JPH0444216Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0444216Y2 JPH0444216Y2 JP1985153308U JP15330885U JPH0444216Y2 JP H0444216 Y2 JPH0444216 Y2 JP H0444216Y2 JP 1985153308 U JP1985153308 U JP 1985153308U JP 15330885 U JP15330885 U JP 15330885U JP H0444216 Y2 JPH0444216 Y2 JP H0444216Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- spinner
- coating liquid
- gas
- coating device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 35
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本考案は半導体ウエハー、金属板、セラミツク
ス、プリント基板或いはガラス板等の被処理物表
面に膜形成用塗布液を塗布する装置に関する。
ス、プリント基板或いはガラス板等の被処理物表
面に膜形成用塗布液を塗布する装置に関する。
(従来の技術)
半導体ウエハーなどの被処理物の表面にホトレ
ジスト或いは拡散材を塗布する装置としてスピン
ナーを備えた装置が知られている。
ジスト或いは拡散材を塗布する装置としてスピン
ナーを備えた装置が知られている。
この塗布装置は上方が開放された筒状ケース内
にスピンナーを配置し、このスピンナー上面に被
処理物を載置するとともにスピンナー上面に形成
した真空引き用の溝で被処理物を吸着し、スピン
ナーの回転によつて被処理物を一体的に回転せし
め、この回転に伴う遠心力で、上方のノズルから
滴下した塗布液を、被処理物表面に均一に広げる
ようにしたものである。
にスピンナーを配置し、このスピンナー上面に被
処理物を載置するとともにスピンナー上面に形成
した真空引き用の溝で被処理物を吸着し、スピン
ナーの回転によつて被処理物を一体的に回転せし
め、この回転に伴う遠心力で、上方のノズルから
滴下した塗布液を、被処理物表面に均一に広げる
ようにしたものである。
(考案が解決しようとする問題点)
ところでノズルから滴下される塗布液は常に一
定の濃度等の性状が望まれるが、塗布液の化学的
性質からその特性の変化・変質を招くことがあ
る。例えば塗布液がアンチモンを含むものである
ような場合には、塗布液は被処理物上方の雰囲
気、即ち空気中の水分を吸収してアンチモンが変
質してしまう問題点がある。
定の濃度等の性状が望まれるが、塗布液の化学的
性質からその特性の変化・変質を招くことがあ
る。例えば塗布液がアンチモンを含むものである
ような場合には、塗布液は被処理物上方の雰囲
気、即ち空気中の水分を吸収してアンチモンが変
質してしまう問題点がある。
(問題点を解決するための手段)
上記問題点を解決すべく本考案は、斜め上方向
のノズルに向けてN2ガス等の不活性ガスを噴出
するガス噴出孔をケース上面に形成して、ノズル
及び被処理物間の雰囲気を不活性とし、塗布液の
特性を一定に保つようにした。
のノズルに向けてN2ガス等の不活性ガスを噴出
するガス噴出孔をケース上面に形成して、ノズル
及び被処理物間の雰囲気を不活性とし、塗布液の
特性を一定に保つようにした。
(実施例)
以下に本考案の実施例を添付図面に基いて説明
する。
する。
第1図は本考案に係る塗布装置の縦断面図、第
2図は同塗布装置の平面図であり、塗布装置のケ
ース1は上板2、壁板3及び底板4から構成さ
れ、上板2及び底板4の中央には円孔5,6が形
成され、底板4の円孔6の周囲には突部7が形成
され、この突部7上にスピンナーガイド8が取付
けられ、このスピンナーガイド8によつて形成さ
れる空間に下方からスピンナー9が臨んでいる。
スピンナー9はモータ10によつて回転せしめら
れるとともに、その上部は大径部とされ、上面に
は第3図に示す如く同心円状の多数の真空引き用
の溝11及びこれら溝11をつなぐ十字状の真空
引き用の溝12が穿設されている。
2図は同塗布装置の平面図であり、塗布装置のケ
ース1は上板2、壁板3及び底板4から構成さ
れ、上板2及び底板4の中央には円孔5,6が形
成され、底板4の円孔6の周囲には突部7が形成
され、この突部7上にスピンナーガイド8が取付
けられ、このスピンナーガイド8によつて形成さ
れる空間に下方からスピンナー9が臨んでいる。
スピンナー9はモータ10によつて回転せしめら
れるとともに、その上部は大径部とされ、上面に
は第3図に示す如く同心円状の多数の真空引き用
の溝11及びこれら溝11をつなぐ十字状の真空
引き用の溝12が穿設されている。
また、上板2の下部には径方向外方に向つて下
方に下がる壁部13を形成し、この壁部13によ
つて真空ポンプとつながる排気通路14を画成
し、この排気通路14と壁板3及び壁部13間に
形成される吸引室15とを孔16によつて連通し
ている。
方に下がる壁部13を形成し、この壁部13によ
つて真空ポンプとつながる排気通路14を画成
し、この排気通路14と壁板3及び壁部13間に
形成される吸引室15とを孔16によつて連通し
ている。
また、上板2の円孔5にはリング部材17を嵌
着している。このリング部材17の下部はスカー
ト部17aとされ、このスカート部17aは前記
吸引室15に垂下し、スピンナーガイド8上面と
スカート部17a下端との間の隙間を絞つてい
る。
着している。このリング部材17の下部はスカー
ト部17aとされ、このスカート部17aは前記
吸引室15に垂下し、スピンナーガイド8上面と
スカート部17a下端との間の隙間を絞つてい
る。
更に、壁板3の下部には径方向内方に向つて突
出するガイド部18を一体的に形成し、このガイ
ド部18上面を傾斜面とし、ガイド部18の内端
部と前記突部7外周部との間に溶剤の流入口19
を形成している。そして、ガイド部18の下面と
底板4の上面との間には溶剤の溜り部20を形成
し、この溜り部20内に流入した溶剤(塗布液を
含む)を排出口21及びパイプ22を介して回収
するようにしている。
出するガイド部18を一体的に形成し、このガイ
ド部18上面を傾斜面とし、ガイド部18の内端
部と前記突部7外周部との間に溶剤の流入口19
を形成している。そして、ガイド部18の下面と
底板4の上面との間には溶剤の溜り部20を形成
し、この溜り部20内に流入した溶剤(塗布液を
含む)を排出口21及びパイプ22を介して回収
するようにしている。
一方、上板2には溶剤の供給源とつながる溶剤
の流路23及びN2ガス等の不活性ガス源につな
がるガス通路24が穿設され、溶剤の流路23は
壁部13に嵌め込んだノズル23aに接続され、
ノズル23aから壁部13表面に溶剤を供給する
ようにしている。またガス通路24はケース上面
に開口するガス噴出孔25につながつており、こ
のガス噴出孔25は周方向に等間隔で多数設けら
れ、且つガス噴出孔25の向きは斜め上方向にあ
る滴下ノズル26に向いており、スピンナー9に
吸着された被処理物W上方の雰囲気を例えばN2
に富んだものとし、塗布液がアンチモンを含むも
のであるような場合に、空気中の水分を少なく
し、吸湿防止を図ついる。また、ガスの開口方向
が滴下ノズル26へ向つているため、噴射された
前記不活性ガスはスピンナー上の被処理物Wに直
接当たることはない。このため被処理物W表面に
形成される被膜が不均一となることがない。
の流路23及びN2ガス等の不活性ガス源につな
がるガス通路24が穿設され、溶剤の流路23は
壁部13に嵌め込んだノズル23aに接続され、
ノズル23aから壁部13表面に溶剤を供給する
ようにしている。またガス通路24はケース上面
に開口するガス噴出孔25につながつており、こ
のガス噴出孔25は周方向に等間隔で多数設けら
れ、且つガス噴出孔25の向きは斜め上方向にあ
る滴下ノズル26に向いており、スピンナー9に
吸着された被処理物W上方の雰囲気を例えばN2
に富んだものとし、塗布液がアンチモンを含むも
のであるような場合に、空気中の水分を少なく
し、吸湿防止を図ついる。また、ガスの開口方向
が滴下ノズル26へ向つているため、噴射された
前記不活性ガスはスピンナー上の被処理物Wに直
接当たることはない。このため被処理物W表面に
形成される被膜が不均一となることがない。
また、底板4にも溶剤の供給源とつながる溶剤
の流路27が穿設され、この流路27はスピンナ
ーガイド8に穿設された溶剤の噴出流路28に連
通し、この噴出流路28から噴出した溶剤によつ
て被処理物Wの外周部下面に廻り込んだ塗布液を
除去し、戻り流路29を通つて溶剤の溜り部20
内に流入するようにしている。
の流路27が穿設され、この流路27はスピンナ
ーガイド8に穿設された溶剤の噴出流路28に連
通し、この噴出流路28から噴出した溶剤によつ
て被処理物Wの外周部下面に廻り込んだ塗布液を
除去し、戻り流路29を通つて溶剤の溜り部20
内に流入するようにしている。
以上の如き構成からなる塗布装置の作用を以下
に述べる。
に述べる。
先ず、スピンナー9の上面に被処理物Wを載置
し、真空引きして被処理物Wをスピンナー9上面
に吸着する。次いで滴下ノズル26から塗布液を
被処理物Wの中心に滴下する。このとき、被処理
物W上方の雰囲気は噴出孔25からの不活性ガ
ス、例えばN2ガスによつて水分の少ない雰囲気
となつているため、塗布液がアンチモンを含むよ
うな場合であつても塗布液が吸湿することがな
く、その特性を一定に保つことができる。
し、真空引きして被処理物Wをスピンナー9上面
に吸着する。次いで滴下ノズル26から塗布液を
被処理物Wの中心に滴下する。このとき、被処理
物W上方の雰囲気は噴出孔25からの不活性ガ
ス、例えばN2ガスによつて水分の少ない雰囲気
となつているため、塗布液がアンチモンを含むよ
うな場合であつても塗布液が吸湿することがな
く、その特性を一定に保つことができる。
そして、被処理物W上に塗布液を滴下するとと
もに、モータ10によつてスピンナー9を回転せ
しめ、スピンナー9と一体的に被処理物Wを回転
せしめ、この回転に伴なう遠心力で塗布液を被処
理物W表面に均一に広げる。
もに、モータ10によつてスピンナー9を回転せ
しめ、スピンナー9と一体的に被処理物Wを回転
せしめ、この回転に伴なう遠心力で塗布液を被処
理物W表面に均一に広げる。
ここで、被処理物W上に滴下された塗布液の一
部は遠心力によつて飛散し、吸引室15の内壁に
付着する、しかしながら吸引室15の内壁にはノ
ズル23aからの溶剤が流下しているため、飛散
して付着した塗布液は、この溶剤に溶け込み、吸
引室15の内壁及びガイド部18の上面をつたつ
て溜り部20内に流れ込み、この溜り部20から
排出口21及びパイプ22を介して回収される。
部は遠心力によつて飛散し、吸引室15の内壁に
付着する、しかしながら吸引室15の内壁にはノ
ズル23aからの溶剤が流下しているため、飛散
して付着した塗布液は、この溶剤に溶け込み、吸
引室15の内壁及びガイド部18の上面をつたつ
て溜り部20内に流れ込み、この溜り部20から
排出口21及びパイプ22を介して回収される。
また、滴下された塗布液の一部はミスト状とな
つて吸引室15内及び被処理物W上方に飛散す
る。ここで、前記リング部材17のスカート部1
7aは吸引室15内に垂下しているため、吸引室
15内に飛散したミスト状塗布液は被処理物W上
方に流れることはなく、また垂下するスカート部
17aは、スピンナーガイド8上面とスカート部
17a下端との間の隙間を絞つているため、被処
理物W上方に舞い上がつたミスト状塗布液は該隙
間を介して強制的に吸引室15内に吸引され、ミ
スト状塗布液はいずれも孔16を介して排気通路
14内に吸引されて外部に排出されるので、被処
理物W表面にミスト状塗布液が落下することがな
い。
つて吸引室15内及び被処理物W上方に飛散す
る。ここで、前記リング部材17のスカート部1
7aは吸引室15内に垂下しているため、吸引室
15内に飛散したミスト状塗布液は被処理物W上
方に流れることはなく、また垂下するスカート部
17aは、スピンナーガイド8上面とスカート部
17a下端との間の隙間を絞つているため、被処
理物W上方に舞い上がつたミスト状塗布液は該隙
間を介して強制的に吸引室15内に吸引され、ミ
スト状塗布液はいずれも孔16を介して排気通路
14内に吸引されて外部に排出されるので、被処
理物W表面にミスト状塗布液が落下することがな
い。
更に、被処理物W表面に広がつた塗布液の一部
は被処理物Wの周縁から下面に廻り込むが、この
廻り込んだ塗布液は噴出流路28から噴出する溶
剤によつて除去される。
は被処理物Wの周縁から下面に廻り込むが、この
廻り込んだ塗布液は噴出流路28から噴出する溶
剤によつて除去される。
(考案の効果)
以上に説明したように、本考案によれば、N2
ガス等の不活性ガスを噴出する噴出孔をケース上
面に形成したので、被処理物上方の雰囲気は不活
性となり、塗布液の特性は一定に保たれる。
ガス等の不活性ガスを噴出する噴出孔をケース上
面に形成したので、被処理物上方の雰囲気は不活
性となり、塗布液の特性は一定に保たれる。
またガス開口方向が滴下ノズルへ向つているた
め、噴射された前記不活性ガスはスピンナー上の
被処理物に直接当たることはない。このため被処
理物表面に形成される被膜が不均一となることが
ない。
め、噴射された前記不活性ガスはスピンナー上の
被処理物に直接当たることはない。このため被処
理物表面に形成される被膜が不均一となることが
ない。
第1図は本考案に係る塗布装置の縦断面図、第
2図は同塗布装置の平面図、第3図はスピンナー
の斜視図である。 尚、図面中1はケース、2は上板、3は壁板、
4は底板、9はスピンナー、24はガス通路、2
5はガス噴出孔、26は滴下ノズル、Wは被処理
物である。
2図は同塗布装置の平面図、第3図はスピンナー
の斜視図である。 尚、図面中1はケース、2は上板、3は壁板、
4は底板、9はスピンナー、24はガス通路、2
5はガス噴出孔、26は滴下ノズル、Wは被処理
物である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ケース1内に下方から臨むスピンナー9上に
被処理物Wを載置し、スピンナー9にて被処理
物Wを回転せしめることで被処理物W表面に滴
下ノズル26から滴下した塗布液を遠心力で被
処理物W表面に均一に広げるようにした塗布装
置において、前記ケース1の上面にはN2ガス
等の不活性ガス源につながるガス通路24の噴
出孔25を開口し、且つこの開口方向は、噴出
孔25の斜め上方に位置する前記滴下ノズル2
6に向かつていることを特徴とする塗布装置。 (2) 前記ガス噴出孔25は、前記ケース1上面の
周方向に等間隔で多数形成されていることを特
徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記載の
塗布装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985153308U JPH0444216Y2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | |
US06/914,328 US4790262A (en) | 1985-10-07 | 1986-10-01 | Thin-film coating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985153308U JPH0444216Y2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6262868U JPS6262868U (ja) | 1987-04-18 |
JPH0444216Y2 true JPH0444216Y2 (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=15559642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1985153308U Expired JPH0444216Y2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4790262A (ja) |
JP (1) | JPH0444216Y2 (ja) |
Families Citing this family (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5261566A (en) * | 1981-02-16 | 1993-11-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Solution-dropping nozzle device |
US5871811A (en) * | 1986-12-19 | 1999-02-16 | Applied Materials, Inc. | Method for protecting against deposition on a selected region of a substrate |
JPH0829287B2 (ja) * | 1987-09-18 | 1996-03-27 | 東京応化工業株式会社 | 塗布方法及び装置 |
JPH01121114U (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-16 | ||
KR970006206B1 (ko) * | 1988-02-10 | 1997-04-24 | 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 | 자동 도포 시스템 |
KR970011644B1 (ko) * | 1988-04-08 | 1997-07-12 | 고다까 토시오 | 도포 처리 장치 |
US5395446A (en) * | 1988-11-21 | 1995-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor treatment apparatus |
JPH02249225A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-05 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
US5042421A (en) * | 1989-07-25 | 1991-08-27 | Manhattan R&D, Inc. | Rotatable vacuum chuck with magnetic means |
EP0423761A3 (en) * | 1989-10-17 | 1992-08-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for particle removal by forced fluid convection |
US5094885A (en) * | 1990-10-12 | 1992-03-10 | Genus, Inc. | Differential pressure cvd chuck |
JP3241058B2 (ja) * | 1991-03-28 | 2001-12-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式塗布装置及び回転式塗布方法 |
JPH0734890B2 (ja) * | 1991-10-29 | 1995-04-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | スピン・コーティング方法 |
US5395649A (en) * | 1992-02-04 | 1995-03-07 | Sony Corporation | Spin coating apparatus for film formation over substrate |
JP2654314B2 (ja) * | 1992-06-04 | 1997-09-17 | 東京応化工業株式会社 | 裏面洗浄装置 |
US5378511A (en) * | 1993-03-22 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Material-saving resist spinner and process |
JP2907676B2 (ja) * | 1993-03-30 | 1999-06-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式基板処理装置の処理液供給装置 |
US5427820A (en) * | 1993-07-16 | 1995-06-27 | Semiconductor Systems, Inc. | Thermal control line for delivering liquid to a point of use in a photolithography system |
US5371046A (en) * | 1993-07-22 | 1994-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to solve sog non-uniformity in the VLSI process |
US5608943A (en) * | 1993-08-23 | 1997-03-11 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for removing process liquid |
TW285779B (ja) * | 1994-08-08 | 1996-09-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
JPH08316190A (ja) * | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US6113702A (en) * | 1995-09-01 | 2000-09-05 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
US6053982A (en) * | 1995-09-01 | 2000-04-25 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
US5725663A (en) * | 1996-01-31 | 1998-03-10 | Solitec Wafer Processing, Inc. | Apparatus for control of contamination in spin systems |
US5952050A (en) * | 1996-02-27 | 1999-09-14 | Micron Technology, Inc. | Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing |
JP3476305B2 (ja) * | 1996-03-18 | 2003-12-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式基板処理装置 |
US5861061A (en) * | 1996-06-21 | 1999-01-19 | Micron Technology, Inc. | Spin coating bowl |
US5985031A (en) | 1996-06-21 | 1999-11-16 | Micron Technology, Inc. | Spin coating spindle and chuck assembly |
US6413436B1 (en) | 1999-01-27 | 2002-07-02 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
US6264752B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-07-24 | Gary L. Curtis | Reactor for processing a microelectronic workpiece |
US6350319B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-02-26 | Semitool, Inc. | Micro-environment reactor for processing a workpiece |
US5759273A (en) * | 1996-07-16 | 1998-06-02 | Micron Technology, Inc. | Cross-section sample staining tool |
US5960555A (en) * | 1996-07-24 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for purging the back side of a substrate during chemical vapor processing |
US5884412A (en) * | 1996-07-24 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for purging the back side of a substrate during chemical vapor processing |
JPH10209102A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US20050217707A1 (en) * | 1998-03-13 | 2005-10-06 | Aegerter Brian K | Selective processing of microelectronic workpiece surfaces |
US6423642B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-07-23 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
TW452828B (en) * | 1998-03-13 | 2001-09-01 | Semitool Inc | Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece |
US6632292B1 (en) | 1998-03-13 | 2003-10-14 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces |
US6318385B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-11-20 | Semitool, Inc. | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
US6179924B1 (en) | 1998-04-28 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten |
US6302960B1 (en) | 1998-11-23 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Photoresist coater |
US6492284B2 (en) | 1999-01-22 | 2002-12-10 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
US6511914B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-01-28 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
US6548411B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-04-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for processing a workpiece |
US7217325B2 (en) * | 1999-01-22 | 2007-05-15 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
US6680253B2 (en) | 1999-01-22 | 2004-01-20 | Semitool, Inc. | Apparatus for processing a workpiece |
JP4288010B2 (ja) | 1999-04-13 | 2009-07-01 | セミトゥール・インコーポレイテッド | 処理流体の流れ具合を向上させる処理チャンバを備えた加工物処理装置 |
US7438788B2 (en) | 1999-04-13 | 2008-10-21 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US7264698B2 (en) | 1999-04-13 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
JP3616732B2 (ja) * | 1999-07-07 | 2005-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法及び処理装置 |
US6286231B1 (en) | 2000-01-12 | 2001-09-11 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying |
AU2001282879A1 (en) | 2000-07-08 | 2002-01-21 | Semitool, Inc. | Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology |
US6878206B2 (en) * | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
US20050061676A1 (en) * | 2001-03-12 | 2005-03-24 | Wilson Gregory J. | System for electrochemically processing a workpiece |
WO2003018874A2 (en) | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US20030168174A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Foree Michael Todd | Gas cushion susceptor system |
KR100518788B1 (ko) * | 2003-03-11 | 2005-10-05 | 삼성전자주식회사 | 감광액 도포 스핀 코팅 장치 |
JP4179276B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2008-11-12 | セイコーエプソン株式会社 | 溶媒除去装置および溶媒除去方法 |
DE202005020274U1 (de) * | 2005-12-23 | 2006-02-23 | Bohnet, Saskia | Beschichtungsanlage für Wafer |
JP4985082B2 (ja) * | 2007-05-07 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置、塗布膜形成装置の使用方法及び記憶媒体 |
US8092606B2 (en) * | 2007-12-18 | 2012-01-10 | Asm Genitech Korea Ltd. | Deposition apparatus |
NL2017053B1 (en) * | 2016-06-27 | 2018-01-05 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Method for coating a substrate and also a coating system |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5441675A (en) * | 1977-09-09 | 1979-04-03 | Hitachi Ltd | Photo resist coating unit |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3695928A (en) * | 1970-12-07 | 1972-10-03 | Western Electric Co | Selective coating |
JPS5337582Y2 (ja) * | 1972-12-29 | 1978-09-12 | ||
US3950184A (en) * | 1974-11-18 | 1976-04-13 | Texas Instruments Incorporated | Multichannel drainage system |
JPS5252068A (en) * | 1975-10-22 | 1977-04-26 | Nissan Motor Co Ltd | Oil pressure regulator of automobile transmission |
JPS5819350B2 (ja) * | 1976-04-08 | 1983-04-18 | 富士写真フイルム株式会社 | スピンコ−テイング方法 |
US4037830A (en) * | 1976-09-07 | 1977-07-26 | International Business Machines Corporation | Wafer handler |
JPS5372464A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for rotary coating |
JPS54113265A (en) * | 1978-02-23 | 1979-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | Resistor developing equipement |
US4183545A (en) * | 1978-07-28 | 1980-01-15 | Advanced Simiconductor Materials/America | Rotary vacuum-chuck using no rotary union |
JPS5927229B2 (ja) * | 1979-09-19 | 1984-07-04 | 富士通株式会社 | スピンナ− |
JPS57107032A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | Toshiba Corp | Coating device for semiconductor substrate |
JPS57135067A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Thin film-applying machine |
JPS58114426A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジスト塗布装置 |
JPS5990928A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-05-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式表面処理装置 |
JPS59195827A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Toshiba Corp | レジスト塗布装置 |
US4510176A (en) * | 1983-09-26 | 1985-04-09 | At&T Bell Laboratories | Removal of coating from periphery of a semiconductor wafer |
US4518678A (en) * | 1983-12-16 | 1985-05-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selective removal of coating material on a coated substrate |
NL8403459A (nl) * | 1984-11-13 | 1986-06-02 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van een laag van fotogevoelig materiaal op een halfgeleiderschijf. |
-
1985
- 1985-10-07 JP JP1985153308U patent/JPH0444216Y2/ja not_active Expired
-
1986
- 1986-10-01 US US06/914,328 patent/US4790262A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5441675A (en) * | 1977-09-09 | 1979-04-03 | Hitachi Ltd | Photo resist coating unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4790262A (en) | 1988-12-13 |
JPS6262868U (ja) | 1987-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0444216Y2 (ja) | ||
KR920000674B1 (ko) | 기판의 회전식 표면처리장치 | |
KR0166102B1 (ko) | 웨이퍼 및 판형태의 물체에 액상의 화학약품을 회전도포하기 위한 장치 및 방법 | |
KR930007336B1 (ko) | 회전식 도포장치 | |
US7247209B2 (en) | Dual outlet nozzle for the combined edge bead removal and backside wash of spin coated wafers | |
EP1771875A1 (en) | Fluid discharging device | |
US5947136A (en) | Catch cup cleaning system | |
JPS61283126A (ja) | 処理ステ−シヨン内壁の洗浄方法と装置 | |
JP3945569B2 (ja) | 現像装置 | |
JP7382621B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
JPH0444217Y2 (ja) | ||
JPH0441976Y2 (ja) | ||
JPH0441975Y2 (ja) | ||
CN114653503A (zh) | 涂胶机及其工艺腔 | |
JPH09122560A (ja) | 回転式塗布装置 | |
JP6111721B2 (ja) | 回転塗布装置、該回転塗布装置の洗浄方法およびスピンカップ洗浄機構 | |
JPS584926A (ja) | 回転塗布装置 | |
JP4018232B2 (ja) | スピン処理装置 | |
JP2004050054A (ja) | 基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置 | |
JP2724870B2 (ja) | 処理装置 | |
JPH0725256Y2 (ja) | スピンナー装置 | |
JP3191379B2 (ja) | ウェハ乾燥装置と半導体装置の製造方法 | |
CN220759823U (zh) | 涂胶腔室及涂胶设备 | |
KR100573131B1 (ko) | 스핀 코팅 장치 | |
JP2003145014A (ja) | 回転塗布装置 |