JPH0618636A - イオンビームを用いたデバイステスト方法およびテスタ - Google Patents
イオンビームを用いたデバイステスト方法およびテスタInfo
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- JPH0618636A JPH0618636A JP4172990A JP17299092A JPH0618636A JP H0618636 A JPH0618636 A JP H0618636A JP 4172990 A JP4172990 A JP 4172990A JP 17299092 A JP17299092 A JP 17299092A JP H0618636 A JPH0618636 A JP H0618636A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ビームの試料への侵入を極力防止し、高加速
度かつ高分解能のＩＣ等のデバイスのテストを実現する
ことである。 【構成】 デバイスの導体層に電圧が発生する状態に
し、この状態で、その導体層にイオンビームを照射し、
その導体層から発生する２次電子量を検出し、その２次
電子検出量に応じた像を形成し、この像の明暗パターン
または、２次電子検出量の変化から前記導体層の電圧状
態を検出して、デバイスの動作状態を検査する。
度かつ高分解能のＩＣ等のデバイスのテストを実現する
ことである。 【構成】 デバイスの導体層に電圧が発生する状態に
し、この状態で、その導体層にイオンビームを照射し、
その導体層から発生する２次電子量を検出し、その２次
電子検出量に応じた像を形成し、この像の明暗パターン
または、２次電子検出量の変化から前記導体層の電圧状
態を検出して、デバイスの動作状態を検査する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオンビームを用いた
デバイステスト方法およびイオンビームを用いたデバイ
ステスタに関する。
デバイステスト方法およびイオンビームを用いたデバイ
ステスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣあるいは液晶のような電気的に動作
するデバイスの微細化の進展に伴い、配線は、その線幅
が１μｍ以下のサブミクロンレベルで加工されるように
なり、デバイスの不良解析（内部動作状態の試験等）に
あたっても、デバイスのピンにプローブ針を当てての従
来の典型的な手法だけでは通用しなくなっている。そこ
で、近年、ＩＣのような微細なデバイスの内部の動作状
態を測定して不良解析を行う装置として、電子ビームテ
スタ（以下、ＥＢＴという）が使用されはじめている。
するデバイスの微細化の進展に伴い、配線は、その線幅
が１μｍ以下のサブミクロンレベルで加工されるように
なり、デバイスの不良解析（内部動作状態の試験等）に
あたっても、デバイスのピンにプローブ針を当てての従
来の典型的な手法だけでは通用しなくなっている。そこ
で、近年、ＩＣのような微細なデバイスの内部の動作状
態を測定して不良解析を行う装置として、電子ビームテ
スタ（以下、ＥＢＴという）が使用されはじめている。
【０００３】ＥＢＴは走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）をＩＣ
のような微細なデバイスのテストに応用したものであ
り、電子ビームを試料に照射し、そこから得られる２次
電子を検出するという基本的原理はＳＥＭと同様である
が、ＳＥＭがその検出信号に基づいて試料表面（あるい
は断面）の像を得るのに対し、ＥＢＴは、ＤＣあるいは
ＡＣバイアスがを与えられて電圧が発生している状態の
配線（導体層）に、電子ビームを照射し、その配線の２
次電子を検出してその配線パターンを再現し、その再現
パターンの明暗分布から、その配線における電圧分布を
検出する点で異なる。すなわち、ＥＢＴは外観観察（検
査）ではなく、電気的検査を行う装置である。
のような微細なデバイスのテストに応用したものであ
り、電子ビームを試料に照射し、そこから得られる２次
電子を検出するという基本的原理はＳＥＭと同様である
が、ＳＥＭがその検出信号に基づいて試料表面（あるい
は断面）の像を得るのに対し、ＥＢＴは、ＤＣあるいは
ＡＣバイアスがを与えられて電圧が発生している状態の
配線（導体層）に、電子ビームを照射し、その配線の２
次電子を検出してその配線パターンを再現し、その再現
パターンの明暗分布から、その配線における電圧分布を
検出する点で異なる。すなわち、ＥＢＴは外観観察（検
査）ではなく、電気的検査を行う装置である。
【０００４】ＥＢＴでデバイスの試験を行うには、配線
の線幅レベルに絞り込んだ電子ビームをその配線に沿っ
て走査していくことが必要である。このような電子ビー
ムの高精度の制御を行うためには、２０〜３０ＫＶ程度
の加速電圧をもつ高分解能の走査型電子顕微鏡を使用す
ることが、本来は望ましい。しかし、このような高い加
速電圧のものを使用した場合、電子の径が小さいために
電子が、配線層内に1.5 μｍ程度は侵入し、また、乱反
射によって横方向にも広がってしまい、現実には使用で
きない。すなわち、配線層への電子の侵入は、配線の電
位分布を変動させて正確な電圧測定を妨げ、乱反射によ
る横方向の広がりは、ターゲット以外の隣接する配線か
らの２次電子放出を起こさせることになり、検出誤差を
与える要因となる。
の線幅レベルに絞り込んだ電子ビームをその配線に沿っ
て走査していくことが必要である。このような電子ビー
ムの高精度の制御を行うためには、２０〜３０ＫＶ程度
の加速電圧をもつ高分解能の走査型電子顕微鏡を使用す
ることが、本来は望ましい。しかし、このような高い加
速電圧のものを使用した場合、電子の径が小さいために
電子が、配線層内に1.5 μｍ程度は侵入し、また、乱反
射によって横方向にも広がってしまい、現実には使用で
きない。すなわち、配線層への電子の侵入は、配線の電
位分布を変動させて正確な電圧測定を妨げ、乱反射によ
る横方向の広がりは、ターゲット以外の隣接する配線か
らの２次電子放出を起こさせることになり、検出誤差を
与える要因となる。
【０００５】したがって、実際は、走査電子顕微鏡の加
速電圧を１〜３ＫＶと、ＥＢＴ専用に低く調整し、使用
している。
速電圧を１〜３ＫＶと、ＥＢＴ専用に低く調整し、使用
している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術には、
以下の問題点がある。 （１）加速電圧を低下させたといっても、それによって
電子ビームの試料（配線）への侵入を完全に防止できる
ことにはならず、侵入した電子による試料のチャージア
ップ等がどうしても生じる。したがって、一定の検出誤
差を生じることになる。
以下の問題点がある。 （１）加速電圧を低下させたといっても、それによって
電子ビームの試料（配線）への侵入を完全に防止できる
ことにはならず、侵入した電子による試料のチャージア
ップ等がどうしても生じる。したがって、一定の検出誤
差を生じることになる。
【０００７】（２）また、加速電圧を減少させたことに
より、電子ビームの集束機能が低下する。この集束力の
低下した電子ビームは、（１）の項で述べた侵入電子に
よる電位変動の影響で配線内（あるいは配線近傍）でゆ
がみ、２次電子発生の状態を変化させたり、最近の極め
て微細な（0.5 ミクロン以下の）配線では、正確に対象
に当たらない等の新たな問題を生じる。 （３）このため、最近のＩＣ等のデバイスの急進な高集
積化の現実を考慮すると、ＥＢＴは、今後のデバイスの
微細化には充分対応できない。
より、電子ビームの集束機能が低下する。この集束力の
低下した電子ビームは、（１）の項で述べた侵入電子に
よる電位変動の影響で配線内（あるいは配線近傍）でゆ
がみ、２次電子発生の状態を変化させたり、最近の極め
て微細な（0.5 ミクロン以下の）配線では、正確に対象
に当たらない等の新たな問題を生じる。 （３）このため、最近のＩＣ等のデバイスの急進な高集
積化の現実を考慮すると、ＥＢＴは、今後のデバイスの
微細化には充分対応できない。
【０００８】本発明はこのような考察に基づいてなされ
たものであり、その目的は、ビームの試料への侵入を極
力防止し、高加速度かつ高分解能のデバイステストを実
現することにある。
たものであり、その目的は、ビームの試料への侵入を極
力防止し、高加速度かつ高分解能のデバイステストを実
現することにある。
【０００９】
（１）本発明のデバイステスト方法は、動作電圧供給に
よるデバイスの駆動等によってデバイスの導体層に電圧
が発生する状態にし、この状態で前記デバイスの導体層
にイオンビームを照射し、その導体層から発生する２次
電子量を検出し、その２次電子検出量に応じた像を形成
し、この像の明暗パターンまたは前記２次電子検出量の
変化から前記導体層の電圧状態を検出して、デバイスの
動作状態を検査することを特徴とするものである。 （２）イオンビームとしては、ガリウムイオンビーム等
を使用する。
よるデバイスの駆動等によってデバイスの導体層に電圧
が発生する状態にし、この状態で前記デバイスの導体層
にイオンビームを照射し、その導体層から発生する２次
電子量を検出し、その２次電子検出量に応じた像を形成
し、この像の明暗パターンまたは前記２次電子検出量の
変化から前記導体層の電圧状態を検出して、デバイスの
動作状態を検査することを特徴とするものである。 （２）イオンビームとしては、ガリウムイオンビーム等
を使用する。
【００１０】（３）本発明のデバイステスタは、加速さ
れたイオンビームを発生させるイオンビーム発生手段
と、イオンビームの照射対象である試料を載置する試料
台と、この試料台を取り囲む真空チャンバーと、イオン
ビーム照射の結果として前記試料から発生する２次電子
を検出する２次電子検出手段と、前記試料にＤＣまたは
ＡＣのバイアスを供給するためのバイアス供給手段とを
有することを特徴とする。 （４）イオンビームは１０ＫＶ〜３５ＫＶの範囲で加速
される。
れたイオンビームを発生させるイオンビーム発生手段
と、イオンビームの照射対象である試料を載置する試料
台と、この試料台を取り囲む真空チャンバーと、イオン
ビーム照射の結果として前記試料から発生する２次電子
を検出する２次電子検出手段と、前記試料にＤＣまたは
ＡＣのバイアスを供給するためのバイアス供給手段とを
有することを特徴とする。 （４）イオンビームは１０ＫＶ〜３５ＫＶの範囲で加速
される。
【００１１】
（１）イオンは原子核と電子からなり、電子と異なり数
Åオーダの大きさを持つため、１０〜３５ＫＶの加速電
圧では、試料の極表面で反射し、電子ビームのように試
料に深く侵入しない。したがって、この侵入を警戒して
ビーム加速電圧を低く抑える必要がなく、１０〜３５Ｋ
Ｖの加速電圧領域において、比較的自由に、最適のレベ
ルを設定することができる。この結果、電子ビームを使
用した場合より、特に微細な配線パターンの電圧分布測
定においては、鮮明な明暗パターン像が得られ、検出分
解能（検査精度）を向上できる。 （２）イオンの種類としては、取扱いが容易で弊害の少
ないものならば、本質的にその種類を問わないが、イオ
ン源におけるイオン発生の容易の観点から、低融点，低
蒸気圧のものがよく、Ｇａ，Ｉｎ等の３族の元素のイオ
ンビームがよい。
Åオーダの大きさを持つため、１０〜３５ＫＶの加速電
圧では、試料の極表面で反射し、電子ビームのように試
料に深く侵入しない。したがって、この侵入を警戒して
ビーム加速電圧を低く抑える必要がなく、１０〜３５Ｋ
Ｖの加速電圧領域において、比較的自由に、最適のレベ
ルを設定することができる。この結果、電子ビームを使
用した場合より、特に微細な配線パターンの電圧分布測
定においては、鮮明な明暗パターン像が得られ、検出分
解能（検査精度）を向上できる。 （２）イオンの種類としては、取扱いが容易で弊害の少
ないものならば、本質的にその種類を問わないが、イオ
ン源におけるイオン発生の容易の観点から、低融点，低
蒸気圧のものがよく、Ｇａ，Ｉｎ等の３族の元素のイオ
ンビームがよい。
【００１２】（３）装置としては、加速度電圧の設定に
おいて電子ビームを用いた場合ような制限がなく、走査
顕微鏡のテスタ専用化のための微妙な調整を行う必要が
なく、通常のＩＣの表面や断面観察用のものをそのまま
使用できる。このため、使い勝手がよく、はるかに経済
的である。 （４）特に、電子ビームでは使用できなかった、１０Ｋ
Ｖ〜３５ＫＶの範囲の高加速域を使用できるため、鮮明
な明暗パターンが得られる。
おいて電子ビームを用いた場合ような制限がなく、走査
顕微鏡のテスタ専用化のための微妙な調整を行う必要が
なく、通常のＩＣの表面や断面観察用のものをそのまま
使用できる。このため、使い勝手がよく、はるかに経済
的である。 （４）特に、電子ビームでは使用できなかった、１０Ｋ
Ｖ〜３５ＫＶの範囲の高加速域を使用できるため、鮮明
な明暗パターンが得られる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明のデバイステスタの一実施例
（ＩＣテスタ）の構成を示す図である。 （装置の構成）
て説明する。図１は本発明のデバイステスタの一実施例
（ＩＣテスタ）の構成を示す図である。 （装置の構成）
【００１４】図中、参照番号１はイオンビームを発生，
集束させるためのイオンカラムであり、２は真空チャン
バーである。参照番号３はチャンネルエレクトロン（２
次電子検出器），４はＡＣ電源，５はＤＣ電源である。
参照番号６はカラムの真空引きをするためのイオンポン
プ，７は真空チャンバー内を排気するターボポンプ，８
はチャンネルエレクトロン３の信号を増幅するアンプ，
９はビームをＸ−Ｙ方向にスキャンさせる信号の発生
器，１０はこの発生器９の信号のコントローラ，１１は
実際のビームをＸ−Ｙにスキャンさせるための電圧を発
生するアンプ，１２は２次電子像（走査像）を得るため
のビデオモニタ，１３は試料台，１４は測定対象である
ＩＣ（試料），１５はガリウムイオンビームである。ま
た、参照番号３０は試料にプラチナ化合物のガスを吹き
つけるためのガスユニットであり、３１はプラチナ化合
物のガス（トリメチルサイクロペンタダイエニルプラチ
ナム）である。この３０，３１は、ＩＣのリペア（修
理）のために設けられている。
集束させるためのイオンカラムであり、２は真空チャン
バーである。参照番号３はチャンネルエレクトロン（２
次電子検出器），４はＡＣ電源，５はＤＣ電源である。
参照番号６はカラムの真空引きをするためのイオンポン
プ，７は真空チャンバー内を排気するターボポンプ，８
はチャンネルエレクトロン３の信号を増幅するアンプ，
９はビームをＸ−Ｙ方向にスキャンさせる信号の発生
器，１０はこの発生器９の信号のコントローラ，１１は
実際のビームをＸ−Ｙにスキャンさせるための電圧を発
生するアンプ，１２は２次電子像（走査像）を得るため
のビデオモニタ，１３は試料台，１４は測定対象である
ＩＣ（試料），１５はガリウムイオンビームである。ま
た、参照番号３０は試料にプラチナ化合物のガスを吹き
つけるためのガスユニットであり、３１はプラチナ化合
物のガス（トリメチルサイクロペンタダイエニルプラチ
ナム）である。この３０，３１は、ＩＣのリペア（修
理）のために設けられている。
【００１５】（装置の動作）試料であるＩＣ（１４）
に、ＡＣ電源４およびＤＣ電源５よりバイアスを印加
し、ＩＣを駆動する。この状態でイオンビーム１５を試
料上に照射し、このイオンビームを、参照番号９，１
０，１１の構成を使ってＸ，Ｙ方向に走査する。
に、ＡＣ電源４およびＤＣ電源５よりバイアスを印加
し、ＩＣを駆動する。この状態でイオンビーム１５を試
料上に照射し、このイオンビームを、参照番号９，１
０，１１の構成を使ってＸ，Ｙ方向に走査する。
【００１６】チャンネルエレクトロン３はプラスに帯電
しており、イオンビームの照射により試料１４から発生
する２次電子を引き込み検出する。この２次電子の検出
信号を増幅してビデオモニタ１２上にイオンビームの走
査像を得る。 （ＩＣ等のデバイスのテスト原理）図２はイオンビーム
走査によるデバイスのテスト原理を示す図である。図
中，参照番号１６は０Ｖのアルミニュウム配線，１５は
５Ｖにバイアスされたアルミニュウム配線，２０はアー
スされた基板である。
しており、イオンビームの照射により試料１４から発生
する２次電子を引き込み検出する。この２次電子の検出
信号を増幅してビデオモニタ１２上にイオンビームの走
査像を得る。 （ＩＣ等のデバイスのテスト原理）図２はイオンビーム
走査によるデバイスのテスト原理を示す図である。図
中，参照番号１６は０Ｖのアルミニュウム配線，１５は
５Ｖにバイアスされたアルミニュウム配線，２０はアー
スされた基板である。
【００１７】集束イオンビーム１５ａが０Ｖのアルミニ
ュウム配線１６に入射すると、電子ビームの場合と異な
り、試料中に深く侵入することなく表面で反射し、そこ
からイオンビームの電子数の数倍の２次電子が発生し、
これが２次電子検出器に捕獲されて検出信号となる。
ュウム配線１６に入射すると、電子ビームの場合と異な
り、試料中に深く侵入することなく表面で反射し、そこ
からイオンビームの電子数の数倍の２次電子が発生し、
これが２次電子検出器に捕獲されて検出信号となる。
【００１８】しかし、一方の５Ｖのアルミニュウム配線
１７に関しては、集束イオンビーム１５ｂの照射によっ
て発生した２次電子の相当数は、５Ｖのバイアスによる
電気力線１９に捉えられ、２次電子検出器に到達しな
い。すなわち、ターゲットが同じ材質であっても、その
ターゲットの電圧が高い程、２次電子の捕獲がすすみ、
２次電子検出器が検出する電子の量は減少する。この結
果、Ｘ、Ｙ方向にイオンビームを走査させながら２次電
子を検出して像をモニタ上に描くと、デバイスの導体層
（アルミ等の金属配線層やポリサイド配線等）の電圧に
相当した明暗が現れる。この明暗パターンから、デバイ
スの動作状態を知ることができる。
１７に関しては、集束イオンビーム１５ｂの照射によっ
て発生した２次電子の相当数は、５Ｖのバイアスによる
電気力線１９に捉えられ、２次電子検出器に到達しな
い。すなわち、ターゲットが同じ材質であっても、その
ターゲットの電圧が高い程、２次電子の捕獲がすすみ、
２次電子検出器が検出する電子の量は減少する。この結
果、Ｘ、Ｙ方向にイオンビームを走査させながら２次電
子を検出して像をモニタ上に描くと、デバイスの導体層
（アルミ等の金属配線層やポリサイド配線等）の電圧に
相当した明暗が現れる。この明暗パターンから、デバイ
スの動作状態を知ることができる。
【００１９】（実験結果）本発明者は、２５ＫＶの加速
電圧によるイオンビームを用いて、ＩＣのアルミニュウ
ム配線像を取得した。その例が図３に示される。この例
は、アルミニュウム配線に固定バイアスを与えた例であ
り、SiO2膜の影響を受けない、鮮明な像が得られた。Si
O2膜はイオンビームの照射を受けると即座に所定バイア
スにチャージされるため、バイアス変化による不安定な
パターンが見られない。
電圧によるイオンビームを用いて、ＩＣのアルミニュウ
ム配線像を取得した。その例が図３に示される。この例
は、アルミニュウム配線に固定バイアスを与えた例であ
り、SiO2膜の影響を受けない、鮮明な像が得られた。Si
O2膜はイオンビームの照射を受けると即座に所定バイア
スにチャージされるため、バイアス変化による不安定な
パターンが見られない。
【００２０】図４は他の例であり、ＩＣにＡＣバイアス
をかけて内部のアルミニュウム配線の電圧を周期的に変
化させると、電圧が変化した部分にのみ縞模様パターン
が得られた。像は鮮明であり、これらにより、イオンビ
ームによるテスタ（ＦＩＢＴ）が実際に充分に使用可能
であることを立証できた。
をかけて内部のアルミニュウム配線の電圧を周期的に変
化させると、電圧が変化した部分にのみ縞模様パターン
が得られた。像は鮮明であり、これらにより、イオンビ
ームによるテスタ（ＦＩＢＴ）が実際に充分に使用可能
であることを立証できた。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、以
下の効果が得られる。 （１）イオンビームは試料の極表面で反射し、電子ビー
ムのように試料に深く侵入しない。したがって、高加速
度電圧域において、比較的自由に、最適のレベルを設定
することができ、電子ビームを使用した場合より、特に
微細な配線パターンの電圧分布測定においては、鮮明な
明暗パターン像が得られ、検出分解能（検査精度）を向
上できる。
下の効果が得られる。 （１）イオンビームは試料の極表面で反射し、電子ビー
ムのように試料に深く侵入しない。したがって、高加速
度電圧域において、比較的自由に、最適のレベルを設定
することができ、電子ビームを使用した場合より、特に
微細な配線パターンの電圧分布測定においては、鮮明な
明暗パターン像が得られ、検出分解能（検査精度）を向
上できる。
【００２２】（２）装置としては、加速度電圧の設定に
おいて電子ビームを用いた場合ような制限がなく、走査
顕微鏡のテスタ専用化のための微妙な調整を行う必要が
なく、通常のデバイス（ＩＣや液晶等）の表面や断面観
察用のものをそのまま使用できる。この結果、イオンビ
ーム（ＩＢ）テスタとして使用して不良箇所を検出した
後に、不要な配線をカットしたり、各種のメタル化合物
ガスを流しながらイオンビームを照射して必要な所にの
み選択的に金属配線を追加し、ＩＣ等のデバイスの修理
を行うことが、同一チャンバー内で連続的に行える。
おいて電子ビームを用いた場合ような制限がなく、走査
顕微鏡のテスタ専用化のための微妙な調整を行う必要が
なく、通常のデバイス（ＩＣや液晶等）の表面や断面観
察用のものをそのまま使用できる。この結果、イオンビ
ーム（ＩＢ）テスタとして使用して不良箇所を検出した
後に、不要な配線をカットしたり、各種のメタル化合物
ガスを流しながらイオンビームを照射して必要な所にの
み選択的に金属配線を追加し、ＩＣ等のデバイスの修理
を行うことが、同一チャンバー内で連続的に行える。
【００２３】（３）これらにより、現在および将来のＩ
Ｃのようなデバイスの微細化にも充分適用可能な、デバ
イス内部の動作試験を確立できる。
Ｃのようなデバイスの微細化にも充分適用可能な、デバ
イス内部の動作試験を確立できる。
【図１】本発明のデバイステスタの一実施例の構成を示
す図である。
す図である。
【図２】イオンビーム走査によるデバイスのテスト原理
を示す図である。
を示す図である。
【図３】実験により取得された、イオンビームによるＩ
Ｃ（デバイス）のアルミニュウム配線（固定バイアス）
の像である。
Ｃ（デバイス）のアルミニュウム配線（固定バイアス）
の像である。
【図４】実験により取得された、イオンビームによるＩ
Ｃ（デバイス）のアルミニュウム配線（ＡＣバイアス）
の像である。
Ｃ（デバイス）のアルミニュウム配線（ＡＣバイアス）
の像である。
１ イオンカラム ２ 真空チャンバー ３ ２次電子検出器 ４ ＡＣ電源 ５ ＤＣ電源 ６ イオンポンプ ７ ターボポンプ ８，１１ アンプ ９ Ｘ−Ｙ走査信号発生器 １０ コントローラ １２ ビデオモニタ １３ 試料台 １４ 試料（ＩＣ等の微細デバイス） １５ イオンビーム ３０ ガス供給ユニット ３１ トリメチルメタサイクロペンタダイエニルプラチ
ナム
ナム
Claims (2)
- 【請求項１】 デバイスの導体層に電圧が発生する状態
にし、この状態で前記デバイスの導体層にイオンビーム
を照射し、その導体層から発生する２次電子量を検出
し、その２次電子検出量に応じた像を形成し、この像の
明暗パターンまたは前記２次電子検出量の変化から前記
導体層の電圧状態を検出して、デバイスの動作状態を検
査することを特徴とするイオンビームを用いたデバイス
テスト方法。 - 【請求項２】 加速されたイオンビームを発生させるイ
オンビーム発生手段と、イオンビームの照射対象である
試料を載置する試料台と、この試料台を取り囲む真空チ
ャンバーと、イオンビーム照射の結果として前記試料か
ら発生する２次電子を検出する２次電子検出手段と、前
記試料にＤＣまたはＡＣのバイアスを供給するためのバ
イアス供給手段とを有することを特徴とするイオンビー
ムを用いたデバイステスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4172990A JPH0618636A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | イオンビームを用いたデバイステスト方法およびテスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4172990A JPH0618636A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | イオンビームを用いたデバイステスト方法およびテスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0618636A true JPH0618636A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15952138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4172990A Pending JPH0618636A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | イオンビームを用いたデバイステスト方法およびテスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618636A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970048546A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-29 | ||
| DE102008013105A1 (de) | 2007-03-15 | 2008-10-23 | Aisan Kogyo K.K., Obu | Strömungssteuerungsventile |
| CN109946589A (zh) * | 2019-04-08 | 2019-06-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种检测显示面板电学不良的方法及装置 |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP4172990A patent/JPH0618636A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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