したフォトレジストとともに#壁38上を
流れおち通路54を介して円溝20に流れこみ、やがて
は排出口22から排出される。内筒24中に集った洗浄
液および/もしくはフォトレジストは全て通路28から
円kIt20へと流れ、そこから排出口22に流れこむ
、かくして完全に洗浄された処理ステーション10は次
のフォトエツチング処理に用いることができる。
以上の構成に代えて、例えばオリフィス66に勾配をつ
けて、扇状の散布の形成をよりよくすることもできる。
けて、扇状の散布の形成をよりよくすることもできる。
またオリフィスを2組設けて、それぞれチャックユニッ
ト14が前進位tにあるときに円溝40と円溝42とを
指向するようにしてもよい、そのようなオリフィス構造
とすることにより側壁38の全域をより確実に洗浄する
ことが出来る。
ト14が前進位tにあるときに円溝40と円溝42とを
指向するようにしてもよい、そのようなオリフィス構造
とすることにより側壁38の全域をより確実に洗浄する
ことが出来る。
第1.2図はこの発明の装置の一例を示すモ面図と断面
側面図である。 10・・・処理ステーション 12・・・ホール体1
4・・・チャックユニット 2o・・・円溝22・・
・排出口 24・・・円筒30・・・フラ
ンジ 38・・・側壁40.42・・・円溝
58・・・チャック65・・・オリフィス 特許出願代理人 弁理士 菅原一部FIG、1
側面図である。 10・・・処理ステーション 12・・・ホール体1
4・・・チャックユニット 2o・・・円溝22・・
・排出口 24・・・円筒30・・・フラ
ンジ 38・・・側壁40.42・・・円溝
58・・・チャック65・・・オリフィス 特許出願代理人 弁理士 菅原一部FIG、1
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 [1]回転体を内蔵した処理ステーションにおいて、 回転体が回転している間、回転体から処理ステーション
の内壁に向けて洗浄液を散布する如き処理ステーション
内壁の洗浄方法。 [2]回転体の円周に設けられたオリフィスから扇状の
形で洗浄液を散布して、回転体内の環状室に洗浄液を供
給する 如き特許請求の範囲第[1]項に記載の方法。 [3]回転体が内壁に形成された下側円溝とほぼ同じ高
さにある後退位置から回転体が内壁の下側と上側の円溝
間にに形成された円形リブとほぼ同じ高さになる前進位
置に回転体を移動し、 回転体がこの前進位置にあるときに回転体の環状室に洗
浄液を供給し、これにより扇状の散布を下側および上側
の円溝に当てる 如き特許請求の範囲第[1]または[2]項に記載の方
法。 [4]回転体がその前進位置にあるときに、回転体の環
状室に対して環状室から離間した通路から圧力下に洗浄
液を供給する 如き特許請求の範囲第[3]項に記載の方法。 [5]処理中に排出口を介して洗浄液を処理ステーショ
ンから排出する 如き特許請求の範囲第[1]〜[4]項のいずれかに記
載の方法。 [6]処理中に被処理物を載置する回転体の上面に接触
させることなく内壁に対して洗浄液を散布する如き特許
請求の範囲第[1]〜[5]項のいずれかに記載の方法
。 [7]上記の処理が半導体製造用のウエファーフォトエ
ッチング処理である 如き特許請求の範囲第[1]〜[6]項のいずれかに記
載の方法。 [8]処理ステーションの内壁に囲まれてかつ処理中に
被処理物を載置する回転体と、 回転体の回転中に回転体から内壁に向けて洗浄液を散布
する散布機構と を含んでなる処理ステーションの洗浄装置。 [9]散布機構が回転体(58)中に設けられた環状室
(62)と、この環状室に洗浄液を供給する供給機構と
、回転体の円周に設けられてかつそこから洗浄液が扇状
に散布されるように環状室に接続されたオリフィス(6
6)とを有してなる如き特許請求の範囲第[8]項に記
載の装置。 [10]前記の内壁が円形であってかつ上側円溝(42
)と下側円溝(40)とこれらを分断する円形リブ(4
4)とを有しており、 回転体(58)が内壁に対して、回転体が下側円溝とほ
ぼ同じ高さになる後退位置と回転体が円形リブとほぼ同
じ高さになる前進位置との間を、移動可能であり、 回転体が前進位置にあるときに散布機構が環状室に向け
て洗浄液を散布して、その扇状の散布流下側と上側の円
溝に当る 如き特許請求の範囲第[8]または[9]項に記載の装
置。 [11]回転体が前進位置にあるときに上側円溝に洗浄
液を散布する上側セットと同じく下側円溝に洗浄液を散
布する下側セットとを、オリフィスが有している 如き特許請求の範囲第[10]項に記載の装置。 [12]回転体が後退位置にあるときに環状室内に突出
し前進位置にあるときにそこから離間する円形フランジ
を散布機構が有しており、 回転体が前進位置にあるときに洗浄液を圧力下で環状室
に供給する通路をこの円形フランジが有している 如き特許請求の範囲第[10]または[11]項に記載
の装置。 [13]前記のフランジが一端において小直径で他端に
おいて大直径の勾配を有しており、 この一端が回転体の環状室に接続されている如き特許請
求の範囲第[9]項に記載の装置。 [14]処理ステーションから洗浄液を排出する排出機
構が設けられており、 この排出機構が処理中に用いられる排出口を有している 如き特許請求の範囲第[8]〜[13]項のいずれかに
記載の装置。 [15]回転体が処理中に被処理物を載置する上面を有
しており、 この上面に接触しないように散布機構が内壁に向けて洗
浄液を散布する 如き特許請求の範囲第[8]〜[14]項のいずれかに
記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/735,872 US4674521A (en) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | Rinsing apparatus and method |
US735872 | 2000-12-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61283126A true JPS61283126A (ja) | 1986-12-13 |
Family
ID=24957571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60289129A Pending JPS61283126A (ja) | 1985-05-20 | 1985-12-20 | 処理ステ−シヨン内壁の洗浄方法と装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4674521A (ja) |
JP (1) | JPS61283126A (ja) |
DE (1) | DE3600716A1 (ja) |
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