JPS61177372A - 窒化ホウ素膜の製造方法 - Google Patents
窒化ホウ素膜の製造方法Info
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- JPS61177372A JPS61177372A JP1906785A JP1906785A JPS61177372A JP S61177372 A JPS61177372 A JP S61177372A JP 1906785 A JP1906785 A JP 1906785A JP 1906785 A JP1906785 A JP 1906785A JP S61177372 A JPS61177372 A JP S61177372A
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- Japan
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- boron nitride
- reaction chamber
- substrate
- nitride film
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/342—Boron nitride
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- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は熱分解窒化ホウ素（以下、ＰＢＮと略す）又は
六方晶窒化ホウ素（以下、ＥｍＮと略す）から成る窒化
ホウ素（ＢＮ）膜の製法に関するもので・ある。
六方晶窒化ホウ素（以下、ＥｍＮと略す）から成る窒化
ホウ素（ＢＮ）膜の製法に関するもので・ある。
ＢＮは高い熱伝導率を有して耐熱衝撃性に優れ、そして
電気的絶縁性、化学的安定性、耐酸化性、自己潤滑性に
も優れているため種々の広範な用途に注目されている。
電気的絶縁性、化学的安定性、耐酸化性、自己潤滑性に
も優れているため種々の広範な用途に注目されている。
ＢＮの製法には主として粉末を製造して、この粉末を原
料にして焼成する方法が採用されているが、ハロゲン化
硼素とアンモニアを高温で気相反応させる方法も特殊な
目的のために採られている。
料にして焼成する方法が採用されているが、ハロゲン化
硼素とアンモニアを高温で気相反応させる方法も特殊な
目的のために採られている。
この方法においてはＢＮ生成源をガスにして気相反応す
るため比較的高純度でアシ、反応を減圧下で行なうこと
によｊＤ ＰＢＮが得られている。かかるＢＮは、例え
ばＰＢＮでコーティングされたグラファイトから成る真
空蒸着用ボートなどに用いられている。（特開昭５４−
１０１７８１号公報参照）従来周知の通り、２ＮＨｓ
＋ ＢｔＨｓ→２．ＢＮ ＋ ６Ｈ２。
るため比較的高純度でアシ、反応を減圧下で行なうこと
によｊＤ ＰＢＮが得られている。かかるＢＮは、例え
ばＰＢＮでコーティングされたグラファイトから成る真
空蒸着用ボートなどに用いられている。（特開昭５４−
１０１７８１号公報参照）従来周知の通り、２ＮＨｓ
＋ ＢｔＨｓ→２．ＢＮ ＋ ６Ｈ２。
４ＮＨｓ ＋ ＢＱＩｓ−４ＢＮ ＋ ８ＮＨａＱＪｔ
等の気相反応法によシ主にＰＢＮが比較的高純度に形成
でき、又、ＢｔＯｓ＋ ２ＮＨｓ →２．ＢＮ ＋ ８
ＨｚＯ、ＢｘＯｓ ＋ ｓｃ ＋ Ｎｔ →２ＢＮ−１
−３ＣＯ等の化学反応によシ主にＨＢＮも得られるが、
現在のところ未だ品買上満足できるものが得られておら
ず、 ＢＮ自体が有している本来の優れた特性を発揮さ
せんがために高純度且つ緻密なＰＢＮやＩＩＢＮが得ら
れるのが望まれている。そこで本発明者がこのＢＮ膜の
製法において鋭意研究に努めた結果、ＰＢＮ ＋ＥＩＢ
Ｎの生成を阻害する因子を見い出し、本発明を完成する
に至った。
等の気相反応法によシ主にＰＢＮが比較的高純度に形成
でき、又、ＢｔＯｓ＋ ２ＮＨｓ →２．ＢＮ ＋ ８
ＨｚＯ、ＢｘＯｓ ＋ ｓｃ ＋ Ｎｔ →２ＢＮ−１
−３ＣＯ等の化学反応によシ主にＨＢＮも得られるが、
現在のところ未だ品買上満足できるものが得られておら
ず、 ＢＮ自体が有している本来の優れた特性を発揮さ
せんがために高純度且つ緻密なＰＢＮやＩＩＢＮが得ら
れるのが望まれている。そこで本発明者がこのＢＮ膜の
製法において鋭意研究に努めた結果、ＰＢＮ ＋ＥＩＢ
Ｎの生成を阻害する因子を見い出し、本発明を完成する
に至った。
〔発明の目的〕
従って本発明の目的は高純度且つ緻密なＰＢＮやＨＢＮ
を基体上に合成するＢＮ膜の製造方法を提供せんとする
ものである。
を基体上に合成するＢＮ膜の製造方法を提供せんとする
ものである。
本発明の他の目的は高純度且つ緻密なＰＢＮ −？ Ｈ
ＢＮから成るＢＮ膜を高い膜生成速度で基体上に形成さ
せる方法を提供するにある。
ＢＮから成るＢＮ膜を高い膜生成速度で基体上に形成さ
せる方法を提供するにある。
本発明によれば、内部に基体が設置された反応室にＢＮ
生成用ガスを導入して気相反応法により基体表面上にＰ
ＢＮ又はＨＢＮを生成させる製法において、反応室内部
の酸素原子及び炭素原子の合計量が１００ ｐｐｍ以下
となるように制御したことを特徴とするＢＮ膜の製造方
法が提供される。
生成用ガスを導入して気相反応法により基体表面上にＰ
ＢＮ又はＨＢＮを生成させる製法において、反応室内部
の酸素原子及び炭素原子の合計量が１００ ｐｐｍ以下
となるように制御したことを特徴とするＢＮ膜の製造方
法が提供される。
本発明はＰＢＮ ＋ Ｅ（ＢＮの膜が形成できる薄膜形
成技術のすべてについて適用できると考えられ、この技
術には熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などの化学蒸着法
、スパッタリング法、真空蒸着法などの物理蒸着法があ
る。
成技術のすべてについて適用できると考えられ、この技
術には熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などの化学蒸着法
、スパッタリング法、真空蒸着法などの物理蒸着法があ
る。
本発明によれば、かかる気相反応法によってＢＮ膜を製
造するに際して、反応室内部に酸素原子及び炭素原子の
合計量が１００ ｐｐｍ以下になるように制御すること
が重要であることが判った。
造するに際して、反応室内部に酸素原子及び炭素原子の
合計量が１００ ｐｐｍ以下になるように制御すること
が重要であることが判った。
即ち、ＰＢＮ −？ ＨＥＮが生成される反応系におい
ては、ＢＮ生成用ガスにホウ素元素含有ガスと窒素元素
含有ガスを用いたシ、或いはホウ素と窒素の両元素を含
有する化合物ガスを用いたシするが、かかるガスに酸素
原子や炭素原子がその構成元素として存在したシ、或い
は不純物として含有しているとこれらがＢＮ生成の阻害
因子として関与するという新規知見に基づくものである
。
ては、ＢＮ生成用ガスにホウ素元素含有ガスと窒素元素
含有ガスを用いたシ、或いはホウ素と窒素の両元素を含
有する化合物ガスを用いたシするが、かかるガスに酸素
原子や炭素原子がその構成元素として存在したシ、或い
は不純物として含有しているとこれらがＢＮ生成の阻害
因子として関与するという新規知見に基づくものである
。
ホウ素原子と酸素原子は非常に反応し品い系であシ、本
発明に係る製法の反応系に酸素原子が混入しているとホ
ウ素原子の一部が酸素原子と結合して酸化ホウ素が生成
し、これがＰＢＮ −？ ＨＥＮの気相成長を阻害した
シ、ＰＢＮ −？ ＨＢＮの結晶粒界に酸化ホウ素が取
シ込まれて膜の安定性を欠く原因となシ、高純度且つ緻
密な膜が形成できないことが判った。
発明に係る製法の反応系に酸素原子が混入しているとホ
ウ素原子の一部が酸素原子と結合して酸化ホウ素が生成
し、これがＰＢＮ −？ ＨＥＮの気相成長を阻害した
シ、ＰＢＮ −？ ＨＢＮの結晶粒界に酸化ホウ素が取
シ込まれて膜の安定性を欠く原因となシ、高純度且つ緻
密な膜が形成できないことが判った。
同様に炭素原子もホウ素原子と非常に反応し易い系であ
り、ＰＢＮ −？ ＥＩＢＮの気相成長を阻害したシ、
炭化ホウ素として取シ込まれて高純度且つ緻密々膜が形
成できないことが判った。
り、ＰＢＮ −？ ＥＩＢＮの気相成長を阻害したシ、
炭化ホウ素として取シ込まれて高純度且つ緻密々膜が形
成できないことが判った。
更に本発明によれば、ＰＢＮ −？ ＨＢＮが生成され
る基体の温度を設定するのが望ましい。基体温度が１４
００℃を越えると反応室の壁材からその構成ガスが放出
し易くなシ、該ガスがＢＮ膜の形成に伴って混入して高
純度のＢＮ膜が得られない。基体温度が４００℃未満で
あれば非晶質ＢＮが形成され易くなる。従って、この基
体温度は４００〜１４００℃、好適には７００〜１３０
０℃に設定すればよい。
る基体の温度を設定するのが望ましい。基体温度が１４
００℃を越えると反応室の壁材からその構成ガスが放出
し易くなシ、該ガスがＢＮ膜の形成に伴って混入して高
純度のＢＮ膜が得られない。基体温度が４００℃未満で
あれば非晶質ＢＮが形成され易くなる。従って、この基
体温度は４００〜１４００℃、好適には７００〜１３０
０℃に設定すればよい。
本発明においては減圧下で成膜するに際して反応室にＢ
Ｎ生成用ガスを導入する前に反応室内部を脱気して真空
度を大きくする必要がある。本発明者は種々の実験を繰
９返し行なった結果、この真空度が小さいと反応室の内
部壁面に吸着するＨｚｏ、ＣＯ２、有機物が多くなシ、
これらはＢＮ膜の成膜に伴って遊離して不純物又は阻害
要因として作用することが判った。本発明者はこの到達
真空度をＩ Ｘ １０ Ｗｍ Ｅ陪以下に制御すれば
よいことを見い出した。
Ｎ生成用ガスを導入する前に反応室内部を脱気して真空
度を大きくする必要がある。本発明者は種々の実験を繰
９返し行なった結果、この真空度が小さいと反応室の内
部壁面に吸着するＨｚｏ、ＣＯ２、有機物が多くなシ、
これらはＢＮ膜の成膜に伴って遊離して不純物又は阻害
要因として作用することが判った。本発明者はこの到達
真空度をＩ Ｘ １０ Ｗｍ Ｅ陪以下に制御すれば
よいことを見い出した。
上述の通シ、酸素原子及び炭素原子の混入量を前述した
レベルに抑制するためＢＮ生成用ガスとして酸素原子や
炭素原子の混入の著しく少ない精製原料を使用し、且つ
反応室の減圧の程度を高める手段が採用される。
レベルに抑制するためＢＮ生成用ガスとして酸素原子や
炭素原子の混入の著しく少ない精製原料を使用し、且つ
反応室の減圧の程度を高める手段が採用される。
尚、本発明の実施例においてはＢＮ生成用ガスにＮＥ（
３ガス、ＢＣｌ３ガヌ及びＨ２ガスを用いたが、他の原
料ガス、例えばＮＦＩｓ −ＢｚＨｓ系ガス、ｆ３ｚＱ
ｓ−ＮＦｌｓ系ガス、Ｂｔｕｓ −Ｃ−Ｎｚ系ガスにつ
いても本発明が適用できると考えられる。
３ガス、ＢＣｌ３ガヌ及びＨ２ガスを用いたが、他の原
料ガス、例えばＮＦＩｓ −ＢｚＨｓ系ガス、ｆ３ｚＱ
ｓ−ＮＦｌｓ系ガス、Ｂｔｕｓ −Ｃ−Ｎｚ系ガスにつ
いても本発明が適用できると考えられる。
次に本発明の実施例を述べる。
〔実施例１〕
反応室としての石英管の外側に高周波電流用コイ〜を４
回巻に形成し、その内部には７００℃の温度に設定しで
ある８１基体を設置した。
回巻に形成し、その内部には７００℃の温度に設定しで
ある８１基体を設置した。
反応室の到達真空度を１０ ’ｒｏｒｒに設定すると
共に高周波プラズマＣＶＤ法に基いて該コイルに１３゜
５６ ＭＨｚの高周波電流を流した。次いでＮＨＳガス
、ＢＣＩガス及びＨ２ガスをそれぞれ２ ｍｌ ／ ｓ
ｅａ 、 ０．５ｍｌ ／ ｓｅｃ及び２ｍｌ／ＢｅＣ
の流量で反応室へ導入して全ガス圧をα２ ’ｒｏｒｒ
に設定した。
共に高周波プラズマＣＶＤ法に基いて該コイルに１３゜
５６ ＭＨｚの高周波電流を流した。次いでＮＨＳガス
、ＢＣＩガス及びＨ２ガスをそれぞれ２ ｍｌ ／ ｓ
ｅａ 、 ０．５ｍｌ ／ ｓｅｃ及び２ｍｌ／ＢｅＣ
の流量で反応室へ導入して全ガス圧をα２ ’ｒｏｒｒ
に設定した。
とのＢＮ生成用ガスはいずれのガスについても酸素ガス
及び水蒸気の混入量が１ ｐｐｍ以下、炭素ガヌ濃１９
１ｐｐｍ以下の高純度ガスを用いた。
及び水蒸気の混入量が１ ｐｐｍ以下、炭素ガヌ濃１９
１ｐｐｍ以下の高純度ガスを用いた。
かくして８１基体表面に１時間成膜したところ厚み１４
μｍの膜を形成した。そしてこの膜をＸ線ディフライト
メーター法によシ測定したところＰＢＮ及びＨＢＮが生
成していることが確認できた。
μｍの膜を形成した。そしてこの膜をＸ線ディフライト
メーター法によシ測定したところＰＢＮ及びＨＢＮが生
成していることが確認できた。
〔実施例２〕
実施例１において、Ｎｚガスをキャリアーガスとしｃｏ
！ガスが４００ ｐｐｍ加えられた阻害要因ガスを第１
表に示す通シに反応室に導入して膜生成速度及び膜安定
性を測ったところ、第１表に示す結果が得られた。
！ガスが４００ ｐｐｍ加えられた阻害要因ガスを第１
表に示す通シに反応室に導入して膜生成速度及び膜安定
性を測ったところ、第１表に示す結果が得られた。
尚、膜安定性は本実施例で得られた試料をＡ！″気流中
ＳＯＯ℃で２時間加熱して重量の減少比率を求めてその
指標とした。
ＳＯＯ℃で２時間加熱して重量の減少比率を求めてその
指標とした。
第１表
・印の試料は本発明の範囲外のものである。
第１表よシ明らかな通シ、本発明の試料黒１乃至５につ
いては高純度且つ緻密なＰＢＮ及びＨＢＮが亮い生成速
度で形成できる。又、阻害要因ガスの導入量が小さくな
るのに伴って高純度且つ緻密なＰＢＮ 、 ＨＢＮ ｇ
が高い生成速度でもって形成できた。
いては高純度且つ緻密なＰＢＮ及びＨＢＮが亮い生成速
度で形成できる。又、阻害要因ガスの導入量が小さくな
るのに伴って高純度且つ緻密なＰＢＮ 、 ＨＢＮ ｇ
が高い生成速度でもって形成できた。
〔実施例３〕
実施例１において、 ユ基体の設定温度を第２表に示す
通りにしてＢＮ膜の結晶状態及び膜成長速度、並びにヲ
ザフオードの後方散乱法によシ膜中の不純物の有無を測
定した。
通りにしてＢＮ膜の結晶状態及び膜成長速度、並びにヲ
ザフオードの後方散乱法によシ膜中の不純物の有無を測
定した。
第２表
第２１表よシ明らかな通シ、基体温度が１４００ ’Ｃ
以下に設定された試料４１０乃至１４においては膜中に
不純物が全く検出されなかった。又、基体温度が４００
℃未満に設定された試料黒１４においては非晶質ＢＮが
形成されたにすぎなかった。
以下に設定された試料４１０乃至１４においては膜中に
不純物が全く検出されなかった。又、基体温度が４００
℃未満に設定された試料黒１４においては非晶質ＢＮが
形成されたにすぎなかった。
〔実施例４〕
実施例１において、反応室の到達真空度を第８表に示す
通り幾通りにも設定して１時間成膜し、膜生成速度及び
膜安定性を測定した。
通り幾通りにも設定して１時間成膜し、膜生成速度及び
膜安定性を測定した。
第８表より明らかな通り、到達真空度が１×１０ｍｍ
Ｅ（ｇを越える試料ム１７乃至１９においては膜生成速
度が小さくなシ、膜の純度及び緻密性も劣る傾向にある
。
Ｅ（ｇを越える試料ム１７乃至１９においては膜生成速
度が小さくなシ、膜の純度及び緻密性も劣る傾向にある
。
〔実施例５〕
実施例１において、８１基体の温度をｓｏｏ’ｃに設定
し、更にＮ２ガスをキャリアーガスとしＯ２ガスが４０
０ ｐｐｍ加えられた阻害要因ガスを第４表に示す通υ
に反応室に導入して膜生成速度及び膜安定性を測定した
。
し、更にＮ２ガスをキャリアーガスとしＯ２ガスが４０
０ ｐｐｍ加えられた阻害要因ガスを第４表に示す通υ
に反応室に導入して膜生成速度及び膜安定性を測定した
。
・印の試料は本発明の範囲外のものである第４表より明
らかな通り、本発明の試料五２０乃至２４については高
純度且つ緻密なＰＢＮ及びＨＢＮが高い生成速度で形成
できる。
らかな通り、本発明の試料五２０乃至２４については高
純度且つ緻密なＰＢＮ及びＨＢＮが高い生成速度で形成
できる。
〔実施例６〕
実施例１において、 ８１基体の温度を８００℃に設定
し、更に■２ガスをキャリアーガスとしＣＦ１ａガスを
１０容量％含む阻害要因ガスを第６表に示す通シに反応
室に導入して膜生成速度及び膜安定性を測定した。
し、更に■２ガスをキャリアーガスとしＣＦ１ａガスを
１０容量％含む阻害要因ガスを第６表に示す通シに反応
室に導入して膜生成速度及び膜安定性を測定した。
・印の試料は本発明の範囲外のものである第５表よシ明
らかな通シ、本発明の試料＆２７乃至８１については高
純度且つ緻密なＰＢＮ及びＥ（ＢＮが高い生成速度で形
成できる。
らかな通シ、本発明の試料＆２７乃至８１については高
純度且つ緻密なＰＢＮ及びＥ（ＢＮが高い生成速度で形
成できる。
上述した通夛、本発明によれば酸素原子や炭素原子がＢ
Ｎ生成の阻害要因になることが判シその合計量を反応室
内部にて１００ ｐｐｍ以下に制御することが重要であ
る。これにより、高純度且つ緻密なＰＢＮ −？ Ｅｍ
Ｎを高い膜生成速度で形成でき、その結果、ＢＮ自体の
有する高熱伝導性、耐熱衝撃性、電気的絶縁性、化学的
安定性、耐酸化性及び自己潤滑性を更に向上せしめるこ
とができる。加えて生産性を高めて高品質ＢＮ膜を低コ
ストで供給できるという利点も有する。
Ｎ生成の阻害要因になることが判シその合計量を反応室
内部にて１００ ｐｐｍ以下に制御することが重要であ
る。これにより、高純度且つ緻密なＰＢＮ −？ Ｅｍ
Ｎを高い膜生成速度で形成でき、その結果、ＢＮ自体の
有する高熱伝導性、耐熱衝撃性、電気的絶縁性、化学的
安定性、耐酸化性及び自己潤滑性を更に向上せしめるこ
とができる。加えて生産性を高めて高品質ＢＮ膜を低コ
ストで供給できるという利点も有する。
Claims (4)
- （１）内部に基体が設置された反応室に窒化ホウ素生成
用ガスを導入して気相反応法により該基体表面上に熱分
解窒化ホウ素又は六方晶窒化ホウ素を生成させる製法に
おいて、該反応室内部の酸素原子及び炭素原子の合計量
が１００ｐｐｍ以下となるように制御したことを特徴と
する窒化ホウ素膜の製造方法。 - （２）前記基体の温度を４００〜１４００℃の範囲内に
設定したことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の窒化ホウ素膜の製造方法。 - （３）前記基体の温度を７００〜１３００℃の範囲内に
設定したことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の窒化ホウ素膜の製造方法。 - （４）前記反応室に窒化ホウ素生成用ガスを導入する前
の該反応内部の到達真空度を１×１０＾−＾５ｍｍＨｇ
以下に制御したことを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の窒化ホウ素膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1906785A JPS61177372A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 窒化ホウ素膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1906785A JPS61177372A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 窒化ホウ素膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177372A true JPS61177372A (ja) | 1986-08-09 |
Family
ID=11989082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1906785A Pending JPS61177372A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 窒化ホウ素膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177372A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT387988B (de) * | 1987-08-31 | 1989-04-10 | Plansee Tizit Gmbh | Verfahren zur herstellung mehrlagig beschichteter hartmetallteile |
| JP2021020848A (ja) * | 2016-05-12 | 2021-02-18 | グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドＧｌｏｂａｌＷａｆｅｒｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | シリコン系誘電体上の六方晶窒化ホウ素の直接形成 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5547379A (en) * | 1978-10-02 | 1980-04-03 | Takehiko Takahashi | Manufacture of boron nitride coated film by chemical vapor deposition |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP1906785A patent/JPS61177372A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5547379A (en) * | 1978-10-02 | 1980-04-03 | Takehiko Takahashi | Manufacture of boron nitride coated film by chemical vapor deposition |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT387988B (de) * | 1987-08-31 | 1989-04-10 | Plansee Tizit Gmbh | Verfahren zur herstellung mehrlagig beschichteter hartmetallteile |
| US4895770A (en) * | 1987-08-31 | 1990-01-23 | Schwarzkopf Development Corporation | Process for the manufacture of multi-layered, coated hardmetal parts |
| JP2021020848A (ja) * | 2016-05-12 | 2021-02-18 | グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドＧｌｏｂａｌＷａｆｅｒｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | シリコン系誘電体上の六方晶窒化ホウ素の直接形成 |
| US11276759B2 (en) | 2016-05-12 | 2022-03-15 | Globalwafers Co., Ltd. | Direct formation of hexagonal boron nitride on silicon based dielectrics |
| US11289577B2 (en) | 2016-05-12 | 2022-03-29 | Globalwafers Co., Ltd. | Direct formation of hexagonal boron nitride on silicon based dielectrics |
| JP2022121422A (ja) * | 2016-05-12 | 2022-08-19 | グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド | シリコン系誘電体上の六方晶窒化ホウ素の直接形成 |
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