JPH03227548A - 半導体装置の測定装置 - Google Patents
半導体装置の測定装置Info
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- JPH03227548A JPH03227548A JP2022450A JP2245090A JPH03227548A JP H03227548 A JPH03227548 A JP H03227548A JP 2022450 A JP2022450 A JP 2022450A JP 2245090 A JP2245090 A JP 2245090A JP H03227548 A JPH03227548 A JP H03227548A
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- Japan
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- semiconductor device
- electron
- electron beam
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の測定装置に関するものである。
従来の技術
従来より、半導体装置の測定装置は、第２図に示した。
ように、半導体装置５を半導体装置の固定台６に装着し
て、針状プローバー４を半導体装置５の配線上にあてて
、半導体装置５を動作させる、この動作した半導体装置
５上に走査電子顕微鏡用電子源７から発生した走査電子
顕微鏡電子ビーム８を収束レンズ３で収束させ、さらに
対物レンズ１１で電子顕微鏡としての機能をもたせて、
試料表面から発生する２次電子９を２次電子検出器１０
を用いて２次電子像を観察することにより半導体素子の
特性や、配線の断線などを確認するものである。
て、針状プローバー４を半導体装置５の配線上にあてて
、半導体装置５を動作させる、この動作した半導体装置
５上に走査電子顕微鏡用電子源７から発生した走査電子
顕微鏡電子ビーム８を収束レンズ３で収束させ、さらに
対物レンズ１１で電子顕微鏡としての機能をもたせて、
試料表面から発生する２次電子９を２次電子検出器１０
を用いて２次電子像を観察することにより半導体素子の
特性や、配線の断線などを確認するものである。
発明が解決しようとする課題
現在の針状プローバーをあてて電子ビームテスターで測
定する方法では、半導体素子がブロック状でしか動作し
ないために、測定装置にコンピューターを接続しプログ
ラムを用いて半導体装置をブロックごとに動作させ、不
良領域を絞っていくことはできるが、不良となった素子
を特定化することができない。さらに、針状プローバー
の針先は、針先の強度を確保するために５０μｍ以上必
要であるために、２．０μｍルール以上の高集積化され
た半導体素子の配線にブロー・、−を当てることは困難
である。
定する方法では、半導体素子がブロック状でしか動作し
ないために、測定装置にコンピューターを接続しプログ
ラムを用いて半導体装置をブロックごとに動作させ、不
良領域を絞っていくことはできるが、不良となった素子
を特定化することができない。さらに、針状プローバー
の針先は、針先の強度を確保するために５０μｍ以上必
要であるために、２．０μｍルール以上の高集積化され
た半導体素子の配線にブロー・、−を当てることは困難
である。
課題を解決するための手段
本発明は、このような問題点を解決するために、針状プ
ローバーに変えて、電子を収束させて、半導体装置の配
線上に電子ビームを脇射して半導体素子を動作させ、電
子ビームテスターを用いて半導体素子の特性を測定する
。
ローバーに変えて、電子を収束させて、半導体装置の配
線上に電子ビームを脇射して半導体素子を動作させ、電
子ビームテスターを用いて半導体素子の特性を測定する
。
作用
このように、電子を収束させて、配線上に電子ビームを
照射して半導体素子を動作させることにより、１．０μ
ｍ程度の細い配線で作られたトランジスタまで、個々の
特性を測定することができる。また、電子ビームテスタ
ーで測定することがら、断線で故障したのが、ゲート酸
化膜のバンクで故障したのかなどの故障原因を同定する
ことが可能となる。さらに、半導体装置をプローバーな
どによる外的力により破壊することな（故障解析をする
ことが可能である。
照射して半導体素子を動作させることにより、１．０μ
ｍ程度の細い配線で作られたトランジスタまで、個々の
特性を測定することができる。また、電子ビームテスタ
ーで測定することがら、断線で故障したのが、ゲート酸
化膜のバンクで故障したのかなどの故障原因を同定する
ことが可能となる。さらに、半導体装置をプローバーな
どによる外的力により破壊することな（故障解析をする
ことが可能である。
実施例
本発明の実施例を第１図により説明する。第１図は、本
発明の一実施例における半導体装置の測定装置である。
発明の一実施例における半導体装置の測定装置である。
まず、半導体装置５を半導体装置の固定台６上に固定す
る。半導体装置５全体が動作できる状態にするために、
針状プローバー４を特定のパッドに当てる。その後、側
々の素子の特性を測定するために、半導体装置の固定台
６を２次元的あるいは３次元的に移動させながら回路駆
動用電子源２から発生した電子を、収束レンズ３で収束
させ、半導体装置５の配線上に回路駆動用電子ヒーム１
をあてて半導体素子を動作させる。
る。半導体装置５全体が動作できる状態にするために、
針状プローバー４を特定のパッドに当てる。その後、側
々の素子の特性を測定するために、半導体装置の固定台
６を２次元的あるいは３次元的に移動させながら回路駆
動用電子源２から発生した電子を、収束レンズ３で収束
させ、半導体装置５の配線上に回路駆動用電子ヒーム１
をあてて半導体素子を動作させる。
このとき素子を検査する方法として、走査電子顕微鏡用
電子源７で発生した電子を収束レンズ３て収束させ、対
物レンズ１１により走査電子顕微鏡の機能を持たせる。
電子源７で発生した電子を収束レンズ３て収束させ、対
物レンズ１１により走査電子顕微鏡の機能を持たせる。
この走査電子顕微親電子ビーム８を検査している素子の
部分に照射して、この部分から発生する２次電子９を２
次電子検出器１０により検出した２次電子像を観察する
ことにより電子ビームテスターとしての機能を付加する
。このとき、回路駆動用電子ビーム１は複数個用いても
可能である。
部分に照射して、この部分から発生する２次電子９を２
次電子検出器１０により検出した２次電子像を観察する
ことにより電子ビームテスターとしての機能を付加する
。このとき、回路駆動用電子ビーム１は複数個用いても
可能である。
発明の効果
本発明の電子ビームを配線上に照射し、特定の半導体素
子を動作させる機能を電子ビームテスターの中に徂み込
むことにより、ブロックごとの不良解析から、素子ごと
の不良解析ができろようになる。さらに、不良となった
半導体素子の故障原因までを同定することができる。そ
の上、非接触の測定方法であるために、半導体装置を破
壊することな（解析することかできる。
子を動作させる機能を電子ビームテスターの中に徂み込
むことにより、ブロックごとの不良解析から、素子ごと
の不良解析ができろようになる。さらに、不良となった
半導体素子の故障原因までを同定することができる。そ
の上、非接触の測定方法であるために、半導体装置を破
壊することな（解析することかできる。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の測定装
置の概念図、第２図は従来の半導体装置の測定装置の概
念図である。 １・・・・・・回路駆動用電子ビーム、２・・・・・・
回路駆動用電子源、３・・・・・・収束レンズ、４・・
・・・・針状プローバー ５・・・・・・半導体装置、
６・・・・・・半導体装置の固定台、７・・・・・・走
査電子顕微鏡用電子源、８・・・・・・走査電子顕微鏡
電子ビーム、９・・・・・・２次電子、１０・・・・・
・２次電子検出器、 １・・・・・・対↑勿しンズ。
置の概念図、第２図は従来の半導体装置の測定装置の概
念図である。 １・・・・・・回路駆動用電子ビーム、２・・・・・・
回路駆動用電子源、３・・・・・・収束レンズ、４・・
・・・・針状プローバー ５・・・・・・半導体装置、
６・・・・・・半導体装置の固定台、７・・・・・・走
査電子顕微鏡用電子源、８・・・・・・走査電子顕微鏡
電子ビーム、９・・・・・・２次電子、１０・・・・・
・２次電子検出器、 １・・・・・・対↑勿しンズ。
Claims (1)
- 収束した電子ビームを用いて半導体装置中のある特定の
半導体素子を動作させる手段と、特定の半導体素子を捜
すために、２次元的、あるいは３次元的に上記電子ビー
ムと上記半導体装置の相対的な位置を変化させる手段と
、走査電子顕微鏡の機能としての電子銃、対物レンズお
よび２次電子検出器と、上記半導体素子の動作波形など
をチェックするテスター機能を有する電子ビームテスタ
ー手段とを備えたことを特徴とする半導体装置の測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022450A JPH03227548A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 半導体装置の測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022450A JPH03227548A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 半導体装置の測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03227548A true JPH03227548A (ja) | 1991-10-08 |
Family
ID=12083055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022450A Pending JPH03227548A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 半導体装置の測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03227548A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100243828B1 (ko) * | 1995-09-28 | 2000-03-02 | 가네꼬 히사시 | 비정상 전류 및 전위 콘트라스트 화상을 사용하는 고장 지점 평가 시스템 |
| KR100276619B1 (ko) * | 1996-08-21 | 2001-01-15 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 피측정디바이스의 고장해석방법 및 고장해석장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS517981A (en) * | 1974-07-10 | 1976-01-22 | Rigaku Denki Co Ltd | Taketsushoshiryono ketsushokansokusochi |
-
1990
- 1990-02-01 JP JP2022450A patent/JPH03227548A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS517981A (en) * | 1974-07-10 | 1976-01-22 | Rigaku Denki Co Ltd | Taketsushoshiryono ketsushokansokusochi |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100243828B1 (ko) * | 1995-09-28 | 2000-03-02 | 가네꼬 히사시 | 비정상 전류 및 전위 콘트라스트 화상을 사용하는 고장 지점 평가 시스템 |
| KR100276619B1 (ko) * | 1996-08-21 | 2001-01-15 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 피측정디바이스의 고장해석방법 및 고장해석장치 |
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