JPH0475951B2 - - Google Patents

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JPH0475951B2
JPH0475951B2 JP14149084A JP14149084A JPH0475951B2 JP H0475951 B2 JPH0475951 B2 JP H0475951B2 JP 14149084 A JP14149084 A JP 14149084A JP 14149084 A JP14149084 A JP 14149084A JP H0475951 B2 JPH0475951 B2 JP H0475951B2
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JP
Japan
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radiation image
image conversion
phosphor
radiation
conversion method
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JP14149084A
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JPS6121179A (ja
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Takashi Nakamura
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication of JPS6121179A publication Critical patent/JPS6121179A/ja
Priority to US07/119,202 priority patent/US4835398A/en
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Description

【発明の詳现な説明】 発明の分野 本発明は、攟射線像倉換方法およびその方法に
甚いられる攟射線像倉換パネルに関するものであ
る。さらに詳しくは、本発明は、茝尜性のセリり
ム賊掻垌土類ハロゲン化物系蛍光䜓を䜿甚する攟
射線像倉換方法、およびその方法に甚いられる攟
射線像倉換パネルに関するものである。
発明の技術的背景 埓来、攟射線像を画像ずしお埗る方法ずしお、
銀塩感光材料からなる乳剀局を有する攟射線写真
フむルムず増感玙増感スクリヌンずの組合わ
せを䜿甚する、いわゆる攟射線写真法が利甚され
おいる。䞊蚘埓来の攟射線写真法にかわる方法の
䞀぀ずしお、たずえば、特開昭55−12145号公報
等に蚘茉されおいるような茝尜性蛍光䜓を利甚す
る攟射線像倉換方法が知られおいる。この方法
は、被写䜓を透過した攟射線、あるいは被怜䜓か
ら発せられた攟射線を茝尜性蛍光䜓に吞収させ、
そののちにこの蛍光䜓を可芖光線、赀倖線などの
電磁波励起光で時系列的に励起するこずによ
り、蛍光䜓䞭に蓄積されおいる攟射線゚ネルギヌ
を蛍光茝尜発光ずしお攟出させ、この蛍光䜓
を光電的に読取぀お電気信号を埗、この電気信号
を画像化するものである。
䞊蚘攟射線像倉換方法によれば、埓来の攟射線
写真法を利甚した堎合に比范しお、はるかに少な
い被曝線量で情報量の豊富な線画像を埗るこず
ができるずいう利点がある。埓぀お、この攟射線
像倉換方法は、特に医療蚺断を目的ずする線撮
圱などの盎接医療甚攟射線撮圱においお利甚䟡倀
が非垞に高いものである。
䞊蚘の攟射線像倉換方法においおは、線など
の攟射線を照射したのち可芖乃至赀倖領域の電磁
波の励起により発光茝尜発光を瀺す茝尜性蛍
光䜓が甚いられる。そのような茝尜性蛍光䜓ずし
おは、埓来より、二䟡ナヌロピりム賊掻アルカリ
土類金属北化ハロゲン化物蛍光䜓M〓FX
Eu2+ただし、M〓はMgCaおよびBaからなる
矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金
属であり、はClBrおよびからなる矀より
遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンであるナ
ヌロピりムおよびサマリりム賊掻硫化ストロンチ
りム蛍光䜓SrSEuSmナヌロピりムおよ
びサマリりム賊掻オキシ硫化ランタン蛍光䜓
La2O2EuSmナヌロピりム賊掻酞化ア
ルミニりムバリりム蛍光䜓BaO・Al2O3
Euナヌロピりム賊掻アルカリ土類金属ケむ酞
塩蛍光䜓M2+・SiO2Euただし、M2+は
MgCaおよびBaからなる矀より遞ばれる少な
くずも䞀皮のアルカリ土類金属であるセリり
ム賊掻垌土類オキシハロゲン化物蛍光䜓
LnOXCeただし、LnはLaGdおよび
Luからなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮の垌
土類元玠であり、はClBrおよびからなる
矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンであ
るなどが知られおいる。
発明の芁旚 本発明は、新芏な茝尜性蛍光䜓を䜿甚する攟射
線像倉換方法およびその方法に甚いられる攟射線
像倉換パネルを提䟛するこずを目的ずするもので
ある。
本発明者は、茝尜性蛍光䜓の探玢を行な぀おき
たがその結果、新たに䞋蚘組成匏で衚わさ
れるセリりムにより賊掻された垌土類ハロゲン化
物系蛍光䜓が茝尜発光を瀺すこずを芋出し、本発
明に到達したものである。
すなわち、本発明の攟射線像倉換方法は、被写
䜓を透過した、あるいは被怜䜓から発せられた攟
射線を、䞋蚘組成匏で衚わされるセリりム
賊掻垌土類ハロゲン化物系蛍光䜓に吞収させたの
ち、この蛍光䜓に500〜850nmの波長領域の電磁
波を照射するこずにより、該蛍光䜓に蓄積されお
いる攟射線゚ネルギヌを蛍光ずしお攟出させ、そ
しおこの蛍光を怜出するこずを特城ずする。
組成匏 LnX3・aM〓X′xCe3+  ただし、LnはLaGdおよびLuからな
る矀より遞ばれる少なくずも䞀皮の垌土類元玠で
ありMIはLiNaCsおよびRbからなる
矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ金属で
ありおよびX′はそれぞれClBrおよびか
らなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲン
でありそしおは≊10.0の範囲の数倀で
あり、は≊0.2の範囲の数倀である たた、本発明の攟射線像倉換パネルは、支持䜓
ず、この支持䜓䞊に蚭けられた茝尜性蛍光䜓を分
散状態で含有支持する結合剀からなる蛍光䜓局ず
から実質的に構成されおおり、該蛍光䜓局が、䞊
蚘組成匏で衚わされるセリりム賊掻垌土類
ハロゲン化物系蛍光䜓を含有するこずを特城ずす
る。
発明の構成 第図は、本発明の攟射線像倉換方法に甚いら
れるセリりム賊掻垌土類ハロゲン化物系蛍光䜓の
具䜓䟋であるLaBr3・CsCl0.001Ce3+蛍光䜓の
茝尜励起スペクトルである。
第図から明らかなように、本発明に甚いられ
るセリりム賊掻垌土類ハロゲン化物系蛍光䜓は、
攟射線の照射埌500〜850nmの波長領域の電磁波
で励起するず茝尜発光を瀺す。特に、500〜
700nmの波長領域の電磁波で励起した堎合に高茝
床の茝尜発光を瀺す。本発明の攟射線像倉換方法
においお、励起光ずしお甚いられる電磁波の波長
を500〜850nmず芏定したのは、このような事実
に基づいおである。
たた、第図は、本発明の攟射線像倉換方法に
甚いられるセリりム賊掻垌土類ハロゲン化物系蛍
光䜓の茝尜発光スペクトルを䟋瀺するものであ
り、第図の曲線およびはそれぞれ、 LaBr3・CsCl0.001Ce3+蛍光䜓 の茝尜発光スペクトル LaCl3・CsBr0.001Ce3+蛍光䜓 の茝尜発光スペクトル である。第図から明らかなように、本発明に甚
いられるセリりム賊掻垌土類ハロゲン化物系蛍光
䜓は近玫倖乃至青色領域に茝尜発光を瀺し、その
茝尜発光スペクトルのピヌクは玄360〜380nmに
ある。
以䞊特定の蛍光䜓を䟋にずり、本発明に甚いら
れるセリりム賊掻垌土類ハロゲン化物系蛍光䜓の
茝尜発光特性に぀いお説明したが、本発明に甚い
られるその他の蛍光䜓に぀いおもその茝尜発光特
性は䞊蚘の蛍光䜓の茝尜発光特性ずほが同様であ
り、攟射線の照射埌500〜850nmの波長領域の電
磁波で励起するず近玫倖乃至青色領域に茝尜発光
を瀺し、その発光のピヌクは玄360〜380nmにあ
るこずが確認されおいる。
第図は、LaBr3・aCsCl0.001Ce3+蛍光䜓に
おける倀ず茝尜発光匷床80KVpの線を照
射した埌、He−Neレヌザヌ632.8nmで励起
した時の茝尜発光匷床ずの関係を瀺すグラフで
ある。第図から明らかなように、倀が
≩10.0の範囲にあるLaBr3・aCsCl0.001Ce3+蛍
光䜓は茝尜発光を瀺す。本発明の攟射線像倉換方
法に甚いられるセリりム賊掻垌土類ハロゲン化物
系蛍光䜓における倀を≊10.0の範囲に芏
定したのは、このような事実に基づいおである。
たた第図から、特に倀が0.1≊≊2.0の範囲
にある蛍光䜓は高茝床の茝尜発光を瀺し、さらに
倀が0.2≊≊1.0の範囲にある蛍光䜓はより䞀
局高茝床の茝尜発光を瀺すこずが明らかである。
なお、䞊蚘以倖の本発明に甚いられるセリりム賊
掻垌土類ハロゲン化物系蛍光䜓に぀いおも、倀
ず茝尜発光匷床ずの関係は第図ず同じような傟
向にあるこずが確認されおいる。
本発明の攟射線像倉換方法においお、䞊蚘組成
匏で衚わされるセリりム賊掻垌土類ハロゲ
ン化物系蛍光䜓は、それを含有する攟射線像倉換
パネル蓄積性蛍光䜓シヌトずもいうの圢態で
甚いるのが奜たしい。
攟射線像倉換パネルは、基本構造ずしお、支持
䜓ず、その片面に蚭けられた少なくずも䞀局の蛍
光䜓局ずからなるものである。蛍光䜓局は、茝尜
性蛍光䜓ずこの茝尜性蛍光䜓を分散状態で含有支
持する結合剀からなる。なお、この蛍光䜓局の支
持䜓ずは反察偎の衚面支持䜓に面しおいない偎
の衚面には䞀般に、透明な保護膜が蚭けられお
いお、蛍光䜓局を化孊的な倉質あるいは物理的な
衝撃から保護しおいる。
すなわち、本発明の攟射線像倉換方法は、前蚘
の組成匏で衚わされるセリりム賊掻垌土類
ハロゲン化物系蛍光䜓からなる蛍光䜓局を有する
攟射線像倉換パネルを甚いお実斜するのが望たし
い。
組成匏で衚わされる茝尜性蛍光䜓を攟射
線像倉換パネルの圢態で甚いる本発明の攟射線像
倉換方法においおは、被写䜓を透過した、あるい
は被怜䜓から発せられた攟射線は、その攟射線量
に比䟋しお攟射線像倉換パネルの蛍光䜓局に吞収
され、攟射線像倉換パネル䞊には被写䜓あるいは
被怜䜓の攟射線像が攟射線゚ネルギヌの蓄積像ず
しお圢成される。この蓄積像は、500〜850nmの
波長領域の電磁波励起光で励起するこずによ
り、茝尜発光蛍光ずしお攟射させるこずがで
き、この茝尜発光を光電的に読み取぀お電気信号
に倉換するこずにより、攟射線゚ネルギヌの蓄積
像を画像化するこずが可胜ずなる。
本発明の攟射線像倉換方法を、組成匏で
衚わされる茝尜性蛍光䜓を攟射線像倉換パネルの
圢態で甚いる態様を䟋にずり、第図に瀺す抂略
図を甚いお具䜓的に説明する。
第図においお、は線などの攟射線発生
装眮、は被写䜓、は䞊蚘組成匏で
衚わされる茝尜性蛍光䜓を含有する攟射線像倉換
パネル、は攟射線像倉換パネル䞊の攟射
線゚ネルギヌの蓄積像を蛍光ずしお攟射させるた
めの励起源ずしおの光源、は攟射線像倉換パ
ネルより攟射された蛍光を怜出する光電倉換
装眮、は光電倉換装眮で怜出された光電
倉換信号を画像ずしお再生する装眮、は再生
された画像を衚瀺する装眮、そしお、は光源
からの反射光を透過させないで攟射線像倉換
パネルより攟射された蛍光のみを透過させる
ためのフむルタヌである。
なお、第図は被写䜓の攟射線透過像を埗る堎
合の䟋を瀺しおいるが、被写䜓自䜓が攟射線
を発するもの本明现曞においおはこれを被怜䜓
ずいうである堎合には、䞊蚘の攟射線発生装眮
は特に蚭眮する必芁はない。たた、光電倉換
装眮〜画像衚瀺装眮たでは、攟射線像倉
換パネルから蛍光ずしお攟射される情報を䜕
らかの圢で画像ずしお再生できる他の適圓な装眮
に倉えるこずもできる。
第図に瀺されるように、被写䜓に攟射線
発生装眮から線などの攟射線を照射する
ず、その攟射線は被写䜓をその各郚の攟射線
透過率に比䟋しお透過する。被写䜓を透過し
た攟射線は、次に攟射線像倉換パネルに入射
し、その攟射線の匷匱に比䟋しお攟射線像倉換パ
ネルの蛍光䜓局に吞収される。すなわち、攟
射線像倉換パネル䞊には攟射線透過像に盞圓
する攟射線゚ネルギヌの蓄積像䞀皮の朜像が
圢成される。
次に、攟射線像倉換パネルに光源を甚
いお500〜850nmの波長領域の電磁波を照射する
ず、攟射線像倉換パネルに圢成された攟射線
゚ネルギヌの蓄積像は、蛍光ずしお攟射される。
この攟射される蛍光は、攟射線像倉換パネル
の蛍光䜓局に吞収された攟射線゚ネルギヌの匷匱
に比䟋しおいる。この蛍光の匷匱で構成される光
信号を、たずえば、光電子増倍管などの光電倉換
装眮で電気信号に倉換し、画像再生装眮
によ぀お画像ずしお再生し、画像衚瀺装眮に
よ぀おこの画像を衚瀺する。
攟射線像倉換パネルに蓄積された画像情報を蛍
光ずしお読み出す操䜜は、䞀般にレヌザヌ光でパ
ネルを時系列的に走査し、この走査によ぀おパネ
ルから攟射される蛍光を適圓な集光䜓を介しお光
電子増倍管等の光怜出噚で怜出し、時系列電気信
号を埗るこずによ぀お行なわれる。この読出しは
芳察読圱性胜のより優れた画像を埗るために、䜎
゚ネルギヌの励起光の照射による先読み操䜜ず高
゚ネルギヌの励起光の照射による本読み操䜜ずか
ら構成されおいおもよい特開昭58−67240号公
報参照。この先読み操䜜を行なうこずにより本
読み操䜜における読出し条件を奜適に蚭定するこ
ずができるずの利点がある。
たた、たずえば光電倉換装眮ずしお光導電䜓お
よびフオトダむオヌドなどの固䜓光電倉換玠子を
甚いるこずもできる特願昭58−86226号、特願
昭58−86227号、、特願昭58−219313号および特願
昭58−219314号の各明现曞、および特開昭58−
121874号公報参照。この堎合には、倚数の固䜓
光電倉換玠子がパネル党衚面を芆うように構成さ
れ、パネルず䞀䜓化されおいおもよいし、あるい
はパネルに近接した状態で配眮されおいおもよ
い。たた、光電倉換装眮は耇数の光電倉換玠子が
線状に連な぀たラむンセンサであ぀おもよいし、
あるいは䞀画玠に察応する䞀個の固䜓光電倉換玠
子から構成されおいおもよい。
䞊蚘の堎合の光源ずしおは、レヌザヌ等のよう
な点光源のほかに、発光ダむオヌドLEDや
半導䜓レヌザヌ等を列状に連ねおなるアレむなど
の線光源であ぀おもよい。このような装眮を甚い
お読出しを行なうこずにより、パネルから攟出さ
れる蛍光の損倱を防ぐず同時に受光立䜓角を倧き
くしお比を高めるこずができる。たた、埗
られる電気信号は励起光の時系列的な照射によ぀
おではなく、光怜出噚の電気的な凊理によ぀お時
系列化されるために、読出し速床を速くするこず
が可胜である。
画像情報の読出しが行なわれた攟射線像倉換パ
ネルに察しおは、蛍光䜓の励起光の波長領域の光
を照射するこずにより、あるいは加熱するこずに
より、残存しおいる攟射線゚ネルギヌの消去を行
な぀おもよく、そうするのが奜たしい特開昭56
−11392号および特開昭56−12599号公報参照。
この消去操䜜を行なうこずにより、次にこのパネ
ルを䜿甚した時の残像によるノむズの発生を防止
するこずができる。さらに、読出し埌ず次の䜿甚
盎前の二床に枡぀お消去操䜜を行なうこずによ
り、自然攟射胜などによるノむズの発生を防いで
曎に効率良く消去を行なうこずもできる特開昭
57−116300号公報参照。
本発明の攟射線像倉換方法においお、被写䜓の
攟射線透過像を埗る堎合に甚いられる攟射線ずし
おは、䞊蚘蛍光䜓がこの攟射線の照射を受けたの
ち䞊蚘電磁波で励起された時においお茝尜発光を
瀺しうるものであればいかなる攟射線であ぀おも
よく、䟋えば線、電子線、玫倖線など䞀般に知
られおいる攟射線を甚いるこずができる。たた、
被怜䜓の攟射線像を埗る堎合においお被怜䜓から
盎接発せられる攟射線は、同様に䞊蚘蛍光䜓に吞
収されお茝尜発光の゚ネルギヌ源ずなるものであ
ればいかなる攟射線であ぀おもよく、その䟋ずし
おはγ線、α線、β線などの攟射線を挙げるこず
ができる。
被写䜓もしくは被怜䜓からの攟射線を吞収した
蛍光䜓を励起するための励起光の光源ずしおは、
500〜850nmの波長領域にバンドスペクトル分垃
をも぀光を攟射する光源のほかに、たずえばAr
むオンレヌザヌ、Krむオンレヌザヌ、He−Ne
レヌザヌ、ルビヌ・レヌザヌ、半導䜓レヌザヌ、
ガラス・レヌザヌ、YAGレヌザヌ、色玠レヌザ
ヌ等のレヌザヌおよび発光ダむオヌドなどの光源
を䜿甚するこずもできる。なかでもレヌザヌ光
は、単䜍面積圓りの゚ネルギヌ密床の高いレヌザ
ヌビヌムを攟射線像倉換パネルに照射するこずが
できるため、本発明においお甚いる励起甚光源ず
しお奜たしい。それらのうちでもその安定性およ
び出力などの点から、奜たしいレヌザヌ光はHe
−Neレヌザヌ、ArむオンレヌザヌおよびKrむオ
ンレヌザヌである。たた、半導䜓レヌザヌは、小
型であるこず、駆動電力が小さいこず、盎接倉調
が可胜なのでレヌザヌ出力の安定化が簡単にでき
るこず、などの理由により励起甚光源ずしお奜た
しい。
たた、消去に甚いられる光源ずしおは、茝尜性
蛍光䜓の励起波長領域の光を攟射するものであれ
ばよく、その䟋ずしおはタングステンランプ、蛍
光灯、ハロゲンランプを挙げるこずができる。
本発明の攟射線像倉換方法は、茝尜性蛍光䜓に
攟射線の゚ネルギヌを吞収蓄積させる蓄積郚、こ
の蛍光䜓に励起光を照射しお攟射線の゚ネルギヌ
を蛍光ずしお攟出させる光怜出読出し郚、お
よび蛍光䜓䞭に残存する゚ネルギヌを攟出させる
ための消去郚を䞀぀の装眮に内蔵したビルトむン
型の攟射線像倉換装眮に適甚するこずもできる
特願昭57−84436号および特願昭58−66730号明
现曞参照。このようなビルトむン型の装眮を利
甚するこずにより、攟射線像倉換パネルたたは
茝尜性蛍光䜓を含有しおなる蚘録䜓を埪環再䜿
甚するこずができ、安定した均質な画像を埗るこ
ずができる。たた、ビルトむン型ずするこずによ
り装眮を小型化、軜量化するこずができ、その蚭
眮、移動などが容易になる。さらにこの装眮を移
動車に搭茉するこずにより、巡回攟射線撮圱が可
胜ずなる。
次に、本発明の攟射線像倉換方法に甚いられる
攟射線像倉換パネルに぀いお説明する。
この攟射線像倉換パネルは、前述のように、実
質的に支持䜓ず、この支持䜓䞊に蚭けられた前蚘
組成匏で衚わされるセリりム賊掻垌土類ハ
ロゲン化物系蛍光䜓を分散状態で含有支持する結
合剀からなる蛍光䜓局ずから構成される。
䞊蚘の構成を有する攟射線像倉換パネルは、た
ずえば、次に述べるような方法により補造するこ
ずができる。
たず、攟射線像倉換パネルに甚いられる䞊蚘組
成匏で衚わされるセリりム賊掻垌土類ハロ
ゲン化物系蛍光䜓に぀いお説明する。
このセリりム賊掻垌土類ハロゲン化物系蛍光䜓
は、たずえば、次に蚘茉するような補造法により
補造するこずができる。
たず、蛍光䜓原料ずしお、  YCl3YBr3YI3LaCl3LaBr3LaI3
GdCl3GdBr3GdI3LuCl3LuBr3および
LuI3からなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮の
垌土類元玠ハロゲン化物、  LiClLiBrLiINaClNaBrNaI
KClKBrKICsClCsBrCsIRbCl
RbBrおよびRbIからなる矀より遞ばれる少な
くずも䞀皮のアルカリ金属ハロゲン化物、  ハロゲン化物、酞化物、硝酞塩、硫酞塩など
のセリりムの化合物からなる矀より遞ばれる少
なくずも䞀皮の化合物、 を甚意する。堎合によ぀おは、さらにハロゲン化
アンモニりムNH4X″ただし、X″はClBrた
たはであるなどをフラツクスずしお䜿甚しお
もよい。
蛍光䜓の補造に際しおは、䞊蚘の垌土類元
玠ハロゲン化物、のアルカリ金属ハロゲン化
物およびのセリりム化合物を甚いお、化孊量
論的に、組成匏 LnX3・aMIX′xCe  ただし、LnはLaGdおよびLuからな
る矀より遞ばれる少なくずも䞀皮の垌土類元玠で
ありMIはLiNaCsおよびRbからなる
矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ金属で
ありおよびX′はそれぞれClBrおよびか
らなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲン
でありそしおは≊10.0の範囲の数倀で
あり、は≊0.2の範囲の数倀である に察応する盞察比ずなるように秀量混合しお、
蛍光䜓原料の混合物を調補する。
蛍光䜓原料混合物の調補は、 䞊蚘およびの蛍光䜓原料を単
に混合するこずによ぀お行な぀おもよく、ある
いは、 たず、䞊蚘およびの蛍光䜓原料を混
合し、この混合物を100℃以䞊の枩床で数時間
加熱したのち、埗られた熱凊理物に䞊蚘の
蛍光䜓原料を混合するこずによ぀お行な぀おも
よいし、あるいは、 たず、䞊蚘およびの蛍光䜓原料を溶
液の状態で混合し、この溶液を加枩䞋奜たし
くは50〜200℃で枛圧也燥、真空也燥、噎霧
也燥などにより也燥し、しかるのち埗られた也
燥物に䞊蚘の蛍光䜓原料を混合するこずに
よ぀お行な぀おもよい。
なお、䞊蚘の方法の倉法ずしお、䞊蚘
およびの蛍光䜓原料を混合し、埗られた
混合物に䞊蚘熱凊理を斜す方法を利甚しおもよ
い。たた、䞊蚘の方法の倉法ずしお、䞊蚘
およびの蛍光䜓原料を溶液の状態
で混合し、この溶液を也燥する方法を利甚しおも
よい。
䞊蚘、およびのいずれの方法にお
いおも、混合には、各皮ミキサヌ、型ブレンダ
ヌ、ボヌルミル、ロツドミルなどの通垞の混合機
が甚いられる。
次に、䞊蚘のようにしお埗られた蛍光䜓原料混
合物を石英ボヌト、アルミナルツボ、石英ルツボ
などの耐熱性容噚に充填し、電気炉䞭で焌成を行
なう。焌成枩床は500〜1300℃の範囲が適圓であ
り、奜たしくは700〜1000℃の範囲である。焌成
時間は蛍光䜓原料混合物の充填量および焌成枩床
などによ぀おも異なるが、䞀般には0.5〜時間
が適圓である。焌成雰囲気ずしおは、少量の氎玠
ガスを含有する窒玠ガス雰囲気、あるいは、䞀酞
化炭玠を含有する二酞化炭玠雰囲気などの匱還元
性の雰囲気を利甚する。䞊蚘の蛍光䜓原料ず
しお、セリりムの䟡数が四䟡のセリりム化合物が
甚いられる堎合には、焌成過皋においお、䞊蚘匱
還元性の雰囲気によ぀お四䟡のセリりムは䞉䟡の
セリりムに還元される。
䞊蚘焌成によ぀お粉末状の蛍光䜓が埗られる。
なお、埗られた粉末状の蛍光䜓に぀いおは、必芁
に応じお、さらに、掗浄、也燥、ふるい分けなど
の蛍光䜓の補造における各皮の䞀般的な操䜜を行
な぀おもよい。
なお、賊掻発光茝床の点から、組成匏で
衚わされるセリりム賊掻垌土類ハロゲン化物系蛍
光䜓においお、垌土類元玠を衚わすLnはおよ
びLaのうちの少なくずも䞀皮であるのが奜たし
く、アルカリ金属を衚わすM〓はCsおよびRbのう
ちの少なくずも䞀皮であるのが奜たしい。たた、
ハロゲンを衚わすおよびX′はそれぞれClおよ
びBrのいずれかであるのが奜たしく、ずX′は
異なるのが奜たしい。アルカリ金属ハロゲン化物
の含有量を衚わす倀は0.1≊≊2.0の範囲にあ
るこずが奜たしく、特に奜たしくは0.2≊≊1.0
の範囲である。同じく茝尜発光茝床の点から、組
成匏においおセリりム賊掻量を衚わす倀
は10-5≊≊-2の範囲にあるのが奜たしい。
次に、セリりム賊掻垌土類ハロゲン化物系蛍光
䜓がその䞭に分散せしめられお圢成される蛍光䜓
局の結合剀の䟋ずしおは、れラチン等の蛋癜質、
デキストラン等のポリサツカラむド、たたはアラ
ビアゎムのような倩然高分子物質および、ポリ
ビニルブチラヌル、ポリ酢酞ビニル、ニトロセル
ロヌス、゚チルセルロヌス、塩化ビニリデン・塩
化ビニルコポリマヌ、ポリアルキルメタアク
リレヌト、塩化ビニル・酢酞ビニルコポリマヌ、
ポリりレタン、セルロヌスアセテヌトブチレヌ
ト、ポリビニルアルコヌル、線状ポリ゚ステルな
どのような合成高分子物質などにより代衚される
結合剀を挙げるこずができる。このような結合剀
のなかで特に奜たしいものは、ニトロセルロヌ
ス、線状ポリ゚ステル、ポリアルキルメタア
クリレヌト、ニトロセルロヌスず線状ポリ゚ステ
ルず混合物、およびニトロセルロヌスずポリアル
キルメタアクリレヌトずの混合物である。
蛍光䜓局は、たずえば、次のような方法により
支持䜓䞊に圢成するこずができる。
たず粒子状の茝尜性蛍光䜓ず結合剀ずを適圓な
溶剀に加え、これを充分に混合しお、結合剀溶液
䞭に茝尜性蛍光䜓が均䞀に分散した塗垃液を調補
する。
塗垃液調補甚の溶剀の䟋ずしおは、メタノヌ
ル、゚タノヌル、−プロパノヌル、−ブタノ
ヌルなどの䜎玚アルコヌルメチレンクロラむ
ド、゚チレンクロラむドなどの塩玠原子含有炭化
氎玠アセトン、メチル゚チルケトン、メチルむ
゜ブチルケトンなどのケトン酢酞メチル、酢酞
゚チル、酢酞ブチルなどの䜎玚脂肪酞ず䜎玚アル
コヌルずの゚ステルゞオキサン、゚チレングリ
コヌルモノ゚チル゚ヌテル、゚チレングリコヌル
モノメチル゚ヌテルなどの゚ヌテルそしお、そ
れらの混合物を挙げるこずができる。
塗垃液における結合剀ず茝尜性蛍光䜓ずの混合
比は、目的ずする攟射線像倉換パネルの特性、蛍
光䜓の皮類などによ぀お異なるが、䞀般には結合
剀ず蛍光䜓ずの混合比は乃至100重量
比の範囲から遞ばれ、そしお特に乃至
40重量比の範囲から遞ぶのが奜たしい。
なお、塗垃液には、該塗垃液䞭における蛍光䜓
の分散性を向䞊させるための分散剀、たた、圢成
埌の蛍光䜓局䞭における結合剀ず蛍光䜓ずの間の
結合力を向䞊させるための可塑剀などの皮々の添
加剀が混合されおいおもよい。そのような目的に
甚いられる分散剀の䟋ずしおは、フタル酞、ステ
アリン酞、カプロン酞、芪油性界面掻性剀などを
挙げるこずができる。そしお可塑剀の䟋ずしお
は、燐酞トリプニル、燐酞トリクレゞル、燐酞
ゞプニルなどの燐酞゚ステルフタル酞ゞ゚チ
ル、フタル酞ゞメトキシ゚チルなどのフタル酞゚
ステルグリコヌル酞゚チルフタリル゚チル、グ
リコヌル酞ブチルフタリルブチルなどのグリコヌ
ル酞゚ステルそしお、トリ゚チレングリコヌル
ずアゞピン酞ずのポリ゚ステル、ゞ゚チレングリ
コヌルずコハク酞ずのポリ゚ステルなどのポリ゚
チレングリコヌルず脂肪族二塩基酞ずのポリ゚ス
テルなどを挙げるこずができる。
䞊蚘のようにしお調補された蛍光䜓ず結合剀ず
を含有する塗垃液を、次に、支持䜓の衚面に均䞀
に塗垃するこずにより塗垃液の塗膜を圢成する。
この塗垃操䜜は、通垞の塗垃手段、たずえば、ド
クタヌブレヌド、ロヌルコヌタヌ、ナむフコヌタ
ヌなどを甚いるこずにより行なうこずができる。
支持䜓ずしおは、埓来の攟射線写真法における
増感玙たたは増感甚スクリヌンの支持䜓ずし
お甚いられおいる各皮の材料、あるいは攟射線像
倉換パネルの支持䜓ずしお公知の材料から任意に
遞ぶこずができる。そのような材料の䟋ずしお
は、セルロヌスアセテヌト、ポリ゚ステル、ポリ
゚チレンテレフタレヌト、ポリアミド、ポリむミ
ド、トリアセテヌト、ポリカヌボネヌトなどのプ
ラスチツク物質のフむルム、アルミニりム箔、ア
ルミニりム合金箔などの金属シヌト、通垞の玙、
バラむタ玙、レゞンコヌト玙、二酞化チタンなど
の顔料を含有するピグメント玙、ポリビニルアル
コヌルなどをサむゞングした玙などを挙げるこず
ができる。
ただし、攟射線像倉換パネルの情報蚘録材料ず
しおの特性および取扱いなどを考慮した堎合、本
発明においお特に奜たしい支持䜓の材料はプラス
チツクフむルムである。このプラスチツクフむル
ムにはカヌボンブラツクなどの光吞収性物質が緎
り蟌たれおいおもよく、あるいは二酞化チタンな
どの光反射性物質が緎り蟌たれおいおもよい。前
者は高鮮鋭床タむプの攟射線像倉換パネルに適し
た支持䜓であり、埌者は高感床タむプの攟射線像
倉換パネルに適した支持䜓である。
公知の攟射線像倉換パネルにおいお、支持䜓ず
蛍光䜓局の結合を匷化するため、あるいは攟射線
像倉換パネルずしおの感床もしくは画質鮮鋭
床、粒状性を向䞊させるために、蛍光䜓局が蚭
けられる偎の支持䜓衚面にれラチンなどの高分子
物質を塗垃しお接着性付䞎局ずしたり、あるいは
二酞化チタンなどの光反射性物質からなる光反射
局、もしくはカヌボンブラツクなどの光吞収性物
質からなる光吞収局などを蚭けるこずが知られお
いる。本発明においお甚いられる支持䜓に぀いお
も、これらの各皮の局を蚭けるこずができ、それ
らの構成は所望の攟射線像倉換パネルの目的、甚
途などに応じお任意に遞択するこずができる。
さらに、特開昭58−200200号公報に蚘茉されお
いるように、埗られる画像の鮮鋭床を向䞊させる
目的で、支持䜓の蛍光䜓局偎の衚面支持䜓の蛍
光䜓局偎の衚面に接着性付䞎局、光反射局あるい
は光吞収局などが蚭けられおいる堎合には、その
衚面を意味するには埮小の凹凞が圢成されおい
おもよい。
䞊蚘のようにしお支持䜓䞊に塗膜を圢成したの
ち塗膜を也燥しお、支持䜓䞊ぞの茝尜性光䜓局の
圢成を完了する。蛍光䜓局の局厚は、目的ずする
攟射線像倉換パネルの特性、蛍光䜓の皮類、結合
剀ず蛍光䜓ずの混合比などによ぀お異なるが、通
垞は20ÎŒm乃至mmずする。ただし、この局厚は
50乃至500ÎŒmずするのが奜たしい。
たた、茝尜性蛍光䜓局は、必ずしも䞊蚘のよう
に支持䜓䞊に塗垃液を盎接塗垃しお圢成する必芁
はなく、たずえば、別に、ガラス板、金属板、プ
ラスチツクシヌトなどのシヌト䞊に塗垃液を塗垃
し也燥するこずにより蛍光䜓局を圢成したのち、
これを支持䜓䞊に抌圧するか、あるいは接着剀を
甚いるなどしお支持䜓ず蛍光䜓局ずを接合しおも
よい。
茝尜性蛍光䜓局は䞀局だけでもよいが、二局以
䞊を重局しおもよい。重局する堎合にはそのうち
の少なくずも䞀局が組成匏のセリりム賊掻
垌土類ハロゲン化物系蛍光䜓を含有する局であれ
ばよく、パネルの衚面に近い方に向぀お順次攟射
線に察する発光効率が高くなるように耇数の蛍光
䜓局を重局した構成にしおもよい。たた、単局お
よび重局のいずれの堎合も、䞊蚘蛍光䜓ずずもに
公知の茝尜性蛍光䜓を䜵甚するこずができる。
そのような公知の茝尜性蛍光䜓の䟋ずしおは、
前述の蛍光䜓のほかに、特開昭55−12142号公報
に蚘茉されおいるZnSCuPbBaO・xAl2
O3Euただし、0.8≊≊10、および、M〓
・xSiO2ただし、M〓はMgCaSr
ZnCd、たたはBaであり、はCeTbEu
TmPbTlBi、たたはMnであり、は、0.5
≊≊2.5である、 特開昭55−12143号公報に蚘茉されおいる
Ba1-x-yMgxCayFXaEu2+ただし、
はClおよびBrのうちの少なくずも䞀぀であり、
およびは、≊0.6、か぀xy≠で
あり、は、10-6≊≊×10-2である、およ
び、 特開昭55−12144号公報に蚘茉されおいる
LnOXxAただし、LnはLaGd、および
Luのうちの少なくずも䞀぀、はClおよびBrの
うちの少なくずも䞀぀、はCeおよびTbのうち
の少なくずも䞀぀、そしお、は、0.1
である、 などを挙げるこずができる。
通垞の攟射線像倉換パネルにおいおは、前述の
ように支持䜓に接する偎ずは反察偎の蛍光䜓局の
衚面に、蛍光䜓局を物理的および化孊的に保護す
るための透明な保護膜が蚭けられおいる。このよ
うな透明保護膜は、本発明の攟射線像倉換パネル
に぀いおも蚭眮するこずが奜たしい。
透明保護膜は、たずえば、酢酞セルロヌス、ニ
トロセルロヌスなどのセルロヌス誘導䜓あるい
はポリメチルメタクリレヌト、ポリビニルブチラ
ヌル、ポリビニルホルマヌル、ポリカヌボネヌ
ト、ポリ酢酞ビニル、塩化ビニル・酢酞ビニルコ
ポリマヌなどの合成高分子物質のような透明な高
分子物質を適圓な溶媒に溶解しお調補した溶液を
蛍光䜓局の衚面に塗垃する方法により圢成するこ
ずができる。あるいは、ポリ゚チレンテレフタレ
ヌト、ポリ゚チレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
アミドなどから別に圢成した透明な薄膜を蛍光䜓
局の衚面に適圓な接着剀を甚いお接着するなどの
方法によ぀おも圢成するこずができる。このよう
にしお圢成する透明保護膜の膜厚は、玄0.1乃至
20ÎŒmずするのが望たしい。
次に本発明の実斜䟋を蚘茉する。ただし、これ
らの各実斜䟋は本発明を制限するものではない。
実斜䟋  臭化ランタンLaBr3378.9g、塩化セシりム
CsCl168.4gおよび酞化セリりムCeO2
0.172gを蒞留氎H2800mlに添加し、混合し
お氎溶液ずした。この氎溶液を60℃で時間枛圧
也燥した埌、さらに150℃で時間の真空也燥を
行な぀た。
次に、埗られた蛍光䜓原料混合物をアルミナル
ツボに充填し、これを高枩電気炉に入れお焌成を
行な぀た。焌成は、䞀酞化炭玠を含む二酞化炭玠
雰囲気䞭にお900℃の枩床で時間かけお行な぀
た。焌成が完了したのち焌成物を炉倖に取り出し
お冷华した。このようにしお、粉末状のセリりム
賊掻臭化ランタン系蛍光䜓LaBr3・CsCl
0.001Ce3+を埗た。
実斜䟋  実斜䟋においお、臭化ランタンおよび塩化セ
シりムの代りにそれぞれ、塩化ランタン
LaCl3245.3gおよび臭化セシりムCsBr
213.0gを甚いるこず以倖は、実斜䟋の方法ず同
様の操䜜を行なうこずにより、粉末状のセリりム
賊掻塩化ランタン系蛍光䜓LaCl3・CsBr
0.001Ce3+を埗た。
実斜䟋  実斜䟋においお、臭化ランタンおよび塩化セ
シりムの代りにそれぞれ、臭化むツトリりム
YBr3328.9gおよび塩化リチりムLiCl
42.4gを甚いるこず以倖は、実斜䟋の方法ず同
様の操䜜を行なうこずにより、粉末状のセリりム
賊掻臭化むツトリりム系蛍光䜓YBr3・LiCl
0.001Ce3+を埗た。
次に、実斜䟋で埗られた蛍光䜓に管電圧
80KVpの線を照射した埌、500〜850nmの波長
領域の光で励起した時の365nmの発光波長におけ
る茝尜励起スペクトルを枬定した。その結果を第
図に瀺す。
第図は、LaBr3・CsCl0.001Ce3+蛍光䜓の
茝尜励起スペクトルを瀺す図である。
たた、実斜䟋およびで埗られた各蛍光䜓に
管電圧80KVpの線を照射したのち、He−Neレ
ヌザヌ波長632.8nmで励起したずきの茝尜
発光スペクトルを枬定した。その結果を第図に
瀺す。
第図においお曲線はそれぞれ、 LaBr3・CsCl0.001Ce3+蛍光䜓 実斜䟋の茝尜発光スペクトル LaCl3・CsBr0.001Ce3+蛍光䜓 実斜䟋茝尜発光スペクトル を瀺す。
実斜䟋  実斜䟋においお、塩化セシりムの量をLaBr3
モルに察しお〜10.0モルの範囲で倉化させる
こず以倖は実斜䟋ず同様の操䜜を行なうこずに
より、塩化セシりムの含有量の異なる各皮のセリ
りム賊掻臭化ランタン系蛍光䜓LaBr3・
aCsCl0.001Ce3+を埗た。
次に、実斜䟋で埗られた各蛍光䜓に管電圧
80KVpの線を照射したのち、He−Neレヌザヌ
波長632.8nmで励起したずきの茝尜発光匷
床を枬定した。その結果を第図に瀺す。
第図は、LaBr3・aCsCl0.001Ce3+蛍光䜓に
おける塩化セシりムの含有量倀ず茝尜発光
匷床ずの関係を瀺すグラフである。
実斜䟋  実斜䟋で埗られたセリりム賊掻臭化ランタン
系蛍光䜓LaBr3・CsCl0.001Ce3+の粒子ず
線状ポリ゚ステル暹脂ずの混合物にメチル゚チル
ケトンを添加し、さらに硝化床11.5のニトロセ
ルロヌスを添加しお蛍光䜓を分散状態で含有する
分散液を調補した。次に、この分散液に燐酞トリ
クレゞル、−ブタノヌル、そしおメチル゚チル
ケトンを添加したのち、プロペラミキサヌを甚い
お充分に撹拌混合しお、蛍光䜓が均䞀に分散し、
か぀結合剀ず蛍光䜓ずの混合比が10、粘床が
25〜35PS25℃の塗垃液を調補した。
次に、ガラス板䞊に氎平に眮いた二酞化チタン
緎り蟌みポリ゚チレンテレフタレヌトシヌト支
持䜓、厚み250ÎŒmの䞊に塗垃液をドクタヌブ
レヌドを甚いお均䞀に塗垃した。そしお塗垃埌
に、塗膜が圢成された支持䜓を也燥噚内に入れ、
この也燥噚の内郚の枩床を25℃から100℃に埐々
に䞊昇させお、塗膜の也燥を行な぀た。このよう
にしお、支持䜓䞊に局厚が250ÎŒmの蛍光䜓局を圢
成した。
そしお、この蛍光䜓局の䞊にポリ゚チレンテレ
フタレヌトの透明フむルム厚み12ÎŒm、ポリ
゚ステル系接着剀が付䞎されおいるものを接着
剀局偎を䞋に向けお眮いお接着するこずにより、
透明保護膜を圢成し、支持䜓、蛍光䜓局および透
明保護膜から構成された攟射線像倉換パネルを補
造した。
実斜䟋  実斜䟋においお、茝尜性蛍光䜓ずしお実斜䟋
で埗られたセリりム賊掻塩化ランタン系蛍光䜓
LaCl3・CsBr0.001Ce3+を甚いるこず以倖は
実斜䟋の方法ず同様の凊理を行なうこずによ
り、支持䜓、蛍光䜓局および透明保護膜から構成
された攟射線像倉換パネルを補造した。
実斜䟋  実斜䟋においお、茝尜性蛍光䜓ずしお実斜䟋
で埗られたセリりム賊掻臭化むツトリりム系蛍
光䜓YBr3・LiCl0.001Ce3+を甚いるこずは
以倖は、実斜䟋の方法ず同様の凊理を行なうこ
ずにより、支持䜓、蛍光䜓局および透明保護膜か
ら構成された攟射線像倉換パネルを補造した。
次に、実斜䟋およびで埗られた各攟射
線像倉換パネルに管電圧80KVpの線を照射し
たのちHe−Neレヌザヌ光波長632.8nmで
励起しお、パネルの感床茝尜発光茝床を枬定
した。その結果を第衚に瀺す。
第衚 盞察感床 実斜䟋 100 実斜䟋 95 実斜䟋 50
【図面の簡単な説明】
第図は、本発明に甚いられるセリりム賊掻垌
土類ハロゲン化物系蛍光䜓の具䜓䟋である
LaCe3・CsCl0.001Ce3+蛍光䜓の茝尜励起スペ
クトルを瀺す図である。第図は、本発明に甚い
られるセリりム賊掻垌土類ハロゲン化物系蛍光䜓
の具䜓䟋であるLaBr3・aCsCl0.001Ce3+蛍光䜓
およびLaBr3・aCsBr0.001Ce3+蛍光䜓の茝尜
発光スペクトルそれぞれ曲線を瀺す図
である。第図は、本発明に甚いられるセリりム
賊掻垌土類ハロゲン化物系蛍光䜓の具䜓䟋である
LaBr3・aCsCl0.001Ce3+蛍光䜓における倀ず
茝尜発光匷床ずの関係を瀺すグラフである。第
図は、本発明の攟射線像倉換方法を説明する抂略
図である。   攟射線発生装眮、  被写䜓、
  攟射線像倉換パネル、  光源、
  光電倉換装眮、  画像再生装眮、
  画像衚瀺装眮、  フむルタヌ。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  被写䜓を透過した、あるいは被怜䜓から発せ
    られた攟射線を、䞋蚘組成匏で衚わされる
    セリりム賊掻垌土類ハロゲン化物系蛍光䜓に吞収
    させた埌、この蛍光䜓に500〜850nmの波長領域
    の電磁波を照射するこずにより、該蛍光䜓に蓄積
    されおいる攟射線゚ネルギヌを蛍光ずしお攟出さ
    せ、そしおこの蛍光を怜出するこずを特城ずする
    攟射線像倉換方法。 組成匏 LnX3・aM〓X′xCe3+  ただし、LnはLaGdおよびLuからな
    る矀より遞ばれる少なくずも䞀皮の垌土類元玠で
    ありM〓はLiNaCsおよびRbからなる
    矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ金属で
    ありおよびX′はそれぞれCl、Brおよびか
    らなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲン
    でありそしおは≊10.0の範囲の数倀で
    あり、は≊0.2の範囲の数倀である  組成匏におけるが0.1≊≊2.0の範
    囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲
    第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  組成匏におけるが0.2≊≊1.0であ
    るこずを特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の
    攟射線像倉換方法。  組成匏におけるLnがおよびLaのう
    ちの少なくずも䞀皮であるこずを特城ずする特蚱
    請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  組成匏におけるM〓がCsおよびRbのう
    ちの少なくずも䞀皮であるこずを特城ずする特蚱
    請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  組成匏におけるおよびX′がそれぞ
    れClおよびBrのいずれかであ぀お、か぀≠
    X′であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲第
    項蚘茉の攟射線像倉換方法。  組成匏におけるが10-5≊≊10-2の
    範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  䞊蚘電磁波が500〜700nmの波長領域の電磁
    波であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲第項
    蚘茉の攟射線像倉換方法。  䞊蚘電磁波がレヌザヌ光であるこずを特城ず
    する特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方
    法。  支持䜓ず、この支持䜓䞊に蚭けられた茝尜
    性蛍光䜓を分散状態で含有支持する結合剀からな
    る蛍光䜓局ずから実質的に構成されおおり、該蛍
    光䜓局が、䞋蚘組成匏で衚わされるセリり
    ム賊掻垌土類ハロゲン化物系蛍光䜓を含有するこ
    ずを特城ずする攟射線像倉換パネル。 組成匏 LnX3・aM〓X′xCe3+  ただし、LnはLaGdおよびLuからな
    る矀より遞ばれる少なくずも䞀皮の垌土類元玠で
    ありM〓はLiNaCsおよびRbからなる
    矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ金属で
    ありおよびX′はそれぞれCl、Brおよびか
    らなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲン
    でありそしおは≊10.0の範囲の数倀で
    あり、は≊0.2の範囲の数倀である  組成匏におけるが0.1≊≊2.0の
    範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるが0.2≊≊1.0で
    あるこずを特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘
    茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるLnがおよびLaの
    うちの少なくずも䞀皮であるこずを特城ずする特
    蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネ
    ル。  組成匏におけるM〓がCsおよびRbの
    うちの少なくずも䞀皮であるこずを特城ずする特
    蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネ
    ル。  組成匏におけるおよびX′がそれ
    ぞれClおよびBrのいずれかであ぀お、か぀≠
    X′であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲第
    項蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるが10-5≊≊10-2
    の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の
    範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。
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