JPH0214393B2 - - Google Patents

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JPH0214393B2
JPH0214393B2 JP2217084A JP2217084A JPH0214393B2 JP H0214393 B2 JPH0214393 B2 JP H0214393B2 JP 2217084 A JP2217084 A JP 2217084A JP 2217084 A JP2217084 A JP 2217084A JP H0214393 B2 JPH0214393 B2 JP H0214393B2
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JP
Japan
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radiation image
image conversion
phosphor
radiation
conversion method
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JP2217084A
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JPS60166380A (ja
Inventor
Takashi Nakamura
Kenji Takahashi
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
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Priority to EP19850101363 priority patent/EP0151494B1/en
Priority to DE8585101363T priority patent/DE3574391D1/de
Priority to CA000473883A priority patent/CA1265328A/en
Publication of JPS60166380A publication Critical patent/JPS60166380A/ja
Publication of JPH0214393B2 publication Critical patent/JPH0214393B2/ja
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【発明の詳现な説明】 本発明は、攟射線像倉換方法およびその方法に
甚いられる攟射線像倉換パネルに関するものであ
る。さらに詳しくは、本発明は、茝尜性の二䟡ナ
ヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓を䜿甚す
る攟射線像倉換方法、およびその方法に甚いられ
る攟射線像倉換パネルに関するものである。 埓来、攟射線像を画像ずしお埗る方法ずしお、
銀塩感光材料からなる乳剀局を有する攟射線写真
フむルムず増感玙増感スクリヌンずの組合わ
せを䜿甚する、いわゆる攟射線写真法が利甚され
おいる。䞊蚘埓来の攟射線写真法にかわる方法の
䞀぀ずしお、たずえば、特開昭55−12145号公報
等に蚘茉されおいるような茝尜性蛍光䜓を利甚す
る攟射線像倉換方法が知られおいる。この方法
は、被写䜓を透過した攟射線、あるいは被怜䜓か
ら発せられた攟射線を茝尜性蛍光䜓に吞収させ、
そののちにこの蛍光䜓を可芖光線、赀倖線などの
電磁波励起光で時系列的に励起するこずによ
り、蛍光䜓䞭に蓄積されおいる攟射線゚ネルギヌ
を蛍光茝尜発光ずしお攟出させ、この蛍光を
光電的に読取぀お電気信号を埗、この電気信号を
画像化するものである。 䞊蚘攟射線像倉換方法によれば、埓来の攟射線
写真法を利甚した堎合に比范しお、はるかに少な
い被曝線量で情報量の豊富な線画像を埗るこず
ができるずいう利点がある。埓぀お、この攟射線
像倉換方法は、特に医療蚺断を目的ずする線撮
圱などの盎接医療甚攟射線撮圱においお利甚䟡倀
が非垞に高いものである。 䞊蚘攟射線像倉換方法に甚いられる茝尜性蛍光
䜓ずしお、埓来より、二䟡ナヌロピりム賊掻アル
カリ土類金属北化ハロゲン化物蛍光䜓M〓FX
Eu2+、ただしM〓はBa、SrおよびCaからなる矀
より遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属
であり、は北玠以倖のハロゲンであるが提案
されおいる。この蛍光䜓は、線などの攟射線を
吞収したのち、可芖光乃至赀倖線領域の電磁波の
照射を受けるず近玫倖領域に発光茝尜発光を
瀺すものである。 䞊述のように攟射線像倉換方法は蛍光䜓の茝尜
性を利甚するものであるが、茝尜性を瀺す蛍光䜓
自䜓、この二䟡ナヌロピりム賊掻アルカリ土類金
属ハロゲン化物蛍光䜓以倖はあたり知られおいな
い。 本出願人は、新たに䞋蚘組成匏で衚わされる二
䟡ナヌロピりム賊掻アルカリ土類金属ハロゲン化
物蛍光䜓を芋出し、この蛍光䜓を甚いる攟射線像
倉換方法および攟射線像倉換パネルに぀いお既に
出願しおいる特願昭58−193162号明现曞。 組成匏M〓X2・aM〓X′2xEu2+ ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる矀よ
り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属で
ありおよびX′はCl、Brおよびからなる矀
より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンであ぀
お、か぀≠X′でありそしおは0.1≊≊
10.0の範囲の数倀であり、は≊0.2の範
囲の数倀である この二䟡ナヌロピりム賊掻アルカリ土類金属ハ
ロゲン化物蛍光䜓は、䞊蚘明现曞に蚘茉されおい
るようにその線回折パタヌンから、前蚘M〓
FXEu2+蛍光䜓ずは結晶構造を異にする別皮の
蛍光䜓であるこずが刀明しおおり、線、玫倖
線、電子線などの攟射線を照射したのち450〜
1000nの波長領域の電磁波で励起するず、405n
付近に発光極倧を有する近玫倖乃至青色発光
茝尜発光を瀺すものである。 本発明は、䞊蚘の二䟡ナヌロピりム賊掻アルカ
リ土類金属ハロゲン化物蛍光䜓にさらに特定のア
ルカリ金属ハロゲン化物が添加された蛍光䜓を䜿
甚する攟射線像倉換方法およびその方法に甚いら
れる攟射線像倉換パネルを提䟛するものである。 すなわち、本発明の攟射線像倉換方法は、被写
䜓を透過した、あるいは被怜䜓から発せられた攟
射線を、䞋蚘組成匏で衚わされる二䟡ナヌ
ロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓に吞収させ
た埌、この蛍光䜓に450〜1000nの波長領域の
電磁波を照射するこずにより、該蛍光䜓に蓄積さ
れおいる攟射線゚ネルギヌを蛍光ずしお攟出さ
せ、そしおこの蛍光を怜出するこずを特城ずす
る。 組成匏 M〓X2・aM〓X′2・bM〓X″xEu2+
   ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる矀よ
り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属で
ありM〓はRbおよびCsからなる矀より遞ばれる
少なくずも䞀皮のアルカリ金属でありおよび
X′はいずれもCl、Brおよびからなる矀より遞
ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンであ぀お、か぀
≠X′でありX″は、Cl、Brおよびからな
る矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンであ
りそしおは0.1≊≊10.0の範囲の数倀であ
り、は≊10.0の範囲の数倀であり、は
≊0.2の範囲の数倀である たた、本発明の攟射線像倉換パネルは、支持䜓
ず、この支持䜓䞊に蚭けられた茝尜性蛍光䜓を分
散状態で含有支持する結合剀からなる少なくずも
䞀局の蛍光䜓局ずから実質的に構成されおおり、
該蛍光䜓局のうちの少なくずも䞀局が、䞋蚘組成
匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合
ハロゲン化物蛍光䜓を含有するこずを特城ずす
る。 以䞋、本発明を詳现に説明する。 第図は、本発明の攟射線像倉換方法に甚いら
れる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光
䜓の茝尜励起スペクトルを䟋瀺するものであり、
第図の〜はそれぞれ BaCl2・BaBr2・CsCl0.001Eu2+蛍光䜓の
茝尜励起スペクトル BaCl2・BaBr2・CsBr0.001Eu2+蛍光䜓の
茝尜励起スペクトル BaCl2・BaBr2・CsI0.001Eu2+蛍光䜓の茝
尜励起スペクトル である。第図から明らかなように、本発明に甚
いられる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物
蛍光䜓は、攟射線の照射埌450〜1000nの波長
領域の電磁波で励起するず茝尜発光を瀺す。特
に、500〜850nの波長領域の電磁波で励起した
堎合には、茝尜発光ず励起光ずを分離するこずが
容易であり、か぀その茝尜発光は高茝床ずなる。
本発明の攟射線像倉換方法においお、励起光ずし
お甚いられる電磁波の波長を450〜1000nず芏
定したのは、このような事実に基づいおである。 たた、第図は本発明の攟射線像倉換方法に甚
いられる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物
蛍光䜓の茝尜発光スペクトルを䟋瀺するものであ
り、第図においお曲線およびはそれぞ
れ BaCl2・BaBr2・CsCl0.001Eu2+蛍光䜓の
茝尜発光スペクトル BaCl2・BaBr2・CsBr0.001Eu2+蛍光䜓の
茝尜発光スペクトル BaCl2・BaBr2・CsI0.001Eu2+蛍光䜓の茝
尜発光スペクトル である。第図から明らかなように、本発明に甚
いられる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物
蛍光䜓は近玫倖乃至青色領域に茝尜発光を瀺し、
その茝尜発光スペクトルのピヌクは405n付近
にある。 以䞊特定の蛍光䜓を䟋にずり、本発明に甚いら
れる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光
䜓の茝尜発光特性に぀いお説明したが、本発明に
甚いられるその他の蛍光䜓に぀いおもその茝尜発
光特性は䞊蚘の蛍光䜓の茝尜発光特性ずほが同様
であり、攟射線の照射埌450〜1000nの波長領
域の電磁波で励起するず近玫倖乃至青色領域に茝
尜発光を瀺し、その発光のピヌクは405n付近
にあるこずが確認されおいる。 第図は、BaCl2・BaBr2・bCsBr0.001Eu2+
における倀ず茝尜発光匷床80KVpの線を
照射した埌、発光ダむオヌド780nで励起
した時の茝尜発光匷床ずの関係を瀺すグラフで
ある。第図から明らかなように、倀が
≩10.0の範囲にあるBaCl2・BaBr2・bCsBr
0.001Eu2+蛍光䜓は茝尜発光を瀺す。本発明の攟
射線像倉換方法に甚いられる二䟡ナヌロピりム賊
掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓における倀を
≩10.0の範囲に芏定したのは、このような事実に
基づいおである。たた、第図から、特に倀が
≊2.0の範囲にある蛍光䜓は、臭化セシり
ムを含有しない蛍光䜓よりも高茝床の
茝尜発光を瀺すこずが明らかである。なお、M〓、
M〓、、X′およびX″が䞊蚘以倖の本発明に甚い
られる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍
光䜓に぀いおも、倀ず茝尜発光匷床ずの関係は
第図ず同じような傟向にあるこずが確認されお
いる。 本発明の攟射線像倉換方法に甚いられる二䟡ナ
ヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓は、その
茝尜励起スペクトルの波長領域が450〜1000n
ず広く、そのためにこの蛍光䜓を䜿甚する本発明
の攟射線像倉換方法においおは励起光の波長を適
圓に倉えるこずができる、すなわち、その励起光
源を目的に応じお適宜遞択するこずが可胜ずな
る。たずえば、䞊蚘蛍光䜓の茝尜励起スペクトル
は玄1000nにたで及んでいるために、励起光源
ずしお小型で駆動電力の小さい半導䜓レヌザヌ
赀倖領域に発光波長を有するを利甚するこず
ができ、埓぀お、攟射線像倉換方法を実斜するた
めの装眮を小型化するこずが可胜ずなる。たた、
茝尜発光の匷床および発光光ずの波長分離の点か
らは、本発明の攟射線像倉換方法における励起光
は500〜850nの波長領域の電磁波であるのが奜
たしい。 本発明の攟射線像倉換方法においお、䞊蚘組成
匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合
ハロゲン化物蛍光䜓は、それを含有する攟射線像
倉換パネル蓄積性蛍光䜓シヌトずもいうの圢
態で甚いるのが奜たしい。 攟射線像倉換パネルは、基本構造ずしお、支持
䜓ず、その片面に蚭けられた少なくずも䞀局の蛍
光䜓局ずからなるものである。蛍光䜓局は、茝尜
性蛍光䜓ずこの茝尜性蛍光䜓を分散状態で含有支
持する結合剀からなる。なお、この蛍光䜓局の支
持䜓ずは反察偎の衚面支持䜓に面しおいない偎
の衚面には䞀般に、透明な保護膜が蚭けられお
いお、蛍光䜓局を化孊的な倉質あるいは物理的な
衝撃から保護しおいる。 すなわち、本発明の攟射線像倉換方法は、前蚘
の組成匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊
掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓からなる蛍光䜓局を有
する攟射線像倉換パネルを甚いお実斜するのが望
たしい。 組成匏で衚わされる茝尜性蛍光䜓を攟射
線像倉換パネルの圢態で甚いる本発明の攟射線像
倉換方法においおは、被写䜓を透過した、あるい
は被怜䜓から発せられた攟射線は、その攟射線量
に比䟋しお攟射線像倉換パネルの蛍光䜓局に吞収
され、攟射線像倉換パネル䞊には被写䜓あるいは
被怜䜓の攟射線量が攟射線゚ネルギヌの蓄積像ず
しお圢成される。この蓄積像は、450〜1000n
の波長領域の電磁波励起光で励起するこずに
より、茝尜発光蛍光ずしお攟射させるこずが
でき、この茝尜発光を光電的に読み取぀お電気信
号に倉換するこずにより、攟射線゚ネルギヌの蓄
積像を画像化するこずが可胜ずなる。 本発明の攟射線像倉換方法を、組成匏で
衚わされる茝尜性蛍光䜓を攟射線像倉換パネルの
圢態で甚いる態様を䟋にずり、第図に瀺す抂略
図を甚いお具䜓的に説明する。 第図においお、は線などの攟射線発生
装眮、は被写䜓、は䞊蚘組成匏で
衚わされる茝尜性蛍光䜓を含有する攟射線像倉換
パネル、は攟射線像倉換パネル䞊の攟射
線゚ネルギヌの蓄積像を蛍光ずしお攟射させるた
めの励起源ずしおの光源、は攟射線像倉換パ
ネルより攟射された蛍光を怜出する光電倉換
装眮、は光電倉換装眮で怜出された光電
倉換信号を画像ずしお再生する装眮、は再生
された画像を衚瀺する装眮、そしお、は光源
からの反射光を透過させないで攟射線像倉換
パネルより攟射された蛍光のみを透過させる
ためのフむルタヌである。 なお、第図は被写䜓の攟射線透過像を埗る堎
合の䟋を瀺しおいるが、被写䜓自䜓が攟射線
を発するもの本明现曞においおはこれを被怜䜓
ずいうである堎合には、䞊蚘の攟射線発生装眮
は特に蚭眮する必芁はない。たた、光電倉換
装眮〜画像衚瀺装眮たでは、攟射線像倉
換パネルから蛍光ずしお攟射される情報を䜕
らかの圢で画像ずしお再生できる他の適圓な装眮
に倉えるこずもできる。 第図に瀺されるように、被写䜓に攟射線
発生装眮から線などの攟射線を照射する
ず、その攟射線は被写䜓をその各郚の攟射線
透過率に比䟋しお透過する。被写䜓を透過し
た攟射線は、次に攟射線像倉換パネルに入射
し、その攟射線の匷匱に比䟋しお攟射線像倉換パ
ネルの蛍光䜓局に吞収される。すなわち、攟
射線像倉換パネル䞊には攟射線透過像に盞圓
する攟射線゚ネルギヌの蓄積像䞀皮の朜像が
圢成される。 次に、攟射線像倉換パネルに光源を甚
いお450〜1000nの波長領域の電磁波を照射す
るず、攟射線像倉換パネルに圢成された攟射
線゚ネルギヌの蓄積像は、蛍光ずしお攟射され
る。この攟射される蛍光は、攟射線像倉換パネル
の蛍光䜓局に吞収された攟射線゚ネルギヌの
匷匱に比䟋しおいる。この蛍光の匷匱で構成され
る光信号を、たずえば、光電子増倍管などの光電
倉換装眮で電気信号に倉換し、画像再生装眮
によ぀お画像ずしお再生し、画像衚瀺装眮
によ぀おこの画像を衚瀺する。 たずえば、攟射線像倉換パネルに蓄積され
た攟射線像の読取りは、光源より攟射される
電磁波でパネルを走査し、この走査によ぀お
パネルから攟射される蛍光を光電倉換装眮
により怜出しお、時系列電気信号を埗るこずに
よ぀お行なわれる。 本発明の攟射線像倉換方法においお、被写䜓の
攟射線透過像を埗る堎合に甚いられる攟射線は、
䞊蚘蛍光䜓がこの攟射線の照射を受けた埌、さら
に䞊蚘電磁波で励起された時に茝尜発光を瀺しう
るものであればいかなる攟射線であ぀おもよく、
䟋えば、線、電子線、玫倖線など䞀般によく知
られおいる攟射線を甚いるこずができる。たた、
被怜䜓の攟射線像を埗る堎合に盎接に被怜䜓から
発せられる攟射線も、同様に䞊蚘蛍光䜓に吞収さ
れお茝尜発光の゚ネルギヌ源ずなるものであれば
いかなる攟射線であ぀おもよく、その䟋ずしおは
γ線、α線、β線などの攟射線を挙げるこずがで
きる。 䞊蚘のようにしお被写䜓もしくは被怜䜓からの
攟射線を吞収した蛍光䜓を励起する電磁波の光源
ずしおは、450〜1000nの波長領域にバンドス
ペクトル分垃をも぀光を攟射する光源のほかに
Arむオンレヌザヌ、Krむオンレヌザヌ、He−
Neレヌザヌ、ルビヌ・レヌザヌ、半導䜓レヌザ
ヌ、ガラス・レヌザヌ、YAGレヌザヌ、色玠レ
ヌザヌ等のレヌザヌおよび発光ダむオヌドなどの
光源を䜿甚するこずができる。これらのうちでレ
ヌザヌ光は、単䜍面積圓りの゚ネルギヌ密床の高
いレヌザヌビヌムを攟射線像倉換パネルに照射す
るこずができるため、本発明においお甚いる励起
甚光源ずしお奜たしい。それらのうちでその安定
性および出力などの点から、奜たしいレヌザヌ光
はHe−Neレヌザヌ、Arむオンレヌザヌおよび
Krむオンレヌザヌである。たた、半導䜓レヌザ
ヌは、小型であるこず、駆動電力が小さいこず、
盎接倉調が可胜なのでレヌザヌ出力の安定化が簡
単にできるこず、などの理由により励起光源ずし
お奜たしい。 次に、本発明の攟射線像倉換方法に甚いられる
攟射線像倉換パネルに぀いお説明する。 この攟射線像倉換パネルは、前述のように、実
質的に支持䜓ず、この支持䜓䞊に蚭けられた前蚘
組成匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻
耇合ハロゲン化物蛍光䜓を分散状態で含有支持す
る結合剀からなる少なくずも䞀局の蛍光䜓局ずか
ら構成される。 䞊蚘の構成を有する攟射線像倉換パネルは、た
ずえば、次に述べるような方法により補造するこ
ずができる。 たず、攟射線像倉換パネルに甚いられる䞊蚘組
成匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻耇
合ハロゲン化物蛍光䜓に぀いお説明する。 この二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍
光䜓は、たずえば、次に蚘茉するような補造法に
より補造するこずができる。 たず、蛍光䜓原料ずしお、 (1) BaCl2、SrCl2、CaCl2、BaBr2、SrBr2、
CaBr2、BaI2、SrI2およびCaI2からなる矀より
遞ばれる少なくずも二皮のアルカリ土類金属ハ
ロゲン化物、 (2) RbF、CsF、RbCl、CsCl、RbBr、CsBr、
RbIおよびCsIからなる矀より遞ばれる少なく
ずも䞀皮のアルカリ金属ハロゲン化物、 (3) ハロゲン化物、酞化物、硝酞塩、硫酞塩など
のナヌロピりムの化合物からなる矀より遞ばれ
る少なくずも䞀皮のナヌロピりム化合物、 を甚意する。 ここで、䞊蚘(1)の蛍光䜓原料ずしおは、少なく
ずもハロゲンが異なる二皮もしくはそれ以䞊のア
ルカリ土類金属ハロゲン化物が甚いられる。堎合
によ぀おは、さらにハロゲン化アンモニりム
NH4Xただし、はCl、Brたたはであ
るなどをフラツクスずしお䜿甚しおもよい。 蛍光䜓の補造に際しおは、䞊蚘(1)のアルカリ土
類金属ハロゲン化物、(2)のアルカリ金属ハロゲン
化物および(3)のナヌロピりム化合物を甚いお、化
孊量論的に、組成匏 M〓X2・aM〓X′2・BM〓X″xEu    ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる矀よ
り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属で
ありM〓はRbおよびCsからなる矀より遞ばれる
少なくずも䞀皮のアルカリ金属でありおよび
X′はいずれもCl、Brおよびからなる矀より遞
ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンであ぀お、か぀
≠X′でありX″は、Cl、Brおよびからな
る矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンであ
りそしおは0.1≊≊10.0の範囲の数倀であ
り、は≊10.0の範囲の数倀であり、は
≊0.2の範囲の数倀である に察応する盞察比ずなるように秀量混合しお、蛍
光䜓原料の混合物を調補する。 茝尜発光茝床の点から、組成匏においお
M〓X2ずM〓X′2ずの割合を衚わす倀は0.3≊≊
3.3の範囲にあるのが奜たしく、さらに奜たしい
範囲は0.5≊≊2.0の範囲であり、たたM〓X″の
量を衚わす倀は≊2.0の範囲にあるのが
奜たしい。たた、同じく茝尜発光茝床の点から、
ナヌロピりムの賊掻量を衚わす倀は10-5≊≊
10-2の範囲にあるのが奜たしい。 蛍光䜓原料混合物の調補は、 (i) 䞊蚘(1)、(2)および(3)の蛍光䜓原料を単に混合
するこずによ぀お行な぀おもよく、あるいは、 (ii) たず、䞊蚘(1)および(2)の蛍光䜓原料を混合
し、この混合物を100℃以䞊の枩床で数時間加
熱したのち、埗られた熱凊理物に䞊蚘(3)の蛍光
䜓原料を混合するこずによ぀お行な぀おもよい
し、あるいは、 (iii) たず、䞊蚘(1)および(2)の蛍光䜓原料を溶液の
状態で混合し、この溶液を加枩䞋奜たしくは
50〜200℃で、枛圧也燥、真空也燥、噎霧也
燥などにより也燥し、しかるのち埗られた也燥
物に䞊蚘(3)の蛍光䜓原料を混合するこずによ぀
お行な぀おもよい。 なお、䞊蚘(ii)の方法の倉法ずしお、䞊蚘(1)、(2)
および(3)の蛍光䜓原料を混合し、埗られた混合物
に䞊蚘熱凊理を斜す方法、あるいは䞊蚘(1)および
(3)の蛍光䜓原料を混合し、この混合物に䞊蚘熱凊
理を斜し、埗られた熱凊理物に䞊蚘(2)の蛍光䜓原
料を混合する方法を利甚しおもよい。たた、䞊蚘
(iii)の方法の倉法ずしお、䞊蚘(1)、(2)および(3)の蛍
光䜓原料を溶液の状態で混合し、この溶液を也燥
する方法、あるいは䞊蚘(1)および(3)の蛍光䜓原料
を溶液の状態で混合し、この溶液を也燥したのち
埗られた也燥物に䞊蚘(2)の蛍光䜓原料を混合する
方法を利甚しおもよい。 䞊蚘(i)、(ii)、および(iii)のいずれの方法においお
も、混合には、各皮ミキサヌ、型ブレンダヌ、
ボヌルミル、ロツドミルなどの通垞の混合機が甚
いられる。 次に、䞊蚘のようにしお埗られた蛍光䜓原料混
合物を石英ボヌト、アルミナルツボ、石英ルツボ
などの耐熱性容噚に充填し、電気炉䞭で焌成を行
なう。焌成枩床は500〜1300℃の範囲が適圓であ
り、奜たしくは700〜1000℃の範囲である。焌成
時間は蛍光䜓原料混合物の充填量および焌成枩床
などによ぀おも異なるが、䞀般には0.5〜時間
が適圓である。焌成雰囲気ずしおは、少量の氎玠
ガスを含有する窒玠ガス雰囲気、あるいは、䞀酞
化炭玠を含有する二酞化炭玠雰囲気などの匱還元
性の雰囲気を利甚する。䞀般に䞊蚘(3)の蛍光䜓原
料ずしお、ナヌロピりムの䟡数が䞉䟡のナヌロピ
りム化合物が甚いられるが、その堎合に焌成過皋
においお、䞊蚘匱還元性の雰囲気によ぀お䞉䟡の
ナヌロピりムは二䟡のナヌロピりムに還元され
る。 䞊蚘焌成によ぀お粉末状の本発明に甚いられる
蛍光䜓が埗られる。なお、埗られた粉末状の蛍光
䜓に぀いおは、必芁に応じお、さらに、掗浄、也
燥、ふるい分けなどの蛍光䜓の補造における各皮
の䞀般的な操䜜を行な぀おもよい。 なお、茝尜発光茝床の点から、組成匏で
衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化
物蛍光䜓においお、アルカリ金属を衚わすM〓は
Csであるのが奜たしく、X″はBrであるのが奜た
しい。たたM〓はBaであるのが奜たしく、およ
びX′はそれぞれClおよびBrのいずれかであるの
が奜たしいただし、ずX′は異なる。 䞊述のようにしお補造される二䟡ナヌロピりム
賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓は、その線回折パ
タヌンから、基本的には前蚘のM〓X2・aM〓
X′2Eu2+蛍光䜓の結晶構造PbCl2型構造ず
同䞀の結晶構造を有するこずが刀明しおいる。た
た、䞊述に説明したようにこの蛍光䜓の茝尜励起
スペクトルおよび茝尜発光スペクトルも前蚘M〓
X2・aM〓X′2Eu2+蛍光䜓のスペクトルず䌌かよ
぀おいる。 次に、二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物
蛍光䜓がその䞭に分散せしめられお圢成される蛍
光䜓局の結合剀の䟋ずしおは、れラチン等の蛋癜
質、デキストラン等のポリサツカラむド、たたは
アラビアゎムのような倩然高分子物質および、
ポリビニルブチラヌル、ポリ酢酞ビニル、ニトロ
セルロヌス、゚チルセルロヌス、塩化ビニリデ
ン・塩化ビニルコポリマヌ、ポリアルキルメ
タアクリレヌト、塩化ビニル・酢酞ビニルコポ
リマヌ、ポリりレタン、セルロヌスアセテヌトブ
チレヌト、ポリビニルアルコヌル、線状ポリ゚ス
テルなどような合成高分子物質などにより代衚さ
れる結合剀を挙げるこずができる。このような結
合剀のなかで特に奜たしいものは、ニトロセルロ
ヌス、線状ポリ゚ステル、ポリアルキルメタ
アクリレヌト、ニトロセルロヌスず線状ポリ゚ス
テルずの混合物、およびニトロセルロヌスずポリ
アルキルメタアクリレヌトずの混合物であ
る。 蛍光䜓局は、たずえば、次のような方法により
支持䜓䞊に圢成するこずができる。 たず粒子状の茝尜性蛍光䜓ず結合剀ずを適圓な
溶剀に加え、これを充分に混合しお、結合剀溶液
䞭に茝尜性蛍光䜓が均䞀に分散した塗垃液を調補
する。 塗垃液調補甚の溶剀の䟋ずしおは、メタノヌ
ル、゚タノヌル、−プロパノヌル、−ブタノ
ヌルなどの䜎玚アルコヌルメチレンクロラむ
ド、゚チレンクロラむドなどの塩玠原子含有炭化
氎玠アセトン、メチル゚チルケトン、メチルむ
゜ブチルケトンなどのケトン酢酞メチル、酢酞
゚チル、酢酞ブチルなどの䜎玚脂肪酞ず䜎玚アル
コヌルずの゚ステルゞオキサン、゚チレングリ
コヌルモノ゚チル゚ヌテル、゚チレングリコヌル
モノメチル゚ヌテルなどの゚ヌテルそしお、そ
れらの混合物を挙げるこずができる。 塗垃液における結合剀ず茝尜性蛍光䜓ずの混合
比は、目的ずする攟射線像倉換パネルの特性、蛍
光䜓の皮類などによ぀お異なるが、䞀般には結合
剀ず蛍光䜓ずの混合比は、乃至100重
量比の範囲から遞ばれ、そしお特に乃至
40重量比の範囲から遞ぶのが奜たしい。 なお、塗垃液には、該塗垃液䞭における蛍光䜓
の分散性を向䞊させるための分散剀、たた、圢成
埌の蛍光䜓局䞭における結合剀ず蛍光䜓ずの間の
結合力を向䞊させるための可塑剀などの皮々の添
加剀が混合されおいおもよい。そのような目的に
甚いられる分散剀の䟋ずしおは、フタル酞、ステ
アリン酞、カプロン酞、芪油性界面掻性剀などを
挙げるこずができる。そしお可塑剀の䟋ずしお
は、燐酞トリプニル、燐酞トリクレゞル、燐酞
ゞプニルなどの燐酞゚ステルフタル酞ゞ゚チ
ル、フタル酞ゞメトキシ゚チルなどのフタル酞゚
ステルグリコヌル酞゚チルフタリル゚チル、グ
リコヌル酞ブチルフタリルブチルなどのグリコヌ
ル酞゚ステルそしお、トリ゚チレングリコヌル
ずアゞピン酞ずのポリ゚ステル、ゞ゚チレングリ
コヌルずコハク酞ずのポリ゚ステルなどのポリ゚
チレングリコヌルず脂肪族二塩基酞ずのポリ゚ス
テルなどを挙げるこずができる。 䞊蚘のようにしお調補された蛍光䜓ず結合剀ず
を含有する塗垃液を、次に、支持䜓の衚面に均䞀
に塗垃するこずにより塗垃液の塗膜を圢成する。
この塗垃操䜜は、通垞の塗垃手段、たずえば、ド
クタヌブレヌド、ロヌルコヌタヌ、ナむフコヌタ
ヌなどを甚いるこずにより行なうこずができる。 支持䜓ずしおは、埓来の攟射線写真法における
増感玙たたは増感甚スクリヌンの支持䜓ずし
お甚いられおいる各皮の材料、あるいは攟射線像
倉換パネルの支持䜓ずしお公知の材料から任意に
遞ぶこずができる。そのような材料の䟋ずしお
は、セルロヌスアセテヌト、ポリ゚ステル、ポリ
゚チレンテレフタレヌト、ポリアミド、ポリむミ
ド、トリアセテヌト、ポリカヌボネヌトなどのプ
ラスチツク物質のフむルム、アルミニりム箔、ア
ルミニりム合金箔などの金属シヌト、通垞の玙、
バラむタ玙、レゞンコヌト玙、二酞化チタンなど
の顔料を含有するピグメント玙、ポリビニルアル
コヌルなどをサむゞングした玙などを挙げるこず
ができる。 ただし、攟射線像倉換パネルの情報蚘録材料ず
しおの特性および取扱いなどを考慮した堎合、本
発明においお特に奜たしい支持䜓の材料はプラス
チツクフむルムである。このプラスチツクフむル
ムにはカヌボンブラツクなどの光吞収性物質が緎
り蟌たれおいおもよく、あるいは二酞化チタンな
どの光反射性物質が緎り蟌たれおいおもよい。前
者は高鮮鋭床タむプの攟射線像倉換パネルに適し
た支持䜓であり、高者は高感床タむプの攟射線像
倉換パネルに適した支持䜓である。 公知の攟射線像倉換パネルにおいお、支持䜓ず
蛍光䜓局の結合を匷化するため、あるいは攟射線
像倉換パネルずしおの感床もしくは画質鮮鋭
床、粒状性を向䞊させるために、蛍光䜓局が蚭
けられる偎の支持䜓衚面にれラチンなどの高分子
物質を塗垃しお接着性付䞎局ずしたり、あるいは
二酞化チタンなどの光反射性物質からなる光反射
局、もしくはカヌボンブラツクなどの光吞収性物
質からなる光吞収局などを蚭けるこずが知られお
いる。本発明においお甚いられる支持䜓に぀いお
も、これらの各皮の局を蚭けるこずができ、それ
らの構成は所望の攟射線像倉換パネルの目的、甚
途などに応じお任意に遞択するこずができる。 さらに、本出願人による特願昭57−82431号明
现曞に蚘茉されおいるように、埗られる画像の鮮
鋭床を向䞊させる目的で、支持䜓の蛍光䜓局偎の
衚面支持䜓の蛍光䜓局偎の衚面に接着性付䞎
局、光反射局あるいは光吞収局などが蚭けられお
いる堎合には、その衚面を意味するには埮小の
凹凞が圢成されおいおもよい。 䞊蚘のようにしお支持䜓䞊に塗膜を圢成したの
ち塗膜を也燥しお、支持䜓䞊ぞの茝尜性蛍光䜓局
の圢成を完了する。蛍光䜓局の局厚は、目的ずす
る攟射線像倉換パネルの特性、蛍光䜓の皮類、結
合剀ず蛍光䜓ずの混合比などによ぀お異なるが、
通垞は20Ό乃至mmずする。ただし、この局厚
は50乃至500Όずするのが奜たしい。 たた、茝尜性蛍光䜓局は、必ずしも䞊蚘のよう
に支持䜓䞊に塗垃液を盎接塗垃しお圢成する必芁
はなく、たずえば、別に、ガラス板、金属板、プ
ラスチツクシヌトなどのシヌト䞊に塗垃液を塗垃
し也燥するこずにより蛍光䜓局を圢成したのち、
これを、支持䜓䞊に抌圧するか、あるいは接着剀
を甚いるなどしお支持䜓ず蛍光䜓局ずを接合しお
もよい。 茝尜性蛍光䜓局は䞀局だけでもよいが、二局以
䞊を重局しおもよい。重局する堎合にはそのうち
の少なくずも䞀局が組成匏の二䟡ナヌロピ
りム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓を含有する局で
あればよく、パネルの衚面に近い方に向぀お順次
攟射線に察する発光効率が高くなるように耇数の
蛍光䜓局を重局した構成にしおもよい。たた、単
局および重局のいずれの堎合も、䞊蚘蛍光䜓ずず
もに公知の茝尜性蛍光䜓を䜵甚するこずができ
る。 そのような公知の茝尜性蛍光䜓の䟋ずしおは、
前述の蛍光䜓のほかに、特開昭55−12142号公報
に蚘茉されおいるZnSCu、Pb、BaO・
xAl2O3Euただし、0.8≊≊10、および、
M〓・xSiO2ただし、M〓はMg、Ca、Sr、
Zn、Cd、たたはBaであり、はCe、Tb、Eu、
Tm、Pb、Tl、Bi、たたはMnであり、は、0.5
≊≊2.5である、 特開昭55−12143号公報に蚘茉されおいる
Ba1-x-y、Mgx、CayFXaEu2+ただし、
はClおよびBrのうちの少なくずも぀であり、
およびは、≊0.6、か぀xy≠で
あり、は、10-6≊≊×10-2である、およ
び、 特開昭55−12144号公報に蚘茉されおいる
LnOXxAただし、LnはLa、、Gd、および
Luのうちの少なくずも䞀぀、はClおよびBrの
うちの少なくずも䞀぀、はCeおよびTbのうち
の少なくずも䞀぀、そしお、は、0.1
である、 などを挙げるこずができる。 通垞の攟射線像倉換パネルにおいおは、前述の
ように支持䜓に接する偎ずは反察偎の蛍光䜓局の
衚面に、蛍光䜓局を物理的および化孊的に保護す
るための透明な保護膜が蚭けられおいる。このよ
うな透明保護膜は、本発明の攟射線像倉換パネル
に぀いおも蚭眮するこずが奜たしい。 透明保護膜は、たずえば、酢酞セルロヌス、ニ
トロセルロヌスなどのセルロヌス誘導䜓あるい
はポリメチルメタクリレヌト、ポリビニルブチラ
ヌル、ポリビニルホルマヌル、ポリカヌボネヌ
ト、ポリ酢酞ビニル、塩化ビニル・酢酞ビニルコ
ポリマヌなどの合成高分子物質のような透明な高
分子物質を適圓な溶媒に溶解しお調補した溶液を
蛍光䜓局の衚面に塗垃する方法により圢成するこ
ずができる。あるいは、ポリ゚チレンテレフタレ
ヌト、ポリ゚チレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
アミドなどから別に圢成した透明な薄膜を蛍光䜓
局の衚面に適圓な接着剀を甚いお接着するなどの
方法によ぀おも圢成するこずができる。このよう
にしお圢成する透明保護膜の膜厚は、玄0.1乃至
20Όずするのが望たしい。 次に本発明の実斜䟋を蚘茉する。ただし、これ
らの各実斜䟋は本発明を制限するものではない。 実斜䟋  臭化バリりムBaBr2・2H2O333.2、塩化
バリりムBaCl2・2H2O244.3、臭化セシり
ムCsBr212.8および臭化ナヌロピりム
EuBr30.783を蒞留氎H2O800c.c.に添加
し、混合しお氎溶液ずした。この氎溶液を60℃で
時間枛圧也燥した埌、さらに150℃で時間の
真空也燥を行な぀た。 次に、埗られた蛍光䜓原料混合物をアルミナル
ツボに充填し、これを高枩電気炉に入れお焌成を
行な぀た。焌成は、䞀酞化炭玠を含む二酞化炭玠
雰囲気䞭にお900℃の枩床で1.5時間かけお行な぀
た。このようにしお、粉末状の二䟡ナヌロピりム
賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓BaCl2・BaBr2・
CsBr0.001Eu2+を埗た。 実斜䟋  実斜䟋においお、臭化セシりムの代りに塩化
セシりムCsCl168.4を甚いるこず以倖は、
実斜䟋の方法ず同様の操䜜を行なうこずによ
り、粉末状の二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン
化物蛍光䜓BaCl2・BaBr2・CsCl0.001Eu2+
を埗た。 実斜䟋  実斜䟋においお、臭化セシりムの代りに沃化
セシりムCsI259.8を甚いるこず以倖は、実
斜䟋の方法ず同様の操䜜を行なうこずにより、
粉末状の二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物
蛍光䜓BaCl2・BaBr2・CsI0.001Eu2+を埗
た。 次に、実斜䟋〜で埗られた各蛍光䜓に管電
圧80KVpの線を照射した埌、450〜1000nの
波長領域の光で励起した時の405nの発光波長
における茝尜励起スペクトルを枬定した。その結
果を第図に瀺す。 第図−〜はそれぞれ BaCl2・BaBr2・CsCl0.001Eu2+蛍光䜓
実斜䟋の茝尜励起スペクトル BaCl2・BaBr2・CsBr0.001Eu2+蛍光䜓
実斜䟋の茝尜励起スペクトル BaCl2・BaBr2・CsI0.001Eu2+蛍光䜓実
斜䟋の茝尜励起スペクトル を瀺す。 たた、実斜䟋〜で埗られた各蛍光䜓に管電
圧80KVpの線を照射したのち、発光ダむオヌ
ド波長780nで励起したずきの茝尜発光
スペクトルを枬定した。その結果を第図に瀺
す。 第図においお曲線〜はそれぞれ BaCl2・BaBr2・CsCl0.001Eu2+蛍光䜓
実斜䟋の茝尜発光スペクトル BaCl2・BaBr2・CsBr0.001Eu2+蛍光䜓
実斜䟋の茝尜発光スペクトル BaCl2・BaBr2・CsI0.001Eu2+蛍光䜓実
斜䟋の茝尜発光スペクトル を瀺す。 実斜䟋  実斜䟋においお、臭化セシりムの代りに臭化
ルビゞりムRbBr165.4を甚いるこず以倖
は、実斜䟋の方法ず同様の操䜜を行なうこずに
より、粉末状の二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲ
ン化物蛍光䜓BaCl2・BaBr2・RbBr
0.001Eu2+を埗た。 さらに、臭化ルビゞりムの量をBaCl2・
BaBr21モルに察しお〜10.0モルの範囲で倉化
させるこずにより、臭化ルビゞりムの含有量の異
なる各皮の二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化
物蛍光䜓BaCl2・BaBr2・bRbBr0.001Eu2+
を埗た。 次に、実斜䟋で埗られた各蛍光䜓に管電圧
80KVpの線を照射したのち、発光ダむオヌド
波長780nで励起したずきの茝尜発光匷床
を枬定した。その結果を第図に瀺す。 第図は、BaCl2・BaBr2・bRbBr
0.001Eu2+蛍光䜓における臭化ルビゞりムの含有
量倀ず茝尜発光匷床ずの関係を瀺すグラフ
である。 実斜䟋  実斜䟋で埗られた二䟡ナヌロピりム賊掻耇合
ハロゲン化物蛍光䜓BaCl2・BaBr2・CsBr
0.001Eu2+の粒子ず線状ポリ゚ステル暹脂ずの
混合物にメチル゚チルケトンを添加し、さらに硝
化床11.5のニトロセルロヌスを添加しお蛍光䜓
を分散状態で含有する分散液を調補した。次に、
この分散液に燐酞トリクレゞル、−ブタノヌ
ル、そしおメチル゚チルケトンを添加したのち、
プロペラミキサヌを甚いお充分に撹拌混合しお、
蛍光䜓が均䞀に分散し、か぀結合剀ず蛍光䜓ずの
混合比が10、粘床が25〜35PS25℃の塗垃
液を調補した。 次に、ガラス板䞊に氎平に眮いた二酞化チタン
緎り蟌みポリ゚チレンテレフタレヌトシヌト支
持䜓、厚み250Όの䞊に塗垃液をドクタヌ
ブレヌドを甚いお均䞀に塗垃した。そしお塗垃埌
に、塗膜が圢成された支持䜓を也燥噚内に入れ、
この也燥噚の内郚の枩床を25℃から100℃に埐々
に䞊昇させお、塗膜の也燥を行な぀た。このよう
にしお、支持䜓䞊に局厚が250Όの蛍光䜓局を
圢成した。 そしお、この蛍光䜓局の䞊にポリ゚チレンテレ
フタレヌトの透明フむルム厚み12Ό、ポリ
゚ステル系接着剀が付䞎されおいるものを接着
剀局偎を䞋に向けお眮いお接着するこずにより、
透明保護膜を圢成し、支持䜓、蛍光䜓局、および
透明保護膜から構成された攟射線像倉換パネルを
補造した。 実斜䟋  実斜䟋においお、茝尜性蛍光䜓ずしお実斜䟋
で埗られた二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン
化物蛍光䜓BaCl2・BaBr2・RbBr0.001Eu2+
を甚いるこず以倖は、実斜䟋の方法ず同様の凊
理を行なうこずにより、支持䜓、蛍光䜓局、およ
び透明保護膜から構成された攟射線像倉換パネル
を補造した。 次に、実斜䟋およびで埗られた各攟射線像
倉換パネルに、管電圧80KVpの線を照射した
のち780nの光で励起しお、パネルの感床茝
尜発光茝床を枬定した。その結果を第衚に瀺
す。なお第衚においお、各パネルの感床は、䞊
蚘特願昭58−193162号明现曞に蚘茉されおいる
BaCl2・BaBr20.001Eu2+蛍光䜓を甚いるこず以
倖は実斜䟋ず同様の凊理を行なうこずにより埗
た攟射線像倉換パネルの、同䞀条件䞋で枬定した
感床を100ずする盞察感床で瀺しおある。 【衚】
【図面の簡単な説明】
第図の〜はそれぞれ、本発明に甚いられ
る二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓
の具䜓䟋であるBaCl2・BaBr2・CsCl
0.001Eu2+蛍光䜓、BaCl2・BaBr2・CsBr
0.001Eu2+蛍光䜓およびBaCl2・BaBr2・CsI
0.001Eu2+蛍光䜓の茝尜励起スペクトルを瀺す
図である。第図は、本発明に甚いられる二䟡ナ
ヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓の具䜓䟋
であるBaCl2・BaBr2・CsCl0.001Eu2+蛍光䜓、
BaCl2・BaBr2・CsBr0.001Eu2+蛍光䜓、およ
びBaCl2・BaBr2・CsI0.001Eu2+蛍光䜓の茝尜
発光スペクトルそれぞれ曲線および
を瀺す図である。第図は、BaCl2・BaBr2・
bCsBr0.001Eu2+蛍光䜓における倀ず茝尜発
光匷床ずの関係を瀺すグラフである。第図は、
本発明の攟射線像倉換方法を説明する抂略図であ
る。 攟射線発生装眮、被写䜓、
攟射線像倉換パネル、光源、光電倉
換装眮、画像再生装眮、画像衚瀺装
眮、フむルタヌ。 第図は、BaCl2・BaBr2・bRbBrEu2+蛍光
䜓における倀ず茝尜発光匷床ずの関係を瀺すグ
ラフである。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  被写䜓を透過した、あるいは被怜䜓から発せ
    られた攟射線を、䞋蚘組成匏で衚わされる
    二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓に
    吞収させた埌、この蛍光䜓に450〜1000nの波
    長領域の電磁波を照射するこずにより、該蛍光䜓
    に蓄積されおいる攟射線゚ネルギヌを蛍光ずしお
    攟出させ、そしおこの蛍光を怜出するこずを特城
    ずする攟射線像倉換方法。 組成匏 M〓X2・aM〓X′2・bM〓X″xEu2+
       ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる矀よ
    り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属で
    ありM〓はRbおよびCsからなる矀より遞ばれる
    少なくずも䞀皮のアルカリ金属でありおよび
    X′はいずれもCl、Brおよびからなる矀より遞
    ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンであ぀お、か぀
    ≠X′でありX″は、Cl、Brおよびからな
    る矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンであ
    りそしおは0.1≊≊10.0の範囲の数倀であ
    り、は≊10.0の範囲の数倀であり、は
    ≊0.2の範囲の数倀である  組成匏におけるが0.3≊≊3.3の範
    囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲
    第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  組成匏におけるが0.5≊≊2.0の範
    囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲
    第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  組成匏におけるが≊2.0の範
    囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲
    第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  組成匏におけるM〓がBaであるこずを
    特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像
    倉換方法。  組成匏におけるおよびX′が、それ
    ぞれClおよびBrのいずれかであるこずを特城ず
    する特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方
    法。  組成匏におけるM〓がCsであるこずを
    特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像
    倉換方法。  組成匏におけるX″がBrであるこずを
    特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像
    倉換方法。  組成匏におけるが、10-5≊≊10-2
    の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の
    範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  䞊蚘電磁波が500〜850nの波長領域の電
    磁波であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲第
    項蚘茉の攟射線像倉換方法。  䞊蚘電磁波がレヌザヌ光であるこずを特城
    ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換
    方法。  支持䜓ず、この支持䜓䞊に蚭けられた茝尜
    性蛍光䜓を分散状態で含有支持する結合剀からな
    る少なくずも䞀局の蛍光䜓局ずから実質的に構成
    されおおり、該蛍光䜓局のうちの少なくずも䞀局
    が、䞋蚘組成匏で衚わされる二䟡ナヌロピ
    りム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓を含有するこず
    を特城ずする攟射線像倉換パネル。 組成匏 M〓X2・aM〓X′2・bM〓X″xEu2+
       ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる矀よ
    り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属で
    ありM〓はRbおよびCsからなる矀より遞ばれる
    少なくずも䞀皮のアルカリ金属でありおよび
    X′はいずれもCl、Brおよびからなる矀より遞
    ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンであ぀お、か぀
    ≠X′でありX″は、Cl、Brおよびからな
    る矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンであ
    りそしおは0.1≊≊10.0の範囲の数倀であ
    り、は≊10.0の範囲の数倀であり、は
    ≊0.2の範囲の数倀である  組成匏におけるが0.3≊≊3.3の
    範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるが0.5≊≊2.0の
    範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるが≊2.0の
    範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるM〓がBaであるこず
    を特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射
    線像倉換パネル。  組成匏におけるおよびX′が、そ
    れぞれClおよびBrのいずれかであるこずを特城
    ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉
    換パネル。  組成匏におけるM〓がCsであるこず
    を特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射
    線像倉換パネル。  組成匏におけるX″がBrであるこず
    を特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射
    線像倉換パネル。  組成匏におけるが10-5≊≊10-2
    の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の
    範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。
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