JPS61276337A - 半導体検査装置 - Google Patents
半導体検査装置Info
- Publication number
- JPS61276337A JPS61276337A JP60118310A JP11831085A JPS61276337A JP S61276337 A JPS61276337 A JP S61276337A JP 60118310 A JP60118310 A JP 60118310A JP 11831085 A JP11831085 A JP 11831085A JP S61276337 A JPS61276337 A JP S61276337A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lsi
- light
- signal
- semiconductor
- optical
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＬＳＩ（半導体集積回路）等の半導体装置の特
性検査、故障解析に用いる検査装置に関するものであシ
、特に半導体装置に対して光信号の入力手段を備えた半
導体検査装置を提供するものである。
性検査、故障解析に用いる検査装置に関するものであシ
、特に半導体装置に対して光信号の入力手段を備えた半
導体検査装置を提供するものである。
従来の技術
ＬＳＩの電気的特性の検査、故障解析はＬＳＩの信号入
力端子に電気的信号を入力し、出力端子から得られる電
気信号を観測して、当該ＬＳＩの良否判定あるいは特性
評価を行なっていた。しかしＬＳＩの微細化、高集積化
に伴なって前述の入力端子、出力端子を用いる方法だけ
では充分な特性評価、故障解析を行う事は困難となって
おり、ＬＳＩ内部の特定回路対して直接信号入力したり
内部回路の電気的状態を直接観察する必要がある。
力端子に電気的信号を入力し、出力端子から得られる電
気信号を観測して、当該ＬＳＩの良否判定あるいは特性
評価を行なっていた。しかしＬＳＩの微細化、高集積化
に伴なって前述の入力端子、出力端子を用いる方法だけ
では充分な特性評価、故障解析を行う事は困難となって
おり、ＬＳＩ内部の特定回路対して直接信号入力したり
内部回路の電気的状態を直接観察する必要がある。
従来この様な目的に対してＬＳＩ内部のＡＩ！配線パタ
ーンに金属探針を接触させて電気的信号の入力又は電気
的信号の観察を行なっていた。しかし、この方法はＬＳ
Ｉの微細化、高密度化に伴ない、ＬＳＩ内部のＡｌ配線
パターンに対して金属探針を精度よく接触させる事が困
難となり、今日のＬＳＩに対応できなくなってきた。
ーンに金属探針を接触させて電気的信号の入力又は電気
的信号の観察を行なっていた。しかし、この方法はＬＳ
Ｉの微細化、高密度化に伴ない、ＬＳＩ内部のＡｌ配線
パターンに対して金属探針を精度よく接触させる事が困
難となり、今日のＬＳＩに対応できなくなってきた。
近年、上記問題に対して、例えば解説記事（日経エレク
トロニクス３−１５／”８２ Ｐ１７２〜２０１）に
記載されている様なＥ −Ｂ （Ｅｌｅａｔ ｒａｎ−
Ｂｅａｍ）テスターが開発されている。本装置は真空状
態の試料室に置かれたＬＳＩ表面に数ＫＶの加速電圧で
加速した電子ビーム（ＥＢ）を照射し、ＬＳＩ表面から
放出される二次電子信号を検出してＬＳＩ内部の電気的
状態を観察するものであり、ＬＳＩの微細化、高密度化
に対応できる特長を有している。
トロニクス３−１５／”８２ Ｐ１７２〜２０１）に
記載されている様なＥ −Ｂ （Ｅｌｅａｔ ｒａｎ−
Ｂｅａｍ）テスターが開発されている。本装置は真空状
態の試料室に置かれたＬＳＩ表面に数ＫＶの加速電圧で
加速した電子ビーム（ＥＢ）を照射し、ＬＳＩ表面から
放出される二次電子信号を検出してＬＳＩ内部の電気的
状態を観察するものであり、ＬＳＩの微細化、高密度化
に対応できる特長を有している。
一方、ＬＳＩ表面を単一のレーザー光で走査し、ＬＳＩ
内部で発生する光励起電流をＬＳＩの電源端子より検出
することにより、ＬＳＩ内部の動作状態を解析する方法
が提案されている。（永瀬：「レーザー走査形デバイス
解析システム」電子通信学会、半導体トランジスター研
究会資料、５ＳＤ発明が解決しようとする問題点 前述の従来の装置、方法はＬＳＩ内部回路の電気的動作
状態を非接触で解析することを目的とし、ＬＳＩ内部回
路に対して信号印加する機能を有するものではない。
内部で発生する光励起電流をＬＳＩの電源端子より検出
することにより、ＬＳＩ内部の動作状態を解析する方法
が提案されている。（永瀬：「レーザー走査形デバイス
解析システム」電子通信学会、半導体トランジスター研
究会資料、５ＳＤ発明が解決しようとする問題点 前述の従来の装置、方法はＬＳＩ内部回路の電気的動作
状態を非接触で解析することを目的とし、ＬＳＩ内部回
路に対して信号印加する機能を有するものではない。
このため、複数の回路ブロックから構成されるＬＳＩの
ある回路ブロックに故障が存在する場合、当該故障回路
以降の特性解析することができない。
ある回路ブロックに故障が存在する場合、当該故障回路
以降の特性解析することができない。
又、ＬＳＩを構成する機能ブロックあるいは回路単位で
の特性評価を行えないなどの問題がある。
の特性評価を行えないなどの問題がある。
尚、上述のＥＢテスターでも加速エネルギーを上げ、Ｅ
Ｂの照射方法を調整することにより、原理的にはＬＳＩ
内部に信号印加することは可能となる。しかしながらこ
の場合は、ＬＳＩ表面に高加速エネルギーの電子ビーム
を照射する為ＬＳＩの特性劣化あるいは破壊が起こり、
実用的でない。
Ｂの照射方法を調整することにより、原理的にはＬＳＩ
内部に信号印加することは可能となる。しかしながらこ
の場合は、ＬＳＩ表面に高加速エネルギーの電子ビーム
を照射する為ＬＳＩの特性劣化あるいは破壊が起こり、
実用的でない。
又、レーザー光でＬＳＩ表面を走査する従来法によって
も、レーザーパワー、レーザー照射場所を適当に選ぶこ
とにより、原理的にはＬＳＩ内部に信号印加することが
可能となる。しかしながら本方法はレーザー光は単一で
ある為、同時に複数の箇所に信号入力することはできな
い。又、本方法を実現するには装置が大がかりとなシ、
高価なものとなってしまう。更に本方法はレーザー光を
微細に絞る為に光学顕微鏡の対物レンズで決まる視野内
に対してのみしか信号印加できず、大口径化ＬＳＩの解
析に対しては対応できなくなる。
も、レーザーパワー、レーザー照射場所を適当に選ぶこ
とにより、原理的にはＬＳＩ内部に信号印加することが
可能となる。しかしながら本方法はレーザー光は単一で
ある為、同時に複数の箇所に信号入力することはできな
い。又、本方法を実現するには装置が大がかりとなシ、
高価なものとなってしまう。更に本方法はレーザー光を
微細に絞る為に光学顕微鏡の対物レンズで決まる視野内
に対してのみしか信号印加できず、大口径化ＬＳＩの解
析に対しては対応できなくなる。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであシ、支持基
体に一方の端を光信号入力端子とし、もう一方の端を光
信号出力端子とする光信号伝導体を設置し、この光信号
伝導体の光信号出力端子から出力される光信号をＬＳＩ
表面の所望部に照射す・ることによｊ５、ＬＳＩ内部の
任意の場所に対する信号印加を可能とするものである。
体に一方の端を光信号入力端子とし、もう一方の端を光
信号出力端子とする光信号伝導体を設置し、この光信号
伝導体の光信号出力端子から出力される光信号をＬＳＩ
表面の所望部に照射す・ることによｊ５、ＬＳＩ内部の
任意の場所に対する信号印加を可能とするものである。
作 用
本発明は上記手段を用いることにより、ＬＳＩに対し特
性劣化、破壊を起こさせることなく、大口径化ＬＳＩに
於いても同時に複数の箇所に対する信号印加が可能とな
シ、又その簡単な構成によ）安価に半導体検査装置を実
現できる。
性劣化、破壊を起こさせることなく、大口径化ＬＳＩに
於いても同時に複数の箇所に対する信号印加が可能とな
シ、又その簡単な構成によ）安価に半導体検査装置を実
現できる。
実施例
本発明による半導体検査装置の一実施例を第１図に示す
構成図を用いて説明する。
構成図を用いて説明する。
第１図に於いて支持基体は上下、左右１前後方向に独立
に移動可能なステージ１により構成され、ステージ１に
対して１本の光ファイバー２が取付けられている。ここ
で、光ファイバー２の一方の端部３は光信号入力端子で
あシ、コネクター４を介して半導体レーザー、 Ｈｅ−
Ｎｅ゛レーザー等の光源６に接続される。又、もう一方
の端部６は光出力端子であり、その光端には集光レンズ
７が取付けられている。ここで光ファイバー２は、その
光出力が、所定の方向に出力される様に必要に応じて曲
げて未持基体１に固定されている。
に移動可能なステージ１により構成され、ステージ１に
対して１本の光ファイバー２が取付けられている。ここ
で、光ファイバー２の一方の端部３は光信号入力端子で
あシ、コネクター４を介して半導体レーザー、 Ｈｅ−
Ｎｅ゛レーザー等の光源６に接続される。又、もう一方
の端部６は光出力端子であり、その光端には集光レンズ
７が取付けられている。ここで光ファイバー２は、その
光出力が、所定の方向に出力される様に必要に応じて曲
げて未持基体１に固定されている。
次に本実施例による半導体検査装置について第２図を用
いて説明する。第２図に於いて、ＬＳＩ８の電源端子、
入力端子、出力端子にはそれぞれ電圧源９１．入力信号
源１０．出力信号測定器１１が接続されている。今、Ｌ
ＳＩ内部に対して直接信号印加する必要があり、本実施
例半導体検査装置により、ＬＳＩ８の表面に光が照射さ
れる・ここでステージ１は、上下、左右１前後方向に移
動できる為、ＬＳＩ表面の任意の場所に対して光照射が
可能となる。更に光ファイバー２の光出力端子に取付け
られた集光レンズ７にょシ、微細に絞った光がＬＳＩに
照射される。尚、照射光を絞る必要がない場合は、集光
レンズ７は必ずしも必要ではない。
いて説明する。第２図に於いて、ＬＳＩ８の電源端子、
入力端子、出力端子にはそれぞれ電圧源９１．入力信号
源１０．出力信号測定器１１が接続されている。今、Ｌ
ＳＩ内部に対して直接信号印加する必要があり、本実施
例半導体検査装置により、ＬＳＩ８の表面に光が照射さ
れる・ここでステージ１は、上下、左右１前後方向に移
動できる為、ＬＳＩ表面の任意の場所に対して光照射が
可能となる。更に光ファイバー２の光出力端子に取付け
られた集光レンズ７にょシ、微細に絞った光がＬＳＩに
照射される。尚、照射光を絞る必要がない場合は、集光
レンズ７は必ずしも必要ではない。
一般に、半導体に光が照射されると半導体内部では電子
−正孔対が励起される。この為、光源の種類、照射光量
、照射時間、並びに照射する場所を制御することによｊ
ｌ）、ＬＳＩの内部に信号入力することができる。
−正孔対が励起される。この為、光源の種類、照射光量
、照射時間、並びに照射する場所を制御することによｊ
ｌ）、ＬＳＩの内部に信号入力することができる。
以上の様に、本実施例半導体検査装置によればＬＳＩ表
面の任意の場所に対して光照射が可能となシ、従来の電
気的検査法と組合せることにより、より効果的な特性評
価、故障解析が可能となる。
面の任意の場所に対して光照射が可能となシ、従来の電
気的検査法と組合せることにより、より効果的な特性評
価、故障解析が可能となる。
次＆Ｃ，１ヶの支持基体に複数の光伝導体を設けた本発
明に関する半導体検査装置の一実施例を第３図を用いて
説明する。第３図に於いて、空洞部２１を有するガラス
−エポキシ基板２２には、複数の光ファイバー２３が取
付けられている。夫々の光ファイバーの光出力端子には
集合レンズ２４が取付けてあシ、又光入力端子は、それ
ぞれ光源に接続される。本実施例に於いてはＬＳＩの光
照射部分を予め決めておき、決められた場所に光が照射
される様に光ファイバーの光出力端子、又は集光レンズ
が位置合せされた状態で、支持基体に固定される必要が
ある。本実施例によれば、ＬＳＩに対し１回の位置合せ
によって予め決められた複数場所に対して光照射が可能
となシ、より複雑な特性評価、故障解析が可能となる。
明に関する半導体検査装置の一実施例を第３図を用いて
説明する。第３図に於いて、空洞部２１を有するガラス
−エポキシ基板２２には、複数の光ファイバー２３が取
付けられている。夫々の光ファイバーの光出力端子には
集合レンズ２４が取付けてあシ、又光入力端子は、それ
ぞれ光源に接続される。本実施例に於いてはＬＳＩの光
照射部分を予め決めておき、決められた場所に光が照射
される様に光ファイバーの光出力端子、又は集光レンズ
が位置合せされた状態で、支持基体に固定される必要が
ある。本実施例によれば、ＬＳＩに対し１回の位置合せ
によって予め決められた複数場所に対して光照射が可能
となシ、より複雑な特性評価、故障解析が可能となる。
次に示す実施例は１ケの支持基体に複数の光ファイバー
と金属探針をあわせて設けたものである。
と金属探針をあわせて設けたものである。
第４図に示すように支持基体３１には複数の光ファイバ
ー３２と金属探針３３が取りつけられている。上述の実
施例と同様、光ファイバー３２の先端には集光レンズ３
４が備えられている。本実施例の半導体検査装置によれ
ば、電気的解析と光信号入力による解析を組合せた特性
評価、故障解析が可能となる。例えばＬＳＩの電源、Ｇ
ＮＤ端子及び出力端子を金属探針で接触し、入力信号は
光で与えることが可能となる。又、従来例で説明し九Ｅ
−Ｂテスターと組合せて用いれば電源、ＧＮＤ端子のみ
を金属探針で接触し、入力信号は光で与え、出力は二次
電子で検出する事も可能となる。
ー３２と金属探針３３が取りつけられている。上述の実
施例と同様、光ファイバー３２の先端には集光レンズ３
４が備えられている。本実施例の半導体検査装置によれ
ば、電気的解析と光信号入力による解析を組合せた特性
評価、故障解析が可能となる。例えばＬＳＩの電源、Ｇ
ＮＤ端子及び出力端子を金属探針で接触し、入力信号は
光で与えることが可能となる。又、従来例で説明し九Ｅ
−Ｂテスターと組合せて用いれば電源、ＧＮＤ端子のみ
を金属探針で接触し、入力信号は光で与え、出力は二次
電子で検出する事も可能となる。
尚、本実施例に於いては、光信号伝導体を光ファイバー
によって構成したが、光を効率的に伝送できるものであ
れば何でも良い。
によって構成したが、光を効率的に伝送できるものであ
れば何でも良い。
発明の効果
本発明の半導体検査装置により、大口径（ｌｌ、Ｔ、Ｓ
Ｉに対しても、同時に複数箇所に対する信号印加が可能
となり、従来、不可能であった、ＬＳＩの機能ブロック
、回路ブロック単位での特性評価、故障解析を安価に実
現できる。
Ｉに対しても、同時に複数箇所に対する信号印加が可能
となり、従来、不可能であった、ＬＳＩの機能ブロック
、回路ブロック単位での特性評価、故障解析を安価に実
現できる。
第１図は本発明一実施例の半導体検査装置の概略斜視図
、第２図は本発明の半導体検査装置の応用例の斜視図、
第３図は本発明の他の実施例の装置の要部斜視図、第４
図は本発明のさらに他の実施例の装置の要部斜視図であ
る。 １・・・・・・ステージ、２・・・・・・光ファイバー
、７・・・・・・集光レンズ、８・・・・・・ＬＳＩ、
２２・・・・・・ガラス−エポキシ基板、２３・・・・
・・光ファイバー、２４・・・・・・集光レンズ、３２
・・・・・・光ファイバー、３４・川・・集光レンズ、
３３・・・・・・金属探針。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 Ｓ 第３図 第４図
、第２図は本発明の半導体検査装置の応用例の斜視図、
第３図は本発明の他の実施例の装置の要部斜視図、第４
図は本発明のさらに他の実施例の装置の要部斜視図であ
る。 １・・・・・・ステージ、２・・・・・・光ファイバー
、７・・・・・・集光レンズ、８・・・・・・ＬＳＩ、
２２・・・・・・ガラス−エポキシ基板、２３・・・・
・・光ファイバー、２４・・・・・・集光レンズ、３２
・・・・・・光ファイバー、３４・川・・集光レンズ、
３３・・・・・・金属探針。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 Ｓ 第３図 第４図
Claims (6)
- （１）支持基体に、一方の端を光信号入力端子としもう
一方の端を光信号出力端子とする光信号伝導体を設置し
、前記光出力端子から出力される光信号を前記半導体装
置表面の所望部に照射することを特徴とする半導体検査
装置。 - （２）支持基体が上下、左右、前後方向に独立に移動可
能なステージより構成される事を特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体検査装置。 - （３）支持基体が平板状基板より構成される事を特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体検査装置。 - （４）光伝導体が光ファイバーよりなる事を特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体検査装置。 - （５）光伝導体の光出力端子に集光レンズを備えた事を
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体検査装置
。 - （６）支持基体に、金属探針を設けた事を特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118310A JPS61276337A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118310A JPS61276337A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276337A true JPS61276337A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=14733510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60118310A Pending JPS61276337A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276337A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63272046A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-11-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 表示装置検査方法および表示装置 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60118310A patent/JPS61276337A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63272046A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-11-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 表示装置検査方法および表示装置 |
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