JPS6097385A - 液晶表示用薄膜トランジスタ基板 - Google Patents
液晶表示用薄膜トランジスタ基板Info
- Publication number
- JPS6097385A JPS6097385A JP58205287A JP20528783A JPS6097385A JP S6097385 A JPS6097385 A JP S6097385A JP 58205287 A JP58205287 A JP 58205287A JP 20528783 A JP20528783 A JP 20528783A JP S6097385 A JPS6097385 A JP S6097385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- thin film
- crystal display
- electrode
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶を挾持した画像表示装置の一方の基板と
しての薄膜トランジスタ基板に関するものである。
しての薄膜トランジスタ基板に関するものである。
非晶質シリコン（Ｆｌ−８１）等を用いた薄膜トランジ
スタ（ＴＰＴ）は大面積でしかも低温で製造できるため
、ガラス基板を用いた安価な液晶表示装置に最適である
。ＴＰＴをマトリックス状に配した表示装置は、１例と
して第１図（ｂ）にその単位画素部を示す。第１図（ａ
）には、その等価回路が示さ 、れる。単位画素は、Ｔ
ＰＴ５、液晶３、対向電極４よシ成シ、電荷保持用容量
６がＴＰＴのドレイン６２と共通電極６１との間に組み
こまれている。
スタ（ＴＰＴ）は大面積でしかも低温で製造できるため
、ガラス基板を用いた安価な液晶表示装置に最適である
。ＴＰＴをマトリックス状に配した表示装置は、１例と
して第１図（ｂ）にその単位画素部を示す。第１図（ａ
）には、その等価回路が示さ 、れる。単位画素は、Ｔ
ＰＴ５、液晶３、対向電極４よシ成シ、電荷保持用容量
６がＴＰＴのドレイン６２と共通電極６１との間に組み
こまれている。
この容量６はＴＰＴのリーク電流や、ゲート・ドレイン
容量の存在による電圧のレベルシフ）Ｋ対する信号電圧
の保持のため大切で、通常数ｐｒＯ値金有す。対向電極
４は酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等の明導電膜から
成りガラス板２−ヒに形成され、ＴＰＴ５及び容量６は
他方のガラス基板１上に形成されている。後者を薄膜ト
ランジスタ基板（ＴＰＴ基板）と呼ぶことにする。この
ＴＰＴ基板は第１図（ｂ）の様に、ガラス基板１．−ヒ
に構成されるＴＦＴ５と容量６よ構成υ、Ｔｌｌ’Ｔ６
はゲート電極５２（Ｘライン）、ソース電極５１（Ｘラ
イン）、８−８１膜５３、ドレイン電極５４、ゲート絶
縁膜５５からｇ＃）、容量６は共通゛電極６１、絶縁膜
６３、表示電極６２から成っている。
容量の存在による電圧のレベルシフ）Ｋ対する信号電圧
の保持のため大切で、通常数ｐｒＯ値金有す。対向電極
４は酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等の明導電膜から
成りガラス板２−ヒに形成され、ＴＰＴ５及び容量６は
他方のガラス基板１上に形成されている。後者を薄膜ト
ランジスタ基板（ＴＰＴ基板）と呼ぶことにする。この
ＴＰＴ基板は第１図（ｂ）の様に、ガラス基板１．−ヒ
に構成されるＴＦＴ５と容量６よ構成υ、Ｔｌｌ’Ｔ６
はゲート電極５２（Ｘライン）、ソース電極５１（Ｘラ
イン）、８−８１膜５３、ドレイン電極５４、ゲート絶
縁膜５５からｇ＃）、容量６は共通゛電極６１、絶縁膜
６３、表示電極６２から成っている。
表示電極６２は透過型液晶表示の場合、ＩＴＯ等の透明
導電膜が用いられ、ドレイン電極５４が結線されている
。透過型液晶表示のときには、共通電極６１も透明導電
膜が用いられる。反射型の場合には、両電極共に透明で
ある必要はない。通常ゲート絶縁膜５５、絶縁膜６３に
はプラズマ０ＶＤ等による５１０２膜が用いられている
。しかしながら、基板１として安価なソーダガラス等ア
ルカリ金属を含むガラスを用いると、製造工程中にアル
カリ金属が８１０？膜中やａ−８１膜中に入ったりして
ＴＰＴの特性に影響を及はし、初期特性と共に信頼性に
問題を生じている。
導電膜が用いられ、ドレイン電極５４が結線されている
。透過型液晶表示のときには、共通電極６１も透明導電
膜が用いられる。反射型の場合には、両電極共に透明で
ある必要はない。通常ゲート絶縁膜５５、絶縁膜６３に
はプラズマ０ＶＤ等による５１０２膜が用いられている
。しかしながら、基板１として安価なソーダガラス等ア
ルカリ金属を含むガラスを用いると、製造工程中にアル
カリ金属が８１０？膜中やａ−８１膜中に入ったりして
ＴＰＴの特性に影響を及はし、初期特性と共に信頼性に
問題を生じている。
本発明は親王の問題点を解決するためになされたもので
、ガラス基板からのアルカリ金属の拡散を阻止するシリ
コン窒化膜を利用する。本発明では特に、この７リコン
窒化膜を画素内の容量形成に用い、特別な工程増加を必
要としない利点をも有する。
、ガラス基板からのアルカリ金属の拡散を阻止するシリ
コン窒化膜を利用する。本発明では特に、この７リコン
窒化膜を画素内の容量形成に用い、特別な工程増加を必
要としない利点をも有する。
以下に図面を用いて本発明を詳述する。第２図は本発明
の１笑施例に基いた単位画素の断面図を示す。アルカリ
金属を含むガラス基板１上には、共通電極６１が直接形
成され、これらの表面を窒化膜５６が被っている。表示
電極６２は窒化膜５６゜ゲート絶縁膜５５を介して共通
電極６２上に配され、容量６全形成している。ＴＦＴ５
は窒化膜６２上にゲート電極５２、ゲート絶縁膜５５、
ａ−８１膜５５、ソース電極５１、ドレイ／電極５４に
よって形成される。この構造によれば、ＴＦＴ５は基板
１と窒化膜５６によって分離されているので、基板１の
含有物の影響を受けにくい。この窒化膜５６の厚みは、
容量６の値によってきめられるが、典型的にはｃＬ１〜
０５μｍであり、Ｐ ＋！ Ｖ Ｄや光ＯＶＤによって
堆積される。
の１笑施例に基いた単位画素の断面図を示す。アルカリ
金属を含むガラス基板１上には、共通電極６１が直接形
成され、これらの表面を窒化膜５６が被っている。表示
電極６２は窒化膜５６゜ゲート絶縁膜５５を介して共通
電極６２上に配され、容量６全形成している。ＴＦＴ５
は窒化膜６２上にゲート電極５２、ゲート絶縁膜５５、
ａ−８１膜５５、ソース電極５１、ドレイ／電極５４に
よって形成される。この構造によれば、ＴＦＴ５は基板
１と窒化膜５６によって分離されているので、基板１の
含有物の影響を受けにくい。この窒化膜５６の厚みは、
容量６の値によってきめられるが、典型的にはｃＬ１〜
０５μｍであり、Ｐ ＋！ Ｖ Ｄや光ＯＶＤによって
堆積される。
第５図は、本発明の他の実施例による単位画素の断面図
である。この例では、ガラス基板１をコートする窒化膜
５６はＴＦＴ５のゲート絶縁膜の一部として働くと共に
、容量６のための絶縁膜としても役割を果たしている。
である。この例では、ガラス基板１をコートする窒化膜
５６はＴＦＴ５のゲート絶縁膜の一部として働くと共に
、容量６のための絶縁膜としても役割を果たしている。
基板１上に直接形成されたゲート電極５２、共通電極６
１はたとえアルカリ金属に汚染されても問題なく、窒化
膜５６上の酸化膜５５やａ−Ｂｉ膜５３はその影響が少
ない。
１はたとえアルカリ金属に汚染されても問題なく、窒化
膜５６上の酸化膜５５やａ−Ｂｉ膜５３はその影響が少
ない。
以上、ａ−８ｉＴＦＴを例に説明してきたが、他の構造
材料のＴＰＴにおいても、ｐ−８ｉＴＦＴ。
材料のＴＰＴにおいても、ｐ−８ｉＴＦＴ。
ビームアニール等で結晶化した半導体薄膜を用いたＴＰ
Ｔについても本発明は適用される。共通・電極６１及び
表示電極６２に透明導電膜（例えば工ＴＯやｓ ｎ Ｏ
ｔ ）を用いれば、透過型液晶表示装置として、両電極
の少なくとも一方を金属等で不透明にすれば反射型とし
て本基板は用いることができる。
Ｔについても本発明は適用される。共通・電極６１及び
表示電極６２に透明導電膜（例えば工ＴＯやｓ ｎ Ｏ
ｔ ）を用いれば、透過型液晶表示装置として、両電極
の少なくとも一方を金属等で不透明にすれば反射型とし
て本基板は用いることができる。
第１図（ａ）及び第１図（ｂ）は従来の液晶表示装置用
ＴＰＴマトリックスアレイの単位画素の等価回路図と断
面構造例を示す図であυ、第２図及び第５図はそれぞれ
本発明による単位画素の断面構造例を示すしｊである。 １・・・基板、２・・・対向基板、３・・・液晶、４・
・・対向電極、５・・・ＴＦＴ、６・・・容量、６１・
・・共通電極、６２・・・表示電極、５６川窒化膜、５
５・・・ゲート絶縁膜。 以上 出願人 セイコー市子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 荀 第１図ｃｏ） 第１図（Ｉ）） 〜、２ ５ ｂ 第２図 ６を 第３図
ＴＰＴマトリックスアレイの単位画素の等価回路図と断
面構造例を示す図であυ、第２図及び第５図はそれぞれ
本発明による単位画素の断面構造例を示すしｊである。 １・・・基板、２・・・対向基板、３・・・液晶、４・
・・対向電極、５・・・ＴＦＴ、６・・・容量、６１・
・・共通電極、６２・・・表示電極、５６川窒化膜、５
５・・・ゲート絶縁膜。 以上 出願人 セイコー市子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 荀 第１図ｃｏ） 第１図（Ｉ）） 〜、２ ５ ｂ 第２図 ６を 第３図
Claims (1)
- （１）薄膜トランジスタと該トランジスタのドレインに
接続された表示電極と、該表示電極と容量を形成する共
通電極とから成る画素をマトリックス状に配した液晶表
示用薄膜トランジスタ基板において、前記共通電極はア
ルカリ金属を含むガラス基板上に直接形成され、前記共
通電極上には少なく共シリコン窒化膜を一部に含む絶縁
膜が設けられ、該絶縁膜上に前記表示電極と少なくとも
前記トランジスタの半導体薄膜領域が形成されている仁
とを特徴とする液晶表示用薄膜トランジスタ基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205287A JPS6097385A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 液晶表示用薄膜トランジスタ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205287A JPS6097385A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 液晶表示用薄膜トランジスタ基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097385A true JPS6097385A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=16504473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58205287A Pending JPS6097385A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 液晶表示用薄膜トランジスタ基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097385A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61184517A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-18 | Sharp Corp | 薄膜素子 |
| JPH0210333A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Sharp Corp | アクティブ型液晶表示素子 |
| JPH0339935A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-20 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JPH04265945A (ja) * | 1991-02-21 | 1992-09-22 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5638095A (en) * | 1979-09-06 | 1981-04-13 | Canon Kk | Display cell |
| JPS58164268A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Seiko Epson Corp | 薄膜シリコントランジスタ |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP58205287A patent/JPS6097385A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5638095A (en) * | 1979-09-06 | 1981-04-13 | Canon Kk | Display cell |
| JPS58164268A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Seiko Epson Corp | 薄膜シリコントランジスタ |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61184517A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-18 | Sharp Corp | 薄膜素子 |
| JPH0580651B2 (ja) * | 1985-02-12 | 1993-11-09 | Sharp Kk | |
| JPH0210333A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Sharp Corp | アクティブ型液晶表示素子 |
| JPH0339935A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-20 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JPH04265945A (ja) * | 1991-02-21 | 1992-09-22 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6075580A (en) | Active matrix type liquid crystal display apparatus with conductive light shield element | |
| US5886365A (en) | Liquid crystal display device having a capacitator in the peripheral driving circuit | |
| US4778258A (en) | Protective tab structure for use in the fabrication of matrix addressed thin film transistor liquid crystal displays | |
| WO1991018316A1 (en) | Reflective monolithic silicon active matrix liquid crystal light valve | |
| JPS6265017A (ja) | 冗長な導体構造を持つ薄膜ｆｅｔ駆動形液晶表示装置 | |
| JPS60158421A (ja) | マトリクス液晶表示装置 | |
| JPH0474714B2 (ja) | ||
| TW550427B (en) | Electrooptic device and production method therefor | |
| JPH06100745B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPS6097385A (ja) | 液晶表示用薄膜トランジスタ基板 | |
| JPS6242127A (ja) | 光阻止及びセル・スペ−サ構造を持つ液晶表示装置 | |
| JP2960268B2 (ja) | アクティブマトリックス液晶パネル及びその製造方法と駆動方法並びにアクティブマトリックス液晶ディスプレイ | |
| JPS6328308B2 (ja) | ||
| JPS63101832A (ja) | アクテイブ・マトリクス液晶表示装置 | |
| JPH0239103B2 (ja) | ||
| JPH1138389A (ja) | 反射型の液晶表示装置 | |
| JP2000267594A (ja) | 表示装置 | |
| JP4967807B2 (ja) | 反射型電気光学装置および投射型表示装置 | |
| JPH02230126A (ja) | 反射型液晶表示デバイス | |
| JPS5936225A (ja) | 液晶表示体装置及びその製造方法 | |
| JPS63292114A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| JPS6138472B2 (ja) | ||
| JPS644163B2 (ja) | ||
| JPH02204726A (ja) | 反射型液晶表示デバイス | |
| JPS6237729A (ja) | 表示一体形入力機能装置 |