JPH03135778A

JPH03135778A - 電気回路の開路／短絡試験を非接触に行う方法及び装置

Info

Publication number: JPH03135778A
Application number: JP2162531A
Authority: JP
Inventors: Andrew J Lepage; アンドリュー　ジェイ　リペイジ
Original assignee: Digital Equipment Corp
Current assignee: Digital Equipment Corp
Priority date: 1989-06-26
Filing date: 1990-06-20
Publication date: 1991-06-10
Anticipated expiration: 2009-01-19
Also published as: US4970461A; EP0405737A2; EP0405737A3; CA2017238A1; JPH065246B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、印刷配線板、印刷回路等の回路基板の導電体
の連続性及び絶縁（即ち、短絡及び開路）を試験するた
めの方法及び装置に関する。本発明は、特に、レーザー
で誘起したプラズマを使って開路及び短絡を非接触に試
験するための試験セルに関する。

（従来技術とその問題点）普通の印刷配線板、セラミック基板、印刷回路等は、非
電導性の固い又は柔軟な基板上に、選択的に接続されて
割合に複雑なパターンを成す多数の導電経路又はエツチ
ング線を有する。色々なＩＣチップ、抵抗器、コンデン
サ等を該回路に接続する前に、これらの回路構成要素が
基板又は回路に付加される前に開路や短絡などの回路欠
陥を発見して修正することが出来る様に回路の色々な導
電体を試験することが望ましい。

回路を取付は具の中に置き、「釘の床Ｊ　　（ｂｅｄｏ
ｆ　ｎａｉｌｓ）試験プローブを色々な回路伝導体又は
エツチング線と接触させて該回路を試験するのが永い間
通例であった。接触後、いろいろなプローブ同士の連続
性を周知の電気器械を使用して測定する。しかし、幾年
もの期間にわたって斯かる回路の配線密度が増大し、そ
れに従って導電体の幅及びパッドの大きさが減少した。

その結果として、ますます細いプローブが必要となると
共に、試験される回路に対してプローブを位置決めする
ためにますます精密な運動システムが必要となるので、
斯かる機械的試験手段を使用することはますます困難と
なってきている。また、試験中に細い導電体及びプロー
ブを傷つける危険が大きい。

これらの−層厳しい試験要件を満たすために、斯かる試
験の実行中に印刷回路との物理的接触を少なくするか又
は完全に無くするためにいろいろな技術が開発された。

ある既知技術は電子ビームを使用する。回路中の導電体
の一端部に電子ビームを当てて、二次電子放出により所
定電位にし、該導電体の二端部間に電位差を生じさせて
、その結果として、該導電体に中断が無ければ、該導電
体に沿って電流を流させる。従来技術には、この原理を
利用して、印刷配線板、印刷回路、ＶＬＳ　Ｉパッケー
ジング基板及びその他の超小型回路中の中断した導電体
と中断していない導電体とを明確に判別するとともに、
短絡した導電体を検出する試験システムが豊富にある。

しかし、電子ビームを使用する非接触試験には欠点が幾
つがある。斯かるシステムのうちの成るものは、試験さ
れる導電体の両端部に同時に向けられなければならない
電子ビームを個別に制御することを必要とする。成る電
子ビーム試験システムは比較的に複雑なマスクを必要と
し、これが試料″の装入、取外しを困難にする。

低圧不活性雰囲気中に置かれた回路の導電体を単一の機
械的プローブで刺激する導電体の非接触試験方法も知ら
れている。この刺激により、該導電体と、この導電体に
電気的に接続されている全ての線などが白熱する。この
白熱が、走査測光器により観察される。この様にして、
単一の機械的プローブを使用して回路網全体を検査し、
これによりプローブと、試験される回路との接触をなる
べく少なくすることが出来る。この従来の試験技術は、
試験器械と、試験される回路とを少なくとも何らかの形
で物理的に接触させることを必要とするという欠点を持
っている。

プローブと回路導電体とを物理的に接触させずに、レー
ザーを使用してプローブと試験される回路とを電気的に
接触させる故障試験技術も知られている。この技術では
、レーザーがプラズマを発生させ、このプラズマが、試
験される回路の上に位置するプローブを、その下の回路
導電体と電気的に接続させる。しかし、回路に欠陥があ
るか否か判定するためには、このプラズマ「プローブ」
を所要の器械に電気的に接続するために機械的接続が依
然として必要である。

（発明の概要）上記の従来技術の欠陥を考慮して、本発明は、印刷回路
、配線板、セラミック基板、電気回路網等の、回路板に
おける開路及び短絡回路を対称とする非接触試験を行う
改良された方法及び装置に関する。該装置は、極めて短
い時間で開路及び短絡を検出することの出来る完全自動
化試験システムとして実現することの出来るものである
。実際に、該装置は「−発」で電気回路網全体を試験す
ることが出来、これにより試験装置の効率を極めて大き
くする。さらに、該装置は試験されている回路に対する
物理的接触による損傷の可能性を極めて小さくする。

従って、本発明は、以下の詳細な記述が例示する幾つか
のステップと、そのステップのうちの１以上のステップ
の、他の各ステップに対する関係と、構造の特徴、要素
の組合せ及び部分の配列と、から成るものである。

要約すると、本発明において、試験されるべき回路基板
又は回路は不活性ガス雰囲気中で、該回路の平面にほぼ
平行に延在する電極の対の間に置かれる。回路の導電体
に相対して置かれる電極は、パルスレーザ−からの光に
対して透明であり、このレーザーは該透明電極に相対し
て置かれる。回路の実際の試験は二つの段階、即ち、充
電段階と放電段階で行われる。充電中、数ボルトの電位
差を該電極間に生じさせることが出来、該透明電極が負
の電荷を担う。その後、該レーザーを好ましくは短時間
パルス作動させ、該透明電極と、試験される回路導電体
又はエツチング線上の選択された点との間にレーザービ
ームの焦点が合わせられる。ビームの焦点に位置するガ
スは、複数光子吸収と、望ましくはカスケード効果との
結果としてイオン化する。その結果、焦点にプラズマが
生でて、加えられた電場の影響下で拡散して該透明電極
と該回路導電体上の選択された点とを電気的に接続する
。その時、電流が該導電体へ短時間流れて、該レーザー
の像が形成された該導電体の点に電気的に接続されてい
る全ての導電体部分に電荷を与える。その点と連続して
いない導電体部分は充電されない。このプラズマは、レ
ーザーパルスの停止後、数マイクロ秒持続する。

レーザーパルスが停止した直後に、該装置はその放電段
階に転換される。その間、該電極に加えられる電圧の極
性は逆転され、電圧は、試験されている回路を囲む不活
性ガスの破壊電圧まで高められる。この電圧はガスに依
存し、例えば１００ないし５００ｖの範囲にわたる。破
壊電圧に達すると、該導電体の先に充電されていた部分
から飛び出して該部分の上の不活性ガスを励起する電子
によって、該導電体の先に充電されていた部分に沿って
放電プラズマが生じる。その結果として、回路の、レー
ザービームの像が形成された導電体上の点に電気的に接
続されている全ての導電体部分が電場発光により光又は
白熱光を発する。よって、回路のどの導電体部分が発光
するかを観察することにより、それらの部分が、レーザ
ービームにさらされている導電体に電気的に接続されて
いるか否か判断することが出来る。

この放電白熱光は、カメラ、測光器、又はその他の普通
の光検出装置で自動的に検出することが出来るものであ
る。また、該回路上の選択された点を例えば走査測光器
でサンプリングして、それらの点が発光するか否か判定
することが出来る。

その試験結果を、その回路についての所望の連続性状前
を表す基準サンプルと比較することが出来る。若し一致
すれば、該回路は試験に合格したと見なすことが出来る
。一致しなければ、該回路は試験に落第したと言うこと
が出来る。不一致が生じる点は、欠陥の場所と種類、即
ち、開路又は短絡回路、とを示す。

９通はそうである様に、特定の回路基板が数個の独立の
又は絶縁された回路経路を有するならば、個々の経路を
各々上記の様にして充電、放電して回路を完全に試験す
ることが出来る。

よって、本装置は、試験される回路との物理的接触を要
することなく基本的開路／短絡試験を行うので、試験に
よる回路の損傷を相当減少させ、或いは全く無くするも
のである。また、放電白熱光を観察するのに使われる器
械は、試験されるべき［体又はエツチング線に沿うか又
はその付近の多数の点を同時に観察するように構成する
ことの出来るものであるので、回路網全体を「−発１で
試験することが出来る。試験時間の多くは導電体又はエ
ツチング線を発見して充電するために使われるので、こ
れにより試験速度が大幅に増大する。従って、この非接
触試験技術は、印刷量路、印刷配線板、セラミック基板
等の回路板の導電経路を開路及び短絡を対象として試験
する必要がある分野に広く使用することが出来る。

（実施例）図面の第１図を参照すると、試験装置１０は試験される
べき回路基板又は回路１４を収容する流体密チャンバ１
２を含む。チャンバ１２は、レーザー１８の作業端部に
直接相対しており、該レーザーは、チャンバ１２内の印
刷回路１４の導電体又はエツチング線１４ａ上の選択さ
れた点又はスポットに可干渉光ビームＬを向けることが
出来る様に適当なＸＹ位置決め装ｙ１１９によって支持
される。

チャンバ１２と相対して光検出器２２も配置されており
、これは、測光器、ＣＣＤ又はビディコンカメラ、解像
管等であり、試験される回路１４から発する光を検出す
ることが出来る。好ましくは、検出器２２も、チャンバ
１２と、その中の印刷回路とに対して移動できるように
ＸＹ位置決め装置２３に取りつけられる。

チャンバ１２は、電極として作用する電導性の底壁２６
と、非電導性の４個の側壁２８と、上壁又はカバー３２
とを有し、このカバーを取り外して、その中に回路基板
又は回路１４を置くためにチャンバ内への路を開くこと
が出来る。図示のチャンバの例では、カバー３２は３４
などで側壁２８にヒンジ取付けされていて、開放位置と
閉鎖位置とのあいだを回動することが出来る。足への頂
部の全周囲に適当なシール又はガスケット３６が設けら
れていて、カバー３２がその閉鎖位置にあるときには、
カバーと側壁２８との間に気密シールが生じる。また、
下側に位置する側壁２８上の戻り止め４２ａに係合して
カバーの持ち上げとカバーの閉鎖・気密位置への固定と
を容易にすることの出来るハンドル／ラッチ４２がカバ
ー３２の頂部に取りつけられている。

なお第１図を参照すると、回路１４は、セルの側壁２８
から内方に突出する棚状の突起又はブラケット４４によ
りセル１２内に支持されており、該回路は、底壁２６に
平行で、且つカバーが閉鎖位置にあるときにはカバー３
２にも平行な画面内に支持される。スプリング荷重を受
ける適当なランチ４５が該棚状突起の周囲に配置され、
該回路を定位置に解放可能に固定する。

本発明に従って、セルの頂壁又はカバー３２は電導性で
あると共に、レーザー１８から発せられる光に対して透
明である。該カバーは固い透明なガラス層３２ａを含み
、その下側又は内面は、電極として機能する金その他の
不活性金属の、透明で電導性のフィルム又はコーティン
グ３２ｂで被覆されている。好ましくは、カバー３２の
上面又は外面に反射防止膜３２ｃが付されている。その
代わりに、透明電極として細いワイヤグリッドを使用す
ることも出来る。

チャンバ１２から排気して不活性ガスで満たすために、
右側の側壁２８の、好ましくは対角線に沿って相対する
角の部分を通して１対のパイプ５６．５８が延在する。

パイプ５６は、制御可能なバルブ７６を介して例えばア
ルゴンやネオン等の不活性ガスの供給源に接続される。

他方のパイプ５８は負圧源に通じていて、該チャンバが
ら空気及びガスを一掃することが出来る。好ましくは、
チャンバ内のガス圧を感知して、これに対応する電気信
号を発生させる圧力センサー６２がチャンバ１２内に設
けられる。

第１図に示されている様に、底壁電極２６及び頂壁電極
３２ｂは、三路スイッチ７２を介してｄｃ電圧源７４に
電気的に接続される。

レーザー１８、光検出器２２、スイッチ７２及びバルブ
７６の動作は、レーザー１８及び検出器２２を位置決め
する位置決め装置１９及び２３をも制御するコントロー
ラ８２によって制御される。

該コントローラは、圧力センサー６２の出力も監視し、
これに応じて、各試験中、選択された不活性ガス圧をチ
ャンバ１２内に維持する。各試験の結果は、監視装置８
４に表示される。

開路及び短絡について印刷回路１４を試験するために、
回路はチャンバ１２内に置かれ、チャンバ内の支持棚４
４上に位置決めされる。チャンバカバー３２が閉じられ
て、ハンドル／ラッチ４２が固定位置に移されてチャン
バ内の回路が密封された後、コントローラ８２が起動さ
れて試験を開始する。最初に、コントローラはバルブ７
６を開き、パイプ５日の真空源（図示せず）を作動させ
るので、チャンバ１２がら空気が一掃され、例えばアル
ゴン等の不活性ガスが例えば１００Ｔｏｒｒの選択され
た割合に低い圧力に充填される。コントローラ８２は、
所望の内部圧力を維持するためにチャンバ１２内の圧力
センサー６２と制御可能バルブ７６の出力とをサンプリ
ングする。

回路１４の実際の試験は、装置１０によって、２段階で
、即ち、充電段階及び放電段階で、行われる。第２Ａ図
及び第３Ａ図を参照すると、最初にコントローラ８２は
、レーザーＩ８を、その光ビームが回路１４の導電体１
４ａ上の選択されたスポット又は点（例えば第１図のス
ポットＰ）に像を結ぶことが出来る様に、位置決めする
。その後、コントローラは電極２６及び３２ｂ間に典型
的には１ないし５ボルト（例えば２ボルト）の範囲の小
さな電位差を加えるために（第３Ａ図に示されている様
に電極３２ｂが負の電荷を担う）スイッチ７２を制御す
る。次に、コントローラ８２はレーザー１８を作動させ
、該レーザーは可干渉光のパルスＬを放出し、この光ビ
ームはセル１２内の上側電極３２ｂ及び導電体１４ａの
スポ７）Ｐとの間の焦点ＦＰに収束する。該ビームの焦
点の不活性ガスは、複数光子吸収（及び、チャンバ１２
内のガス圧に応じて、カスケード効果）の結果としてイ
オン化する。その結果、焦点ＦＰにプラズマがすぐに生
じて、加えられた電場の影響下で拡散してプラズマ「管
ＪＴとなり、該導電体スポットＰと電極３２ｂとを電気
的に接続する。管Ｔが生ずると、電流が導電体スポット
Ｐに短時間流れて、そのスポットと、導電体１４ａ上の
該スポットと電気的に連続している全ての導電体部分と
に電荷を与える。一方、中断又は割れＢによってスボソ
）Ｐから分離されている導電体部分は電荷を受は取らな
い。斯かる絶縁した部分の一つが第２Ａ図において導電
体１４ａの中断Ｂの左に示されている。

レーザーパルスが終止してから数マイクロ秒後に、プラ
ズマ管が消散し、導電体の放電が終わる。

プラズマ生成に要するレーザーパルス当たりのエネルギ
ーは、チャンバ１２に使用するガス、そのガスの圧力、
レーザー１８から放射される光の波長、及び焦点ＦＰに
おけるレーザービームの断面積に依存する。例を挙げる
と、波長が１ミクロン、パルス長さが２０ナノ秒、１０
０Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中でレーザービーム焦点の
直径が５ミルという条件で作動するレーザーは、プラズ
マ形成のためのパルス１個について約１ジユールのエネ
ルギーを必要とする。

回路の導電体１４ａが前述の様に点Ｐで充電された後、
装置１０を直ちに放電動作モードに切り換えることが出
来る。詳しく言えば、コントローラ８２はスイッチ７２
を切替えるので、反対極性の割合に高い電圧が電極２６
及び３２ｂに加えられる。第３Ｂ図に示されている様に
、この電圧はチャンバ１２内のガスの破壊電圧（例えば
、アルゴンガスについては２００ボルト）を上回り、導
電体１４ａからの放電を制御するべく整形された波形を
有するべきである。このチャンバのガスの破壊電圧に達
すると、第２Ｂ図に小さな垂直の矢で示されている様に
、先に充電されていた導電体１４ａから電子が放出され
る。これらの電子は、充電された導電体の周囲のガスを
励起して、先に充電されていて、従って（希望により又
は短絡により）試験の充電段階でレーザービームにより
結像された導電体スポットＰに電気的に連続されている
導電体１４ａの全ての部分及び分岐に沿って、白熱する
放電プラズマＧを発生させる。一方、中断又は割れＢの
ために導電体スポットＰと電気的に連続しておらず、従
って充電されなかった導電体１４ａの部分は、白熱プラ
ズマ放電Ｇを帯びず、これによっては識別されない。白
熱しないこの様な導電体部分が第２Ｂ図において中断Ｂ
の左側に示されている。

高電場を加えると同時に、コントローラ８２は検出器２
２を制御して、回路を走査させて、回路の選択された点
から発する光をサンプリングさせ、そのサンプリングさ
れた点のうちのどの点が白熱し、どの点が白熱しないか
を示す電子「地図」を作らせる。その後、この情報を、
該検出器又はコントローラ８２に格納されている基準地
図と比較して、回路１４の中の、望ましくない開路及び
／又は短絡回路の場所を特定することが出来る。次に、
その試験結果を監視装置８４上に所望の書式で表示する
ことが出来る。これを達成するための器械は、例えば、
米国特許第４，５０７，６０５号に開示されている。

回路基板１４を走査して欠陥を発見する代わりに、カメ
ラを使用して回路基板１４のスナップ写真を上から取っ
ても良く、或いは、場合によっては、単に、回路のどの
部分が白熱し、どの部分が白熱しないかをオペレータが
観察することによって基板上の欠陥を発見することも出
来る。

斜上から、装置１０は、基板又は回路との物理的接触を
要することなく、従って試験により回路を損傷させる危
険を減少させ或いは実質的に無くする様な態様で印刷配
線基板、印刷回路等の開路及び短絡を試験することを可
能にするものであることが分かる。また、試験されてい
る導電体又はエツチング線に沿う多数の点又はその付近
の多数の点を観察するように検出器２２と、連携する器
械とを構成することが出来る。従って、回路網全体を一
度に試験することが出来、従って、試験準備時間を極め
て短くし、試験効率を極めて大きくすることが出来る。

本発明の範囲から逸脱せずに、上記の方法と上記の構成
とに成る変更を行うことが出来る。例えば、２側面・試
験については、チャンバ１２の底壁２６を金属板とする
代わりに頂壁又はカバー３２と同一とし、レーザー１８
及び検出器２２が頂壁３２に関して装置されているのと
同一の態様で追加のレーザー及び検出器を底壁２６に関
して装置することが出来る。さらに、試験される回路１
４の電源平面を電極として利用することが出来る。従っ
て、上記の説明に含まれ、或いは添付図面に示されてい
る全ての事項は例示であって、限定的意味に解されては
ならない。

また、特許請求の範囲の欄の記載内容は、ここに記載し
た発明の一般的特徴及び特殊な特徴の全てを網羅するべ
きものであることも理解されるべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の非接触試験装置を、一部を切り欠い
て示す図である。第２Ａ図及び第２Ｂ図は、第１図の線２−２に沿う断面
図であり、該装置の動作を示す。第３Ａ図及び第３Ｂ図は、第１図の装置の動作を説明す
る図である。ＦＩＧ、３Ａ３２ａＦＩＧ、３Ｂ手続補正書（方式）％式％１、事件の表示平成２年特許願第１６２５３１号３、補正をする者事件との関係出願人４、代理人

Claims

【特許請求の範囲】

（１）望ましくない短絡及び開路を検出するべく、１個
以上の導電体を有する回路基板を非接触に試験する方法
であって、該回路導電体を該電極の一つに対面させて、選択された
ガスで満たされたチャンバ内の１対の電極の間に該回路
基板を置き、前記の一つの電極が負の電荷を担う様に選択された極性
を持った電圧を該電極に加えて、該回路基板に対してほ
ぼ垂直に延在する電場を生じさせることにより該回路基
板を充電し、前記の一つの電極と該回路基板の導電体上
の選択されたスポットとの間の焦点にもたられるレーザ
ービームパルスを該回路基板に当てて該チャンバ内の該
ビーム焦点のガスをイオン化させてプラズマを発生させ
ることにより前記スポットと、該スポットに電気的に連
続している他の回路導電体部分とに電荷を与え、加えられる電圧の極性を反転させ、該電圧の強さを実質
的に該チャンバのガスの破壊電圧まで増大させることに
よって該回路基板から放電させることにより、該回路導
電体の充電された部分に相対するチャンバガス中に白熱
する放電プラズマを生じさせ、該回路を観察して、その導電体のどの部分が白熱し、従
って前記の選択された導電体スポットに電気的に連続し
ており、どの部分がそうではないかを判定するステップ
から成ることを特徴とする方法。
（２）該チャンバは不活性ガスで満たされることを特徴
とする請求項１に記載の試験方法。
（３）該不活性ガスはアルゴンであることを特徴とする
請求項２に記載の試験方法。
（４）チャンバガスの圧力を制御して、選択された割合
に低い圧力に維持するステップを更に含むことを特徴と
する請求項１に記載の試験方法。
（５）該充電ステップ中に、１ないし５ボルトの電圧を
該電極に加えることを特徴とする請求項１に記載の試験
方法。
（６）該放電ステップ中、１００ないし５００ボルトの
電圧を該電極に加えることを特徴とする請求項１に記載
の試験方法。
（７）望ましくない短絡及び開路を検出するべく、１個
以上の導電体を有する回路を非接触に試験する方法であ
って、該回路導電体を該電極の一つに対面させて、選択された
ガスで満たされたチャンバ内の１対の電極の間に該回路
を置き、前記の一つの電極が負の電荷を担う様に選択された極性
を持った電圧を該電極に加えて、該回路に対してほぼ垂
直に延在する電場を生じさせることにより該回路を充電
し、前記の一つの電極と回路導電体上の選択されたスポ
ットとの間の焦点にもたらされるレーザービームパルス
を該回路に当てて該チャンバ内の該ビーム焦点のガスを
イオン化させて、該チャンバ内の加えられた電場の下で
拡散して前記導電体スポットと前記の一つの電極との間
に延在する導電経路を生じさせるプラズマを発生させる
ことにより前記スポットと、該スポットに電気的に連続
している他の回路導電体部分とに電荷を与え、加えられ
る電圧の極性を反転させ、該電圧の強さを実質的に該チ
ャンバのガスの破壊電圧まで増大させることによって該
回路から放電させることにより、該回路導電体の充電さ
れた部分に相対するチャンバガス中に白熱する放電プラ
ズマを生じさせ、該回路を観察して、その導電体のどの部分が白熱し、従
って前記の選択された導電体スポットに電気的に連続し
ており、どの部分がそうではないかを判定するステップ
から成ることを特徴とする方法。
（８）該回路を走査し、該導電体上の点及びその付近の
点をサンプリングして該回路についての試験プロフィー
ルを作ることにより該回路を観察し、該試験プロフィールを基準プロフィールと比較して該回
路が該試験に合格するか否か判定することを特徴とする
請求項７に記載の試験方法。
（９）望ましくない短絡及び開路を検出するべく、１個
以上の導電体を有する回路を非接触に試験する装置であ
って、該回路を収容するチャンバと、該チャンバを不活性ガスで満たす手段と、前記チャンバ内に配置され、互いに離間している平らな
電極の対と、前記チャンバ内の、前記電極の間にあって且つ前記電極
に実質的に平行な結像面に回路を位置決めする手段と、該回路導電体に相対する一つの電極が負の電荷を担う様
に選択された極性を持った電圧を該電極に加えて、前記
結像面に対してほぼ垂直に延在する電場を生じさせる手
段と、前記の一つの電極と前記結像面内の該回路の導電体上の
選択されたスポットとの間の焦点にもたらされるレーザ
ービームを該回路基板に当てて該チャンバ内の該ビーム
焦点のガスをイオン化させて、前記の選択された導電体
スポットと、該スポットに電気的に連続している他の回
路導電体部分とに電荷を導くプラズマを発生させるレー
ザーと、加えられる電圧の極性を反転させ、該電圧の強さを実質
的に該チャンバのガスの破壊電圧まで増大させることに
よって、前記結像面内の該回路の導電体の充電された部
分に相対するチャンバガス中に白熱する放電プラズマを
生じさせる手段と、前記結像面内の回路を観察して、その導電体のどの部分
が白熱し、従って前記の選択された導電体スポットに電
気的に連続しており、どの部分がそうではないかを判定
する手段とから成ることを特徴とする装置。
（１０）前記の一つの電極と、前記の一つの電極に相対
する前記チャンバの壁とは、前記レーザーから放出され
る光に対して透明であり、前記レーザーは、前記チャンバ外に配置されて、前記の
一つの電極を通して前記面内の回路に結像することを特
徴とする請求項９に記載の装置。
（１１）前記チャンバ内のガスの圧力を制御する手段を
更に含むことを特徴とする請求項９に記載の装置。
（１２）該圧力制御手段は、前記チャンバ内に位置する
圧力センサーを含むことを特徴とする請求項１１に記載
の装置。
（１３）前記レーザーはパルスレーザーであることを特
徴とする請求項９に記載の装置。（１４）前記観察手段
は、測光器、ＣＣＤカメラ及び解像管で構成されるグル
ープから選択された光検出器から成ることを特徴とする
請求項９に記載の装置。