JPS61255059A - 密着形イメ−ジセンサ - Google Patents
密着形イメ−ジセンサInfo
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- JPS61255059A JPS61255059A JP60096209A JP9620985A JPS61255059A JP S61255059 A JPS61255059 A JP S61255059A JP 60096209 A JP60096209 A JP 60096209A JP 9620985 A JP9620985 A JP 9620985A JP S61255059 A JPS61255059 A JP S61255059A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はファクシミリ、光学文字認識および複写機等の
光１に変換デバイスとして用いられる密着形イメージ七
／すに関するものである。
光１に変換デバイスとして用いられる密着形イメージ七
／すに関するものである。
（従来技術とその問題点）
この密着形イメージ七／すは、ＭＯ８型ＩＣイメージセ
ンサやＣＯＤイメージセンサ等と比較して、し／ズによ
る縮小光学系を用いないｔめファクシミリ装置等を小型
に実現でき経済性に優れている。この密着形イメージセ
ッサの光電変１１１素子材料としては、可視光領域で光
感度が高く、大面積形底が容易なアモルファスシリコン
（以下ａ−８ｉと記す）が、最近よく使われている。
ンサやＣＯＤイメージセンサ等と比較して、し／ズによ
る縮小光学系を用いないｔめファクシミリ装置等を小型
に実現でき経済性に優れている。この密着形イメージセ
ッサの光電変１１１素子材料としては、可視光領域で光
感度が高く、大面積形底が容易なアモルファスシリコン
（以下ａ−８ｉと記す）が、最近よく使われている。
このａ−８ｉは、比抵抗が高く、ＣＯＤイメージ七７す
やＭＯ８型ＩＣイメージセンサと同様に、電荷蓄積モー
ド動作に適している。この場合、通常その素子構造とし
ては、ａ−８ｉを上下電極でサンドイッチした構造が用
いられるが、この様なサンドイッチ構造を採用すること
により、素子の光応答速度も、０．１ｍ５ｅｃ以下とい
う高速性が実現でき、高速読み取り装置に適するイメー
ジセンサが得られる。
やＭＯ８型ＩＣイメージセンサと同様に、電荷蓄積モー
ド動作に適している。この場合、通常その素子構造とし
ては、ａ−８ｉを上下電極でサンドイッチした構造が用
いられるが、この様なサンドイッチ構造を採用すること
により、素子の光応答速度も、０．１ｍ５ｅｃ以下とい
う高速性が実現でき、高速読み取り装置に適するイメー
ジセンサが得られる。
第３図は従来のサンドインチ素子構造のイメージヤ／す
の断面図を示したものである。例えば、ガラス等の絶縁
性基板１０上に形成されｔ例えばＯｒ等からなる個別電
極ｌｌ上にａ−８ｉ光電変換膜１２が、例えばプラズマ
ＣＶＤ等により形成されている。このａ−８ｉ光電変換
膜１２の上に、例えばＩｎｄｉｕｍ Ｔ ｉｎ ０ｘｉ
ｄｅ （以下ＩＴＯという）の透明電極１３が、スバッ
タリ／グ等により蒸着され、さらに光電変換素子開口部
の副走査方向の寸法を決定する例えばＯｒ、Ｔｉ 等
からなる直線状の開口部を持っ几遮光膜１６が、帯状に
形成されている。この遮光膜１６は、共通電極としての
ＩＴＯ透明電極１３の抵抗値を下げ、高速読み取りを実
現する上でも、必要である。
の断面図を示したものである。例えば、ガラス等の絶縁
性基板１０上に形成されｔ例えばＯｒ等からなる個別電
極ｌｌ上にａ−８ｉ光電変換膜１２が、例えばプラズマ
ＣＶＤ等により形成されている。このａ−８ｉ光電変換
膜１２の上に、例えばＩｎｄｉｕｍ Ｔ ｉｎ ０ｘｉ
ｄｅ （以下ＩＴＯという）の透明電極１３が、スバッ
タリ／グ等により蒸着され、さらに光電変換素子開口部
の副走査方向の寸法を決定する例えばＯｒ、Ｔｉ 等
からなる直線状の開口部を持っ几遮光膜１６が、帯状に
形成されている。この遮光膜１６は、共通電極としての
ＩＴＯ透明電極１３の抵抗値を下げ、高速読み取りを実
現する上でも、必要である。
このａ−８ｉ光電変換素子１２で発生した光信号電荷を
高速で、効率よく高感度に読み取ることができる駆動回
路として、特願昭５９−１４３０２Ｏｒ密着形センサと
その駆動方法」に示されるＣＯＤ駆動回路がある。この
回路は第４図により示される。この図を簡単に説明する
と、ＣＣＤシフトレジスタ２１．トランスファーゲート
列２２およびフローティングゲートアンプ２３から少な
くとも、ボンディングワイヤ４７でｌ対ｌに対応して接
続されている。ａ−８ｉ光電変換素子２５で発生した九
信号電荷が、トランスファーゲート２２を通してＣＣＤ
シフトレジスタ２１に送られた後、転送用クロックφｌ
、φ２により順次時系列に転送され、フローティングゲ
ートアンプ２３を通して出力される。
高速で、効率よく高感度に読み取ることができる駆動回
路として、特願昭５９−１４３０２Ｏｒ密着形センサと
その駆動方法」に示されるＣＯＤ駆動回路がある。この
回路は第４図により示される。この図を簡単に説明する
と、ＣＣＤシフトレジスタ２１．トランスファーゲート
列２２およびフローティングゲートアンプ２３から少な
くとも、ボンディングワイヤ４７でｌ対ｌに対応して接
続されている。ａ−８ｉ光電変換素子２５で発生した九
信号電荷が、トランスファーゲート２２を通してＣＣＤ
シフトレジスタ２１に送られた後、転送用クロックφｌ
、φ２により順次時系列に転送され、フローティングゲ
ートアンプ２３を通して出力される。
ところが、この様なＣＯＤ駆動系においてトランスファ
ーゲート２２から見ると、ａ−８ｉ光電変換素子２５側
の対接地容ｔ Ｃｐ ｕ Ｅ Ｃイメージヤが小さくな
るため、いわゆる不完全転送による残像が顕著となる。
ーゲート２２から見ると、ａ−８ｉ光電変換素子２５側
の対接地容ｔ Ｃｐ ｕ Ｅ Ｃイメージヤが小さくな
るため、いわゆる不完全転送による残像が顕著となる。
特に、この様なノーイブリッド鳳のセンサでは、配線容
量等も含まれる九め通常のＴＣイメージセンサと比較し
てこの残像が非常に大きくなる。
量等も含まれる九め通常のＴＣイメージセンサと比較し
てこの残像が非常に大きくなる。
第５図は従来のサンドイッチ構造の光電変換素子部の平
面図を示す。ここで前述した対接地容途Ｃｐは、個別電
極１１と透明電極１３との間の素子開口部面ｔｃｐｘと
個別電極１１と遮光膜１６間の配線容量ＣＰ２の和でほ
ぼ決まる。素子開口部面Ｍｋ８□ ９個別ＩＥ極１１と
遮光膜１６の重なった部分の面積ｔ−８ｔ 、 ａ−８
ｉ ｌ ２の膜厚ｔ−ｄ、ａ−８ｉこの残像を抑圧する
、つまり容ｔを小さくするためにａ−８ｉ１２の膜厚を
厚くすると、光応答速度が劣化１．、．７７、ａ−８ｉ
ｌ ２の蒸着時間が増加し、工数増加、コストアップ
等の要因となる等の問題が発生し、効果的でない。
面図を示す。ここで前述した対接地容途Ｃｐは、個別電
極１１と透明電極１３との間の素子開口部面ｔｃｐｘと
個別電極１１と遮光膜１６間の配線容量ＣＰ２の和でほ
ぼ決まる。素子開口部面Ｍｋ８□ ９個別ＩＥ極１１と
遮光膜１６の重なった部分の面積ｔ−８ｔ 、 ａ−８
ｉ ｌ ２の膜厚ｔ−ｄ、ａ−８ｉこの残像を抑圧する
、つまり容ｔを小さくするためにａ−８ｉ１２の膜厚を
厚くすると、光応答速度が劣化１．、．７７、ａ−８ｉ
ｌ ２の蒸着時間が増加し、工数増加、コストアップ
等の要因となる等の問題が発生し、効果的でない。
ｗ４５図に示した個別電極１１の構成として、交互リー
ド引出しは、１６本／ｍｍ程度以上の高解像度デバイス
においては、バターニングを非常に楽にし、工数削減１
歩留り向上に非常に有効な手段であり、現在槽々のデバ
イスで採用されている。
ド引出しは、１６本／ｍｍ程度以上の高解像度デバイス
においては、バターニングを非常に楽にし、工数削減１
歩留り向上に非常に有効な手段であり、現在槽々のデバ
イスで採用されている。
従って遮光膜１６は、従来同図の様な直線状の開口部を
有する帯状であった。配線部面積Ｓ２を減らすためには
、個別電極１６の幅を狭くすることが考えられるが、こ
れも限度があり、歩留り、再現性等金考えると通常のフ
ォトリングラフィでは１０μｍ〜１５μｍ程度までであ
る。もう１つ遮光膜１６のストライプの幅を狭くする方
法が考えられる。しかしこの共通電極としての遮光膜１
６のストライプ０Ｉｉｔ狭くすると抵抗が増加して高速
動作には適さなくなる。この抵抗を増加させないために
遮光膜１６の膜厚を厚くすることも考えられるが、遮光
膜１６の材料としてのｃｒ−？’ｒｔ等を厚くするとク
ラツク等が生じ易く、またはく離等の問題が生ずるため
、せいぜい１ｏｏｏλ〜２０００人程度である。通常、
０ｒ−ＱＴｉ等では、この程度の厚さでシート抵抗がｌ
ＯΩ〜５０Ωである几め、例えば遮光膜１６のストライ
プの幅を５ｍｍとしてもＡ４判要約２２０ｍｍになれば
、４４０Ω〜Ｚ２ＫＧにもなる。又この時、配線容量Ｃ
Ｐ２は、例えばａ−８ｉｌ’ｌ、の膜厚を約１．４ｍ。
有する帯状であった。配線部面積Ｓ２を減らすためには
、個別電極１６の幅を狭くすることが考えられるが、こ
れも限度があり、歩留り、再現性等金考えると通常のフ
ォトリングラフィでは１０μｍ〜１５μｍ程度までであ
る。もう１つ遮光膜１６のストライプの幅を狭くする方
法が考えられる。しかしこの共通電極としての遮光膜１
６のストライプ０Ｉｉｔ狭くすると抵抗が増加して高速
動作には適さなくなる。この抵抗を増加させないために
遮光膜１６の膜厚を厚くすることも考えられるが、遮光
膜１６の材料としてのｃｒ−？’ｒｔ等を厚くするとク
ラツク等が生じ易く、またはく離等の問題が生ずるため
、せいぜい１ｏｏｏλ〜２０００人程度である。通常、
０ｒ−ＱＴｉ等では、この程度の厚さでシート抵抗がｌ
ＯΩ〜５０Ωである几め、例えば遮光膜１６のストライ
プの幅を５ｍｍとしてもＡ４判要約２２０ｍｍになれば
、４４０Ω〜Ｚ２ＫＧにもなる。又この時、配線容量Ｃ
Ｐ２は、例えばａ−８ｉｌ’ｌ、の膜厚を約１．４ｍ。
個別電極１１の幅をｉｏμｍとすると、約５ｐＦ以上と
なる。この時１６素子／ｍｍでは素子開口部容量ＣＰＩ
は、配線容量に比べ約０．３ｐＦと小さい。
なる。この時１６素子／ｍｍでは素子開口部容量ＣＰＩ
は、配線容量に比べ約０．３ｐＦと小さい。
従来のＣＯＤイメージ七ノサの場合、この対接地容、ｔ
はＯ，０ＩＰｆ”以下であるから、これと比較するとこ
の配線容１０Ｐ２が非常に大きいことがわかり、ＣＯＤ
駆動による読み取りには大きな問題となる。
はＯ，０ＩＰｆ”以下であるから、これと比較するとこ
の配線容１０Ｐ２が非常に大きいことがわかり、ＣＯＤ
駆動による読み取りには大きな問題となる。
（発明の目的）
本発明の目的は、このような欠点を取り除き、配線容量
を減少し、高速動作が可能で、残像の少ない密着形イメ
ージセンサを提供することにある。
を減少し、高速動作が可能で、残像の少ない密着形イメ
ージセンサを提供することにある。
（発明の構成）
本発明の構成は、絶縁性基板上に、複数の個別電極と、
これら各個別電極の一部を覆う様に設けられた光電変換
膜と、この光電変換膜の一部を覆い前記各個別電極と一
部が交差する様に帯状に設けられ几透明電極と、この透
明電極の一部を覆い前記個別電極と前記透明電極との交
差した一部に開口部を有する帯状の不透明電極とを少な
くとも配設した密着形イメージセフすにおいて、前記不
透明電極の前記各個別電極に相対する部位の一部が取り
除かれ九ことを特徴とする。
これら各個別電極の一部を覆う様に設けられた光電変換
膜と、この光電変換膜の一部を覆い前記各個別電極と一
部が交差する様に帯状に設けられ几透明電極と、この透
明電極の一部を覆い前記個別電極と前記透明電極との交
差した一部に開口部を有する帯状の不透明電極とを少な
くとも配設した密着形イメージセフすにおいて、前記不
透明電極の前記各個別電極に相対する部位の一部が取り
除かれ九ことを特徴とする。
（発明の作用、原理）
本発明の構成をとることにより、高速動作に適応でき、
残像を極力減少できる密着形イメージセフすが得られる
。すなわち、本発明では、共通電極である遮光膜の抵抗
を増加させることなく個別電極と遮光膜間による配線容
ｔ’ｔ−極力小さくすることができるので、ＣＯＤシフ
トレジスタによる駆動回路を用い几場合でも、入力信号
電位”ｌＺｌを大きくとることができ、不完全転送によ
る残像を極力押えることができる。ま几、バイアス電荷
等全印加する残像抑圧方式と共に用いることにより、従
来のＩＣイメージセ／すあるいはそれ以上の高性能化が
達成できる。
残像を極力減少できる密着形イメージセフすが得られる
。すなわち、本発明では、共通電極である遮光膜の抵抗
を増加させることなく個別電極と遮光膜間による配線容
ｔ’ｔ−極力小さくすることができるので、ＣＯＤシフ
トレジスタによる駆動回路を用い几場合でも、入力信号
電位”ｌＺｌを大きくとることができ、不完全転送によ
る残像を極力押えることができる。ま几、バイアス電荷
等全印加する残像抑圧方式と共に用いることにより、従
来のＩＣイメージセ／すあるいはそれ以上の高性能化が
達成できる。
（実施例）
以下本発明を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明の第一の実施例の平面図を示すものであ
る。例えば、ガラス基板１０上に形成した例えばＣｒ等
よりなる個別電極１１と、その上に順次ａ−８ｉ光電変
換膜１２．ＩＴＯ透明電極１３お工び例えばＯｒ、Ｔｉ
等よりなる遮光膜１４とから少なくとも構成されてい
る。ここで、遮光膜１４は、従来例で示した様に単なる
ストライプではなく、個別電極１１の上部に当る部分の
幅が狭く、その他は広い、いわゆるくし形構造となって
いる。従って前述した様に、個別電極１１と遮光膜１４
間のｉ線容量ＣＰ２は小さくでき、しかも遮光膜１４の
抵抗を極力押えることができる。
る。例えば、ガラス基板１０上に形成した例えばＣｒ等
よりなる個別電極１１と、その上に順次ａ−８ｉ光電変
換膜１２．ＩＴＯ透明電極１３お工び例えばＯｒ、Ｔｉ
等よりなる遮光膜１４とから少なくとも構成されてい
る。ここで、遮光膜１４は、従来例で示した様に単なる
ストライプではなく、個別電極１１の上部に当る部分の
幅が狭く、その他は広い、いわゆるくし形構造となって
いる。従って前述した様に、個別電極１１と遮光膜１４
間のｉ線容量ＣＰ２は小さくでき、しかも遮光膜１４の
抵抗を極力押えることができる。
例えば、Ａ４判、１６素子／ ｍｍの場合を例にとって
みる。ここでａ−８ｉ光電変換膜１２厚を１μｍ１個別
電極１１の幅を１０μｍ、遮光膜１４の幅を、それぞれ
０．５ ｍｍ 、 ５ Ｑ ｍｍとすると、配線容量Ｃ
Ｐ２は、従来例で述べｔ場合の１／１０となり、約０．
ｓｐＦ にできる。この時遮光膜１４の抵抗は、シート
抵抗をｌＯΩ〜５０Ωとして、幅の３５０Ω〜１．７５
ＫＱと幅の広い部分の抵抗Ｒ２＝わされる。従って合成
抵抗は約４００Ω〜２ＫＯであり対接地容量をｌ／ｌｏ
にしても、抵抗は、従来の暢広バターノと同等程度にす
ることができ、高速動作に悪影響を与えるものでもない
。ま几、対接地容量が合計０．ＢｐＦ’と小さくなり、
この程度になればＣＯＤシフトレジスタを用いた駆動方
式とバイアス電荷注入による残像抑圧により、Ａ４判、
１６素子／ｍｍ密着イメージセンサにおいて、 ９．５
ｍ５ｅｃ／ライノ以下の高速駆動で、従来のＩＣイメー
ジセ／すと同等あるいはそれ以上の高ＳＮ比が達成でき
る。ま几、この両側の遮光膜１４は、Ａ４判幅のガラス
基板１０上の両端で共通になっていてもよい。
みる。ここでａ−８ｉ光電変換膜１２厚を１μｍ１個別
電極１１の幅を１０μｍ、遮光膜１４の幅を、それぞれ
０．５ ｍｍ 、 ５ Ｑ ｍｍとすると、配線容量Ｃ
Ｐ２は、従来例で述べｔ場合の１／１０となり、約０．
ｓｐＦ にできる。この時遮光膜１４の抵抗は、シート
抵抗をｌＯΩ〜５０Ωとして、幅の３５０Ω〜１．７５
ＫＱと幅の広い部分の抵抗Ｒ２＝わされる。従って合成
抵抗は約４００Ω〜２ＫＯであり対接地容量をｌ／ｌｏ
にしても、抵抗は、従来の暢広バターノと同等程度にす
ることができ、高速動作に悪影響を与えるものでもない
。ま几、対接地容量が合計０．ＢｐＦ’と小さくなり、
この程度になればＣＯＤシフトレジスタを用いた駆動方
式とバイアス電荷注入による残像抑圧により、Ａ４判、
１６素子／ｍｍ密着イメージセンサにおいて、 ９．５
ｍ５ｅｃ／ライノ以下の高速駆動で、従来のＩＣイメー
ジセ／すと同等あるいはそれ以上の高ＳＮ比が達成でき
る。ま几、この両側の遮光膜１４は、Ａ４判幅のガラス
基板１０上の両端で共通になっていてもよい。
第２図は本発明の他の実施例の平面図を示す。
この実施例は、第１の実施例と構成要素に変化がなく、
遮光膜１５の形状が、くシ形から格子状になった例であ
るが、その効果は、第１の実施例と同等である。
遮光膜１５の形状が、くシ形から格子状になった例であ
るが、その効果は、第１の実施例と同等である。
ま几、遮光膜のバターニングは、ストライプバターンに
するのと特に変りはなく、従来と同じ工程、工数で充分
可能である。ま几、本冥施例の構成とは逆に、ａ−８ｉ
光電変換膜に対し遮光膜側と個別電極とが入れ替わっ几
構成でもかまわない。
するのと特に変りはなく、従来と同じ工程、工数で充分
可能である。ま几、本冥施例の構成とは逆に、ａ−８ｉ
光電変換膜に対し遮光膜側と個別電極とが入れ替わっ几
構成でもかまわない。
（発明の効果）
以上詳述した様に、本発明によれば、ａ−８ｉ光電変換
素子部の対接地容量を、共通電極である遮光膜の抵抗値
を増加させる事なく減少でき、高速動作に充分対応でき
る密着形イメージ七／すを形成できる。特に、ＣＣＤシ
フトレジスタを駆動回路として用いた高速、高性能密着
形イメージセンサを構成する上で大きな問題となってい
た残像を減少でき、バイアス電荷注入による残像抑圧方
式等と併用することにより、高速、高性能密着形イメー
ジ七７すが実現され、ファクシミリだけでなく光学文字
認識や複写機等への応用、中間調やカラー装置への適用
も可能となる。
素子部の対接地容量を、共通電極である遮光膜の抵抗値
を増加させる事なく減少でき、高速動作に充分対応でき
る密着形イメージ七／すを形成できる。特に、ＣＣＤシ
フトレジスタを駆動回路として用いた高速、高性能密着
形イメージセンサを構成する上で大きな問題となってい
た残像を減少でき、バイアス電荷注入による残像抑圧方
式等と併用することにより、高速、高性能密着形イメー
ジ七７すが実現され、ファクシミリだけでなく光学文字
認識や複写機等への応用、中間調やカラー装置への適用
も可能となる。
ｍ１図、８１！２図は本発明の第１および第２の実施例
の平面図、第３図、第５図は従来の密着形イメージセッ
サの素子断面図および平面図、ｍ４図に第３図の素子を
駆動する回路の一例の回路図である。図において １０・・・・・・ガラス基板、１１・・・・・・個別電
極、１２・・・・・・アモルファスシリコ７光電変換膜
、１３・・・…透明電極、１４，１５．１６・・・・・
・遮光膜、２０・・・・・・駆動用ＣＣＤテッグ、２１
・・・・・・ＣＣＤシフトレジスタ、２２・・・・・・
トランスファゲート、２３・・団・：ｙａ−＋インｙゲ
ートアンプ、２４・・・・・・パッド、２５・・・・・
・アモルファスシリコン光電変換素子、２６・・・・・
・個別電極端子、２７・・・・・・ボンブイノブワイヤ
である。 ′Ｓ 、°！
の平面図、第３図、第５図は従来の密着形イメージセッ
サの素子断面図および平面図、ｍ４図に第３図の素子を
駆動する回路の一例の回路図である。図において １０・・・・・・ガラス基板、１１・・・・・・個別電
極、１２・・・・・・アモルファスシリコ７光電変換膜
、１３・・・…透明電極、１４，１５．１６・・・・・
・遮光膜、２０・・・・・・駆動用ＣＣＤテッグ、２１
・・・・・・ＣＣＤシフトレジスタ、２２・・・・・・
トランスファゲート、２３・・団・：ｙａ−＋インｙゲ
ートアンプ、２４・・・・・・パッド、２５・・・・・
・アモルファスシリコン光電変換素子、２６・・・・・
・個別電極端子、２７・・・・・・ボンブイノブワイヤ
である。 ′Ｓ 、°！
Claims (1)
- 絶縁性基板上に、複数の個別電極と、これら各個別電極
の一部を覆う様に設けられた光電変換膜と、この光電変
換膜の一部を覆い前記各個別電極と一部が交差する様に
帯状に設けられた透明電極と、この透明電極の一部を覆
い前記各個別電極と前記透明電極との交差した一部に開
口部を有する帯状の不透明電極とを少くとも配設した密
着形イメージセンサにおいて、前記不透明電極の前記各
個別電極に相対する部位の一部が取り除かれたことを特
徴とする密着形イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60096209A JPH067588B2 (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 密着形イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60096209A JPH067588B2 (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 密着形イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61255059A true JPS61255059A (ja) | 1986-11-12 |
| JPH067588B2 JPH067588B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=14158863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60096209A Expired - Lifetime JPH067588B2 (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 密着形イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067588B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01117059A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-09 | Toshiba Corp | イメージセンサ |
-
1985
- 1985-05-07 JP JP60096209A patent/JPH067588B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01117059A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-09 | Toshiba Corp | イメージセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH067588B2 (ja) | 1994-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |