JP2000331974A - 基板回転処理装置 - Google Patents
基板回転処理装置Info
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- JP2000331974A JP2000331974A JP11141113A JP14111399A JP2000331974A JP 2000331974 A JP2000331974 A JP 2000331974A JP 11141113 A JP11141113 A JP 11141113A JP 14111399 A JP14111399 A JP 14111399A JP 2000331974 A JP2000331974 A JP 2000331974A
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- chuck
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スピンチャックに吸着保持された基板表面の
コーティング中に基板裏面に廻り込んだコーティング溶
剤を、スピンチャック形状の痕を形成することなく確実
に除去することができる基板回転処理装置を提供する。 【解決手段】 上面に基板２を吸着保持して回転するス
ピンチャック１を有し、スピンチャック上面の基板裏面
に対向する位置に処理液噴出孔１０を設け、この処理液
噴出孔から、回転中のスピンチャックの上面に吸着され
ている基板２の裏面に処理液を供給して基板の裏面処理
を行うように構成した。
コーティング中に基板裏面に廻り込んだコーティング溶
剤を、スピンチャック形状の痕を形成することなく確実
に除去することができる基板回転処理装置を提供する。 【解決手段】 上面に基板２を吸着保持して回転するス
ピンチャック１を有し、スピンチャック上面の基板裏面
に対向する位置に処理液噴出孔１０を設け、この処理液
噴出孔から、回転中のスピンチャックの上面に吸着され
ている基板２の裏面に処理液を供給して基板の裏面処理
を行うように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を吸着して回
転する基板回転処理装置に関する。より詳しくは、吸着
した基板の裏面側を薬液処理するために好適な基板回転
処理装置に関するものである。
転する基板回転処理装置に関する。より詳しくは、吸着
した基板の裏面側を薬液処理するために好適な基板回転
処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、ウェーハ
表面にレジスト等を塗布するためにスピンコーターが用
いられている。このスピンコーターは、ウェーハをスピ
ンチャック上面に吸着して回転させ、上からレジストを
滴下してウェーハ表面に拡散させて均一に塗布するもの
である。このレジストコーティング中にレジスト等の塗
布液が基板の裏面側に廻り込む。このウェーハ裏面側に
廻り込んだレジストを洗浄するために、ウェーハ表面に
レジストを塗布した後、スピンチャックにウェーハを保
持して回転しながらウェーハ裏面に洗浄薬液を噴射して
レジスト裏面の洗浄を行っている。
表面にレジスト等を塗布するためにスピンコーターが用
いられている。このスピンコーターは、ウェーハをスピ
ンチャック上面に吸着して回転させ、上からレジストを
滴下してウェーハ表面に拡散させて均一に塗布するもの
である。このレジストコーティング中にレジスト等の塗
布液が基板の裏面側に廻り込む。このウェーハ裏面側に
廻り込んだレジストを洗浄するために、ウェーハ表面に
レジストを塗布した後、スピンチャックにウェーハを保
持して回転しながらウェーハ裏面に洗浄薬液を噴射して
レジスト裏面の洗浄を行っている。
【０００３】図５は、従来のスピンコーター（基板回転
処理装置）の構成図である。スピンチャック１の上面に
処理すべき半導体ウェーハ等の基板２が真空吸着により
固定保持される。スピンチャック１は、ベース５の下面
側に設けたモータ３により回転駆動されるとともにその
軸を通して真空吸着ライン４が設けられ、基板２を吸着
する。ベース５にはスピンチャック１を囲んで下カバー
６が設けられる。この下カバー６に嵌合する上カバー７
が上下に移動可能に設けられる。下カバー６には排液管
８が接続される。スピンチャック１の外縁部外側の基板
２の裏面側には薬液あるいは純水等の処理液（洗浄液）
を噴出するためのノズル９が設けられる。
処理装置）の構成図である。スピンチャック１の上面に
処理すべき半導体ウェーハ等の基板２が真空吸着により
固定保持される。スピンチャック１は、ベース５の下面
側に設けたモータ３により回転駆動されるとともにその
軸を通して真空吸着ライン４が設けられ、基板２を吸着
する。ベース５にはスピンチャック１を囲んで下カバー
６が設けられる。この下カバー６に嵌合する上カバー７
が上下に移動可能に設けられる。下カバー６には排液管
８が接続される。スピンチャック１の外縁部外側の基板
２の裏面側には薬液あるいは純水等の処理液（洗浄液）
を噴出するためのノズル９が設けられる。
【０００４】上記構成の基板回転装置において、処理す
べき基板２をスピンチャック１に吸着保持させた状態で
回転させ、ノズル９から基板２の裏面に洗浄液を噴射し
て基板２を洗浄処理する。
べき基板２をスピンチャック１に吸着保持させた状態で
回転させ、ノズル９から基板２の裏面に洗浄液を噴射し
て基板２を洗浄処理する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のスピンコーター等の基板回転処理装置においては、
ノズル９から基板裏面に噴射された洗浄液が、基板とス
ピンチャック吸着面との間に生じた隙間に進入したり或
いは境界部分に溜まって痕がつき、これが後のプロセス
でダストとなってウェーハ処理に影響を及ぼすという問
題があった。
来のスピンコーター等の基板回転処理装置においては、
ノズル９から基板裏面に噴射された洗浄液が、基板とス
ピンチャック吸着面との間に生じた隙間に進入したり或
いは境界部分に溜まって痕がつき、これが後のプロセス
でダストとなってウェーハ処理に影響を及ぼすという問
題があった。
【０００６】一方、半導体ウェーハ等にレジストを塗布
する塗布装置が特開平５−１６００１７号公報に開示さ
れている。この公報は、スピンチャックを囲むカップに
付着した塗布液を、スピンチャックの内面側から外側の
カップ内面に向けて洗浄液を噴射することにより洗浄す
る塗布装置を開示する。
する塗布装置が特開平５−１６００１７号公報に開示さ
れている。この公報は、スピンチャックを囲むカップに
付着した塗布液を、スピンチャックの内面側から外側の
カップ内面に向けて洗浄液を噴射することにより洗浄す
る塗布装置を開示する。
【０００７】しかしながら、この公報記載の技術は、ス
ピンチャックの容器を洗浄するものであって、ウェーハ
裏面の洗浄を行うものではなく、したがって、スピンチ
ャックの側面から外周に洗浄液を噴射する構成であっ
て、スピンチャック上面のウェーハ吸着面へ洗浄液の供
給が十分ではなくウェーハ裏面のダスト残りの問題は解
消されない。
ピンチャックの容器を洗浄するものであって、ウェーハ
裏面の洗浄を行うものではなく、したがって、スピンチ
ャックの側面から外周に洗浄液を噴射する構成であっ
て、スピンチャック上面のウェーハ吸着面へ洗浄液の供
給が十分ではなくウェーハ裏面のダスト残りの問題は解
消されない。
【０００８】本発明は上記従来技術を考慮したものであ
って、スピンチャックに吸着保持された基板表面のコー
ティング中に基板裏面に廻り込んだコーティング溶剤
を、スピンチャック形状の痕を形成することなく確実に
除去することができる基板回転処理装置の提供を目的と
する。
って、スピンチャックに吸着保持された基板表面のコー
ティング中に基板裏面に廻り込んだコーティング溶剤
を、スピンチャック形状の痕を形成することなく確実に
除去することができる基板回転処理装置の提供を目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、上面に基板を吸着保持して回転するス
ピンチャックを有し、スピンチャック上面の基板裏面に
対向する位置に処理液噴出孔を設け、この処理液噴出孔
から、回転中のスピンチャックの上面に吸着されている
基板の裏面に処理液を供給して基板の裏面処理を行うよ
うに構成したことを特徴とする基板回転処理装置を提供
する。
め、本発明では、上面に基板を吸着保持して回転するス
ピンチャックを有し、スピンチャック上面の基板裏面に
対向する位置に処理液噴出孔を設け、この処理液噴出孔
から、回転中のスピンチャックの上面に吸着されている
基板の裏面に処理液を供給して基板の裏面処理を行うよ
うに構成したことを特徴とする基板回転処理装置を提供
する。
【００１０】この構成によれば、スピンチャック上面か
らその上面に吸着保持されている基板の裏面に洗浄用の
処理液が供給され、この処理液がスピンチャックの遠心
力により外周方向に広がって、基板とスピンチャックの
境界部の隙間から外方向に流れるため、スピンコーティ
ングプロセスで基板裏面側に廻り込んで付着した塗布液
等は確実に除去されダストの原因となるスピンチャック
外縁部形状の塗布液の痕は最小限に抑えられる。
らその上面に吸着保持されている基板の裏面に洗浄用の
処理液が供給され、この処理液がスピンチャックの遠心
力により外周方向に広がって、基板とスピンチャックの
境界部の隙間から外方向に流れるため、スピンコーティ
ングプロセスで基板裏面側に廻り込んで付着した塗布液
等は確実に除去されダストの原因となるスピンチャック
外縁部形状の塗布液の痕は最小限に抑えられる。
【００１１】好ましい構成例では、前記スピンチャック
の周縁部の円周上の位置に複数の処理液噴出孔を設けた
ことを特徴としている。
の周縁部の円周上の位置に複数の処理液噴出孔を設けた
ことを特徴としている。
【００１２】この構成によれば、スピンチャック上面の
周縁に円周に沿って複数の処理液噴出孔が並べて設けら
れるため、噴出された処理液がスピンチャックの遠心力
によって外周に向かって均一に流れ基板裏面を均一に洗
浄することができる。
周縁に円周に沿って複数の処理液噴出孔が並べて設けら
れるため、噴出された処理液がスピンチャックの遠心力
によって外周に向かって均一に流れ基板裏面を均一に洗
浄することができる。
【００１３】さらに好ましい構成例では、前記処理液噴
出孔は、前記スピンチャックの裏面側から上面の外側方
向に傾斜して貫通し、その開口部の半径方向外側のスピ
ンチャック上面は基板裏面との間に隙間が形成されるよ
うに段差が形成されていることを特徴としている。
出孔は、前記スピンチャックの裏面側から上面の外側方
向に傾斜して貫通し、その開口部の半径方向外側のスピ
ンチャック上面は基板裏面との間に隙間が形成されるよ
うに段差が形成されていることを特徴としている。
【００１４】この構成によれば、スピンチャックの裏面
側から上面側に貫通する処理液噴出孔は、上に向かって
外側に向かう方向に傾斜するとともに、スピンチャック
上面の開口部は、その外側が段差により低く形成される
ため、スピンチャック裏面から供給される処理液は、外
側に傾斜する処理液噴出孔を通してスピンチャック上面
に円滑に供給され、さらにその開口部から外側に向け
て、段差部により形成された基板裏面との間の隙間を通
して十分確実に広がって基板裏面を洗浄処理することが
できる。
側から上面側に貫通する処理液噴出孔は、上に向かって
外側に向かう方向に傾斜するとともに、スピンチャック
上面の開口部は、その外側が段差により低く形成される
ため、スピンチャック裏面から供給される処理液は、外
側に傾斜する処理液噴出孔を通してスピンチャック上面
に円滑に供給され、さらにその開口部から外側に向け
て、段差部により形成された基板裏面との間の隙間を通
して十分確実に広がって基板裏面を洗浄処理することが
できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形態
に係る基板回転処理装置としてのスピンコーターの構成
図である。また、図２はそのスピンチャックの上面図、
図３はその縦断面図、図４はその縁部の拡大断面図であ
る。
の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形態
に係る基板回転処理装置としてのスピンコーターの構成
図である。また、図２はそのスピンチャックの上面図、
図３はその縦断面図、図４はその縁部の拡大断面図であ
る。
【００１６】この実施形態においては、前述の図５の例
と同様に、スピンチャック１の上面に処理すべき半導体
ウェーハ等の基板２が真空吸着により固定保持される。
スピンチャック１は、ベース５の下面側に設けたモータ
３により回転駆動されるとともにその軸を通して真空吸
着ライン４が設けられ、基板２を吸着する。ベース５に
はスピンチャック１を囲んで下カバー６が設けられる。
この下カバー６に嵌合する上カバー７が上下に移動可能
に設けられる。下カバー６には排液管８が接続される。
と同様に、スピンチャック１の上面に処理すべき半導体
ウェーハ等の基板２が真空吸着により固定保持される。
スピンチャック１は、ベース５の下面側に設けたモータ
３により回転駆動されるとともにその軸を通して真空吸
着ライン４が設けられ、基板２を吸着する。ベース５に
はスピンチャック１を囲んで下カバー６が設けられる。
この下カバー６に嵌合する上カバー７が上下に移動可能
に設けられる。下カバー６には排液管８が接続される。
【００１７】この実施形態においては、スピンチャック
１の下面側の例えば数ｍｍ下がった位置に、薬液あるい
は純水等の処理液（洗浄液）を噴出するためのノズル９
が設けられる。
１の下面側の例えば数ｍｍ下がった位置に、薬液あるい
は純水等の処理液（洗浄液）を噴出するためのノズル９
が設けられる。
【００１８】図２に示すように、スピンチャック１の上
面には、真空吸着ライン４に接続する真空吸着溝１１が
形成されている。このスピンチャック１の真空吸着溝１
１の外側の周縁部の円周に沿って複数の処理液噴出孔１
０が設けられる。各処理液噴出孔１０は、図３および図
４に示すように、スピンチャック１の裏面側から上面側
に、上に向かって外側方向に傾斜するように貫通してい
る。また、スピンチャック上面の各処理液噴出孔１０の
開口部には、各開口部の外側が低くなるように段差１２
が形成される。これにより、各処理液噴出孔１０の開口
部の外側の段差面と基板２の裏面との間に隙間Ｇが形成
される。
面には、真空吸着ライン４に接続する真空吸着溝１１が
形成されている。このスピンチャック１の真空吸着溝１
１の外側の周縁部の円周に沿って複数の処理液噴出孔１
０が設けられる。各処理液噴出孔１０は、図３および図
４に示すように、スピンチャック１の裏面側から上面側
に、上に向かって外側方向に傾斜するように貫通してい
る。また、スピンチャック上面の各処理液噴出孔１０の
開口部には、各開口部の外側が低くなるように段差１２
が形成される。これにより、各処理液噴出孔１０の開口
部の外側の段差面と基板２の裏面との間に隙間Ｇが形成
される。
【００１９】上記構成のスピンコーターにおいて、基板
２をスピンチャック１に吸着保持して回転した状態で、
ノズル９から洗浄液を噴出すると、洗浄液は、スピンチ
ャック１の各処理液噴出孔１０に進入し、その噴出圧力
およびスピンチャック１の遠心力によって、傾斜した処
理液噴出孔１０を上昇して流れ上面の開口部から流出す
る。流出した洗浄液は、開口部外側の段差１２により形
成された隙間Ｇを外側に拡散して流れ、基板裏面を均一
に洗浄する。
２をスピンチャック１に吸着保持して回転した状態で、
ノズル９から洗浄液を噴出すると、洗浄液は、スピンチ
ャック１の各処理液噴出孔１０に進入し、その噴出圧力
およびスピンチャック１の遠心力によって、傾斜した処
理液噴出孔１０を上昇して流れ上面の開口部から流出す
る。流出した洗浄液は、開口部外側の段差１２により形
成された隙間Ｇを外側に拡散して流れ、基板裏面を均一
に洗浄する。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、スピ
ンチャック上面からその上面に吸着保持されている基板
の裏面に洗浄用の処理液が供給され、この処理液がスピ
ンチャックの遠心力により外周方向に広がって、基板と
スピンチャックの境界部の隙間から外方向に流れるた
め、スピンコーティングプロセスで基板裏面側に廻り込
んで付着した塗布液等は確実に除去され、ダストの原因
となるスピンチャック外縁部形状の塗布液の痕は最小限
に抑えられる。
ンチャック上面からその上面に吸着保持されている基板
の裏面に洗浄用の処理液が供給され、この処理液がスピ
ンチャックの遠心力により外周方向に広がって、基板と
スピンチャックの境界部の隙間から外方向に流れるた
め、スピンコーティングプロセスで基板裏面側に廻り込
んで付着した塗布液等は確実に除去され、ダストの原因
となるスピンチャック外縁部形状の塗布液の痕は最小限
に抑えられる。
【図１】 本発明の実施の形態に係るスピンコーターの
構成図。
構成図。
【図２】 図１のスピンコーターのスピンチャックの上
面図。
面図。
【図３】 図２のスピンチャックの縦断面図。
【図４】 図３のスピンチャックの周縁部の拡大図。
【図５】 従来のスピンコーターの構成図。
１：スピンチャック、２：基板、３：モータ、４：吸着
ライン、５：ベース、６：下カバー、７：上カバー、
８：排液管、９：ノズル、１０：処理液噴出孔、１１：
真空吸着溝、１２：段差。
ライン、５：ベース、６：下カバー、７：上カバー、
８：排液管、９：ノズル、１０：処理液噴出孔、１１：
真空吸着溝、１２：段差。
Claims (3)
- 【請求項１】上面に基板を吸着保持して回転するスピン
チャックを有し、 スピンチャック上面の基板裏面に対向する位置に処理液
噴出孔を設け、 この処理液噴出孔から、回転中のスピンチャックの上面
に吸着されている基板の裏面に処理液を供給して基板の
裏面処理を行うように構成したことを特徴とする基板回
転処理装置。 - 【請求項２】前記スピンチャックの周縁部の円周上の位
置に複数の処理液噴出孔を設けたことを特徴とする請求
項１に記載の基板回転処理装置。 - 【請求項３】前記処理液噴出孔は、前記スピンチャック
の裏面側から上面の外側方向に傾斜して貫通し、その開
口部の半径方向外側のスピンチャック上面は基板裏面と
の間に隙間が形成されるように段差が形成されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の基板回転処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11141113A JP2000331974A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 基板回転処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11141113A JP2000331974A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 基板回転処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331974A true JP2000331974A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15284475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11141113A Pending JP2000331974A (ja) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 基板回転処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000331974A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100763332B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2007-10-04 | 삼성전자주식회사 | 나이프에지링 및 이를 갖는 반도체 현상설비, 반도체현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법 |
| KR20200051869A (ko) * | 2018-11-05 | 2020-05-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2020188034A (ja) * | 2019-05-09 | 2020-11-19 | 東京応化工業株式会社 | 基板洗浄装置 |
-
1999
- 1999-05-21 JP JP11141113A patent/JP2000331974A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100763332B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2007-10-04 | 삼성전자주식회사 | 나이프에지링 및 이를 갖는 반도체 현상설비, 반도체현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법 |
| US8419891B2 (en) | 2006-02-16 | 2013-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor development apparatus and method using same |
| US8834672B2 (en) | 2006-02-16 | 2014-09-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor development apparatus and method using same |
| KR20200051869A (ko) * | 2018-11-05 | 2020-05-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102139604B1 (ko) | 2018-11-05 | 2020-07-31 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2020188034A (ja) * | 2019-05-09 | 2020-11-19 | 東京応化工業株式会社 | 基板洗浄装置 |
| JP7382621B2 (ja) | 2019-05-09 | 2023-11-17 | Ａｉメカテック株式会社 | 基板洗浄装置 |
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