JPS61199640A - 原子の導入装置 - Google Patents
原子の導入装置Info
- Publication number
- JPS61199640A JPS61199640A JP60040177A JP4017785A JPS61199640A JP S61199640 A JPS61199640 A JP S61199640A JP 60040177 A JP60040177 A JP 60040177A JP 4017785 A JP4017785 A JP 4017785A JP S61199640 A JPS61199640 A JP S61199640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- silicon substrate
- excimer laser
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 48
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 43
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 43
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 abstract description 21
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 abstract description 16
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 15
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract 2
- 206010001497 Agitation Diseases 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 3
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 CC14 and SF6 Chemical class 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
- H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 一
本発明は、原子の導入装置に関し、特に半導体の表層部
に酸素を導入して酸化膜を形成する装置に関するもので
ある。
に酸素を導入して酸化膜を形成する装置に関するもので
ある。
近年の半導体装置の製造工程においては、酸化膜形成が
不可欠な技術になっている。
不可欠な技術になっている。
従来、半導体装置の製造工程の中でもシリコン基板など
の半導体基板上に酸化膜を形成する方法としでは、たと
えば、乾燥酸化、水蒸気酸化などの熱酸化による方法や
、気相成長法などが知られており、これら種々の方法に
応じた装置によって酸化膜が形成されている。
の半導体基板上に酸化膜を形成する方法としでは、たと
えば、乾燥酸化、水蒸気酸化などの熱酸化による方法や
、気相成長法などが知られており、これら種々の方法に
応じた装置によって酸化膜が形成されている。
しかしながら、技術の進歩に伴う歩留り向上の要求や、
平面的のみならず立体的な微細化の要求があり、これら
の要求に答える技術として低温で迅速かつ高精度に酸化
膜を形成する方法が求められ、これに応する一例として
、第３図に示すようなパルスレーザ−であるＸｅＣｌエ
キシマレーザ−４１を使用し、反応室４４に半導体基板
４２を配置し、この反応室４４に酸素ガスボンベ４３が
ら酸素を送ってこの反応室４４を酸素雰囲気とし、上記
ＸｅＣｌエキシマレーザ−４１を照射して上記半導体基
体４２の表層に吸収させ表層部のみを瞬時加熱して、表
層部分に酸化膜を迅速に形成するとともに、この内部側
の歪などの発生を防止するような酸化膜の形成の装置が
知られている。
平面的のみならず立体的な微細化の要求があり、これら
の要求に答える技術として低温で迅速かつ高精度に酸化
膜を形成する方法が求められ、これに応する一例として
、第３図に示すようなパルスレーザ−であるＸｅＣｌエ
キシマレーザ−４１を使用し、反応室４４に半導体基板
４２を配置し、この反応室４４に酸素ガスボンベ４３が
ら酸素を送ってこの反応室４４を酸素雰囲気とし、上記
ＸｅＣｌエキシマレーザ−４１を照射して上記半導体基
体４２の表層に吸収させ表層部のみを瞬時加熱して、表
層部分に酸化膜を迅速に形成するとともに、この内部側
の歪などの発生を防止するような酸化膜の形成の装置が
知られている。
前述のように、ＸｅＣＩエキシマレーザ−４１などの短
波長パルスレーザ−を使用する装置には、高速に酸化膜
を形成できる他、低温で半導体基板４２内部にダメージ
を与えることなく酸化を行うことができるという長所が
ある。しかし、雰囲気を酸素ｏ２にすることでは表面の
酸化反応速度が遅く、十分に短波長レーザーの性能を引
き出せないのみならず、酸化反応が瞬時がっ低温で行わ
れるため、ＳｉＯと５ｉ０２とが併存するような不均一
な酸化膜が形成されるおそれもあり、また、酸素原子の
導入に限らず、たとえば窒化膜の形成についても同様な
問題点があった。
波長パルスレーザ−を使用する装置には、高速に酸化膜
を形成できる他、低温で半導体基板４２内部にダメージ
を与えることなく酸化を行うことができるという長所が
ある。しかし、雰囲気を酸素ｏ２にすることでは表面の
酸化反応速度が遅く、十分に短波長レーザーの性能を引
き出せないのみならず、酸化反応が瞬時がっ低温で行わ
れるため、ＳｉＯと５ｉ０２とが併存するような不均一
な酸化膜が形成されるおそれもあり、また、酸素原子の
導入に限らず、たとえば窒化膜の形成についても同様な
問題点があった。
そこで本発明は、このような問題点に鑑み、基体の表層
部分に高速でかつ均一に所望の原子の導入領域たとえば
酸化膜を形成する装置を提供することを目的とする。
部分に高速でかつ均一に所望の原子の導入領域たとえば
酸化膜を形成する装置を提供することを目的とする。
ｃ問題点を解決するための手段〕
光分解可能なガス中の構成原子を基体に導入する装置に
おいて、上記ガスを光分解させるためのエネルギービー
ムを上記基体表面と略平行に照射する手段と、上記原子
と上記基体との反応を促進させるためのエネルギービー
ムを上記基体表面に照射するための手段とを有する原子
の導入装置により上述の問題点を解決する。
おいて、上記ガスを光分解させるためのエネルギービー
ムを上記基体表面と略平行に照射する手段と、上記原子
と上記基体との反応を促進させるためのエネルギービー
ムを上記基体表面に照射するための手段とを有する原子
の導入装置により上述の問題点を解決する。
本発明の導入装置は、光分解可能なガス（以下、強反応
性ガスという。）の雰囲気の反応室内に基体を配置し、
上記基体表面と略平行にエネルギービームを照射する手
段により、上記基体表面近傍の上記強反応性ガスを、基
体表面上で均一かつ効率良く光分解し、この光分解した
強反応性ガスの構成原子が、他のエネルギービームによ
って反応促進された基体の構成原子と容易に結合するこ
とによって容易かつ高速に上記強反応性ガスの構成原子
を基体内に導入する。
性ガスという。）の雰囲気の反応室内に基体を配置し、
上記基体表面と略平行にエネルギービームを照射する手
段により、上記基体表面近傍の上記強反応性ガスを、基
体表面上で均一かつ効率良く光分解し、この光分解した
強反応性ガスの構成原子が、他のエネルギービームによ
って反応促進された基体の構成原子と容易に結合するこ
とによって容易かつ高速に上記強反応性ガスの構成原子
を基体内に導入する。
本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明する。
本発明の第１の実施例では、基体と略平行に照射される
エネルギービームに短波長のパルスレーザ−であるＸｅ
Ｃｌエキシマレーザ−（波長３０８ｎｍ）を使用し、基
体に直接照射されこの基体の加熱に供し反応を促進する
エネルギービームに短波長のパルスレーザ−であるＸｅ
Ｆエキシマレーザ−（波長３５０ｎｍ）を使用する。ま
た、強反応性ガスとしてオゾンと酸素の混合ガス（分圧
０．５気圧の０２ガスおよび分圧０．５気圧の１％の０
３ガスを含むｏ２ガスの混合ガス。以下、該混合ガスを
０３１０２ガスと称す。）を使用し、この混合ガスの雰
囲気中で基体であるシリコン基板に酸素原子を導入して
酸化膜を形成する導入装置を説明する。
エネルギービームに短波長のパルスレーザ−であるＸｅ
Ｃｌエキシマレーザ−（波長３０８ｎｍ）を使用し、基
体に直接照射されこの基体の加熱に供し反応を促進する
エネルギービームに短波長のパルスレーザ−であるＸｅ
Ｆエキシマレーザ−（波長３５０ｎｍ）を使用する。ま
た、強反応性ガスとしてオゾンと酸素の混合ガス（分圧
０．５気圧の０２ガスおよび分圧０．５気圧の１％の０
３ガスを含むｏ２ガスの混合ガス。以下、該混合ガスを
０３１０２ガスと称す。）を使用し、この混合ガスの雰
囲気中で基体であるシリコン基板に酸素原子を導入して
酸化膜を形成する導入装置を説明する。
先ず、この導入装置の動作原理を説明すると、基体と略
平行に照射されるエネルギービームであるＸｅＣｌエキ
シマレーザ−装置７のレーザービームａが、強反応性ガ
スである０３１０２ガスに照射する。すなわち、該レー
ザービームａの０３１０２ガスに対する照射によって、
レーザービームａのエネルギーが光吸収され、 Ｑ３−Ｌｘ・０２ ＋Ｑ本 という光分解によって、励起状態の酸素原子０本が生成
される。この生成された励起状態の酸素原子は酸化力が
強いため迅速な酸化反応を実現でき、従って、基板には
、高速にかつ十分に酸化されて均一な酸化膜が形成され
る。
平行に照射されるエネルギービームであるＸｅＣｌエキ
シマレーザ−装置７のレーザービームａが、強反応性ガ
スである０３１０２ガスに照射する。すなわち、該レー
ザービームａの０３１０２ガスに対する照射によって、
レーザービームａのエネルギーが光吸収され、 Ｑ３−Ｌｘ・０２ ＋Ｑ本 という光分解によって、励起状態の酸素原子０本が生成
される。この生成された励起状態の酸素原子は酸化力が
強いため迅速な酸化反応を実現でき、従って、基板には
、高速にかつ十分に酸化されて均一な酸化膜が形成され
る。
一方、ＸｅＦエキシマレーザ−装置６のレーザー ビー
ムｂは、基体であるシリコン基板２に直接照射され、該
シリコン基板の表層部のみを加熱して、上記光分解によ
る迅速な酸化膜形成を助長する。すなわち、上記ＸｅＣ
Ｉエキシマレーザ−装置７のレーザービームａと上記Ｘ
ｅＦエキシマレーザー装置６のレーザービームｂの２つ
のエネルギービームの相乗作用によって酸化膜を高速に
形成するものである。ここでシリコン基板２の表層部分
で起こる反応は、 ａ） ０３ ＋Ｓ ｉ→ｓ ｉ Ｏ＋０２及び、 ｂ） ＳｉＯ＋０３−＝ＳｉＯ２＋０２という二段階
の反応によって進行していると考えられ、シリコン基板
２の構成原子であるシリコン原子との反応が、上記光分
解の作用と相まって−層高速の酸化膜を形成できる。
ムｂは、基体であるシリコン基板２に直接照射され、該
シリコン基板の表層部のみを加熱して、上記光分解によ
る迅速な酸化膜形成を助長する。すなわち、上記ＸｅＣ
Ｉエキシマレーザ−装置７のレーザービームａと上記Ｘ
ｅＦエキシマレーザー装置６のレーザービームｂの２つ
のエネルギービームの相乗作用によって酸化膜を高速に
形成するものである。ここでシリコン基板２の表層部分
で起こる反応は、 ａ） ０３ ＋Ｓ ｉ→ｓ ｉ Ｏ＋０２及び、 ｂ） ＳｉＯ＋０３−＝ＳｉＯ２＋０２という二段階
の反応によって進行していると考えられ、シリコン基板
２の構成原子であるシリコン原子との反応が、上記光分
解の作用と相まって−層高速の酸化膜を形成できる。
第１図に示すように、上記原理に基づく導入装置１の構
造は、シリコン基板２を固定しこのシリコン基板２の表
層部の酸化膜形成が行われる反応室３と、この反応室３
の上部に取り付けられ石英窓４を介して上記シリコン基
板２に照射されるＸｅＦエキシマレーザ−装置６と、上
記反応室３の側方部に取り付けられ石英窓８を介して上
記０３１０２ガス雰囲気に上記シリコン基板２と略平行
に照射されるＸｅＣｌエキシマレーザ−装置７とを有し
、さらに、上記反応室３に給気口９を介して強反応性ガ
スである上記０３１０！１ガスが送られる構造になって
いる。
造は、シリコン基板２を固定しこのシリコン基板２の表
層部の酸化膜形成が行われる反応室３と、この反応室３
の上部に取り付けられ石英窓４を介して上記シリコン基
板２に照射されるＸｅＦエキシマレーザ−装置６と、上
記反応室３の側方部に取り付けられ石英窓８を介して上
記０３１０２ガス雰囲気に上記シリコン基板２と略平行
に照射されるＸｅＣｌエキシマレーザ−装置７とを有し
、さらに、上記反応室３に給気口９を介して強反応性ガ
スである上記０３１０！１ガスが送られる構造になって
いる。
そして、上記シリコン基板２の表層部に対する酸化膜の
形成にあたっては、上記ＸｅＣ１エキシマレーザ−装置
７のレーザービームａは、上記０３１０２ガスの光分解
を惹起させ、励起状態の酸素原子を生成し、上記シリコ
ン基板２への酸素原子の導入が容易になるような状態を
形成する。一方、上記ＸｅＦエキシマレーザー装置６の
レーザービームｂは、その照射によってシリコン基板２
の表層部のみを予備加熱し、これによって、上記シリコ
ン基板２の構成原子であるシリコン原子と上記光分解に
よって容易に導入される酸素原子を結合する。すなわち
、上述したこの２つレーザービームａ、ｂの相乗作用に
よって、容易かつ迅速に導入領域である酸化膜を形成す
ることができる。
形成にあたっては、上記ＸｅＣ１エキシマレーザ−装置
７のレーザービームａは、上記０３１０２ガスの光分解
を惹起させ、励起状態の酸素原子を生成し、上記シリコ
ン基板２への酸素原子の導入が容易になるような状態を
形成する。一方、上記ＸｅＦエキシマレーザー装置６の
レーザービームｂは、その照射によってシリコン基板２
の表層部のみを予備加熱し、これによって、上記シリコ
ン基板２の構成原子であるシリコン原子と上記光分解に
よって容易に導入される酸素原子を結合する。すなわち
、上述したこの２つレーザービームａ、ｂの相乗作用に
よって、容易かつ迅速に導入領域である酸化膜を形成す
ることができる。
この第１の実施例に示す原子の導入装置ｌは、２つのレ
ーザービームａ、ｂの上記相乗作用による高速な酸化膜
形成のみならず、他の効果も挙げることができる。すな
わち、光分解を起こさせる上記ＸｅＣｌエキシマレーザ
−装置７のレーザービームａは、上記シリコン基板２と
略平行に照射されるため、シリコン基板２表面の極近傍
で光分解を起こさせることができ、シリコン基板２の表
面に対して一様に励起状態の酸素原子を導入することが
できる。また、光分解を起こさせる上記ＸｅＣｌエキシ
マレーザ−装置７のレーザービームａは、局部的にシリ
コン基板２を照射することもなく、従って、照射した部
分に歪を与えることもない、さらに、光分解を起こさせ
る領域をシリコン基板２の表面上に広くとることができ
、さらにまた、レーザービームａのスキャニング方向も
シリコン基板２の表面が水平に配置された場合には、水
平方向の走査のみで足り、膜厚が均一で均質な酸化膜の
形成を行うことができる。また、この原子の導入装置１
は、単一のレーザービームでなく２つの目的のことなる
レーザービームａ、ｂの複合作用によるため、各レーザ
ービームの操作によって膜厚の制御が容易である。
ーザービームａ、ｂの上記相乗作用による高速な酸化膜
形成のみならず、他の効果も挙げることができる。すな
わち、光分解を起こさせる上記ＸｅＣｌエキシマレーザ
−装置７のレーザービームａは、上記シリコン基板２と
略平行に照射されるため、シリコン基板２表面の極近傍
で光分解を起こさせることができ、シリコン基板２の表
面に対して一様に励起状態の酸素原子を導入することが
できる。また、光分解を起こさせる上記ＸｅＣｌエキシ
マレーザ−装置７のレーザービームａは、局部的にシリ
コン基板２を照射することもなく、従って、照射した部
分に歪を与えることもない、さらに、光分解を起こさせ
る領域をシリコン基板２の表面上に広くとることができ
、さらにまた、レーザービームａのスキャニング方向も
シリコン基板２の表面が水平に配置された場合には、水
平方向の走査のみで足り、膜厚が均一で均質な酸化膜の
形成を行うことができる。また、この原子の導入装置１
は、単一のレーザービームでなく２つの目的のことなる
レーザービームａ、ｂの複合作用によるため、各レーザ
ービームの操作によって膜厚の制御が容易である。
次に、第２の実施例として、基体に略平行に照射するエ
ネルギービームとして短波長のパルスレーザ−であるＸ
ｅＣｌエキシマレーザ−を使用し、基体を予備加熱する
だけでなく基体の構成原子の間のボンディングを切断す
るエネルギービームとして同じく短波長のパルスレーザ
−であるＫｒＦエキシマレーザ−（波長２４９ｎｍ）を
使用した例を説明する。
ネルギービームとして短波長のパルスレーザ−であるＸ
ｅＣｌエキシマレーザ−を使用し、基体を予備加熱する
だけでなく基体の構成原子の間のボンディングを切断す
るエネルギービームとして同じく短波長のパルスレーザ
−であるＫｒＦエキシマレーザ−（波長２４９ｎｍ）を
使用した例を説明する。
基体を、上記第１の実施例と同様にシリコン基板１２を
選択した場合には、第４図に示すように、Ｓｉ原子の間
のボンディング切断は波長に依存し、およそ２６０ｎｍ
以下の波長で生ずることが知られている。従って、上記
ＫｒＦエキシマレーザ−を上記シリコン基板１２に照射
したときは、照射されたシリコン基板１２の表層部のシ
リコン原子のボンディング切断が生ずる。この第２の実
施例は、この原理を応用したものである。
選択した場合には、第４図に示すように、Ｓｉ原子の間
のボンディング切断は波長に依存し、およそ２６０ｎｍ
以下の波長で生ずることが知られている。従って、上記
ＫｒＦエキシマレーザ−を上記シリコン基板１２に照射
したときは、照射されたシリコン基板１２の表層部のシ
リコン原子のボンディング切断が生ずる。この第２の実
施例は、この原理を応用したものである。
この第２の実施例の導入装置１１は、第２図に示すよう
に、シリコン基板１２を固定しこのシリコン基板１２の
表層部の酸化膜形成が行われる反応室１３と、この反応
室１３の上部に取り付けられ石英窓１４を介して上記シ
リコン基板１２に照射されるＫｒＦエキシマレーザ−装
置１６と、上記反応室１３の側方部に取り付けられ石英
窓１８を介して上記０３１０２ガス雰囲気に上記シリコ
ン基板１２と略平行に照射されるＸｅＣＩエキシマレー
ザ−装置１７とを有し、さらに、上記反応室１３に給気
口１９を介して強反応性ガスである上記０３１０２ガス
が送られる構造になっている。
に、シリコン基板１２を固定しこのシリコン基板１２の
表層部の酸化膜形成が行われる反応室１３と、この反応
室１３の上部に取り付けられ石英窓１４を介して上記シ
リコン基板１２に照射されるＫｒＦエキシマレーザ−装
置１６と、上記反応室１３の側方部に取り付けられ石英
窓１８を介して上記０３１０２ガス雰囲気に上記シリコ
ン基板１２と略平行に照射されるＸｅＣＩエキシマレー
ザ−装置１７とを有し、さらに、上記反応室１３に給気
口１９を介して強反応性ガスである上記０３１０２ガス
が送られる構造になっている。
そして、この第２の実施例に基づく導入装置１ｌは、上
記第１の実施例に準じ、シリコン基板１２と略平行に照
射される上記ＸｅＣｌエキシマレーザ−装置１７のレー
ザービームＣは、０３１０２ガスの光分解を起こさせる
が、一方上記ＫｒＦエキシマレーザー装置１６のレーザ
ービームｄは、上記シリコン基板１２の表層部の予備加
熱のみならず、短波長であるため上記シリコン基板１２
の構成原子であるシリコン原子のボンディング切断を引
き起こすことができる。そして、このボンディング切断
されたシリコン原子は、上記ＸｅＣｌエキシマレーザ−
装置１７のレーザービームＣによって光分解され、励起
状態となった酸素原子０本と容易に結合することができ
るため、一層迅速に酸化膜を形成することができる。ま
た、この場合も、上記第１−の実施例と同様に、光分解
を起こさせる上記ＸｅＣ１エキシマレーザ−装置１７の
レーザービームＣは、上記シリコン基板１２と略平行に
照射されるため、シリコン基板１２表面の極近傍で光分
解を起こさせることができ、シリコン基板１２の表面に
対して一様に励起状態の酸素原子を導入することができ
る。また、光分解を起こさせる領域をシリコン基板１２
の表面上に広くとることができ、さらにまた、レーザー
ビームＣのスキャニング方向もシリコン基板１２の表面
が水平に配置された場合には、水平方向の走査のみで足
り、膜厚が均一で均質な酸化膜の形成を行うことができ
る。また、この原子の導入装置１１は、単一のレーザー
ビームでなく２つの目的のことなるレーザービームｃ、
ｄの複合作用によるため、各レーザービームの操作によ
って膜厚の制御が容易である。
記第１の実施例に準じ、シリコン基板１２と略平行に照
射される上記ＸｅＣｌエキシマレーザ−装置１７のレー
ザービームＣは、０３１０２ガスの光分解を起こさせる
が、一方上記ＫｒＦエキシマレーザー装置１６のレーザ
ービームｄは、上記シリコン基板１２の表層部の予備加
熱のみならず、短波長であるため上記シリコン基板１２
の構成原子であるシリコン原子のボンディング切断を引
き起こすことができる。そして、このボンディング切断
されたシリコン原子は、上記ＸｅＣｌエキシマレーザ−
装置１７のレーザービームＣによって光分解され、励起
状態となった酸素原子０本と容易に結合することができ
るため、一層迅速に酸化膜を形成することができる。ま
た、この場合も、上記第１−の実施例と同様に、光分解
を起こさせる上記ＸｅＣ１エキシマレーザ−装置１７の
レーザービームＣは、上記シリコン基板１２と略平行に
照射されるため、シリコン基板１２表面の極近傍で光分
解を起こさせることができ、シリコン基板１２の表面に
対して一様に励起状態の酸素原子を導入することができ
る。また、光分解を起こさせる領域をシリコン基板１２
の表面上に広くとることができ、さらにまた、レーザー
ビームＣのスキャニング方向もシリコン基板１２の表面
が水平に配置された場合には、水平方向の走査のみで足
り、膜厚が均一で均質な酸化膜の形成を行うことができ
る。また、この原子の導入装置１１は、単一のレーザー
ビームでなく２つの目的のことなるレーザービームｃ、
ｄの複合作用によるため、各レーザービームの操作によ
って膜厚の制御が容易である。
本発明の導入装置１．１１に使用される強反応性ガスは
、上記第１ないし第２の実施例については、オゾンの混
合ガスについて説明したが、強反応性ガスはこれに限定
されず、たとえばＮＯガス、Ｎ２０ガス、Ｎｏ２ガスや
ハロゲンであるＣＩ。
、上記第１ないし第２の実施例については、オゾンの混
合ガスについて説明したが、強反応性ガスはこれに限定
されず、たとえばＮＯガス、Ｎ２０ガス、Ｎｏ２ガスや
ハロゲンであるＣＩ。
等のガスや、ハロゲン化合物であるＣＣ１４やＳＦ６な
どのガスあるいはこれらの組み合わせでもよく、さらに
窒化膜形成のためにアンモニアガスも使用することがで
き、また、ハロゲン等の種々の原子を導入するの通用す
ることができ、エネルギービームが照射された場合に、
光分解を生じて容易に基板の構成原子と結合するもので
あればいかなるものでもよい。
どのガスあるいはこれらの組み合わせでもよく、さらに
窒化膜形成のためにアンモニアガスも使用することがで
き、また、ハロゲン等の種々の原子を導入するの通用す
ることができ、エネルギービームが照射された場合に、
光分解を生じて容易に基板の構成原子と結合するもので
あればいかなるものでもよい。
また、基体に略平行に照射しこの基体の雰囲気ガスであ
る強反応性ガスを光分解するエネルギービームは、強反
応性ガスに応じて選択できるものであり、これらの関係
は波長によりすなわち加熱、光分解およびボンディング
切断という機能面から選択もしくは組み合わせることが
できる。−例として、第４図に示すようにＮｏ２ガス、
Ｎ２０ガスおよび０２ガスを使用する場合は、Ｎｏ２は
２４４ｎｍ以下、Ｎ２０は２３０ ｎｍ以下、ｏ２は１
７５ｎｍ以下の波長でそれぞれ光分解するため、例えば
、ｏ２では、Ｘｅレゾナンスランプ、Ｆ２エキシマレー
ザ−１ＡｒＦエキシマレーザ−などを使用することがで
き、またＮ２０では、ＡｒＦエキシマレーザ−２重水素
ランプ、低圧水銀灯などを使用することができ、上述し
た０３については、上記ＫｒＦエキシマレーザー１上記
低圧水銀灯、重水素ランプ、ＸｅＣｌエキシマレーザ−
などを使用することができ、これらのエネルギービーム
によって光分解を行い、容易に基板の構成原子と結合さ
せる。またさらに、エネルギービームは、各種レーザー
ビームの高次の高調波を使用することもでき、エレクト
ロンビーム、イオンビームでもよい。
る強反応性ガスを光分解するエネルギービームは、強反
応性ガスに応じて選択できるものであり、これらの関係
は波長によりすなわち加熱、光分解およびボンディング
切断という機能面から選択もしくは組み合わせることが
できる。−例として、第４図に示すようにＮｏ２ガス、
Ｎ２０ガスおよび０２ガスを使用する場合は、Ｎｏ２は
２４４ｎｍ以下、Ｎ２０は２３０ ｎｍ以下、ｏ２は１
７５ｎｍ以下の波長でそれぞれ光分解するため、例えば
、ｏ２では、Ｘｅレゾナンスランプ、Ｆ２エキシマレー
ザ−１ＡｒＦエキシマレーザ−などを使用することがで
き、またＮ２０では、ＡｒＦエキシマレーザ−２重水素
ランプ、低圧水銀灯などを使用することができ、上述し
た０３については、上記ＫｒＦエキシマレーザー１上記
低圧水銀灯、重水素ランプ、ＸｅＣｌエキシマレーザ−
などを使用することができ、これらのエネルギービーム
によって光分解を行い、容易に基板の構成原子と結合さ
せる。またさらに、エネルギービームは、各種レーザー
ビームの高次の高調波を使用することもでき、エレクト
ロンビーム、イオンビームでもよい。
また、基体としては、上述したシリコン基板に限定され
ずＧａＡｓ、Ｔａ、Ｍｏ５Ａｌなどの基板でもよく、Ｇ
ａＡｓ基板の場合は、基板内部の砒素の発生を防止し迅
速に酸化膜を形成することもできる。
ずＧａＡｓ、Ｔａ、Ｍｏ５Ａｌなどの基板でもよく、Ｇ
ａＡｓ基板の場合は、基板内部の砒素の発生を防止し迅
速に酸化膜を形成することもできる。
また、上記強反応性ガスの圧力については、上記第１お
よび第２の実施例の０３ガス分圧に限定されず、たとえ
ば０３ガスの分圧を高くすることにより、あるいは圧力
を常圧から高圧へと制御することにより、より反応速度
を向上させることができる。
よび第２の実施例の０３ガス分圧に限定されず、たとえ
ば０３ガスの分圧を高くすることにより、あるいは圧力
を常圧から高圧へと制御することにより、より反応速度
を向上させることができる。
また、上記第１の実施例及び上記第２の実施例について
、基体を予備加熱するエネルギービームとしては、上述
の例に限定されずに、たとえばＡｒレーザー、ＸｅＣ１
エキシマレーザ−１ＡｒＦエキシマレーザ−１さらには
、ルビーレーザー、ＹＡＧレーザー等の高次の高調波な
どを使用することができる。またさらに、低圧水銀ラン
プ、エレクトロンビーム、イオンビーム等の光源を使用
することもできる。
、基体を予備加熱するエネルギービームとしては、上述
の例に限定されずに、たとえばＡｒレーザー、ＸｅＣ１
エキシマレーザ−１ＡｒＦエキシマレーザ−１さらには
、ルビーレーザー、ＹＡＧレーザー等の高次の高調波な
どを使用することができる。またさらに、低圧水銀ラン
プ、エレクトロンビーム、イオンビーム等の光源を使用
することもできる。
本発明に係る導入装置を使用することによって、たとえ
ばシリコン基板などの半導体等の基体にたとえば酸素原
子などの光分解可能なガスの構成原子を容易にかつ迅速
に導入することができる。また、導入により形成された
反応層は、均一かつ均質であり、さらにその膜厚の制御
も容易である等の優れた利点を有している。
ばシリコン基板などの半導体等の基体にたとえば酸素原
子などの光分解可能なガスの構成原子を容易にかつ迅速
に導入することができる。また、導入により形成された
反応層は、均一かつ均質であり、さらにその膜厚の制御
も容易である等の優れた利点を有している。
第１ｖｌＪは第１の実施例を説明する導入装置の概略構
造図であり、第２図は第２の実施例に例示した導入装置
の概略構造図であり、第３図は従来の導入装置の一例と
しての酸化膜形成装置を示す構造図であり、第４図はエ
ネルギービームの波長による特性を説明する特性図であ
る。 ２．１２・・・基体（シリコン基板） ６・・・・・・ＸｅＦエキシマレーザ−装置７・・・・
・・ＸｅＣｌエキシマレーザ−装置１６・・・・・Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ−装置１７・・・・・ＸｅＣ１エキシ
マレーザ−装置時 許 出 願 人 ソニー株式会社
代理人 弁理士 小池 見間
田村榮− ぺδ ″ へ 第３− 第４ｖｓ 手続補正書（自船 １、事件の表示 昭和６０年 特許願 第４０１７７号 ２、発明の名称 原子の導入装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称 （２
１Ｂ） ソ ニ − 株 式 会 社代表者大賀典雄 ４、代理人 住所 〒１０５東京都港区虎ノ門二丁目６番４号第１１
森ビル１１階 Ｔｎ （５０Ｂ） ８２６６ ｆ＠自
発 ７、補正の内容 明細書、第１４頁第８行目〜第１１行目に記載される「
上述したシリコン基板に限定されずＧａＡｓ、Ｔａｓ
Ｍｏ、Ａ Ｉなどの基板でもよく、ＧａＡｓ基板の場合
は、基板内部の砒素を発生を防止し」を 「上述したシリコン基板に限定されずゲルマニウム基板
やＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ等の化合物半導体の基板、
Ｔａ、Ｍｏ、Ａ１などの金属の基板でもよく、ＧａＡｓ
５ Ｉ ｎＰＳＧａＰ等の基板の場合は、基板内部の砒
素や燐等の発生を防止し」と補正する。 以上
造図であり、第２図は第２の実施例に例示した導入装置
の概略構造図であり、第３図は従来の導入装置の一例と
しての酸化膜形成装置を示す構造図であり、第４図はエ
ネルギービームの波長による特性を説明する特性図であ
る。 ２．１２・・・基体（シリコン基板） ６・・・・・・ＸｅＦエキシマレーザ−装置７・・・・
・・ＸｅＣｌエキシマレーザ−装置１６・・・・・Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ−装置１７・・・・・ＸｅＣ１エキシ
マレーザ−装置時 許 出 願 人 ソニー株式会社
代理人 弁理士 小池 見間
田村榮− ぺδ ″ へ 第３− 第４ｖｓ 手続補正書（自船 １、事件の表示 昭和６０年 特許願 第４０１７７号 ２、発明の名称 原子の導入装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称 （２
１Ｂ） ソ ニ − 株 式 会 社代表者大賀典雄 ４、代理人 住所 〒１０５東京都港区虎ノ門二丁目６番４号第１１
森ビル１１階 Ｔｎ （５０Ｂ） ８２６６ ｆ＠自
発 ７、補正の内容 明細書、第１４頁第８行目〜第１１行目に記載される「
上述したシリコン基板に限定されずＧａＡｓ、Ｔａｓ
Ｍｏ、Ａ Ｉなどの基板でもよく、ＧａＡｓ基板の場合
は、基板内部の砒素を発生を防止し」を 「上述したシリコン基板に限定されずゲルマニウム基板
やＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ等の化合物半導体の基板、
Ｔａ、Ｍｏ、Ａ１などの金属の基板でもよく、ＧａＡｓ
５ Ｉ ｎＰＳＧａＰ等の基板の場合は、基板内部の砒
素や燐等の発生を防止し」と補正する。 以上
Claims (1)
- 光分解可能なガス中の構成原子を基体に導入する装置に
おいて、上記ガスを光分解させるためのエネルギービー
ムを上記基体表面と略平行に照射する手段と、上記原子
と上記基体との反応を促進させるためのエネルギービー
ムを上記基体表面に照射するための手段とを有する原子
の導入装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040177A JPH0691073B2 (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 原子の導入装置 |
| KR1019860001276A KR940000905B1 (ko) | 1985-02-28 | 1986-02-24 | 원자의 도입장치 |
| PCT/JP1986/000103 WO1986005320A1 (en) | 1985-02-28 | 1986-02-28 | Method and system for fabricating insulating layer on semiconductor substrate surface |
| DE8686901517A DE3680623D1 (de) | 1985-02-28 | 1986-02-28 | Verfahren zur herstellung isolierender oxid-schichten auf einem halbleiterkoerper. |
| EP86901517A EP0216933B1 (en) | 1985-02-28 | 1986-02-28 | Method for fabricating an insulating oxide layer on semiconductor substrate surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040177A JPH0691073B2 (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 原子の導入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199640A true JPS61199640A (ja) | 1986-09-04 |
| JPH0691073B2 JPH0691073B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=12573490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60040177A Expired - Fee Related JPH0691073B2 (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 原子の導入装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691073B2 (ja) |
| KR (1) | KR940000905B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06104196A (ja) * | 1991-10-04 | 1994-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US6660575B1 (en) | 1991-10-04 | 2003-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a semiconductor device |
| JP2009188282A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイス |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS595621A (ja) * | 1982-07-01 | 1984-01-12 | Nec Corp | 薄膜形成方法 |
| JPS5932122A (ja) * | 1982-08-16 | 1984-02-21 | Hitachi Ltd | 表面改質装置 |
| JPS5940525A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 成膜方法 |
| JPS5961919A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-09 | Hitachi Ltd | 薄膜の製造方法 |
| JPS59182530A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Hitachi Ltd | 半導体形成方法 |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP60040177A patent/JPH0691073B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-02-24 KR KR1019860001276A patent/KR940000905B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS595621A (ja) * | 1982-07-01 | 1984-01-12 | Nec Corp | 薄膜形成方法 |
| JPS5932122A (ja) * | 1982-08-16 | 1984-02-21 | Hitachi Ltd | 表面改質装置 |
| JPS5940525A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 成膜方法 |
| JPS5961919A (ja) * | 1982-10-01 | 1984-04-09 | Hitachi Ltd | 薄膜の製造方法 |
| JPS59182530A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Hitachi Ltd | 半導体形成方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06104196A (ja) * | 1991-10-04 | 1994-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US6660575B1 (en) | 1991-10-04 | 2003-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a semiconductor device |
| US6919239B2 (en) | 1991-10-04 | 2005-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a semiconductor device |
| JP2009188282A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940000905B1 (ko) | 1994-02-04 |
| KR860006833A (ko) | 1986-09-15 |
| JPH0691073B2 (ja) | 1994-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3190653B2 (ja) | アニール方法およびアニール装置 | |
| JPS61174639A (ja) | 光エツチング方法 | |
| JPS61199640A (ja) | 原子の導入装置 | |
| JPH04167985A (ja) | ウェハの割断方法 | |
| JPS63224233A (ja) | 表面処理方法 | |
| JPS61199639A (ja) | 半導体の酸化方法 | |
| JPH01164781A (ja) | ビームを用いた局部熱処理方法 | |
| JPH01313930A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JPS5940525A (ja) | 成膜方法 | |
| JPH0982803A (ja) | バイアホール形成方法および装置 | |
| JPS61199638A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JPS6132429A (ja) | 半導体素子の製造装置 | |
| JPH0729839A (ja) | 熱処理装置及びこれを用いた熱処理方法 | |
| WO1986005320A1 (en) | Method and system for fabricating insulating layer on semiconductor substrate surface | |
| JPH01175231A (ja) | アッシング方法 | |
| JPS6380989A (ja) | 窒化ケイ素焼結材の切断加工方法 | |
| JPH0974067A (ja) | ドーピング方法及びドーピング装置 | |
| JPS60216561A (ja) | 熱処理方法 | |
| JPH04176126A (ja) | 基板処理方法及びその装置 | |
| JPH05102130A (ja) | 酸化膜の形成方法 | |
| JPH04141589A (ja) | 光処理法及び光処理装置 | |
| JPS61121432A (ja) | 減圧ｃｖｄ膜製造装置 | |
| JPS62163333A (ja) | プラズマ酸化法とその装置 | |
| JPS60162776A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6197912A (ja) | Ｃｖｄ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |