JPS607500Y2 - 光電変換半導体装置 - Google Patents
光電変換半導体装置Info
- Publication number
- JPS607500Y2 JPS607500Y2 JP2631783U JP2631783U JPS607500Y2 JP S607500 Y2 JPS607500 Y2 JP S607500Y2 JP 2631783 U JP2631783 U JP 2631783U JP 2631783 U JP2631783 U JP 2631783U JP S607500 Y2 JPS607500 Y2 JP S607500Y2
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- JP
- Japan
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- light
- crystal layer
- substrate
- layer
- semiconductor laser
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Description
【考案の詳細な説明】
考案の技術分野
本考案は、光センサーに好適な光電変換半導体装置、特
に集積化した半導体レーザと光検出器とからなる光電変
換半導体装置に関するものである。
に集積化した半導体レーザと光検出器とからなる光電変
換半導体装置に関するものである。
従来技術と問題点
近時、半導体レーザを用いて物体にレーザ光を照射し、
その反射光強度を光検出器で検出して種々の情報を読取
る光センターが注目されている。
その反射光強度を光検出器で検出して種々の情報を読取
る光センターが注目されている。
従来の半導体レーザはダブルへテロ接合面と平行な方向
に出力光が導出されるものであるから、半導体レーザを
構成する半導体基板上に、その出力光と平行方向の入力
光を検出する為の光検出器を形威しようとすると、受光
面積が極めて小さいものしか製作することができないも
のであった。
に出力光が導出されるものであるから、半導体レーザを
構成する半導体基板上に、その出力光と平行方向の入力
光を検出する為の光検出器を形威しようとすると、受光
面積が極めて小さいものしか製作することができないも
のであった。
考案の目的
本考案は、同一基板上に、半導体レーザの出力光の導出
方向と平行の入力光を大きな受光面積で受光することが
できる光検出器を形威し得るようにすることを目的とす
るものである。
方向と平行の入力光を大きな受光面積で受光することが
できる光検出器を形威し得るようにすることを目的とす
るものである。
以下実施例について詳細に説明する。
考案の実施例
図は本考案の実施例の概略断面図であり、1は電極、2
は半導体基板で、例えばn−GaAs基板が用いられ、
そのn−GaAs基板2上に液相成長法等により、順次
n−GaAlAs層3t 3at p−GaAs層4t
4a、ストライプ状に形威されたp−GaAlAs層5
及び全面が同一ノp −GaAIAs層5a、p−Ga
As層6,6aを形威し、エツチング等により半導体レ
ーザA1反射部B1光検出器Cを形成分離する溝を形成
し、半導体レーザAの最上層には電極7、光検出器Cの
最上層には受光面以外に電極7aを形成し、且つ光検出
器Cのp−GaAs層6aを受光面に相当する部分だけ
エツチングで除去する。
は半導体基板で、例えばn−GaAs基板が用いられ、
そのn−GaAs基板2上に液相成長法等により、順次
n−GaAlAs層3t 3at p−GaAs層4t
4a、ストライプ状に形威されたp−GaAlAs層5
及び全面が同一ノp −GaAIAs層5a、p−Ga
As層6,6aを形威し、エツチング等により半導体レ
ーザA1反射部B1光検出器Cを形成分離する溝を形成
し、半導体レーザAの最上層には電極7、光検出器Cの
最上層には受光面以外に電極7aを形成し、且つ光検出
器Cのp−GaAs層6aを受光面に相当する部分だけ
エツチングで除去する。
又半導体レーザAの活性層(p−GaAs層4)の両側
に共振器を構成する鏡面8を形成腰この鏡面8と対向し
た反射部の略450の傾射面に反射面9を金属蒸着等に
より形成する。
に共振器を構成する鏡面8を形成腰この鏡面8と対向し
た反射部の略450の傾射面に反射面9を金属蒸着等に
より形成する。
従って半導体レーザAの出力光は基板の面方向に出射さ
れるものであるが、共振器面に対向して形成された反射
面9により反射されてダブルへテロ接合面に対してほぼ
垂直の方向に出力光10として導出される。
れるものであるが、共振器面に対向して形成された反射
面9により反射されてダブルへテロ接合面に対してほぼ
垂直の方向に出力光10として導出される。
又光検出器Cはp−GaAs層4aとn−GaAlAs
層3aとのp−n接合によるフォト・ダイオードとして
構成される。
層3aとのp−n接合によるフォト・ダイオードとして
構成される。
即ち半導体レーザAの出力光10と平行の入力光11を
光検出器Cで検出することができ、その受光面は平面内
のパターンで任意の大きさとすることができるものであ
る。
光検出器Cで検出することができ、その受光面は平面内
のパターンで任意の大きさとすることができるものであ
る。
又反射部Bの傾斜面は、結晶方向の選定により異方性エ
ツチングで略45°の傾斜面とすることができるもので
あり、例えば112の結晶面とすると、鏡面8と反射面
9を形成する略45°の傾斜面とをエツチングによって
同時に形成することができる。
ツチングで略45°の傾斜面とすることができるもので
あり、例えば112の結晶面とすると、鏡面8と反射面
9を形成する略45°の傾斜面とをエツチングによって
同時に形成することができる。
この場合、112面と垂直な鏡面8は111面、略45
°の傾斜面9は001面付近の結晶面となる。
°の傾斜面9は001面付近の結晶面となる。
なお光検出器Cの構成は半導体レーザAと同様なダブル
へテロ接合構造とする必要はなく、選択拡散等の手段に
よって半導体基板2上にp−n接合面を形成するように
することもできる。
へテロ接合構造とする必要はなく、選択拡散等の手段に
よって半導体基板2上にp−n接合面を形成するように
することもできる。
考案の効果
以上説明したように、本考案は、少なくともn−GaA
lAs層等の第1結晶層とp −GaAs層等の第2結
晶層とのへテロ接合面と、この第2結晶層とp−GaA
lAs層等の第3結晶層とのへテロ接合面とを形成した
同一基板2上に、半導体レーザAと、反射面Bと、光検
出器Cとを形成したものであり、半導体レーザAの活性
層と、光検出器Cのp−n接合面を構成する結晶層とは
、同一の第2結晶層を利用しているので、同一基板上に
半導体レーザAと光検出器Cとを容易に形成することが
でき、且つ小型化することができる利点がある。
lAs層等の第1結晶層とp −GaAs層等の第2結
晶層とのへテロ接合面と、この第2結晶層とp−GaA
lAs層等の第3結晶層とのへテロ接合面とを形成した
同一基板2上に、半導体レーザAと、反射面Bと、光検
出器Cとを形成したものであり、半導体レーザAの活性
層と、光検出器Cのp−n接合面を構成する結晶層とは
、同一の第2結晶層を利用しているので、同一基板上に
半導体レーザAと光検出器Cとを容易に形成することが
でき、且つ小型化することができる利点がある。
又半導体レーザAの出力光は反射面Cにより基板2とほ
ぼ垂直方向に反射され、光検出器Cに入射される光と平
行関係となるので、光センサとして使用した場合に大き
な効果が得られる。
ぼ垂直方向に反射され、光検出器Cに入射される光と平
行関係となるので、光センサとして使用した場合に大き
な効果が得られる。
即ち、光センサは、発光部と受光部とから構成されるも
のであり、受光部にはその受光面に垂直に光を入射させ
る関係上、発光部を被検知物体に対して傾射した位置に
設けると、受光部は発光部から離して配置する必要が生
じ、反射角度が大きくなることから、受光できる光量が
減少する。
のであり、受光部にはその受光面に垂直に光を入射させ
る関係上、発光部を被検知物体に対して傾射した位置に
設けると、受光部は発光部から離して配置する必要が生
じ、反射角度が大きくなることから、受光できる光量が
減少する。
その反対に被検知物体の直上位置に発光部を配置したと
すると、受光部を発光部に接近させ且つ発光部と受光部
とは被検知物体から離して配置しなければならなくなる
。
すると、受光部を発光部に接近させ且つ発光部と受光部
とは被検知物体から離して配置しなければならなくなる
。
従って被検知物体との距離が長くなるので、受光部への
入射光量が減少する。
入射光量が減少する。
しかし、本考案の構成を用いた光センサによると、受光
部の半導体レーザAと受光部の光検出器Cとは隣接して
形成されると共に、出力光と入射光とを平行関係とする
ことができるので、被検知物体に接近して配置すること
が可能となり、反射光も増加するから、S/Nを改善す
ることができるものとなる。
部の半導体レーザAと受光部の光検出器Cとは隣接して
形成されると共に、出力光と入射光とを平行関係とする
ことができるので、被検知物体に接近して配置すること
が可能となり、反射光も増加するから、S/Nを改善す
ることができるものとなる。
更に出力光と入射光とは平行関係であるから、同一光学
系を用いることができる利点がある。
系を用いることができる利点がある。
なお半導体レーザAは実施例のGaAs−GaAlAs
系以外に例えばPbTe −Pb5nTe系、GaIn
P系等種々の構成とし得ることは勿論である。
系以外に例えばPbTe −Pb5nTe系、GaIn
P系等種々の構成とし得ることは勿論である。
図は本考案の実施例の概略断面図である。
1.7.7aは電極、2はn−GaAs基板、3.3a
はn−GaAlAs層、4,4aはp−GaAs層、5
,5aはp−GaAlAs層、6,6aはp−GaAs
層、8は鏡面、9は反射面、Aは半導体レーザ、Bは反
射部、Cは光検出器である。
はn−GaAlAs層、4,4aはp−GaAs層、5
,5aはp−GaAlAs層、6,6aはp−GaAs
層、8は鏡面、9は反射面、Aは半導体レーザ、Bは反
射部、Cは光検出器である。
Claims (1)
- 少なくとも第1結晶層と第2結晶層とのへテロ接合面と
、該第2結晶層と第3結晶層とのへテロ接合面とを形威
した同一基板上に、前記第2結晶層を活性層とし且つ該
活性層の両側に共振器面を形威した半導体レーザと、該
半導体レーザの共振器に対向して前記基板のほぼ垂直方
向に前記半導体レーザの出力光を反射させる反射面と、
前記第1結晶層と前記第2結晶層又は該第2結晶層と前
記第3結晶層との間のp−n接合面が前記基板の面方向
と同一面方向に形威され、且つ前記基板のほぼ垂直方向
に入射される入力光を受ける受光面が前記基板の面方向
と同一面方向に形威された光検出器とを隣接して形威し
たことを特徴とする光電変換半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2631783U JPS607500Y2 (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 光電変換半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2631783U JPS607500Y2 (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 光電変換半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58162660U JPS58162660U (ja) | 1983-10-29 |
JPS607500Y2 true JPS607500Y2 (ja) | 1985-03-13 |
Family
ID=30038276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2631783U Expired JPS607500Y2 (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 光電変換半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS607500Y2 (ja) |
-
1983
- 1983-02-24 JP JP2631783U patent/JPS607500Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58162660U (ja) | 1983-10-29 |
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