JPH0982803A - バイアホール形成方法および装置 - Google Patents
バイアホール形成方法および装置Info
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- JPH0982803A JPH0982803A JP24133295A JP24133295A JPH0982803A JP H0982803 A JPH0982803 A JP H0982803A JP 24133295 A JP24133295 A JP 24133295A JP 24133295 A JP24133295 A JP 24133295A JP H0982803 A JPH0982803 A JP H0982803A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造プロセスを変更することなく高品質のバ
イアホールを形成する。 【解決手段】 導体配線２２上に絶縁膜２１が被覆され
た試料３に対して連続励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレー
ザの第四高調波光（ＦＨ光）を照射して、絶縁膜２１表
面に、フラッシュランプ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレ
ーザの第二高調波光（ＳＨ光）８を吸収する薄膜２３を
形成する。形成された薄膜２３に対してＳＨ光８を照射
することによって、その薄膜２３下部の絶縁膜２１を除
去するものである。
イアホールを形成する。 【解決手段】 導体配線２２上に絶縁膜２１が被覆され
た試料３に対して連続励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレー
ザの第四高調波光（ＦＨ光）を照射して、絶縁膜２１表
面に、フラッシュランプ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレ
ーザの第二高調波光（ＳＨ光）８を吸収する薄膜２３を
形成する。形成された薄膜２３に対してＳＨ光８を照射
することによって、その薄膜２３下部の絶縁膜２１を除
去するものである。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、大規模集積回路
（ＬＳＩ）や、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等に形成さ
れる微細回路パターンを修正するために、その導体線間
の絶縁層にバイアホールを形成する方法および装置に関
する。
（ＬＳＩ）や、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等に形成さ
れる微細回路パターンを修正するために、その導体線間
の絶縁層にバイアホールを形成する方法および装置に関
する。
【０００１】
【従来の技術】ＬＳＩ等の配線を修正するために、その
配線パターンを形成した後、バイアホールを形成する方
法が、「１９８９年春季第３６回応用物理学関係連合講
演会予稿集 ２ｐ−Ｌ−１０」に開示されている。この
従来のバイアホール形成方法は、図３Ａおよび図３Ｂを
参照すると、絶縁膜２１下の導体配線２２の表面にレー
ザ光４１を集光照射し、配線２２表面でのレーザ光４１
の吸収、配線２２表面の局所加熱、蒸散のプロセスを経
て、この蒸散時の圧力を利用して配線２２上方の絶縁膜
２１を吹き飛ばすことによって、バイアホール４２を形
成するものである。
配線パターンを形成した後、バイアホールを形成する方
法が、「１９８９年春季第３６回応用物理学関係連合講
演会予稿集 ２ｐ−Ｌ−１０」に開示されている。この
従来のバイアホール形成方法は、図３Ａおよび図３Ｂを
参照すると、絶縁膜２１下の導体配線２２の表面にレー
ザ光４１を集光照射し、配線２２表面でのレーザ光４１
の吸収、配線２２表面の局所加熱、蒸散のプロセスを経
て、この蒸散時の圧力を利用して配線２２上方の絶縁膜
２１を吹き飛ばすことによって、バイアホール４２を形
成するものである。
【０００２】また、絶縁膜に対しある程度吸収される紫
外域の波長を有するレーザ光を用い、そのレーザ光を絶
縁膜表面に照射することによって、絶縁膜をその表面か
ら徐々に削り取るようにしてバイアホールを形成する方
法も考えられている。この場合、加工用のレーザ光とし
ては、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第四高調波光あるいはＫｒ
Ｆエキシマレーザ光等の利用が検討されている。
外域の波長を有するレーザ光を用い、そのレーザ光を絶
縁膜表面に照射することによって、絶縁膜をその表面か
ら徐々に削り取るようにしてバイアホールを形成する方
法も考えられている。この場合、加工用のレーザ光とし
ては、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第四高調波光あるいはＫｒ
Ｆエキシマレーザ光等の利用が検討されている。
【０００３】また、ＬＳＩやＬＣＤへの適用例とは異な
るが、多層構造のプリント配線基板のバイアホールをレ
ーザ光により形成する際に、絶縁膜のポリマー層に染料
を混入させてレーザ光の吸収を促進させる方法が、特開
平１−２０６６９８号公報に開示されている。
るが、多層構造のプリント配線基板のバイアホールをレ
ーザ光により形成する際に、絶縁膜のポリマー層に染料
を混入させてレーザ光の吸収を促進させる方法が、特開
平１−２０６６９８号公報に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
光を導体配線表面に集光照射してバイアホールを形成す
る方法では、導体配線表面の蒸散による爆発圧力が等方
的に作用するため、下降領域がレーザ光の照射スポット
周辺にまで大きく広がる。この結果、図３Ｂに示すよう
に、加工形状がすり鉢状の穴となってしまい、加工品質
が著しく低下するという問題点がある。近年ＬＳＩの配
線の多層化が進み、導体配線層が絶縁膜表面に対してよ
り深い位置に存在するようになってきていることから、
加工形状がすり鉢状となる傾向が顕著である。しかも、
この穴形状を制御することは非常に困難である。
光を導体配線表面に集光照射してバイアホールを形成す
る方法では、導体配線表面の蒸散による爆発圧力が等方
的に作用するため、下降領域がレーザ光の照射スポット
周辺にまで大きく広がる。この結果、図３Ｂに示すよう
に、加工形状がすり鉢状の穴となってしまい、加工品質
が著しく低下するという問題点がある。近年ＬＳＩの配
線の多層化が進み、導体配線層が絶縁膜表面に対してよ
り深い位置に存在するようになってきていることから、
加工形状がすり鉢状となる傾向が顕著である。しかも、
この穴形状を制御することは非常に困難である。
【０００５】また、上述の方法では、絶縁膜の膜厚が厚
い場合には、蒸散による爆発圧力を高める必要があり、
そのために、レーザ光の照射強度を高めなければならな
い。しかしながら、レーザ光の照射強度を高めること
は、既存の導体配線を消失させてしまうという結果を招
きかねず、信頼性上重大な問題を有している。
い場合には、蒸散による爆発圧力を高める必要があり、
そのために、レーザ光の照射強度を高めなければならな
い。しかしながら、レーザ光の照射強度を高めること
は、既存の導体配線を消失させてしまうという結果を招
きかねず、信頼性上重大な問題を有している。
【０００６】一方、紫外域のレーザ光を絶縁膜表面に照
射することによってバイアホールを形成する方法では、
一般に紫外域のレーザ光として実用可能なＫｒＦエキシ
マレーザ（波長２４８ｍｍ）、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第
四高調波光（波長２６６ｍｍ）の使用を前提とした場
合、ＬＳＩ等で絶縁膜として一般的に用いられるシリコ
ン酸化膜やシリコン窒化膜に対するレーザ光の吸収は十
分とは言えず、形状制御性の良い加工を実現することは
容易ではない。
射することによってバイアホールを形成する方法では、
一般に紫外域のレーザ光として実用可能なＫｒＦエキシ
マレーザ（波長２４８ｍｍ）、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第
四高調波光（波長２６６ｍｍ）の使用を前提とした場
合、ＬＳＩ等で絶縁膜として一般的に用いられるシリコ
ン酸化膜やシリコン窒化膜に対するレーザ光の吸収は十
分とは言えず、形状制御性の良い加工を実現することは
容易ではない。
【０００７】また、多層配線プリント基板に適用されて
いる絶縁膜に染料を混入し、その部分にレーザ光を照射
することによってバイアホールを形成する方法をＬＳＩ
やＬＣＤ等の加工に適用する場合も加工信頼性の面で重
大な問題がある。
いる絶縁膜に染料を混入し、その部分にレーザ光を照射
することによってバイアホールを形成する方法をＬＳＩ
やＬＣＤ等の加工に適用する場合も加工信頼性の面で重
大な問題がある。
【０００８】すなわち、ＬＳＩでは、その集積度を向上
させるために配線の多層化が進み、結果として、製造プ
ロセス過程が複雑化しているために、導体配線間の絶縁
膜を薄くする傾向にある。そして、この薄くなった絶縁
膜を用いた場合であっても、十分な絶縁性を持たせるた
めに、様々な工夫が払われている。このような状況下
で、絶縁膜に異物（染料）を混入させることは、信頼性
上大いに問題である。
させるために配線の多層化が進み、結果として、製造プ
ロセス過程が複雑化しているために、導体配線間の絶縁
膜を薄くする傾向にある。そして、この薄くなった絶縁
膜を用いた場合であっても、十分な絶縁性を持たせるた
めに、様々な工夫が払われている。このような状況下
で、絶縁膜に異物（染料）を混入させることは、信頼性
上大いに問題である。
【０００９】さらに、この方法を適用するためには、Ｌ
ＳＩの絶縁膜形成プロセス中に染料を混入するための工
程を含める必要があるなど、プロセス全体を変更する必
要があり、前述の信頼性の問題を考慮すると、この方法
は極めて現実性に乏しいと言わざるを得ない。
ＳＩの絶縁膜形成プロセス中に染料を混入するための工
程を含める必要があるなど、プロセス全体を変更する必
要があり、前述の信頼性の問題を考慮すると、この方法
は極めて現実性に乏しいと言わざるを得ない。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明のバイアホール形成方法および装置は、導
体配線上に絶縁膜が被覆された試料に対して第１のレー
ザ光を照射して、絶縁膜を除去することによってバイア
ホールを形成するものであり、特に、絶縁膜表面に、第
１のレーザ光を吸収する薄膜を形成し、形成された薄膜
に対して第１のレーザ光を照射することによって、その
薄膜下部の絶縁膜を除去するものである。
めに、本発明のバイアホール形成方法および装置は、導
体配線上に絶縁膜が被覆された試料に対して第１のレー
ザ光を照射して、絶縁膜を除去することによってバイア
ホールを形成するものであり、特に、絶縁膜表面に、第
１のレーザ光を吸収する薄膜を形成し、形成された薄膜
に対して第１のレーザ光を照射することによって、その
薄膜下部の絶縁膜を除去するものである。
【００１１】さらに、本発明は、絶縁膜表面に、第１の
レーザ光の吸収層となる薄膜を形成する方法として、レ
ーザＣＶＤ技術を用いるものである。
レーザ光の吸収層となる薄膜を形成する方法として、レ
ーザＣＶＤ技術を用いるものである。
【００１２】さらに、本発明は、導体配線上の絶縁膜の
厚さが大きい場合には、前述の薄膜の形成工程およびそ
の薄膜下部の絶縁膜を除去する工程を複数回繰り返すも
のである。
厚さが大きい場合には、前述の薄膜の形成工程およびそ
の薄膜下部の絶縁膜を除去する工程を複数回繰り返すも
のである。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明のバイアホール形成
方法および装置の第１の実施形態について図面を参照し
て詳細に説明する。
方法および装置の第１の実施形態について図面を参照し
て詳細に説明する。
【００１４】本実施形態は、導体配線を覆う絶縁膜表面
にバイアホール形成用レーザ光の吸収層を設け、この吸
収層による加熱作用を利用して絶縁膜を除去することに
よって、バイアホールを形成するものである。
にバイアホール形成用レーザ光の吸収層を設け、この吸
収層による加熱作用を利用して絶縁膜を除去することに
よって、バイアホールを形成するものである。
【００１５】図１は、本実施例の装置構成を示す模式図
である。リザーバ１内には、レーザＣＶＤ用原料、例え
ば、クロムカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）6）粉末が蓄積さ
れている。このクロムカルボニル粉末は、リザーバ１内
で加熱されることにより昇華する。昇華して得られたク
ロムカルボニルガスは、アルゴン（Ａｒ）ガス等の希ガ
スをキャリアとして、これと混合されてチェンバ２内に
供給される。キャリアガスは、マスフローコントローラ
（図示せず）を利用することによって、その流量が制御
されている。
である。リザーバ１内には、レーザＣＶＤ用原料、例え
ば、クロムカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）6）粉末が蓄積さ
れている。このクロムカルボニル粉末は、リザーバ１内
で加熱されることにより昇華する。昇華して得られたク
ロムカルボニルガスは、アルゴン（Ａｒ）ガス等の希ガ
スをキャリアとして、これと混合されてチェンバ２内に
供給される。キャリアガスは、マスフローコントローラ
（図示せず）を利用することによって、その流量が制御
されている。
【００１６】チェンバ２内では、試料３が、ヒータ４上
に配置されている。ヒータ４は、試料３の温度と供給さ
れるＣＶＤ原料ガスの温度とのバランスをとるために試
料３を加熱するものである。また、ヒータ４は、ＸＹス
テージ５上に載置されている。
に配置されている。ヒータ４は、試料３の温度と供給さ
れるＣＶＤ原料ガスの温度とのバランスをとるために試
料３を加熱するものである。また、ヒータ４は、ＸＹス
テージ５上に載置されている。
【００１７】フラッシュランプ励起ＱスイッチＮｄ：Ｙ
ＡＧレーザ発振器６あるいは連続励起ＱスイッチＮｄ：
ＹＡＧレーザ発振器７から出射されるレーザ光８あるい
は９は、ビームエキスパンダ１０でビーム径が拡大され
た後、スリット機構１１を透過し、このスリット機構１
１の開口イメージを試料３の表面に転写する形で照射さ
れる。スリット機構１１の開口サイズを変えることで、
形成すべきバイアホールの径に応じた任意のスポットサ
イズを有するレーザ光８あるいは９を試料３の表面に照
射することができる。
ＡＧレーザ発振器６あるいは連続励起ＱスイッチＮｄ：
ＹＡＧレーザ発振器７から出射されるレーザ光８あるい
は９は、ビームエキスパンダ１０でビーム径が拡大され
た後、スリット機構１１を透過し、このスリット機構１
１の開口イメージを試料３の表面に転写する形で照射さ
れる。スリット機構１１の開口サイズを変えることで、
形成すべきバイアホールの径に応じた任意のスポットサ
イズを有するレーザ光８あるいは９を試料３の表面に照
射することができる。
【００１８】そして、レーザ発振器７から出射される連
続励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの第四高調波光
（以下、ＦＨ光とする）９を、チェンバ２内に配置され
る試料３の表面に照射することによって、その試料３の
表面にクロム薄膜を形成することができる。すなわち、
レーザＣＶＤ法を利用して、試料３の表面にクロム薄膜
を形成する。
続励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの第四高調波光
（以下、ＦＨ光とする）９を、チェンバ２内に配置され
る試料３の表面に照射することによって、その試料３の
表面にクロム薄膜を形成することができる。すなわち、
レーザＣＶＤ法を利用して、試料３の表面にクロム薄膜
を形成する。
【００１９】一方、レーザ発振器６から出射されるフラ
ッシュランプ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの第二
高調波光（ＳＨ光、波長５３２ｎｍ）８を、試料３の表
面に形成されたクロム薄膜に照射することによって、試
料３にバイアホールを形成することができる。
ッシュランプ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの第二
高調波光（ＳＨ光、波長５３２ｎｍ）８を、試料３の表
面に形成されたクロム薄膜に照射することによって、試
料３にバイアホールを形成することができる。
【００２０】なお、本実施形態のレーザ加工装置には、
レーザ光の照射位置および加工状態を観察するための観
察系、例えば、顕微鏡１２、ＣＣＤカメラ１３およびモ
ニタ１４が備えられている。
レーザ光の照射位置および加工状態を観察するための観
察系、例えば、顕微鏡１２、ＣＣＤカメラ１３およびモ
ニタ１４が備えられている。
【００２１】次に、本実施形態のバイアホールの形成方
法について図２も併せ参照して説明する。
法について図２も併せ参照して説明する。
【００２２】本実施形態のバイアホール形成方法は、絶
縁膜の表面に薄膜を形成する第１の工程と、その薄膜に
レーザ光を照射することによって、バイアホールを形成
する第２の工程とを含んでいる。特に、第１の工程は、
レーザＣＶＤの技術を利用して絶縁膜表面に、バイアホ
ール形成用レーザ光の吸収層となる薄膜を形成するもの
である。
縁膜の表面に薄膜を形成する第１の工程と、その薄膜に
レーザ光を照射することによって、バイアホールを形成
する第２の工程とを含んでいる。特に、第１の工程は、
レーザＣＶＤの技術を利用して絶縁膜表面に、バイアホ
ール形成用レーザ光の吸収層となる薄膜を形成するもの
である。
【００２３】図２Ａを参照すると、バイアホールを形成
すべき試料３は、導体配線２２の上部に絶縁膜２１が被
覆されている。図２Ｂに示すように、第１の工程とし
て、クロムカルボニルガスが充満しているチェンバ２内
に配置される試料３の表面に、連続励起ＱスイッチＮ
ｄ：ＹＡＧレーザ発振器７から出射されるＦＨ光９を照
射することによって、クロム薄膜２３が形成される。こ
のクロム薄膜２３の形成領域は、形成すべきバイアホー
ルの径に応じて設定される。
すべき試料３は、導体配線２２の上部に絶縁膜２１が被
覆されている。図２Ｂに示すように、第１の工程とし
て、クロムカルボニルガスが充満しているチェンバ２内
に配置される試料３の表面に、連続励起ＱスイッチＮ
ｄ：ＹＡＧレーザ発振器７から出射されるＦＨ光９を照
射することによって、クロム薄膜２３が形成される。こ
のクロム薄膜２３の形成領域は、形成すべきバイアホー
ルの径に応じて設定される。
【００２４】ここで、本実施形態では、ＦＨ光９の出力
は、Ｑスイッチ周波数を２ｋＨｚとした場合、試料表面
上で０．１ｍＷ／μｍ2のオーダーである。また、ＣＶ
Ｄ原料ガスとして、リザーバ１を４５℃で保温してクロ
ムカルボニルガスを発生させ（分圧約１Ｔｏｒｒ）、そ
のクロムカルボニルガスをＡｒガスで希釈した上で、蒸
気圧０．３Ｔｏｒｒ程度で使用している。このような条
件のもとで、ＦＨ光９を試料３の表面に照射すると、３
〜４秒の照射で１０００オングストローム程度のクロム
薄膜２３を形成することが可能である。また、ＸＹステ
ージ５を駆動させて、試料３をＦＨ光９のスポットに対
し相対的に移動させることによって、絶縁膜２１の表面
に形成される薄膜２３を配線状に連ねさせることができ
る。
は、Ｑスイッチ周波数を２ｋＨｚとした場合、試料表面
上で０．１ｍＷ／μｍ2のオーダーである。また、ＣＶ
Ｄ原料ガスとして、リザーバ１を４５℃で保温してクロ
ムカルボニルガスを発生させ（分圧約１Ｔｏｒｒ）、そ
のクロムカルボニルガスをＡｒガスで希釈した上で、蒸
気圧０．３Ｔｏｒｒ程度で使用している。このような条
件のもとで、ＦＨ光９を試料３の表面に照射すると、３
〜４秒の照射で１０００オングストローム程度のクロム
薄膜２３を形成することが可能である。また、ＸＹステ
ージ５を駆動させて、試料３をＦＨ光９のスポットに対
し相対的に移動させることによって、絶縁膜２１の表面
に形成される薄膜２３を配線状に連ねさせることができ
る。
【００２５】照射時間あるいはレーザ出力の増減によ
り、形成される薄膜の厚さは、所定の範囲内でリニアに
可変できる。したがって、最適な条件を選択すること
で、バイアホールの形成箇所における絶縁膜の厚みに応
じて所望の厚さを有する薄膜を形成することができる。
り、形成される薄膜の厚さは、所定の範囲内でリニアに
可変できる。したがって、最適な条件を選択すること
で、バイアホールの形成箇所における絶縁膜の厚みに応
じて所望の厚さを有する薄膜を形成することができる。
【００２６】次に、図２Ｃに示すように、第２の工程と
して、絶縁膜２１の表面に形成されたクロム薄膜２３
に、レーザ発振器６から出射されるパルス幅４〜５ｍｓ
のＳＨ光８を照射することによって、バイアホール２４
を形成する。すなわち、絶縁膜２１の表面に形成された
クロム薄膜２３は、ＳＨ光８の吸収層となっており、こ
の吸収層による加熱作用により、クロム薄膜２３の下部
の絶縁膜２１が除去され、バイアホール２４が形成され
る。
して、絶縁膜２１の表面に形成されたクロム薄膜２３
に、レーザ発振器６から出射されるパルス幅４〜５ｍｓ
のＳＨ光８を照射することによって、バイアホール２４
を形成する。すなわち、絶縁膜２１の表面に形成された
クロム薄膜２３は、ＳＨ光８の吸収層となっており、こ
の吸収層による加熱作用により、クロム薄膜２３の下部
の絶縁膜２１が除去され、バイアホール２４が形成され
る。
【００２７】本実施形態では、バイアホール形成用レー
ザ光（ＳＨ光）の吸収層を予め絶縁膜表面に設けている
ために、レーザ光エネルギーの効率的な利用が可能とな
り、レーザ光の照射領域にほぼ等しい径を有するバイア
ホールを形成することができる。さらに、絶縁膜表面に
形成される薄膜の形状を制御することにより、バイアホ
ールの形状制御を容易に行うことができる。
ザ光（ＳＨ光）の吸収層を予め絶縁膜表面に設けている
ために、レーザ光エネルギーの効率的な利用が可能とな
り、レーザ光の照射領域にほぼ等しい径を有するバイア
ホールを形成することができる。さらに、絶縁膜表面に
形成される薄膜の形状を制御することにより、バイアホ
ールの形状制御を容易に行うことができる。
【００２８】なお、第１の工程で用いられるレーザ光
は、連続発振あるいはｋＨｚオーダーの繰り返しパルス
発振レーザであればよく、また、第２の工程で用いられ
るレーザ光は、尖頭値の高いパルス励起レーザであれば
よい。
は、連続発振あるいはｋＨｚオーダーの繰り返しパルス
発振レーザであればよく、また、第２の工程で用いられ
るレーザ光は、尖頭値の高いパルス励起レーザであれば
よい。
【００２９】次に、本発明の第２の実施形態について図
３を参照して詳細に説明する。
３を参照して詳細に説明する。
【００３０】本実施形態は、特に、導体配線を被覆して
いる絶縁膜の厚さが大きい場合に適用すると好ましいバ
イアホールの形成方法である。すなわち、絶縁膜の厚さ
が大きい場合に、１回のＳＨ光の照射により、バイアホ
ールを形成するのではなく、ＳＨ光の吸収層の形成工程
と、その吸収層にＳＨ光を照射して絶縁膜を除去する工
程とを複数回繰り返して、最終的にバイアホールを形成
するというものである。
いる絶縁膜の厚さが大きい場合に適用すると好ましいバ
イアホールの形成方法である。すなわち、絶縁膜の厚さ
が大きい場合に、１回のＳＨ光の照射により、バイアホ
ールを形成するのではなく、ＳＨ光の吸収層の形成工程
と、その吸収層にＳＨ光を照射して絶縁膜を除去する工
程とを複数回繰り返して、最終的にバイアホールを形成
するというものである。
【００３１】図３は、本実施形態のバイアホール形成方
法の形成手順を示す図であり、まず、図３Ａに示すよう
に、導体配線２２を被覆する絶縁膜２１の表面に、ＦＨ
光９を照射することによってレーザＣＶＤ技術を利用し
て、バイアホール形成用レーザ光（ＳＨ光）の吸収層で
あるクロム薄膜２３が形成される。次に、図３Ｂに示す
ように、その薄膜２３にＳＨ光８を照射することによっ
て、薄膜２３の下部の絶縁膜２１が除去される。ここ
で、ＳＨ光８の出力レベルが導体配線２２を損傷しない
程度のレベルに抑えられているために、１回のＳＨ光８
の照射では、前述の第１の実施形態とは異なり、導体配
線２２まで穴あけされない。そこで、図３Ｃに示すよう
に、導体配線２２上に残存している絶縁膜２１の表面
に、再度、前述と同様に、ＦＨ光９の照射によるレーザ
ＣＶＤ技術を利用して、薄膜２３が形成される。そし
て、新たに形成された薄膜２３に対し、２回目のＳＨ光
８の照射を行うことにより、図３Ｄに示すように、バイ
アホール２４を形成することができる。ここで、絶縁膜
２１の表面への薄膜２３の形成工程およびその薄膜２３
にＳＨ光８を照射することによって絶縁膜２１を除去す
る工程は、それぞれ前述の第１の工程および第２の工程
に相当するものである。
法の形成手順を示す図であり、まず、図３Ａに示すよう
に、導体配線２２を被覆する絶縁膜２１の表面に、ＦＨ
光９を照射することによってレーザＣＶＤ技術を利用し
て、バイアホール形成用レーザ光（ＳＨ光）の吸収層で
あるクロム薄膜２３が形成される。次に、図３Ｂに示す
ように、その薄膜２３にＳＨ光８を照射することによっ
て、薄膜２３の下部の絶縁膜２１が除去される。ここ
で、ＳＨ光８の出力レベルが導体配線２２を損傷しない
程度のレベルに抑えられているために、１回のＳＨ光８
の照射では、前述の第１の実施形態とは異なり、導体配
線２２まで穴あけされない。そこで、図３Ｃに示すよう
に、導体配線２２上に残存している絶縁膜２１の表面
に、再度、前述と同様に、ＦＨ光９の照射によるレーザ
ＣＶＤ技術を利用して、薄膜２３が形成される。そし
て、新たに形成された薄膜２３に対し、２回目のＳＨ光
８の照射を行うことにより、図３Ｄに示すように、バイ
アホール２４を形成することができる。ここで、絶縁膜
２１の表面への薄膜２３の形成工程およびその薄膜２３
にＳＨ光８を照射することによって絶縁膜２１を除去す
る工程は、それぞれ前述の第１の工程および第２の工程
に相当するものである。
【００３２】本実施形態によれば、導体配線を被覆する
絶縁膜の厚さが厚い場合であっても、ＳＨ光の出力を上
げることなく、バイアホールを形成することができるた
めに、導体配線に対しダメージを与えることを防ぐこと
ができる。
絶縁膜の厚さが厚い場合であっても、ＳＨ光の出力を上
げることなく、バイアホールを形成することができるた
めに、導体配線に対しダメージを与えることを防ぐこと
ができる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるバイ
アホール形成方法および装置によれば、バイアホール形
成用レーザ光の吸収層を、バイアホール形成が必要とさ
れる領域にのみ形成し、その吸収層に対し、バイアホー
ル形成用レーザ光を照射することによって、バイアホー
ルを形成しているために、高品質のバイアホールを形成
することができ、結果として、ＬＳＩおよびＬＣＤの配
線修正あるいは組み替え作業における信頼性を飛躍的に
向上させることができる。
アホール形成方法および装置によれば、バイアホール形
成用レーザ光の吸収層を、バイアホール形成が必要とさ
れる領域にのみ形成し、その吸収層に対し、バイアホー
ル形成用レーザ光を照射することによって、バイアホー
ルを形成しているために、高品質のバイアホールを形成
することができ、結果として、ＬＳＩおよびＬＣＤの配
線修正あるいは組み替え作業における信頼性を飛躍的に
向上させることができる。
【００３４】さらに、その吸収層をＬＳＩあるいはＬＣ
Ｄの製造プロセスで一般的に用いられているレーザＣＶ
Ｄ技術により形成しているために、製造プロセスを変更
する必要もなく、容易に、高品質のバイアホールを形成
することができる。
Ｄの製造プロセスで一般的に用いられているレーザＣＶ
Ｄ技術により形成しているために、製造プロセスを変更
する必要もなく、容易に、高品質のバイアホールを形成
することができる。
【図１】本発明の一実施形態の構成を示す模式図であ
る。
る。
【図２】本発明の第１の実施形態による加工手順を示す
図である。
図である。
【図３】本発明の第２の実施形態による加工手順を示す
図である。
図である。
【図４】従来のバイアホール形成方法による加工手順を
示す図である。
示す図である。
１ リザーバ ２ チェンバ ３ 試料 ４ ヒータ ５ ＸＹステージ ６ フラッシュランプ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレ
ーザ発振器 ７ 連続励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器 ８ ＳＨ光 ９ ＦＨ光 １０ ビームエキスパンダ １１ スリット機構 １２ 顕微鏡 １３ ＣＣＤカメラ １４ モニタ ２１ 絶縁膜 ２２ 導体配線 ２３ クロム薄膜 ２４ バイアホール
ーザ発振器 ７ 連続励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器 ８ ＳＨ光 ９ ＦＨ光 １０ ビームエキスパンダ １１ スリット機構 １２ 顕微鏡 １３ ＣＣＤカメラ １４ モニタ ２１ 絶縁膜 ２２ 導体配線 ２３ クロム薄膜 ２４ バイアホール
Claims (5)
- 【請求項１】 導体配線上に絶縁膜が被覆された試料に
対して第１のレーザ光を照射して、前記絶縁膜を除去す
ることによってバイアホールを形成する方法であって、 前記絶縁膜表面に、前記第１のレーザ光を吸収する薄膜
を形成する第１の工程と、 前記薄膜に対して前記第１のレーザ光を照射することに
よって、その薄膜下部の前記絶縁膜を除去する第２の工
程とを含むことを特徴とするバイアホール形成方法。 - 【請求項２】 前記第１の工程は、 化合物気体雰囲気中に配置される前記試料の絶縁膜表面
に第２のレーザ光を照射することによって、その第２の
レーザ光が照射された領域に、前記化合物気体分子の分
解反応により局所的に前記薄膜を形成するものであるこ
とを特徴とする前記請求項１に記載のバイアホール形成
方法。 - 【請求項３】 前記第２の工程の後、前記導体配線の上
部に前記絶縁膜が残存している場合には、前記第１の工
程及び前記第２の工程を少なくとも１回以上繰り返し実
行することを特徴とするバイアホール形成方法。 - 【請求項４】 導体配線上に絶縁膜が被覆された試料に
対して第１のレーザ光を照射して、前記絶縁膜を除去す
ることによってバイアホールを形成する装置であって、 前記絶縁膜表面に、前記第１のレーザ光を吸収する薄膜
を形成する第１の手段と、 前記薄膜に対して前記第１のレーザ光を照射することに
よって、その薄膜下部の前記絶縁膜を除去する第２の手
段とを備えることを特徴とするバイアホール形成装置。 - 【請求項５】 前記第２の手段は、 化合物気体雰囲気中に配置される前記試料の絶縁膜表面
に第２のレーザ光を照射することによって、その第２の
レーザ光が照射された領域に、前記化合物気体分子の分
解反応により局所的に前記薄膜を形成するレーザＣＶＤ
装置であることを特徴とする前記請求項４に記載のバイ
アホール形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7241332A JP2755223B2 (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | バイアホール形成方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7241332A JP2755223B2 (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | バイアホール形成方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982803A true JPH0982803A (ja) | 1997-03-28 |
| JP2755223B2 JP2755223B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=17072731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7241332A Expired - Lifetime JP2755223B2 (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | バイアホール形成方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2755223B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008023630A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| JP2008047780A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2009043502A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Canon Inc | 有機ｅｌパネルの欠陥部修復方法 |
| JP2011197697A (ja) * | 2003-02-04 | 2011-10-06 | Plastic Logic Ltd | トランジスタ制御表示装置 |
| JP2015510692A (ja) * | 2012-01-23 | 2015-04-09 | テトラサン インコーポレイテッド | 金属層からのコーティングの選択的除去およびその太陽電池用途 |
| WO2015136900A1 (ja) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | 国立大学法人山形大学 | 配線形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06196440A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-07-15 | Nec Corp | 配線形成方法 |
-
1995
- 1995-09-20 JP JP7241332A patent/JP2755223B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2015136900A1 (ja) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | 国立大学法人山形大学 | 配線形成方法 |
| JP5846594B1 (ja) * | 2014-03-11 | 2016-01-20 | 国立大学法人山形大学 | 配線形成方法 |
| US9832886B2 (en) | 2014-03-11 | 2017-11-28 | National University Corporation Yamagata University | Method for forming wiring |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2755223B2 (ja) | 1998-05-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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