JPH03243776A - セラミックス被覆用黒鉛基材及びcvd炉用内部部品 - Google Patents
セラミックス被覆用黒鉛基材及びcvd炉用内部部品Info
- Publication number
- JPH03243776A JPH03243776A JP2041619A JP4161990A JPH03243776A JP H03243776 A JPH03243776 A JP H03243776A JP 2041619 A JP2041619 A JP 2041619A JP 4161990 A JP4161990 A JP 4161990A JP H03243776 A JPH03243776 A JP H03243776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cvd
- graphite
- gas
- release rate
- graphite member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 42
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 38
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 43
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002296 pyrolytic carbon Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- -1 diaphragms Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000650589 Mus musculus Roundabout homolog 3 Proteins 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
BN)、炭化ケイ素(S i C) 、炭素(C)等の
セラミックスを析出あるいは成長させる際に用いられる
黒鉛部材特に好ましくは黒鉛基材及びCVD炉用内部部
品に関する。
ツクスは高純度で緻密なものが得やすい。
性、耐食性、寸法安定性に優れているため、ダイオード
、シリコン半導体、化合物半導体、炭化ケイ素半導体等
の製造用の発熱体、均熱体、半応管、ボート、サセプタ
ー、ヒートシールド、ルツボ等の熱処理治具、半導体材
料載置物、炉内構造物等に使われている。またプラズマ
CVD等のCVD用基板載置治具に音響用振動体として
も使用されあるいは期待されている。
るつぼ、セラミックス音響振動体を製造する際にもそれ
らのCVD威長成長として黒鉛は使用されている。
炉内に治具、発熱体、均熱体、ガスノズル等黒鉛材が使
われている。
C,BN、C等は緻密性に欠ける場合が多くあった。
解決することであり、これを換言すれば緻密性の優れた
SiC,BNSC等のセラミックスを製造しうるCVD
用基材やCVD炉用内部部品を新たに開発することであ
る。
BN、StC,C等のセラミックスの緻密性低下の原因
について鋭意研究した結果、CvD威長適長過程いて黒
鉛基材から放出されるガス(特にCo、H,O,Hl等
が多い)に大きく関与すること、即ち緻密性に欠ける多
孔質な成長層が成長するか否かについては黒鉛基材のガ
ス放出性が大きく関与することが判明した。更に引き続
く研究に於いてCVD基材あるいはその炉内部品のガス
放出のうち特にそのガス放出速度が大きく影響し、ガス
放出速度が大きい場合は緻密なセラミックス層が得られ
ず、速度の小さな黒鉛を用いると緻密で均一なセラ逅ツ
クスが得られることを発見し、本発明を完成した。
2X10−” Pa m/5−kg以下であるという特
性を有する黒鉛をCVD用黒鉛部材、特にCVD用黒鉛
基材やCVD炉用内部部品として使用することを大きな
要旨としている。即ち大きさlO10X10X1+のも
のをI K/sの昇温速度で加熱した時の673〜14
73 Kに於けるガス放出速度が上記特定値を有する黒
鉛材を上記用途に使用することであり、このような特定
のガス放出速度を有する黒鉛材を上記特定用途に適用す
るときは、CVDの成長により得られるセラミックス等
が極めて緻密性のあるものとなるという作用効果を発揮
する。
て説明する。この第1図の装置はその代表例の概略図で
あり、(1)は被測定物のホルダー兼ヒーター、(2)
は被測定物たる黒鉛片、(3)は真空容器、(4)はタ
ーボ分子ポンプ、(5)はB−A型電離真空計(全圧計
) 、(6)は四重極質量計(分圧針)、(7)はダイ
ヤフラムポンプ、(8)はオリフィス、(9)は熱電対
、0ωは被測定物マニュピユレータ−1ODは覗窓、0
2)はビラニ真空計、側はペニング真空計、0滲は被測
定物準備室、05)はターボ分子ポンプ、00はロータ
リーポンプ、a7)は被測定物導入マニュピユレータ−
1及び08)はゲートパルプである。
しては被測定物たる黒鉛片(IOXIOx 1 an)
(2)をホルダー兼ヒーター(1)にセットし、真空
容器(3)内に載置し、ターボ分子ポンプ(4)及びダ
イヤプラムポンプ(7)により数時間を要して10−’
〜10−’Pa以下に減圧、排気する。真空容器(3)
には全圧を測定するための電離真空計(5)、分圧を測
定するための四重極質量計(6)が付設されており、全
圧、分圧を測定出来るようになっている。昇温速度I
K/sで室温から1773 Kまで加熱しながら15秒
毎に全圧、分圧を測定する。
置を用いて測定した場合を一例として説明する。尚これ
等3種の黒鉛材の質量スペクトルの1例を第2〜4図に
示す。
、1473 Kに於ける結果を示し、いずれもm/e=
2(Hり 、18 (HzO) 、28 (CO)が多
いことがわかる。
性を示す。全圧は温度とともに増加し、573〜673
にで一定となり、1673に以上で再び増加している。
中に加熱されて温度が上がるため真空容器(3)の壁に
吸着していたガスが放出されることを示し、被測定物か
らガスが放出されたためではない。
の灰分を調整したものである。rIG−11」は400
ppmの灰分を持ち、rlG−110JはlOppm
の灰分まで高純度(脱灰)したものである。rIG−1
10UJはrlG−11Jを2 ppmまで高純度化し
、更に高温で減圧下、脱ガスしたものである。この結果
から不純物(灰分)が多いと全圧も高くなることがわか
る。
る。1閣の厚みの場合1時間加熱脱ガスするとrIG−
11JがrlG−110,とほぼ同じ全圧(ガス放出速
度)となる。第6図に1OXIOXIsのrIG−11
0JをI K/sの昇温速度で900″Cまで加熱した
後、35分間900″Cに保持した時の全圧の変化を測
定した結果を示す。
なった。このように時間をかければ全圧即ちガス放出速
度は減少する。しかし、黒鉛の厚みが厚くなる程、また
寸法が大きくなる程脱ガス処理に時間を要する。また真
空加熱脱ガス処理しても、真空容器より取り出すと雰囲
気(例えば空気中)にさらされて雰囲気中のガス(例え
ば、C01H,O1炭化水素等)を吸着し、脱ガスの効
果はIin日数と共に徐々に減少し、ついにはほとんど
その効果がなくなる。従って、ガス放出速度の小さい黒
鉛をCVD炉用内部部品、真空容器内部品に選ぶことが
後の脱ガス処理が簡単になる。
N!換算で551/sである。ここでN2換算とは、ガ
スの種類により排気装置の排気速度が異なるため、Nz
ガスを基準として排気速度を代表させる意味である。ま
た第5図(A)の全圧は、Nt換算値である。電離真空
計の感度はガスの種類によって異なるため便宜上、N2
ガスで矯正しており、その数値を用いる。
i=排気装置のガス種iに対する排気速度)で与えられ
る(第1図の場合Ntで551八である。)。すべての
ガスについて積分するのは工業的でない。そこで簡便法
として、 So −Po x vo ・ ・ ・ ・
・■(Po:B−A型電離真空計の表示圧(NZ換算値
)Vo : N、に対する排気速度〕 で算出する。以下■式で算出されたガス放出速度SOを
用いる。また前述のように1673 K以上では、So
に真空容器からの放出ガスも含まれ、真の黒鉛からのガ
ス放出速度にはならない。そこで温度範囲673〜14
73 Kとしてこの弊害を除去する。昇温過程も規定し
、脱ガス効果によるガス放出速度の変化を無視できるよ
うにI K/sとした。すなわち、本発明でガス放出
速度So*とは、 黒鉛の試験片寸法を110X10XIIIとし、10−
’Pa以下に予備排気した後I K/sの昇温速度で室
温から1773Kまで加熱した時Nt換算値での全圧P
oとNt換算の排気速度vOとから■式で算出されたも
の と定義する。第5図(A)の全圧より算出したガス放出
速度Soを第5図(B)に示す。単位重量当たりの値で
示しである。
用され、等方性黒鉛を代表例として例示出来るが、その
地異方性黒鉛材、難黒鉛性骨材を使用した炭素材、断熱
材、ホウ素またはシリコン等の他の元素が含有された(
炭化物になっている場合が多い)黒鉛材でも良い。その
形状等も何等限定されない。
ての部材を包含し、代表例として好ましくはCVD用基
材やCVD炉用内部部品を例示出来る。ここでCVD用
基材とは、その表面にセラミックスをCVD法により被
覆して共に使用される部品、被覆膜をはがして使う場合
の成長用母型をいい、その例として発熱体、均熱体、B
Nルツボ用型、ガスや溶融金属、液体等の容器や導入及
び排出用管、電導体、断熱材、振動板等の製品を作る場
合の基材を、またCVD炉用内部部品の例としては前記
基材をCVD炉内の保持、構造部材、並びに緊締用部材
、持具類等CVD炉内壁材内部部品として使用する場合
を例示出来る。
するものではない。
rlG−610,を用いて、Si(、e。
鉛上に1673 Kで炭化ケイ素を熱分解させ成長させ
た。その結果第1表に示すごとく、ガス放出速度(So
)の大きな灰分の多いrsIc−6J上には黄色で一部
灰色の不均一な多孔質な炭化ケイ素層が成長した。この
顕微鏡写真を第6図に示す。
−6Jを高純度したもの)上には均一な灰色で透明で緻
密な炭化ケイ素膜が成長したが、放出ガス速度の大きな
基材上には褐色で多孔質な膜が形成された。
放出速度(So)は110X10X1のサイズとして測
定したものである。
その高純度品rlG−110Jより1゜0X100の円
柱に切り出し、それらをCVD基材とした。基材を22
23K (ホットウォール法)に加熱し、NH,及びB
CI、をH2をキャリアガスとして流してPBNを成長
させた。成長したPBNの組織を第2表に示す。放出ガ
ス速度の小さいrlG−110,上には均一で緻密なP
BNが成長した。一方多いrlG−11,上には斑点に
しみが発生した。
じ材質の基材をlO×100×100mo+に切り出し
1573 Kに加熱し、プロパンガスとH2ガスを流し
て、基材上に熱分解炭素を析出させた。放出ガス速度の
小さなrlG−110U」には均質な銀色の緻密な熱分
解炭素膜が成長した。
2300にで5時間真空下(I Pa以下)で脱ガスし
た後2300 Kに加熱してプロパンガスとH2ガスを
流して得た基材r I G −11J (So:3.9
X10−”)上に熱分解炭素を析出させた。成長したC
VD炭素膜は灰銀色で均一で緻密であった。
.8X10−”)を1973にで真空下(50Pa以下
)48時間脱ガスした基材(So : 1.8)を用い
、2973 Kに加熱してSiOガス、COガス及びA
rガスの混合ガスの雰囲気全圧100 Paの減圧中で
表面に炭化ケイ素層を1100u成長させた。
炭化ケイ素であった。この例のようにCVD層形成前に
充分ガス発生を抑止する操作を行っておくと、比較的良
い被覆層が形成されることが判る。しかしCVD炉内で
このような時間のかかる操作を行うことは不経済である
ので、本発明のように炉に充填する前に予めSoを下げ
たものを使用することが有利である。
%/s・−以下の黒鉛を用いると均一で緻密なセラミッ
クスのCVD層が容易に成長する。一方3X 10−”
Parrr/5−kg以上の場合には1970 K以上
の温度で脱ガスしないと緻密で均一なセラミックス層は
CVD法では得にくいことがわかって本発明を完成した
ものである。
解炭素等のセラミックスあるいはそれらの複合材(熱分
解炭素被覆黒鉛、5iC−黒鉛傾斜材等)炭素/炭素複
合材にも適用できる。
概略図、第2〜4図は黒鉛材の質量スペクトル、第5図
はガス圧測定結果、第6図は実施例1及び比較例1の顕
微鏡写真である。 (以 上) 第2図 (A) 第2図 (B) 第3図 CB) 第3図 (C) 第2図 (C) 第3図 (A) 第4図 (A) 第4図 (B) j1貢1改 第 4 図 (C) 宙 1叉) ζ1) イく ゛厘:1 咄 11:ン (2) 手続補正書(方剤 1、事件の表示 平1fi、2年 特許側 第41619号2、発明の名
称 CVD用黒鉛部材 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人住所
大阪市西淀用区竹島五丁目七番十二号氏名 東洋炭素
株式会社 代表者 近 藤 照 久 4゜
Claims (4)
- (1)10×10×1mmのサイズとして1K/sの昇
温速度で加熱した時の673〜1473Kの温度に於け
るガス放出速度がN_2換算で2×10^−^2Pam
^3/s・kg以下であることを特徴とするCVD用黒
鉛部材。 - (2)黒鉛の灰分が50ppm以下である請求項(1)
に記載の黒鉛部材。 - (3)黒鉛部材がCVD用黒鉛基材である請求項(1)
に記載の黒鉛部材。 - (4)黒鉛部材がCVD炉用内部部品である請求項(1
)に記載の黒鉛部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2041619A JP2684106B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | セラミックス被覆用黒鉛基材及びcvd炉用内部部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2041619A JP2684106B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | セラミックス被覆用黒鉛基材及びcvd炉用内部部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03243776A true JPH03243776A (ja) | 1991-10-30 |
JP2684106B2 JP2684106B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=12613357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2041619A Expired - Lifetime JP2684106B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | セラミックス被覆用黒鉛基材及びcvd炉用内部部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2684106B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007308370A (ja) * | 2007-07-27 | 2007-11-29 | Toyo Tanso Kk | 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法 |
JP2007308369A (ja) * | 2007-07-27 | 2007-11-29 | Toyo Tanso Kk | 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法 |
WO2008078503A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜方法 |
JP2010248072A (ja) * | 2000-12-18 | 2010-11-04 | Toyo Tanso Kk | 低窒素濃度黒鉛材料、及び、その保管方法 |
JP2012178613A (ja) * | 2012-06-08 | 2012-09-13 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5762735B2 (ja) | 2009-12-28 | 2015-08-12 | 東洋炭素株式会社 | 炭化タンタル被覆炭素材料 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5884181A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-20 | 松下電器産業株式会社 | カ−ボン部材の純化処理方法 |
JPS6378759A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | Nec Corp | サ−マルヘツド |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP2041619A patent/JP2684106B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5884181A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-20 | 松下電器産業株式会社 | カ−ボン部材の純化処理方法 |
JPS6378759A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | Nec Corp | サ−マルヘツド |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010248072A (ja) * | 2000-12-18 | 2010-11-04 | Toyo Tanso Kk | 低窒素濃度黒鉛材料、及び、その保管方法 |
WO2008078503A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜方法 |
JP2008159947A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
US8696814B2 (en) | 2006-12-25 | 2014-04-15 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus and film deposition method |
JP2007308370A (ja) * | 2007-07-27 | 2007-11-29 | Toyo Tanso Kk | 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法 |
JP2007308369A (ja) * | 2007-07-27 | 2007-11-29 | Toyo Tanso Kk | 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法 |
JP4641536B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2011-03-02 | 東洋炭素株式会社 | 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法 |
JP4641535B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2011-03-02 | 東洋炭素株式会社 | 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法 |
JP2012178613A (ja) * | 2012-06-08 | 2012-09-13 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2684106B2 (ja) | 1997-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0149044B1 (en) | Boron nitride containing titanium nitride, method of producing the same and composite ceramics produced therefrom | |
US20200331816A1 (en) | Process for manufacturing a silicon carbide coated body | |
US4717693A (en) | Process for producing beta silicon nitride fibers | |
US20210062336A1 (en) | Process for manufacturing a silicon carbide coated body | |
US20210017092A1 (en) | Process for manufacturing a silicon carbide coated body | |
JPH03243776A (ja) | セラミックス被覆用黒鉛基材及びcvd炉用内部部品 | |
US20240158911A1 (en) | Process for manufacturing a silicon carbide coated body | |
JP3638345B2 (ja) | 熱分解窒化硼素容器 | |
JP2002003285A (ja) | SiC被覆黒鉛部材およびその製造方法 | |
US20210017029A1 (en) | Process for manufacturing a silicon carbide coated body | |
US20200325078A1 (en) | Process for manufacturing a silicon carbide coated body | |
JP4736076B2 (ja) | SiC膜被覆ガラス状炭素材およびその製造方法 | |
JPH0688866B2 (ja) | 窒化ホウ素被覆ルツボおよびその製造方法 | |
JP4309509B2 (ja) | 熱分解黒鉛からなる単結晶成長用のルツボの製造方法 | |
JPS6272505A (ja) | 熱分解窒化ほう素製器物の製造法 | |
JPH1135391A (ja) | 炭化ケイ素被覆サセプタ− | |
JPS61236672A (ja) | 熱分解窒化ホウ素被覆物品及びその製法 | |
JPS61219787A (ja) | 高純度半導体単結晶製造用ルツボ | |
JPS63166789A (ja) | シリコン単結晶引上装置用黒鉛製ルツボとその製造方法 | |
JPS627620A (ja) | 多結晶シリコン製造用反応管 | |
JPH05124864A (ja) | 高純度炭化珪素体の製造方法 | |
JPH01111875A (ja) | 遊離炭素を含むSiC被膜の製造方法 | |
JP2001048682A (ja) | SiC膜被着ガラス状炭素材の製造方法 | |
GB2192643A (en) | Method of coating refractory vessels with boron nitride | |
JPH0154432B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815 Year of fee payment: 13 |