JPS61113604A - ４―メチル―１―ペンテン系重合体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規な４−メチル−１−ペンテン系重合体及
びその用途に関する。更に詳細には、透明性、耐水性及
び流動性に優れた４−メチル−１−ペンテン系重合体に
関するものであり、とくに該４−メチル−１−ペンテン
系重合体を光透過性素材とすることにより、成形性及び
透明性に優れ、複屈折が少なく、成形品の耐湿性に優れ
かつ反りの少ない光学メモリディスクを提供するもので
ある。

〔従来の技術〕

最近、録音、録画などの情報記録の分野において、従来
の７＋ログ式もしくは磁気式の記録に代わって、光エネ
ルギーの変化に変換し得る記録層を形成させ、これに光
を照射することによって記録された情報を光に変換して
読み取る光学メモリディスクが新しい情報記録システム
として注目されており、光学式ビデオディスクまたは光
学式デジタルオーディオディスクなどの情報記録の分野
で急速に発展している。この光学メモリディスクには、
光透過性素材からなるディスク基盤の片面に光エネルギ
ーの変化に変換し得る記録層（情報ピット）を形成させ
、その露出側に金属被膜層を形成させ、さらにその金属
被膜層の表面に保護膜層を形成させた構造、すなわち、 〔光透過性素材層・記録層／／金属被膜層／／保護膜層
〕 の積層構造からなる片面光学メモリディスク、およびこ
の２枚の片面ディスク基盤の保護膜層を背合わせに積層
させた構造、すなわち、 〔光透過性素材層・記録層／／金属被膜層／／保護膜層
／／金属被膜層／／記録層・光透過性素材層〕の積層構
造からなる両面光学メモリディスクなどの構造のものが
ある。これらの光学メモリディスタの記録層は通常は光
透過性素材からなるディスク基盤の片面上に同種の素材
で形成されるが、該ディスク基盤の片面上に他の素材か
らなる記録層を形成させる場合もある。

該光学メモリディスクを構成する光透過性素材層（ディ
スク基盤層）に要求される光透過性素材の性能としては
、透明性に優れていること、ディスク基盤に成形した場
合に複屈折が少ないこと、流動特性及び精密成形加工性
に優れていること、成形時に歪みを生じないこと、寸法
安定性に優れ成形後に反りを生じないこと、金属の蒸着
性能に優れていること、耐熱性に優れていること、耐湿
性に優れていること、などがある。光学メモリディスク
に従来から使用されている光透過性素材としては、ガラ
スまたは透明性樹脂がある。ガラス透明性、耐熱性、耐
湿性に優れ、複屈折が少なく、成形時の歪み及び成形後
の反りがないなどの利点はあるが、耐衝撃性に劣り、成
形加工性にも劣り大量生産に適していないなどの欠点が
あり、ガラスに代わる光透過性素材として透明性樹脂が
広く使用されている。

光学メモリディスクの光透過性素材用の透明性樹脂とし
ては、従来硬質塩化ビニル系樹脂、ポリメチルメタクリ
ート、ポリカーボネートなどが提案されている。しかし
、硬質塩化ビニル樹脂では種々の添加剤を改質のために
配合しなければならず、この添加剤が成形後に経時的に
ディスク表面にブリードアウトすることにより光学メモ
リディスクの記録再生性能が低下するという欠点がある
。

また、ポリメチルメタクリレート又はポリカーボネート
を光透過性素材とする光学メモリディスクは透明性に優
れ、複屈折が小さいという利点はあるが、耐湿性に乏し
く空気中の水分を吸収してディスク基盤の表面が膨張し
、反りが生じ易いという欠点がある。

ポリメチルメタクリレート又はポリカーボネートを光透
過性素材とする光学メモリディスクの前述の欠点を回避
するものとして、４−メチル−１−ペンテン系重合体を
光透過性素材とする光学メモリディスクが、特開昭５８
−１６０３０６号公報、特開昭５８−１２１１　Ｓ　０
号公報、特開昭５８−１２１１５１号公報、特開昭５８
−１７６２０４号公報にそれぞれ提案されている。これ
らの先行技術文献のうちで特開昭５８−１６０３０６号
公報、特開昭５８−１２１１５０号公報及び特開昭５８
−１２１１５１号公報において具体的に開示された光学
メモリディスクの光透過性素材は、それぞれの実施例の
記載から明らかなように、いずれもかなり高分子量すな
わち極限粘度〔η〕の大きい４−メチル−１−ペンテン
系重合体であることがわかる。

しかし、このように極限粘度〔り〕の大きい４−メチル
−１−ペンテン系重合体を光学メモリディスクの光透過
性素材として使用しようとすると、流動特性が低下する
と共に精密成形性が低下ししかも成形時の樹脂の配向に
よる複屈折が大きくなるので、高性能の光学メモリディ
スクを成形することができないという欠点がある。この
高極限粘度の４−メチル−１−ペンテン系重合体を光透
過性素材として使用した光学メモリディスクの欠点を改
善しようとして溶融射出成形時の温度を高くすると、該
４−メチル−１−ペンテン系重合体の加熱溶融時の熱分
解が起こり、流動特性及び精密成形性が向上ししかも複
屈折も低下するようになる。このような改善結果に基づ
〈発明が本出願人による特開昭５ｏ−ｘ７６２０４号公
報の提案である。

しかし、特開昭５８−１７６２０４号公報に開示されて
いるように、高温加熱溶融により熱分解を起こさせるこ
とによって得られた４−メチル−１−ペンテン系重合体
は前述の高極限粘度の４−メチル−１−ペンテン系重合
体の前記欠１代は解消するものの、該熱分解４−メチル
−１−ペンテン系重合体は熱分解時の着色により透明性
の低下ならびに熱　　　　　　　　　　　　１”駒°′
″８生Ｌ１釦ド００龍“行れ０１　　　　　　　　　　
１による光散乱が僅かに起こるためか、これを光透過性
素材とした光学メモリディスクの性能は未だ充分である
とは言い難い。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明者らは、従来の高極限粘度（Ｖ）の４−メチル−
１−ペンテン系重合体及び熱分解４−メチル−１−ペン
テン系重合体を光学メモリディスクの光透過性素材の用
途に利用しても、ν・ずれも前述の欠点が存在し、高性
能の光学メモリディスクが得られないことを認識し、従
来のこれらの４−メチル−１−ペンテン系重合体にくら
べて光学メモリディスクの光透過性素材として優れた４
−メチル−１−ペンテン系重合体を提供すること、なら
びに従来の４−メチル−１−ペンテン系重合体を光透過
性素材としたものにくらべて高性能の光学メモリディス
クを提供することを目的として開発研究を行ってきた。

その結果、本発明は、４−メチル−１−ペンテンを主成
分としかつ特定の極限粘度、分子量分布、融点、結晶化
度及び沃素価で特定される４−メチル−１−ペンテン系
重合体は、従来の４−メチル−１−ペンテン系重合体に
くらべて、透明性に優れ、溶融流動特性が良好であるの
で精密成形加工性に優れており、成形加工時に歪みを生
じ難く、寸法安定性に優れ、耐湿性が良好であるので成
形後に反りを生じないこと、成形時の配向が少なく成形
品の透過光の複屈折が着しく少ない二と、重合体中に分
散した微小気泡が存在しないので透過光の散乱が起こら
ないこと、耐熱性に優れ、着色がないなどの優れた性質
を有することを見出したことに基づくものであり、さら
には該４−メチル−１−ペンテン系重合体を光透過性素
材として使用した光学メモリディスクは前述の性質を備
えた優れた性能を発揮することを見出したことに基づく
ものである。

従って、本発明の目的は、光学メモリディスクの光透過
性素材として優れた性質を有する新規な４−メチル−１
−ペンテン系重合体を提供することにある。さらに、他
の目的は優れた性能を有する光学メモリディスクを提供
することにある。

本発明の上記目的ならびにさらに多くの他の目的ならび
に利点は以下の記載により一層明らかになるであろう。

〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明によれ
ば、 （Ａ）　４−メチル−１−ペンテン成分（ａ）が８０な
いし１００モル％及び４−メチル−１−ペンテン以外の
炭素原子数が２ないし２０の範囲にあ矛α−オレフィン
成分（ｂ）がＯないし２０モル％の範囲〔ここで、（ａ
）と（ｂ）との合計は１００モル％である〕にあること
、 （Ｂ）　　１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔
η〕が０．１ないし１．５ｄｌ／ｇの範囲にあること、 （Ｃ）　　数平均分子量に対する重量平均分子量の比で
表わした分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が２ないし７の範囲
にあること、 （Ｄ）　　示差走査型熱量計で測定した融点が２００な
いし２４５℃の範囲にあること、 （Ｅ）Ｘ線回折法で測定した結晶化度が１０ないし５０
％の範囲にあること、及び （Ｆ）　　沃素価が２以下の範囲にあること、によって
特徴づけられる４−メチル−１−ペンテン系重合体が提
供され、ならびに該４−メチル−１−ペンテン系重合体
体を光透過性素材とする光学メモリディスクが提供され
る。

本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体は、４−メ
チル−１−ペンテンの単独重合体の場合もあるし、４−
゛メチルー１−ペンテン成分（ａ）と４−メチル−１−
ペンテン以外の炭素原子数が２な−１し２０の範囲にあ
るα−オレフィン成分（ｂ）とのランダム共重合体であ
る場合もある。該４−メチル−１−ペンテン系重合体の
組成（Ａ）は、４−メチル−１−ペンテン成分（ａ）が
８０ないし１００モル％、好ましくは９０ないし１００
モル％の範囲及び炭素原子数が２ないし２０の範囲のａ
−オレフィン成分（ｂ）がＯないし２０モル％、好まし
くは０な（・し１０モル％の範囲である。ここで、４−
メチル−１−ペンテン成分（、Ｌ）と該α−オレフィン
成分（ｂ）の合計は１００モル％である。４−メチル−
１−ペンテン系共重合体の該ａ−オレフィン成分の含有
率が２０モル％より多くなると、４−メチル−１−ペン
テン系重合体の剛性と耐熱性が低下するようになり、該
４−メチル−１−ペンテン系重合体を光透過性素材とす
る光学メモリディスクの剛性と耐熱性が低下し、金属蒸
着した光メモリディスクが反りやすくなる。該ａ−才し
フィン成分として具体的には、エチレン、プロピレン、
１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテ
ン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１
−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンな
どを例示することがで終る。

本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体において、
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η〕は０．
１ないし１．５、好ましくは０．５ないし１．０の範囲
である６該４−メチル−１−ペンテン重合体の極限粘度
〔り〕が１．５より大きくなると、溶融流動性が低下し
精密成形加工性が低下するようになり、また光学メモリ
ディスクを射出成形した場合に該重合体の配向性が大き
くなりその結果透過光の複屈折が多くなるので、高性能
の光学メモリディスクが得られなくなる。また、該４−
メチル−１−ペンテン系重合体の極限粘度〔り〕が０．
１より小さくなると、耐衝撃強度、力学強度が低下し、
射出成形を行なうとディスクが金型中で割れやすくなり
、満足な成形体を得るのが困難となる。この特性値は本
発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体の分子量を示
す尺度であり、池の特性値と結合することにより、前述
の優れた性質の４−メチル−１−ペンテン系重合体の提
供に役立っている。

本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体において、
数平均分子量に対する重量平均分子量の比で表わした分
子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が２ないし７、好ましくは２．
２ないし５の範囲にある。該４−メチル−１−ペンテン
系重合体の分子量分布が７より大きくなると、耐衝撃強
度が低下し、複屈折が大きくなり、また分子量分布が２
より小さくなると、溶融流動性が低下し、精密成形性が
悪くなる。この分子量分布はデルバーミエイションクロ
マトグラフイーによって測定したものである。この特性
値は池の特性値と結合することによって前述の優れた性
質の４−メチル−１−ペンテン系重合体の提供に役立っ
ている。

本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体において、
示差走査型熱量計によって測定した融点〔以下、ＤＳＣ
融点と略記することがある〕（Ｄ）は２００ないし２４
５℃、好ましくは２１０ないし２４５℃の範囲にある。

この特性値も他の特性値と結合することによって前述の
優れた性質の４−メチル−１−ペンテン系重合体の提供
に役立っている。

ＤＳＣ融点は、試料を３００℃で５分間放置後−４０℃
で５分間放置した後、１０℃／ｌｌｌ１　ｎの昇温速度
で一４０’Ｃから３００℃まで測定を行うことにより求
めた。

本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体において、
Ｘ線回折法で測定した結晶化度（Ｅ）は１０ないし５０
％、好ましくは２０ないし４８％の範囲にある。この特
性値も他の特性値と結合することにより、前述の優れた
性質の４−メチル−１−ペンテン系重合体の提供に役立
っている。

本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体において、
沃素価は２以下、たとえば０．０１〜２、好ましくは０
．０１〜１、とくに好ましくは０．０２〜０．５の範囲
である。沃素価が２より大きい４−メチル−１−ペンテ
ン系重合体、たとえば熱分解決で得られた４−メチル−
１−ペンテン系重合体及び該重合体を光透過性素材とし
て使用した光学メモリディスクの欠点は前述のとおりで
ある。この特性値は４−メチル−１−ペンテン系重合体
中に存在する炭素・炭素不飽和結合、とくに分子末端に
存在する炭素・炭素不飽和結合の存在量を示す　　　　
　　　　　　　１尺度であり、他の特性値と結合するこ
とにより、　　　　　　　　　　　　〜前述の優れた性
質の４−メチル−１−ペンテン系重合体の提供に役立っ
ている。該４−メチル−１−ペンテン系重合体の沃素価
は次の方法により測定した。すなわち、２ｇの４−メチ
ル−１−ペンテン系重合体を１００ｍ１のデカリンに１
５０℃で溶解し、５０℃になるまで室温放置後、１ｍｎ
＋ｏｌの一塩化沃素を溶解した２０ｍ１の酢酸を添加す
る。時々攪拌しながら３０分暗所に放置後、１０％沃化
カリウム水溶液を２０ｍ１添加し、０．１Ｎ千オ硫酸ナ
トリウム水溶液で滴定した。１００ｇの試料に付加した
沃素の８数を示す沃素価を次式で計算した。

沃素価＝１．２６９（Ｂ−Ａ）／に こで、ＡとＢはそれぞれ試料と空実験で滴定に要したチ
オ硫酸ナトリフムのｍｌ数、Ｃは試料のｇ数である。

本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体は以上に述
べた（Ａ）ないしくＦ）によって表わされる結合因子を
満足し、さらに好ましい本発明の４−メチル−１−ペン
テン系重合体は次の（Ｇ）ないしくＨ）の特性値をも充
足する。

本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体において、
１０℃におけるｎ−デカンへの可溶分量〔町重量％〕（
Ｇ）は該共重合体の重量に基づいて４０重量％以下、好
ましくは３０重１％以下の範囲にある。また、該４−メ
チル−１−ペンテン系重合体の１０℃におけるｎ−デカ
ンへの可溶分量（Ｗ＋重量％〕は、たとえば一般式 ％式％ 好ましくは　１．０≦Ｗ１≦１５十ａ 〔式中、ａは該ａ−オレフィン成分の含有率（モル％）
を示す〕で表わされる範囲にある。また、該４−メチル
−１−ペンテン系重合体の１０℃におけるｎ−デカンへ
の可溶分量（Ｗ＋重量％〕は通常は２０×〔り〕−１１
重量％未満好ましくは１５×〔η〕−１重量％未満の範
囲にある（ここで、（１）は該共重合体の極限粘度の数
値であって、ディメンションを除いた値を示す）。これ
らの特性値は、本発明の４−メチル−１−ペンテン系重
合体における低分子量重合体成分の含有率を示しかつ該
重合体の組成分布及び分子量分布の広狭を示す尺度であ
り、他の特性値と結合することにより、前述の優れた４
−メチル−１−ペンテン系重合体の提供に役立っている
０本発明において、１０℃におけるｎ−デカンへの該重
合体の可溶分量は次の方法によって測定決定される。す
なわち、攪拌羽根付１５０…１のフラスコに、１．Ｏｇ
の重合体試料、０．１ｇの２．６−ジｔｅｒｔ〜ブチル
−４−メチルフェノール、１００ＩＩＩｌのｎ−デカン
を入れ、１５０℃の油浴上で溶解させる。溶解後３０分
間室温下で自然放冷し、１０℃の水浴上で６０分間冷却
する。析出した重合体と非品性重合体成分の溶解した溶
液をグラスフィルターで濾過分離し、溶液を１１０１１
ＩＩＩＩＨで１５０’Ｃで恒量になるまで乾燥し、その
重量を測定し、前記溶媒中への重合体の可溶分量を試料
重合体の重量に対する百分率として算出決定した。なお
、前記測定法において攪拌は溶解時から濾過の直前まで
連続して行った。

本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体のＡＳＴＭ
Ｄ１００３の方法で測定した厚さ２ｍｍの霞度（Ｈ）は
５％以下、好ましくは４％以下、とくに好ましくは３％
以下である。

本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体は、たとえ
ば、 （ａ）　　マグネシウム化合物、チタン化合物、ジエス
テル及び必要に応じてノ１０デン化合物（マグネシウム
化合物又はチタン化合物カリ）クグン原子を含む場合に
は必ずしも必要としない）を相互に反応させることによ
って形成されるマグネシウム、チタン、ハロゲン及びジ
エステルを必須成分とする高活性チタン触媒成分、 （ｂ）　　有機アルミヨウム化合物触媒成分、及び（ｃ
）　　一般式　（Ｒ’）ｔｓｉ（ＯＲ２）（式中、則及
びＲ２は炭化水素基であり、３個のＲ１はそれぞれ同一
もしくは異なっていてもよい）で表わされる有機硅素化
合物触媒成分、 から形成される触媒の存在下に、約２０ないし約１００
℃の温度で４−メチル−１−ペンテンを単独で重合する
かあるいは４−メチル−１−ペンテンと前記α−オレフ
ィンを共重合させることによって得ることができる。触
媒成分、共重合条件その他の共重合体製造条件は以下に
詳しく述べるように、本発明の４−メチル−１−ペンテ
ン系重合体に前記特性（Ａ）ないしくＧ）を目安として
、°実験的に容易に選択設定することができる１本発明
において、従来の文献未記載の特性値を有する本発明の
４−メチル−１−ペンテン系重合体の存在ならびに該重
合体の優れた性質が明らかにされたのであるから、本発
明の重合体に特定された特性値（Ａ）ないしくＦ）、さ
らに補助的な特性値（Ｇ）ないしくＨ）を目安にして、
本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体の製造条件
を実験的に容易にかつ適宜に選択設定することができる
。

高活性チタン触媒成分（ａ）は、マグネシウム、チタン
、ハロゲンおよびジエステルを必須成分として含有する
。このようなチタン触媒成分（ａ）としては、マグネシ
ウム／チタン（原子比）が好ましくは約２ないし約１０
０、一層好ましくは約４ないし約７０、ハロゲン／チタ
ン（原子比）が好ましくは約４ないし約１００、一層好
ましくは約６ないし約４０．ジエステル／チタン（モル
比）が好ましくは約０．２ないし約１０、一層好ましく
は約０．４ないし約６の範囲にあるのが好ましい。また
、その比表面積は、好ましくは約３ＩＩ＋２／８以上、
一層好ましくは約４０ｍ２７ｇ以上、さらに好ましくは
約１００ｓ２／ｇないし約８００ｍ２／ｇである。

このようなチタン触媒成分（ａ）は、室温におけるヘキ
サン洗浄のような簡単な手段によって実質的にチタン化
合物を脱離しないのが普通である。

そのＸ線スペクトルが触媒調製に用いた原料マグネシウ
ム化合物の如何にかかわらず、マグネシウム化合物に関
して非品性を示すか、またはマグネシウムシバライドの
通常の市販品のそれに比べ、好ましくは非常に非晶化さ
れた状態にある。

チタン触媒成分（ａ）は、前記必須成分以外に、触媒性
能を大きく悪化させない限度において、池の元素、金属
、官能基、電子供与体などを含有していでもよい、さら
に有機や無機の希釈剤で希釈されていてもよい。他の元
素、金属、希釈剤などを含有する場合には、比表面積や
非品性に影響を及ぼすことがあり、その場合には、その
ような他成分を除去したときに前述したような比表面積
の値を示しかつ非品性を示すものであることが好ましい
。

該チタン触媒成分（Ｊｌ）としてはまた、平均粒子径が
好ましくは約１ないし約２００μ、一層好ましくは約５
ないし約１００μであってかつその粒度分布の幾何標準
偏差６ｇが好ましくは２．１未満、一層好ましくは１．
９５以下であるものが好ましい。また、その形状は真球
状、惰円球状、顆粒状などの整ったものであることが好
ましい。

チタン触媒成分（ａ）を製造するには、マグネシウム化
合物（またはマグネシウム金属）、チタン化合物および
ジエステルまたはジエステル形成性化合物（ジエステル
を形成する化合物）を、他の反応試剤を用いまたは用い
ずして相互に接触させる方法を採用するのがよい。その
調製は、マグネシウム、チタン、ハロゲンおよび電子供
与体を必須成分とする従来公知の高活性チタン触媒成分
の調製法と同様に行うことができる。例えば、特開昭５
０−１０８３８５号、同５０−１２６５９０号、同５１
−２０２９７号、同５１−２８１８９号、同５１−６４
５８６号、同５１−９２８８５号、同５１−１３６゛６
２５号、同５２−８７４８９号、同５２−１００５９６
号、同５２−１４７６８８号、同５２−１０４５９３号
、同５３−２５８０号、同５３−４００９３号、同５３
−４３０９４号、同５５−１３５１０２号、同５５−１
３５１０３号、同５６−８１１号、同５６−１１９０８
号、同５６−１８６０６号などに開示された方法に準じ
て製造することができる。

°°“″”°“）ｙ！！！Ｊ′″°１°“′°１ついて
、以下に例示する。

（１）マグネシウム化合物あるいはマグネシウム化合物
と電子供与体の錯化合物を、電子供与体、粉砕助剤等の
存在下または不存在下に、粉砕しまたは粉砕することな
く、電子供与体および／または有機アルミニウム化合物
やハロゲン含有ケイ素化合物のような反応助剤で予備処
理し、または予備処理せずに得た固体と、反応条件下を
液相をなすチタン化合物とを反応させる。但し、上記電
子供与体を少なくとも一回は使用する。

−（２）還元能を有しないマグネシウム化合物の液状物
と、液状チタン化合物を電子供与体の存在下で反応させ
て固体状のチタン複合体を析出させる。

（３）　　（２）で得られるものに、チタン化合物をさ
らに反応させる。

（４）（１）や（２）で得られるものに電子供与体およ
びチタン化合物をさらに反応させる。

（５）マグネシウム化合物あるいはマグネシウム化合物
と電子供与体の錯化合物を、電子供与体、粉砕助剤等の
存在下または不存在下に、およびチタン化合物の存在下
に粉砕し、電子供与体および／または有機アルミニウム
化合物やノーロデン含有ケイ素化合物のような反応助剤
で予備処理し、または予備処理せずに得た固体を、Ｉｓ
ロデンまたはハロゲン化合物または芳香族炭化水素で処
理する。

但し、上記電子供与体を少なくとも一回は使用する。

これらの調製法の中では、触媒調製において、液状のハ
ロゲン化チタンを使用したものあるいはチタン化合物使
用後、あろいは使用の際にノ）ロデン化炭化水素を使用
したものが好ましい。

上記調製において用いられる電子供与体は、ジエステル
またはジエステル形成性化合物のみである必要はなく、
たとえばアルコール、７エ／−ル、アルデヒド、ケトン
、エーテル、カルボン酸、カルボン酸無水物、炭酸エス
テル、モノエステル、アミンなどジエステル以外の電子
供与体も使用することができる。

高活性チタン触媒成分（ａ）中の必須成分であるジエス
テルとしては、１個の炭素原子に２個のカルボキシル基
が結合しているジカルボン酸のエステルもしくは相隣る
２個の炭素原子にそれぞれカルボキシル基が結合してい
るジカルボン酸のエステルであることが好ましい、この
ようなジカルボン酸のエステルにおけるジカルボン酸の
例としては、マロン酸、５１換マロン酸、コハク酸、ａ
換コハク酸、マレイン酸、置換マレイン酸、７マル酸、
置換７マル酸、脂環を形成する１個の炭素原子に２個の
カルボキシル基が結合した脂環ジカルボン酸、脂環を形
成する相隣る２個の炭素原子にそれぞれカルボキシル基
が結合した脂環ジカルボン酸、オルソ位にカルボキシル
基を有する芳香族ジカルボン酸、複素環を形成する相隣
る２個の炭素原子ニカルボキシル基を有する複素環ジカ
ルボン酸などのジカルボン酸のエステルを挙げることが
できる。

上記ジカルボン酸のより具体的な例としては、マロン酸
；メチルマロン酸、エチルマロン酸、イ”／フ１＝１ビ
ルマロン酸、アリル（ａｌｌｙｌ）マロン酸、フェニル
マロン酸、などの置換マびン酸；コハク酸；メチルフハ
ク酸、ツメチルコハク酸、二チルコハク酸、メチル二チ
ルコハク酸、イタコン酸すどの置換フハク酸；マレイン
酸；シトラコン酸、ジメチルマレイン酸などの置換マレ
イン酸；シクロペンタン−１，１−ジカルボン酸、シク
ロベンクン−１，２−ジカルボン酸、シクロヘキサン−
１，２−ジカルボン酸、シクロヘキセン−１，６−ジカ
ルボン酸、シクロヘキセン−３，４−ジカルボン酸、シ
クａヘキセン−４，５−ジカルボン酸、ナジック酸、メ
チルナジック酸、トアリルシクロヘキサン−３ｇ４−ジ
カルボン酸なとの脂環族ジカルボン酸ニアタル酸、ナフ
タリン−１，２−ジカルボン酸、ナフタリン−２，３−
ジカルボン酸などの芳香族ジカルボン酸；７ランー３．
４−ジカルボン酸、４，５−ジヒドロフラン−２，３−
ジカルボン酸、ベンゾビラン−３゜４−ジカルボン酸、
ピロール−２，３−ジカルボン酸、ピリジン−２，３−
ジカルボン酸、千オフエン−３゜４−ジカルボン酸、イ
ンドール−２，３−ジカルボン酸などの複素環ジカルボ
ン酸；の如きジカルボン酸を例示することができる。

上記ジカルボン酸のエステルのフルフール成分のうち少
なくと６一方が炭素数２以上、とくには炭素数３以上の
ものが好ましく、とりわけ両アルコール成分ともに炭素
数２以上、とくには炭素数３以上のものが好ましい０例
えば上記ジカルボン酸のジエチルエステル、ジイソプロ
ピルエステル、ジｒｒ７”ロビルエステル、ジローブチ
ルエステル、ジイソデシルエステル、ノーＬｃｒｔ−ブ
チルエステル、ジイソアミルエステル、ジローヘキシル
エステル、ジー２−エチルへ斗シルエステル、ジローオ
クチルエステル、ジイソデシルエステル、エチルｎ−ブ
チルエステルなどを例示することができるゆ前記高活性
チタン触媒成分（α）の調製に用いられるマグネシウム
化合物は還元能を有するまたは有しないマグネシウム化
合物でちる。前者の例としてはマグネシウム・炭素結合
やマグネシウム・水素結合を有するマグネシウム化合物
、例えばジメチルマグネシウム、ジエチルマグネシウム
、ジプロピルマグネシウム、ジプチルマグネシウム、シ
アミルマグネシウム、ジデシルマグネシウム、ジデシル
マグネシウム、エチル塩化マグネシウム、プロピル塩化
マグネシウム、ブチル塩化マグネシウム、ヘキシル塩化
マグネシウム、アミル塩化マグネシウム、ブチルエトキ
シマグネシウム、エチルブチルマグネシウム、ブチルマ
グネシウムハイドライドなどがあげられる。これらマグ
ネシウム化合物は、例えば有機アルミニウム等との錯化
合物の形で用いる事もでき、また、液状状態であっても
固体状態であってもよい。後者の還元能を有しないマグ
ネシウム化合物の例としては、塩化マグネシウム、臭化
マグネシウム、沃化マグネシウム、弗化マグネシウムの
ようなハロゲン化マグネシウム；メトキシ塩化マグネシ
ウム、エトキシ塩化マグネシウム、インプロポキモ塩化
ｉグネシウム、ブトキシ塩化マグネシウム、オクトキシ
塩化マグネシウムのよりなアルコヤシマグネシウムハラ
イド；フェノキシ塩化マグネシウム、メチルフェノキシ
塩化マグネシウムのようなアリロキシマグネシウムハラ
イド蔓エトキシマグネシウム、イソプロポキシマグネシ
ウム、ブトキシマグネシウム、ｎ−オクトキシマグネジ
１グネシウム、２−エチルへキノキシマグネシウムのよ
うなアルコキシマグネシウム；フェノキシｉグネシウム
、ジメチルフェノキシマグネシウムのようなアリロキシ
マグネシウム；ラウリン酸マグネシウム、ステアリン酸
マグネシウムのようなマグネシウムのカルボン酸塩など
を例示することができる。また、これら還元能を有しな
いマグネシウム化合物は、上述した還元能を有するマグ
ネシウム化合物から誘導したものあるいは、触媒成分の
調製時に誘導したものであってもよい。また、核マグネ
シウム化合物は他の金属との錯化合物、複化合物あるい
は他の金属化合物との混合物であってもよい。さらにこ
れらの化合物の２種以上の混合物であってもよい。これ
らの中で好ましいマグネシウム化合物は還元能を有しな
い化合物であシ、特に好ましくはハロゲン含有マグネシ
ウム化合物、とシわけ塩化マグネシウム、アルコキシ塩
化マグネシウム、アリロキシ塩化マグネシウムである。

チタン触媒成分（α）の調製に用いられるチタン化８□
、、えイア７．ｏ２い−９，アヮイ８よ８　　　）基、
Ｘはハロゲン、０≦Ｉ＜４’）で示される４価のチタン
化合物が好適である。より具体的には、ＴｉＣ１，、Ｔ
ｉＥｒ、、　　Ｔｉ１４などのテトラハロゲン化チタン
；　Ｔ　ｔ　（ＯＣＨ，）　Ｃｌ、、Ｔｉ（ＱＣ晶）Ｃ
１，、Ｔｉ（Ｏｎ−Ｃｊｌ、）Ｃ１ｇ、　　Ｔｉ（ＱＣ
，Ｈ＠）Ｅｒ８、Ｔｉ（０−０４Ｈ，）Ｅｒ３などのト
リノ・ロゲン化アルコキシチタンｒ　Ｔ　ｉ　（ＯＣＨ
＠　）ＩＣｌｔ、　Ｔ　ｉ　（ＯＣＪ、）ＩＣ輸、Ｔｉ
（Ｏｎ−Ｃ４Ｈ，）２ＣＥ！、Ｔ　ｉ　（０ＣＪｌｌ）
　、　Ｂ−などのジ／Ｎロゲン化アルコキシチタンｔ　
Ｔ　４　（ＯＣＨ＠）　ａＣｔ。

Ｔｉ（ＱＣ晶）。ＣｌＸＴｉ　（０２＆−Ｃ，ＨＪ、Ｃ
１，Ｔｉ　（ＱＣ。

Ｈり、ＢＴ　などの七ツノ・ロゲン化トリアルコキシチ
タン＋　Ｔｉ（ＯＣＨ，）いＴｉ　（ＱＣ，Ｈ，）、、
Ｔｉ（Ｏｎ　−０４Ｈ１）　４などのテトラアルコキシ
チタンなどを例示することができる。これらの中で好ま
しいものはノ・ロゲン含有チタン化合物、とくにはテト
ラハロゲン化チタンであり、とくに好ましいのは四塩化
チタンである。これらチタン化合物は単味で用いてよい
し、混合物の形で用いてもよい。

あるいは炭化水素や・・ロゲン炭化水素などに希釈して
用いてもよい。

チタン触媒成分（α）の調製において、チタン化合物、
マグネシウム化合物および担持すべき電子供与体、さら
に必要に応じて使用され、ることのある他の電子供与体
、例えばアルコール、フェノール、モノカルボン酸エス
テルなど、ケイ素化合物、アルミニウム化合物などの使
用量は、調製方法によって異なう一概に規定できないが
、例えば、マグネシウム化合物１モル当り、担持すべき
電子供与体約α１ないし約１０モル、チタン化合物的０
．０５ないし約１０００モル程度の割合を例示すること
ができる。

以上のようにして得られる高活性チタン触媒成分（α）
と、有機アルミニウム化合物触媒成分（ｂ）および５ｉ
−０−Ｃ結合を有する有機ケイ素化合物触媒成分（Ｃ）
の組合せ触媒を用いる。

上記（ｂ）成分としては、（１）少なくとも分子内に１
個のＡｔ−炭素結合を有する有機アルミニウム化合物、
例えば一般式 ％式％ （ここでＲ１およびＲ１は炭素原子、通常／ないし１５
個、好ましくは１ないし４個を含む炭化水素基で互いに
同一でも異なっていてもよい。Ｘはハロゲン、倶は０く
惧〈３．０くｎ〈３、ｐは０≦ｐ＜３、ｑは０≦、ｑく
３の数であって、しかもｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＝３である）で
表わされる有機アルミニウム化合物、（ｉｉ）一般式 ８式％ （ここでＭｌはＬｉ、Ｎα、Ｋであり、Ｒ１は前記と同
じ）で表わされる第１族金属とアルミニウムとの錯アル
キル化物などを挙げることができる。

前記の（１）Ｋ属する有機アルミニウム化合物としては
、次のものを例示できる。一般式 ８式％ （ここでＲ１は前記と同じ。Ｘは〕１０ゲン、惧は好ま
しくはＯ（ｍ（３である。）、一般式８式％ （ここでＲ１は前記と同じ。ｍは好ましくは２くｍ（３
である。）、一般式 ％式％） （ことでＲｔおよびＲ２は前記と同じ。Ｘは）・ロゲン
、Ｏくｍ≦３．０９く３、ｏ＜−ｑ＜３で、ｍ−）−ｓ
−）−ｑ＝３である）で表わされるものなどを例示でき
る。

（１）ｋ属するアルミニウム化合物の例としては、以下
の如き化合物を例示できる。トリエチルアルミニウム、
トリブチルアルミニウムなどをトリアルキルアルミニウ
ム；トリイソプレニルアルミニウムのようなトリプルケ
ニルアルミニウム；ジエチルアルミニウムエトキシド、
ジブチルアルミニウムブトキシドなどの如きジアルキル
アルミニウムアルコキシド；エチルアルミニウムセスキ
エトキシド、ブチルアルミニウムセスキブトキシドなど
の如キアルキルアルミニウムセスキアルコキシドのほか
に、ＲＬｌｌＡｌ　（ＯＲ”）（Ｌｌｌ　ｆｋ　トチ表
りサレル平均組成を有する部分的にアルコキシ化された
アルキルアルミニウム；ジエチルアルミニウムクロリド
、ジブチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウ
ムプロミドのようなジアルキルアルミニウムハライド；
エチルアルミニウムセスキクロリド、ブチルアルミニウ
ムセスキクロリド、エチルアルミニウムセスキプロミド
のようなアルキルアルミニウムセスキハライド；エチル
アルミニウムジクロリド、プロビルアルミニウムジクｅ
ｌ　リ）”、ブチルアルミニウムジプロミドなどのよう
なアルキルアルミニウムシバライドなどの部分的にハロ
ゲン化されたアルキルアルミニウム；ジエチルアルミニ
ウムヒドリド、ジブチルアルミニウムヒドリドなどの如
きジアルキルアルミニウムヒドリド；エチルアルミニウ
ムジクドリド、プロビルアルミニウムジヒドリドなどの
如きアルキルアルミニウムジヒドリドなど、その他の部
分的に水素化されタアルキルアルミニウム；エチルアル
ミニウムエトキシクロリド、ブチルアルミニウムブトキ
シクロリド、エチルアルミニウムエトキシプロミドなど
の部分的にアルコキシ化およびノ・ロゲン化されたアル
キルアルミニウム。

前記（ｉｉ）に属する化合物としては、ＬｉＡｌ（ＣＪ
、）いＬｉＡｌ　（Ｃ，Ｈｌ、）、などを例示できる。

また（１）に類似する化合物とし″て酸素原子や窒素原
子を介して２以上のアルミニウムが結合した有機アルミ
ニウム化合物であってもよい。このような化合物として
、例えば（（：’ＪａＬ　Ａ　Ｉ　ＯＡ　ｌ　（（：’
＊ＨｓＬ、（（１’Ｊ＊）ｔＡｔ　ｏＡｔ　（ｃａＨｓ
）　ｔ、（ＣＪＩＳ）ｔＡＩＮＡｌ　＜（ＪＪｔ、Ｃ鵞
Ｈう などを例示できる。

これらの中では、とくにトリアルキルアルミニウムや上
記した２以上のアルミニウムが結合したアルキルアルミ
ニウムの使用が好ましい。

重合触媒を構成する有機ケイ素化合物触媒成分（Ｃ）は
、下記式 ％式％（） （式中、Ｒ１及びＲ２は炭化水素基であり、３個の７？
ｌは、それぞれ同−又は異なるものである）で表わされ
る有機硅素化合物であるＲｔ、Ｒｔの炭化水素基として
は、例えば、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキ
ル基、アリール基、ノＮＯアルキル基、アルコキシアル
キル基などを例示することができる。有機ケイ素化合物
（Ｃ）のより具体的な例としては、トリメチルメトキシ
シラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチル−ｎ−
プロポキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリー
ループロピルメトキシシラン、トリー１ｓｏ−プロピル
メトキシシラン、トリフェニルメトキクシランなどを例
示することができる。

重合反応に際しては、上記（α）、（ｂ）及び（Ｃ）か
ら形成される触媒の存在下に、４−メチル−１−ペンテ
ンの重合もしくは共重合を行うものでおるが、それに先
立って、前記（ｄ）成分、前記（６）成分の少なくとも
一部及び前記（Ｃ）成分の少なくとも一部を用いて、炭
化水素媒体中で、メチルペンテン類を（α）成分中のチ
タン１ミリモル当シ約１ないし約１０００１の割合で予
備重合させておく。この予備重合処理を行うことによυ
、後で行う４−メチル−１−ペンテンのスラリー重合に
おいて嵩密度の大きい粉末重合体を得ることができるの
で、スラリー性　　　　　　　１状も良好であり、かつ
高濃度運転ができる利点が　　　　　　　１・ある。さ
らに単位触媒当りの重合体収量も大きくかつ立体規則性
重合体も高率で製造することかできる利点もちる。

予備重合に用いられるメチルペンテン類としては、３−
メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、４
，４−ジメチル−１−ペンテンなどから選択できる。予
備重合は比較的温和な条件下でかつ予備重合体が重合媒
体に溶解しない条件下で行うのが好ましい。このために
重合媒体として不活性炭化水素、例えばブタン、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン
、灯油などの脂肪族炭化水素、シクロペンタン、シクロ
ヘキサンなどの脂環族炭化水素を用いるのが好ましい。

予備重合においては、例えば、炭化水素媒体１１当り、
チタン触媒成分（α）をチタン原子に換算して約０．５
ないし約１００ミリモル、とくには約１ないし約ｌＯミ
リモル、有機アルミニウム化合物触媒成分（ｂ）をＡｌ
／Ｔｉ（原子比）が約１ないし約１００、とくには約２
ないし約２０となるように、また、有機ケイ素化合物（
Ｃ）を（ｂ）成分１モル当り約０．０１ないし約２モル
１．とくには約０．０２ないし約１モルとなるような範
囲でそれぞれ用いるのが好ましい。

予備重合されるメチルペンテン類の重合量は、（α）成
分中のチタン１ミリモル当り約１ないし約ｔｏｏｏＩＩ
、好ましくは約３ないし約１００１１の範囲である。上
記量の重合を行うためには、通常メチルペンテン類は、
所定量使用するのみで充分である。尚、予備重合におけ
るメチルペンテン類の濃度は炭化水素媒体１ｊ当シ約１
モル以下、とくには約０．５％ル以下であることが好ま
しい。

予備重合は、生成する予備重合体が炭化水素媒体に溶解
しない温度で行うのが望ましく、炭化水素媒体の種類に
よっても異なるが、例えば、約−２０ないし約＋７０℃
、好ましくは約Ｏ１１ないし約５０℃の範囲を例示でき
る。

本発明においては、予備重合処理した触媒を用いて４−
メチル−１−ペンテンの重合もしくは共重合を行う。こ
の際、新たに前記（ｂ）成分及び／又は（Ｃ）成分を追
加使用してもよい。好ましくは、（ｂ）成分をチタン１
モル当シ約１ないし約１０００モル、とくには約１０な
いし約５００モル、（Ｃ）成分を（６）成分１モル当シ
約０．０　ＯＳないし約２モル、とくには約０．０１な
いし約１モル追加使用するのがよい。

上記４−メチル−１−ペンテンの重合において、共重合
を行う場合には、共重合成分としては４−メチル−１−
ペンテン以外の炭素原子数が２ないし２０の範囲の任意
のα−オレフィンを選択することができる。例えばエチ
レン、プロピレン、１−フテン、１−ペンテン、ｌ−ヘ
キセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、！
−テトッデ七ン、１−オクタデセン、３−メチル−１−
ペンテンなどから一種又は二種以上選択することができ
る。これら共重合においては、共重合体中の４−メチル
−１−ペンテンの含有量が約８０モル慢以上、とくに約
９０モル慢以上となるように共重合成分を使用するのが
よい。

４−゛メチルー１−ペンテンの重合は好ましくはスラリ
ー重合で行われる。重合媒体としては４−メチル−１−
ペンテンそれ自体であってもよく、あるいは不活性炭化
水素、例えば予備重合の際に使用できるものとして先に
例示したものであってもよい。

重合温度としてはスラリー重合可能な範囲で適宜に選択
するのが好ましく、重合媒体の種類によっても異なるが
、好ましくは約２０°ないし１００℃、とくに好ましく
は約３０″ないし約８０℃の範囲を例示できる。生成す
る重合体の分子量を調製するため、任意に水素の如き分
子量調節剤を使用することができる。

本発明の４−メチル−１−ペンテ／系重合体は、透明性
に優れ、溶融流動特性が良好であるので精密成形加工性
に優れておシ、成形加工時に歪みを生じ難く、寸法安定
性に優れ、耐湿性が良好であるので成形後に反りを生じ
ないこと、射出成形時の配向が少なく成形品の透過光の
複屈折が起こらないこと、重合体中に分散した微小気泡
が存在しないので透過光の散乱が起こらないこと、耐熱
性に優れ、着色がないなどの優れた性質を有している。

特に従来から公知の立体規則性触媒の存在下の重合又は
共重合で得られた４−メチル−１−ペンテン系重合体に
くらべて、溶融流動特性が良好であるので精密成形加工
性に優れておシ、射出成形時の配向が少なく成形品の透
過光の複屈折が起こらないなどの特徴を有しており、ま
た従来から公知の熱分解で得られた４−メチル−１−ペ
ンテン系重合体にくらべて、重合体中に分散した微小気
泡が存在しないので透過光の散乱が起こらないこと、着
色がなく透明性に優れているなどの特徴を有している。

本発明の光学メモリディスクは、前記本発明の４−メチ
ル−１−ペンテン系重合体を光透過性素材として使用し
た光学メモリディスクである。本発明の光学メモリディ
スクの光透過性素材層は前記４−メチル−１−ペンテン
系重合体のみから構成されていてもよいし、該４−メチ
ル−１−ペンテン系重合体に必要に応じて、耐熱安定柄
、耐候安定剤、塩酸吸収剤、帯電防止剤な′どの各種の
添加剤が配合された４−メチル−１−ペンテン系重合体
組成物から構成されていても差しつかえない。

本発明の光学メモリディスクは、該４−メチル−１−ペ
ンテン系重合体からなる光透過性素材のディスクの片面
に光エネルギーの変化に変換し得る記録層（情報ピット
）を設け、その露出側に金属被膜層を形成させ、さらに
その金属被膜層の表面に保護膜層を形成させた構造、す
なわち、〔光透過性素材層・記録層／金属被膜層ｌ保護
膜層〕 の積層構造からなる片面光学メモリディスクであっても
よいし、また２枚の該片面ディスクを保護膜層を背合わ
せ積層させた構造、すなわち、〔光透過性素材層・記録
層７金属被膜層／保護膜層ｌ金属被膜層７記録層・光透
過性素材層〕の積層構造からなる両面光学メモリディス
クであってもよい。

本発明の光学メモリディスクは従来から公知の方法によ
って製造することができる。たとえば、ガラス基盤上の
フォトレジスト面に蒸着又は無電解メッキ法で導電性膜
を形成させた後ニッケル電解を行うことによりマスター
盤を形成させ、次いでマザー盤、次いで大量複製のだめ
のスタンノ（−を作製する。次に、該スタンパ−を母型
にして本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体の溶
融物を用いた通常の溶融成形法でディスク基盤の成形と
同時に情報ピットを形成させ、次いで該ディスク基盤の
情報ピット形成面に金属被膜層を形成させる。該金属被
膜層は透明なディスク基盤の表面側から照射される光線
を情報ビット面で反射させる為のものであシ、金属の種
類としてたとえばアルミニウム、クロム、金、銀、銅、
スズ等を例示することかでき、金属被膜層を形成させる
方法としては蒸着法などの従来から公°知の方法を採用
することができる。該金属被膜層の厚さは光が充　　　
　　　　１分に反射する限シにおいて任意であるが、通
常は　　　　　　　ｌ５ＯＯないし１５００，４の範囲
である。また、４−メチル−１−ペンテン系重合・体か
らなる光透過性素材層（ディスク基盤層）の厚さは通常
は０．１ないし１０＊ｔ、好ましくは０．５ないし５鴎
の範囲。

である。

本発明の光学メモリディスクは前記ディスク基材層及び
金属被膜層の２層からなる構成によシその目的社達成で
きるが、実用的には金属被膜層の損傷や剥離を防ぐため
に、該金属被膜層の表面に保護膜層が通常形成される。

該金属被膜層の保護膜層としてはエポキシ樹脂、メタク
リル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂などを例
示することができる。また、該ディスク基盤の光線入射
側表面にも同様に透明性の硬化性保護膜層を形成させる
ことが可能である。

前記ディスク基盤の溶融成形においては、射出成形、押
出成形などの従来から公知の方法が採用されるが、射出
成形法、とくにセンターゲートによる射出成形法を採用
すると、配向状態が同心円状に同質であり、反りが少な
く、細部に渡υ金型の転射性、精密成形加工性に優れて
いるので好ましい。溶融成形加工時の４−メチル−１−
ペンテン系重合体の温度は著しい熱分解を起こさない温
度であることが好ましく、通常は２４０ないし３５０℃
、好ましくは２５０ないし３３０℃であろ−０ （発明の効果〕 本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体は透明性に
優れ、溶融流動特性が良好であるので精密成形加工性に
優れており、成形加工時に歪みを生じ難く、寸法安定性
に優れ、耐湿性が良好であ尋 るので成形後に反りを生じないこと、射出成時の配向が
少カく成形品の透過光の複屈折が起こらないこと、重合
体中に分散した微小気泡が存在しないので透過光の散乱
が起こらないこと、耐熱性に優れ、着色がないなどの優
れた性質を有している。

本発明の４−メチル−１−ペンテン系重合体は、特に従
来から公知の立体規則性触媒の存在下の重・合又は共重
合で得られた４−メチル−１−ペンテン系重合体にくら
べて、溶融流動特性が良好であるので精密成形加工性に
優れておシ、射出成形時の配向が少なく成形品の透過光
の複屈折が起こらないなどの特徴を有しておシ、また従
来から公知の熱分解で得られた４−メチル−１−ペンテ
ン系重合体にくらべて、重合体中に分散した気泡が存在
しないので透過光の散乱が起こらないこと、着色がまく
透明性に優れているなどの特徴を有している。また、本
発明の光学メモリディスクは、前記本発明の４−メチル
−１−ペンテン系重合体の特徴をいずれも具備したもの
であシ、優れた性質を有している。

〔実施例〕

次に、本発明を実施例によシ具体的に説明する。

本発明の実施例および比較例でのディスクの複屈折と誤
υビット数は次の方法で測定した。

複屈折はアルミニウム蒸着する前のディスクを７８０　
ｎｍのレーザーを用いて透過法で測定した。

誤りピット数はアルミニウム蒸着したディスクを７８０
ｓ鵠のレーザーを用い、ｔ、２ｍ／秒の速度で読、み、
１秒ｉｂのピットの誤りの個数を求めた。

実施例１ くチタン触媒成分（ロ））の調製〉 無水塩化マグネシウム４７６　ｇ　（５０ｍｔｎｏＬ）
、デカン２５ｄおよび２−エチルヘキシルアルコール２
１４ａ／　（１ｓ　Ｏｍｍｏｌ）を１３０℃で２時間加
熱反応を行い均一溶液とした後、この溶液中に無水フタ
ル酸Ｌ　１１１　（７，５ｍｍｏｌ）を添加し、１３０
℃にて更に１時間攪拌混合を行い、無水フタル酸を該均
一溶液に溶解させる。この様にして得られ与均−溶液を
室温に冷却した後、−２０℃に保持された四塩化チタン
２００ｍｌ　（ｔ、ｇｍｏＪ）中に１時間に渡って全量
滴下装入する。装入終了後、この混合液の温度を４時間
かけて１１０℃に昇温し、１００℃に達したところでジ
イソブチルフタレート２６８ｄ（ＩＬＳｍ到ｌ）を添加
しこれよシ２時間同温度にて攪拌下保持する。２時間の
反応終了後熱濾過にて固体部を採取し、この固体部を２
００ゴのＴｉＣｌ４にて再懸濁させた後、再び１１０℃
で２時間、加熱反応を行う。反応終了後、再び熱濾過に
て固体部を採取し、１１０℃デカン及びヘキサンにて、
洗液中に遊離のチタイ化合物が検出されなくカる迄充分
洗浄する。以上の製造方法にて網製されたチタン触媒成
分（α）はヘキサンスヲソーとして保存するが、このう
ち一部を触媒組成を調べる目的で乾燥する。との様にし
て得られたチタン触媒成分（ａ）の組成はチタン３．１
重量−１塩素５ａＯ重量％、マグネシウム１７．Ｏｗｔ
ｆｋおよびジイソプチルフタレー）　２０．９重量−で
あった。

く予備重合〉 １０１００Ｏのフラスコに５Ｑ０１Ｌｔのｎ−デカン、
５０ｓｔｎｏＬ　　のトリエチルアルミニウム、ｌＯｌ
ｌｏｌｎのトリメチルメトキシシラン、チタン原子に換
算して５ｍｍｏｌのチタン触媒成分（α）を入れる。

温度を２５℃に保ちながら５０ｇの４−メチル−１−ペ
ンテンを６０分で添加し、更に２５℃で３０分反応した
。反応物をグラスフィルターで濾過し、合計３００−の
九−デカンで３回洗浄し、２ｏｏｍのデカンに再懸濁し
た。

〈重　合〉 ２０１のＳＵＳ製オートクレーブに１０１のｎ−デカン
、１０ｍｍｏｌのトリエチルアルミニウム、１ｒ）ｍｍ
ｏｌのトリメチルメトキシシラン、チタン原子に換算し
て４ｍｍｏｌの予備重合触媒、２５１の水素を装入する
。オートクレーブ内を６０℃に合せた後、４．０に９の
４−メチル−１−ペンテンを１時間で添加し、更に２時
間重合した。ＩＩ！のイソブチルアルコールを添加し重
合を停止し、６０℃で１時間反応後炉遇し、更に６０℃
のｎ−デカン／イソブチルアルコール（９／１）混合液
で洗浄した。得られたパウダーは〔η）　＝　０．６７
、Ｍｗ　／　Ｍ　ｎ　＝１２であった。

〈ペレタイズとペレットの物性〉 重合パウダーに０．２チの２，６−ジーｔ−ブチル−４
−メチルフェノールと０．２チのＩτｇａｎｏｚ１０１
０を添加し、２８０℃でペレタイズした。

ベレットの物性を表１に示した。

くコンパクト・ディスクの成形とその評価〉直径１２０
１ｍ、厚さ１．２鴎のコンパクト・ディスクを成形温度
２８０℃、金型温度８０℃でスタンパ上に射出成形し、
５Ｘ１０−″ｗ＊ＨＩで厚さ−０、１μのアルミニウム
蒸着をした。評価結果を表２に示した。

実施例２ ヘキセンを３モＡむ４−メチル−１−ペンテンを用いて
重合する以外は実施例１と全く同様に実験し、結果を表
１と表２に示した。

実施例３ ヘキセ／を６モル１ｔｔｒ４−メチル−１−ペンテンを
用いて重合する以外は実施例１と全く同様に実験し、結
果を表１と表２に示した。

実施例４，５ デセンまたはテトラデセンを１モルチ含む４−メチル−
１−ペンテンを用いて重合する以外は実施例１と全く同
様に実験し、結果を表１と表２に　　　　　　１４、示
した。

比較例１ 水素の使用量を３１に変更する以外は実施例１と同様に
重合した。パウダーは〔η）　＝　１．８４、Ａ（ｕ）
　／　、Ｉｔ（ｎ　＝　３．６であった。このパウダー
を用いて次の３実験を行なった。

■　２８０℃ペレタイズ、２８０℃ディスク成形 ■　２８０℃ペレタイズ、３６０℃ディスク成形 ■　３６０℃ペレタイズ、２８０℃ディスク成形 結果を表１と表２に示した。

比較例２ 水素の使用量を１５０１１に変更する以外は実施例１と
同様に実験した。重合パウダーは〔η〕＝０．０９、Ｍ
　ｗ　／　Ｍ　ｎ　＝　２．、９であった。ディスクを
成形したが金型中で割れたため、ディスクの性能評価は
行なわなかった。

比較例３ 触媒として５００　ｍｍｏ　ｌのジエチルアルミニウム
クロリドと２５０　ｍｍｏ　ｌの三塩化チタン（東邦チ
タニウム社、ＴＡＣ−１３１）を用い５０１の水素を使
用して実施例１と同様に重合した。重合パウダーは（Ｗ
）＝０．７１、Ｍ　ｗ　／　Ｍ　ｎ　＝　９．６であっ
た。実施例１と同様にペレタイズとディスクの成形を行
ない、結果を表１と表２に示した。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）（Ａ）４−メチル−１−ペンテン成分（ａ）が８
   ０ないし１００モル％及び４−メチル−１−ペンテン以
   外の炭素原子数が２ないし２０の範囲にあるα−オレフ
   ィン成分（ｂ）が０ないし２０モル％の範囲〔ここで、
   （ａ）と（ｂ）との合計は１００モル％である〕にある
   こと、 （Ｂ）１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η〕
   が０．１ないし１．５ｄｌ／ｇの範囲にあること、 （Ｃ）数平均分子量に対する重量平均分子量の比で表わ
   した分子量分布（＠Ｍ＠ｗ／＠Ｍ＠ｎ）が２ないし７の
   範囲にあること、 （Ｄ）示差走査型熱量計で測定した融点が２００ないし
   ２４５℃の範囲にあること、 （Ｅ）Ｘ線回折法で測定した結晶化度が１０ないし５０
   ％の範囲にあること、及び （Ｆ）沃素価が２以下の範囲にあること、 によって特徴づけられる４−メチル−１−ペンテン系重
   合体。
2. （２）（Ａ）４−メチル−１−ペンテン成分（ａ）が８
   ０ないし１００モル％及び４−メチル−１−ペンテン以
   外の炭素原子数が２ないし２０の範囲にあるα−オレフ
   ィン成分（ｂ）が０ないし２０モル％の範囲〔ここで、
   （ａ）と（ｂ）との合計は１００モル％である〕にある
   こと、 （Ｂ）１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度〔η〕
   が０．１ないし１．５ｄｌ／ｇの範囲にあること、 （Ｃ）数平均分子量に対する重量平均分子量の比で表わ
   した分子量分布（＠Ｍ＠ｗ／＠Ｍ＠ｎ）が２ないし７の
   範囲にあること、 （Ｄ）示差走査型熱量計で測定した融点が２００ないし
   ２４５℃の範囲にあること、 （Ｅ）Ｘ線回折法で測定した結晶化度が１０ないし５０
   ％の範囲にあること、及び （Ｆ）沃素価が２以下の範囲にあること、 によって表わされる４−メチル−１−ペンテン系重合体
   を光透過性素材とする光学メモリディスク。