JPS6265017A - 冗長な導体構造を持つ薄膜ｆｅｔ駆動形液晶表示装置 - Google Patents

冗長な導体構造を持つ薄膜ｆｅｔ駆動形液晶表示装置

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JPS6265017A
JPS6265017A JP61166885A JP16688586A JPS6265017A JP S6265017 A JPS6265017 A JP S6265017A JP 61166885 A JP61166885 A JP 61166885A JP 16688586 A JP16688586 A JP 16688586A JP S6265017 A JPS6265017 A JP S6265017A
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crystal display
display device
layer
gate
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ドナルド・アール・キャッスルベリイ
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General Electric Co
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 この発明は全般的に液晶表示装置の構成に関する。更に
具体的に云えば、この発明は液晶表示（ＬＣＤ）装置の
Ｘ及びｙアドレス線に対して設けられる冗長な導体構造
に関する。
液晶表示装置は典型的には１対の平坦なパネルに、所定
量の液晶材料を密封して収容することによって構成され
る。こういう液晶材料は典型的には２種類に大別される
。即ち、ゲスト／ホスト系内のダイクロイック染料と捩
りネマチック材料である。一般的に平坦なパネルの内面
には予定のパターンで透明電極材料を配置する。一方の
パネルは１個の透明な「大地平面」電極によって完全に
覆われる場合が多い。反対側のパネルには、この明細書
で「画素」電極と呼ぶ透明電極の配列を設ける。この為
、液晶表示装置の典型的なセルは、画素電極と大地平面
電極の間に配置された液晶材料を含んでいて、これが事
実上、透明な前側及び後側パネルの間に配置されたコン
デンサ形の構造を形成する。然し、一般的に、２つのパ
ネル及びその上に設けられた電極の内の一方に対してだ
け、透明であることが要求される。
動作について説明すると、液晶材料の両側にある電極の
間に印加された電圧により、液晶材料の配向が影響を受
ける。典型的には、画素電極に印加された電圧が液晶材
料の光学的な性質を変化させる。この光学的な変化によ
り、液晶表示（ＬＣＤ）スクリーンに情報が表示される
。普通のディジタル・ウォッチ表示装置及び更に新しい
、ミニチュア中テレビジョン受像機に使われるＬＣＤス
クリーンでは、反射光の変動により、可視効果が発生さ
れるのが典型的である。然し、透明な前側及び後側パネ
ルと透明な電極を利用することにより、透過効果によっ
ても可視効果を発生することが出来る。こういう透過効
果は、蛍光形装置を含めて、別々に給電される光源を表
示装置に用いることによって容易に得ることが出来る。
ＬＣＤ表示スクリーンを用いて、画素電極の配列と整合
するカラー・フィルタのモザイク形構成を取入れること
により、カラー像も発生することが出来る。
こういう構造の中には、可視効果を強める為又は所望の
可視効果が得られる様に、偏光フィルタを用いるものが
ある。
ＬＣＤ表示装置の個々の画素を逐次的にオン及びオフに
転する為に、種々の電気的な機構が用いられている。例
えば、この目的の為に、金属酸化物バリスタ装置が使わ
れている。然し、この発明にとっては、薄膜半導体スイ
ッチ素子を利用することが最も適切である。特に、好ま
しいスイッチ素子は薄膜電界効果トランジスタＣＦＥＴ
）で構成される。こういう装置は、寸法を小さくするこ
とが出来、消費電力が少なく、スイッチング速度が高く
、製造し易く、従来のＬＣＤ構造と両立性がある点で、
ＬＣＤ表示装置で好まれている。
ＬＣＤの画素は行及び列の矩形配列に配置するのが典型
的である。各々の画素電極にはそれ自身のＦＥＴスイッ
チ装置が付設されている。各々のスイッチ装置がデータ
線及びゲート線に接続される。この各々の線に電気信号
を同時に印加すると、各々の画素を独立にアドレスする
ことが出来る。
従って、ＬＣＤには１組の平行なデータ線を設けるのが
典型的であり、これらのデータ線は、水平方向又はＸ方
向でセルをアドレスすることが出来る。同様に、ゲート
線を設けて、垂直方向又はｙ方向でセルをアクセスする
。動作中、ＬＣＤ装置の像は典型的には約６０１１ｚの
速度で更新することが出来る。
更に具体的に云うと、非晶質シリコンのＦＥＴによって
アドレスされる液晶マトリクス形表示装置は、コントラ
ストが高い、平坦なパネルを用いたテレビジョン形の表
示装置に対する有力な方式である。ＦＥＴをアドレスに
用いるＬＣＤ装置では、“ＦＥＴをターンオンした時、
「液晶コンデンサ」がデータ又はソース線電圧まで充電
されるのが理想的である。ＦＥＴをターンオフした時、
データ電圧が液晶コンデンサに貯蔵される。
次にＬＣＤ表示装置で起こるある問題について特に説明
する。この問題がこの発明を実施することによって解決
される。薄膜ＦＥＴ駆動形の液晶表示装置では、水平及
び垂直のアドレス線（即ちゲート線及びデータ線）は全
て連続していなければならない。例えば、４００Ｘ４０
０個の画素セルを持ち、解像度が４本／關（１００本／
吋）であるマトリクスを持つ表示装置では、アドレス線
の全長は約１００，０００＋＋ｓになる。表示装置の有
効セル面積の相対的な百分率を高く保つ為に、線幅は約
１０ミクロン未満にすべきである。こういう装置を製造
する時、多くの処理工程で欠陥が起こり得る。こういう
欠陥は、塵埃又はよごれが金属の沈積又は接着と干渉す
ること、金属線を食刻するのに使われるフォトレジスト
・パターンのきず、ひっかききず等の結果として起こり
得る。
更に、これらの線の欠陥は、段を覆うのが不満足である
結果として起こることがある。これは、例えば食刻され
た絶縁層内の垂直又は垂直に近い側壁構造を金属線が通
る必要がある様な場合に起こる。こういう段は、典型的
は、水平及び垂直の線が互いに上下に交差する様な装置
内の点で典型的に起こる。集積回路を製造する時、こう
いう幅を持つ線に対する典型的な線開路欠陥（断線）の
確率は１０’／ｍｍ程度である。従って、Ｘ及びｙアド
レス線が開路する確率を引下げる方法、並びにＬＣＤ装
置の歩留りを高める方法が望ましいことは明らかである
。
発明の要約 この発明の好ましい実施例では、液晶表示装置が、その
少なくとも一方が透明である１対の平坦な基板を持って
いる。ある量の液晶材料が基板の間に配置され且つその
間に収容される。少なくとも一方の基板の上に画素電極
の配列を配置する。
他方の基板の上に少なくとも１つの大地平面電極を配置
して、液晶材料が画素電極と大地平面電極の間に配置さ
れる様にする。画素電極の配列を透明な材料で構成する
か、又は大地平面電極（１つ又は複数）を透明な材料で
構成する。この発明の見透し形の実施例では、両方の基
板が透明で、大地平面電極及び画素電極の配列が酸化イ
ンジウム錫（ＩＴＯ）の様な透明な導電材料で構成され
る。
各々の画１ｇ電極に半導体スイッチ素子の配列が付設さ
れる。１組の導電データ線及び１組の導電ゲート線を設
け、スイッチ素子と共に、データ線に現れる電圧が画素
電極を選択する為に印加される様に構成される。
この発明にとって最も適切な半導体スイッチ素子は、薄
膜電界効果トランジスタで構成することが好ま゛しい。
更に、データ線は、その長さの少なくとも一部分にわた
って伸びる多層構造を持ち、その内の少なくとも２層が
その長さの一部分に沿って電気的に接触する導電材料で
構成される。この構造は、データ線の長さに沿って９０
％までの冗長度を持つ。この発明の好ましい実施例では
、データ線は３層構造で構成され、中間層はＦＥＴのゲ
ート絶縁物と同じ絶縁材料で構成される。データ線の金
属の第１層は、ゲート金属と同時に沈積することが好ま
しい。従って、この金属パターンがゲート金属マスク・
パターンに入る。第２の又は上側の導電層が、ＦＥＴス
イッチに対するソース及びドレイン金属と同時に沈積さ
れる。絶縁層が存在すること並びにその形により、デー
タ線の上側層は、ゲート線との交差部で、急峻な段の交
差を伴なわずに適用することが出来る。絶縁層にある幅
の狭い条片の両側で、データ線の導電層の間を電気的に
接触させる。段構造に沿って接触が行なわれるが、この
段の長さがずっと長く、この為、その長さに沿った少な
くともどこかで確実に接触が得られる。こうすることに
より、冗長なデータ線構造が得られる。同様に、この発
明の好ましい実施例では、ゲート線の層にも冗長度を持
たせる。然し、この場合、中間の絶縁層を用いる必要は
ない。スイッチ素子との電気接続を変えることにより、
データ線及びゲート線の役割を逆にすることが出来る。
従って、この発明の目的は、液晶表示装置の冗長なゲー
ト線及びデータ線に対する機構及び構造を提供すること
である。
この発明の別の目的は、信頼性が一層高いＬＣＤ表示装
置を提供することである。　　　　゛最後に、これに限
らないが、この発明の別の目的は、製造が容易であって
、製品の歩留りが改善されたＬＣＤ装置の構造を提供す
ることである。
発明の詳細な説明 第１図はＬＣＤ装置に使われる普通の薄膜ＦＥＴの断面
図を示す。特に基板２０は典型的には硝子の様な透明な
材料で構成される。普通のフォトバターニング方法に従
って、この基板に金属ゲート電極２１が固定される。次
に、典型的には、窒化シリコンの様なパターンを定めた
絶縁材料の層２４を沈積して、ゲート電極２１を覆うと
共に、その両側からある距離だけ伸びる様にする。その
後、典型的には、非晶質シリコン（α−シリコン）の能
動層２５を適用し、適当な極性のドーパントでドープし
て、ゲート電極に印加された電気信号によって電流の流
れが制御される様なチャンネル領域を作る。同様に、フ
ォトパターニング方法を用いて、ソース及びドレイン電
極２２．２３が沈積され、薄１１ＦＥＴ装置の形成が完
了する。然し、ゲート電極の幅はわずか約１０ミクロン
であって、その為、実質的には利用者の目につかないか
ら、ゲート材料２１が不透明であることは、見る上で重
大な制約にはならないことに注意されたい。これと対照
的に、画素電極はＬＣＤ装置のセル内でずっと大きい素
子である。画素電極は典型的には約０．０１吋平方であ
る。
第２図はこの発明を理解するのに役立つ。特に第２図は
、後で更に詳しく説明する第５図の一部分の断面図であ
る。第２図の上側部分を鎖線で示しであるが、これはこ
れらの構造が、厳密に云うと、第３Ａ図乃至第３Ｄ図の
マクス・パターンによって作られないからである。典型
的には、これらのマスク・パターンを用いて、ＬＣＤ装
置の主な構成要素となる基板又はパネルの片側だけを作
る。前に述べた様に、基板２°０．３０は典型的には透
明な材料で構成することが出来る。更に前に述べた様に
、大地平面電極３８及び画素電極３９が、夫々基板３０
．２０の上に配置される。これらの電極は透明な導電材
料で構成することが出来る。然し、本発明にとって最も
重要なのは、データ線３２及び絶縁材料３４を含むデー
タ線構造である。何れも参照数字３２で示した第１の導
電層及び第３の導電層が、幅の狭い絶縁条片３４の両側
で電気的に接触していることが判る。データ線の第１の
導電層はＦＥＴスイッチ素子のゲート電極と同じプロセ
ス段階で製造することが好ましい。
第２の絶縁層３４はゲート絶縁材料と同じプロセス段階
で製造することが好ましい。データ線構造の第３の導電
層は、ソース及びドレインのメタライズ部を製造するの
と同じプロセス段階で製造することが好ましい。絶縁層
３４が存在することにより、データ線の第３の又は上側
の導電層がゲート線と交差しても、それから絶縁するこ
とが出来、回路の信頼性を低下させる傾向を持つ段の不
連続部を形成しないで済む。更に、第１の又は一番下の
導電層が上側の導電層と接触し、各々のデータ線の長さ
の約９０％に沿って冗長な回路接続部になる。然し、下
側のデータ線３２は、ゲート線導体が通れる様にするす
き間を持っている。データ線の導電層の間を接触させる
のに一層長い段の飛び越しが必要な様に見えるが、第２
図の絶縁材料の条片３４が比較的幅が狭く、且つデータ
線の下側導体の全長に沿つて電気接触をさせることが可
能であるから、これが実際には問題ではない。
第３Ａ図及び第３Ｄ図は、この発明の製造に用いること
が出来る配置のパターンを示す。第３Ａ図は、ゲート金
属並びに関連した水平ゲート駆動線３１のパターンを示
す。参考の為に目盛りを示しである。更に第３Ａ図は冗
長なデータ線３２が存在することを示している。これら
の線は、図示の層内で完全な電気回路を形成していない
が、第３Ｃ図に示す別の層内に全体として完成されるデ
ータ線の経路を部分的に重複して構成していると云う意
味で冗長である。それでも、第３Ｃ図に示す様に、デー
タ線の回路を完成する為に、接続がなされる。第３Ａ図
に示すメタライズ層は、表示装置の片側からチャンネル
領域に光が達しない様にする為に、不透明であることが
好ましい。チャンネル領域が、第３Ａ図に示した大きな
矩形区域の上方に形成される。第３Ａ図に示した層内に
は金属パッド３６も示されている。パッド３６は装置の
ドレインと画素電極の間の電気接続をし易くする。
第３Ａ図のメタライズ層が不透明な基板の上又は硝子の
様な透明な基板の上に形成された後、絶縁層及び半導体
層を沈積するのに第３Ｂ図のパターンを用いる。特に、
窒化シリコン又はその他の絶縁材料の層３４が第３Ｂ図
に示すパターンで沈積される。第３Ｂ図に示す絶縁材料
のパターンは幾つかの目的に役立つ。第１に、このパタ
ーンは薄膜ＦＥＴ装置に対するゲート絶縁材料になる。
第２に、この絶縁層は、ゲート線をデータ線から電気的
に絶縁する様に配置される。最後に、第３Ｂ図の中心バ
ッチ領域から上向き及び下向きに伸びる垂直部分が第３
Ａ図に示すデータ線３２に重なることが判る。然し、第
３Ｂ図の絶縁層が第３Ａ図のデータ線３２より幅が狭い
ことが認められよう。この為、第３Ｃ図に示す様に、部
分的に冗長なデータ線を形成することが出来る。第３Ｂ
図の絶縁層３４の幅が一層狭い為、第３Ａ図に示したデ
ータ線の導体と第４Ｃ図に示したデータ線の完全な導体
（その両方が参照数字３２で示されている）の間の電気
的な接触が出来る。第２図はこうして得られた構造の断
面図である。
前に述べた様に、第３Ｂ図のパターンは別の作用の為に
用いられる。特にこれは、半導体材料の層（１つ又は複
数）を沈積する為のパターンとして役立つ。特に、ｍ３
８図に示すパターンを持つ三重層を用いることが好まし
い。この場合、一番下（即ち、第１）の層は窒化シリコ
ンで構成され、次の層はα−シリコンで構成され、その
次の層は、この層がＮ＋の極性を持つ様な材料でドープ
したα−シリコンで構成される。これらの層は、普通の
薄膜ＦＥＴ処理方法を用いて形成される。
基板に次に適用される層は、第３Ｃ図に示す形を持つメ
タライズ層である。特に、フィンガ突起部３２ｇ−，３
２ｂがデータ線３２から伸びる。これらの突起部がＦＥ
Ｔのソース電極を形成する。
メタライズ・パターン３３が、形成されるＦＥＴに対す
る共通のドレイン電極になる。このドレイン電極が最終
的には第２図、第６図及び第３Ｄ図に示す画素電極３９
に接続される。これは第３Ａ図のバッド３６とも電気的
に接触している。データ線３２がソース電極３２ａ、３
２ｂに接続されると共に、第３Ｂ図の絶縁層の幅が一層
狭い為に、データ線３２が、第３Ａ図の層内の、同じ参
照数字をつけた部分的に冗長なデータ線と接触する。
これによって、表示装置の信頼性を高める冗長な構造が
得られる。ゲート線３１は、やはり表示装置の信頼性を
高める為に、第３Ｃ図の層からのメタライズによって強
化されることに注意されたい。
次に適用される層は、画素電極パターンの層である。こ
の画素電極は必然的に導電材料で構成しなければならな
い。然し、ＬＣＤ装置の特定の性質に応じて、導電材料
は透明であってもなくてもよい。然し、透明である為に
は、酸化インジウム錫をこの目的に用いるのが好ましい
。従って、画素電極３９は導電材料で構成されるが、図
面では、それが透明である可能性もあることを示す為に
、硝子の様にハツチングを施しである。勿論、大地平面
電極又は画素電極又はその両方が透明な材料で構成され
ることが必要である。その両方が不透明であると、表示
装置として役に立たなくなる。
更に画素電極について云うと、第３Ｄ図にこの様な４つ
の画素電極が存在することが示されている。
然し、半導体スイッチが実際に、第３Ｄ図の右下隅にあ
る画素電極に付設されている。この画素電極が第３Ｃ図
の金属（ドレイン）パッド３３と電気的に接触“してい
る。
第４図は、１個の画素セル並びにそれを取囲むセルの部
分を拡大図で示している。セルに付設されたゲート線３
１が水平方向に伸びることが示されている。セルに付設
されるデータ線３２が垂直方向に伸びることが示されて
いる。然し、これらの線の相対的な方向は一定ではなく
、水平及び垂直の役割が逆になった別の形式も用いるこ
とが出来る。更に、各々の画素セルが選ばれたデータ線
及びゲート線と一意的な関係を持つことが判る。
各々の画素セルが画素電極並びにそれに付設された半導
体スイッチ装置を含むことが判る。１ｆ１４図に示す構
造は、典型的には液晶表示装置の片側を構成する。反対
側は、透明な基板の上に配置された大地平面電極を有す
るのが典型的である。液晶材料が画素電極と大地平面電
極（１つ又は複数）の間に配置される。第４図に示す画
素セルは四角であるが、異なる形又は変化する寸法を持
つセルを用いることが出来る。同様に、データ線及びゲ
ート線が水平及び垂直方向に伸びるものとして示しであ
るが、斜交座標系と更によく似た形に配置されたデータ
線を用いることも可能である。
第５図は、第３Ａ図乃至第３Ｄ図に示したパターンを用
いて行なわれる製造工程の結果として得られた構造の詳
細図である。第５図は、こうして得られる構造の全体的
な姿を示すと共に、層間の構造関係を更に具体的に説明
するのに役立つ。第５図は、典型的なデータ線の断面を
示す第２図に対する切断線２をも示している。
第６図は１個の画素セルの電気回路図である。
特に、上側の極板３９及び下側の極板３８持つコンデン
サの記号を用いて、セルのコンデンサ部分を現す。下側
の極板３８が典型的には大地平面電極を構成し、上側の
極板３９が典型的には個々の画素電極を構成する。画素
電極が、ゲート線３１及びソース電極３２ａ、３２ｂを
持つＦＥＴのドレイン３３に電気接続される。ゲート線
及びデータ線は第６図に示す通りである。然し、こ＼で
ソース及びドレイン電極について述べたのは例に過ぎな
いことに注意されたい。周知の様に、ＦＥＴ装置は対称
性を持ち、ソース及びドレインの呼名は単に便宜として
用いるものであり、又は外部装置の接続の結果としてそ
うなるものである。
単色でなく、カラー像を表示する液晶表示装置を作るこ
とも可能である。こういう装置では、典型的にはモザイ
ク形カラー・フィルタを用いる。
このカラー・フィルタは大地平面電極の上に配置するこ
とが好ましい。この発明では、このフィルタの上にスペ
ーサ材料を配置することも出来る。
然し、カラー・フィルタ層を薄膜トランジスタの配列及
び関連した画素電極を正確に整合させなければならない
と云う理由で、これはそれ程望ましい構成ではない。
前に述べた様に、この発明では、異なる種類の液晶材料
を用いることが出来る。捩りネマチック材料を用いる場
合、１対の偏光子も必要である。
こういう偏光子は、液晶材料を収容するＬＣＤ装置の壁
の外部に配置するのが典型的である。ダイクロイック染
料（ゲスト／ホスト系）を用いるＬＣＤ装置では、対の
偏光子を必要としない。こういう実施例では、１個の偏
光子を持つか又は全く偏光子を持たない装置を用いるこ
とも出来る。
従って、上に述べた所から、この発明の液晶表示装置は
、表示性能が改善され、製造の歩留りが改善され、従来
用いられていたＬＣＤ装置の製造方法と両立性があるこ
とが理解されよう。更に、この発明は完全な、品質の高
い、コントラストの良い像、又はカラー像さえも容易に
形成することも出来る。
この発明のある好ましい実施例について詳しく説明した
が、当業者には種々の変更が考えられよう。従って、特
許請求の範囲の記載は、この発明の範囲内に含まれるこ
の様な全ての変更を包括するものであることを承知され
たい。
【図面の簡単な説明】
ｔｊ４１図は薄膜ＦＥＴを示す側面断面図、第２図は３
層からなる部分的に冗長なデータ線構造を用いたこの発
明の１実施例の一部分の断面図、第３Ａ図はこの発明の
好ましい実施例で用いられるゲート金属パターンの平面
図、第３Ｂ図は薄１１１ＦＥＴの一部分としてのゲート
絶縁物及び能動シリコンに対するパターンを示す平面図
、第３Ｃ図はソース及びドレイン電極とデータ線に対す
る金属パターンを示す平面図、第３Ｄ図は薄膜半導体ス
イッチ装置の近くにある画素電極材料のパターンを示す
平面図、第４図はこの発明に従って作られたＬＣＤ装置
の一部分の平面図、第５図は第４図の一部分の拡大平面
図、第６図は各々の画素電極に付設された半導体スイッ
チ装置に対する電気モデルを示す回路図である。 （主な符号の説明） ２０．３０；基板 ３１：ゲート線 ３２；データ線 ３８二大地平面電極 ３９：画素電極

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）少なくともその一方が透明である１対の平坦な基板
    と、該基板の間に配置され且つ収容された所定量の液晶
    材料と、前記少なくとも一方の基板の上に配置された画
    素電極の配列と、他方の基板の上に配置された少なくと
    も１つの大地平面電極とを有し、こうして液晶材料が前
    記画素電極及び大地平面電極の間に配置され、大地平面
    電極及び画素電極の配列の内の少なくとも一方が透明で
    あり、更に、前記画素電極に付設された薄膜電界効果ト
    ランジスタ・スイッチ素子の配列と、１組の導電データ
    線と、１組の導電ゲート線とを有し、前記データ線はそ
    の長さの少なくとも一部分にわたって伸びる多層構造を
    持っており、その内の少なくとも２層がその長さの一部
    分に沿って電気的に接触している導電材料で構成されて
    おり、前記スイッチ素子、前記データ線及び前記ゲート
    線が電気接続されて、前記ゲート線に存在する信号と前
    記データ線に現れる電圧を印加することにより画素電極
    を選択することが出来る様にした液晶表示装置。 ２）特許請求の範囲１）に記載した液晶表示装置に於て
    、前記スイッチ素子が、ゲート金属層、ゲート絶縁層、
    及び該ゲート絶縁層に重なる金属層内の別々のソース及
    びドレイン・パターンを含んでいる液晶表示装置。 ３）特許請求の範囲２）に記載した液晶表示装置に於て
    、前記多層構造が３層を含んでいる液晶表示装置。 ４）特許請求の範囲３）に記載した液晶表示装置に於て
    、前記データ線が、前記ゲート金属と同じ層内に配置さ
    れた第１の導電層を含んでいる液晶表示装置。 ５）特許請求の範囲４）に記載した液晶表示装置に於て
    、前記データ線の第１の層が、前記ゲート線が通り抜け
    るすき間を含んでいる液晶表示装置。 ６）特許請求の範囲５）に記載した液晶表示装置に於て
    、前記データ線が前記ゲート絶縁層と同じ層内に配置さ
    れた第２の絶縁層を含んでいる液晶表示装置。 ７）特許請求の範囲６）に記載した液晶表示装置に於て
    、前記第２の絶縁層が前記ゲート線を横切って伸び、こ
    の為、付加的なデータ線の導体層が、垂直の階段形の飛
    び越しをせずに、前記ゲート線と交差する液晶表示装置
    。 ８）特許請求の範囲７）に記載した液晶表示装置に於て
    、前記データ線が前記絶縁層の上に配置された略連続的
    な第３の導電層を含んでいる液晶表示装置。 ９）特許請求の範囲７）に記載した液晶表示装置に於て
    、前記データ線が、前記ソース及びドレイン金属パター
    ンと同じ層内に配置された略連続的な第３の導電層を含
    んでいる液晶表示装置。 １０）特許請求の範囲７）に記載した液晶表示装置に於
    て、前記データ線が前記第１の導電層と接触する略連続
    的な第３の導電層を含んでいる液晶表示装置。 １１）特許請求の範囲１０）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記接触が前記絶縁層の両側で行なわれている液
    晶表示装置。 １２）特許請求の範囲１）に記載した液晶表示装置に於
    て、前記ゲート線が第１及び第２の導電層を含んでいる
    液晶表示装置。 １３）特許請求の範囲１２）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記ゲート線が前記ゲート金属と同じ層内にある
    第１の層内の導電材料を持ち、前記第２の層の導電材料
    が前記ソース及びドレイン・パターンと同じ層内に適用
    される液晶表示装置。 １４）特許請求の範囲１３）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記ゲート線の第２の層が、前記データ線が通過
    するすき間を含んでいる液晶表示装置。 １５）特許請求の範囲１３）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記ゲート線の第１の層が略連続的である液晶表
    示装置。 １６）特許請求の範囲１）に記載した液晶表示装置に於
    て、前記導電ゲート線、スイッチ素子及びデータ線が、
    水平及び垂直方向に伸びる時に、ゲート線とデータ線の
    役割が逆になる様に、電気接続されている液晶表示装置
    。 １７）特許請求の範囲１）に記載した液晶表示装置に於
    て、前記スイッチ素子が非晶質シリコンの電界効果トラ
    ンジスタで構成されている液晶表示装置。 １８）その少なくとも一方が透明である１対の平坦な基
    板と、該基板の間に配置されていてその間に収容された
    所定量の液晶材料と、前記少なくとも一方の基板の上に
    配置された画素電極の配列と、他方の基板の上に配置さ
    れた少なくとも１つの大地平面電極とを有し、こうして
    液晶材料が画素電極及び大地平面電極の間に配置される
    様にして、大地平面電極及び画素電極の配列の内の少な
    くとも一方が透明であり、更に、前記画素電極に付設さ
    れていて、ソース及びドレイン電極を持ち、該電極の内
    の少なくとも一方が多重フィンガ突起部を持つ様な薄膜
    電界効果トランジスタ・スイッチ素子の配列と、１組の
    導電データ線と、１組の導電ゲート線とを有し、前記ス
    イッチ素子、データ線及びゲート線は、該ゲート線に存
    在する信号と前記データ線に現れる電圧を印加すること
    により画素電極を選択することが出来る様に電気接続さ
    れている液晶表示装置。 １９）特許請求の範囲１８）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記薄膜電界効果トランジスタ・スイッチ素子が
    非晶質シリコンのトランジスタを含む液晶表示装置。 ２０）少なくともその一方が透明である１対の平坦な基
    板と、該基板の間に配置されていてその間に収容された
    所定量の液晶材料と、前記少なくとも一方の基板の上に
    配置された画素電極の配列と、他方の基板の上に配置さ
    れた少なくとも１つの大地平面電極とを有し、この為液
    晶材料が画素電極及び大地平面電極の間に配置され、大
    地平面電極及び画素電極の配列の内の少なくとも一方が
    透明であり、更に、前記画素電極に付設されていて、ソ
    ース及びドレイン電極を持ち、少なくとも一方の電極が
    多重突起部を持つ様な薄膜電界効果トランジスタ・スイ
    ッチ素子の配列と、１組の導電データ線と、１組の導電
    ゲート線とを有し、前記データ線はその長さの少なくと
    も一部分にわたって伸びる多層構造をを持っていて、そ
    の内の少なくとも２層がその長さの一部分に沿って電気
    的に接触する導電材料で構成されており、前記スイッチ
    素子、データ線及びゲート線は、該ゲート線に存在する
    信号と前記データ線に現れる電圧を印加することにより
    画素電極を選択することが出来る様に電気接続されてい
    る液晶表示装置。 ２１）特許請求の範囲２０）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記スイッチ素子が、ゲート金属層、ゲート絶縁
    層、及び該ゲート絶縁層に重なる金属層内の別々のソー
    ス及びドレイン・パターンを含んでいる液晶表示装置。 ２２）特許請求の範囲２１）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記多層構造が３層を持っている液晶表示装置。 ２３）特許請求の範囲２２）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記データ線が、前記ゲート金属と同じ層内に配
    置された第１の導電層を含んでいる液晶表示装置。 ２４）特許請求の範囲２３）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記データ線の第１の層が、前記ゲート線が通り
    抜けるすき間を持っている液晶表示装置。 ２５）特許請求の範囲２４）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記データ線が、前記ゲート絶縁層と同じ層内に
    配置された第２の絶縁層を含んでいる液晶表示装置。 ２６）特許請求の範囲２５）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記第２の絶縁層が前記ゲート線を横切って伸び
    、この為付加的なデータ線の導体層が、垂直の階段形の
    飛び越しをせずに、前記ゲート線と交差する液晶表示装
    置。 ２７）特許請求の範囲２６）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記データ線が、前記絶縁層の上に配置された略
    連続的な第３の導電層を含んでいる液晶表示装置。 ２８）特許請求の範囲２６）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記データ線が、前記ソース及びドレイン金属パ
    ターンと同じ層内に配置された略連続的な第３の導電層
    を含んでいる液晶表示装置。 ２９）特許請求の範囲２６）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記データ線が、前記第１の導電層と接触する略
    連続的な第３の導電層を含んでいる液晶表示装置。 ３０）特許請求の範囲２９）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記接触が絶縁層の両側で行なわれる液晶表示装
    置。 ３１）特許請求の範囲２０）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記ゲート線が第１及び第２の導電層を含んでい
    る液晶表示装置。 ３２）特許請求の範囲３１）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記ゲート線が、前記ゲート金属と同じ層内にあ
    る前記第１の層内の導電材料を有し、前記第２の層の導
    電材料が前記ソース及びドレイン・パターンと同じ層内
    に適用されている液晶表示装置。 ３３）特許請求の範囲３２）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記ゲート線の第２の層が、前記データ線が通り
    抜けるすき間を持っている液晶表示装置。 ３４）特許請求の範囲３２）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記ゲート線の第１の層が略連続的である液晶表
    示装置。 ３５）特許請求の範囲２０）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記導電ゲート線、前記スイッチ素子及び前記デ
    ータ線が、水平及び垂直方向に伸びる時にゲート線及び
    データ線の役割を逆にする様に電気接続されている液晶
    表示装置。 ３６）特許請求の範囲２０）に記載した液晶表示装置に
    於て、前記スイッチ素子が非晶質シリコンの電界効果ト
    ランジスタで構成される液晶表示装置。
JP61166885A 1985-07-19 1986-07-17 冗長な導体構造を持つ薄膜ｆｅｔ駆動形液晶表示装置 Pending JPS6265017A (ja)

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