JPS6066210A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
- Publication number
- JPS6066210A JPS6066210A JP58175044A JP17504483A JPS6066210A JP S6066210 A JPS6066210 A JP S6066210A JP 58175044 A JP58175044 A JP 58175044A JP 17504483 A JP17504483 A JP 17504483A JP S6066210 A JPS6066210 A JP S6066210A
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- JP
- Japan
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- glass substrate
- glass
- optical waveguide
- electrode
- waveguide
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
- G02B6/1345—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using ion exchange
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は光導波路、特にガラスイオン交換法によるマ
ルチモード光導波路の製造方法に関する。
ルチモード光導波路の製造方法に関する。
（ロ）従来技術
光分岐用などの光導波路を製作するのに、従来は、■ガ
ラスイオン交換により電界引き込みで導波路を基板内で
埋め込む方法、■熱拡散によって半円断面の導波路゛を
基板上に形成し、この基板を２枚向い合わせて貼り合わ
ず方法などが使用されている。
ラスイオン交換により電界引き込みで導波路を基板内で
埋め込む方法、■熱拡散によって半円断面の導波路゛を
基板上に形成し、この基板を２枚向い合わせて貼り合わ
ず方法などが使用されている。
上記■の方法によって製作される光導波路は、第１図（
ａ）に示すように、ガラス基板１内に断面円形状の光導
波路が形成されるので、理想的な光導波路が得られるが
、この光導波路の製造方法は、まず最初にマスクパター
ン電極付きのガラス基板を高温の硝酸銀（ＡｇＮＯ３）
等の溶融塩中に浸漬し、ガラスイオン交換を行い、ガラ
ス基板表面に光導波路を形成した後、ガラス基板を前記
の溶融塩から取り出し、次に他の例えばＫＮＯ３の溶融
塩に基板を再び浸漬し、再度電界を加えて導波路部を基
板内に引き込むものであるから、製作が非富に面倒かつ
時間がかかるという欠点がある。
ａ）に示すように、ガラス基板１内に断面円形状の光導
波路が形成されるので、理想的な光導波路が得られるが
、この光導波路の製造方法は、まず最初にマスクパター
ン電極付きのガラス基板を高温の硝酸銀（ＡｇＮＯ３）
等の溶融塩中に浸漬し、ガラスイオン交換を行い、ガラ
ス基板表面に光導波路を形成した後、ガラス基板を前記
の溶融塩から取り出し、次に他の例えばＫＮＯ３の溶融
塩に基板を再び浸漬し、再度電界を加えて導波路部を基
板内に引き込むものであるから、製作が非富に面倒かつ
時間がかかるという欠点がある。
また、上記■による方法は、第２図に示すように、表面
に断面半円形状の光導波路４を形成したガラス基板３を
光導波路４が対面するように、２楔接着剤５で貼り合わ
せて製作するものであるから、光導波路４の中央部に接
着剤５が位置することになり、光導波路内を光が通過す
る際、光散乱が生じ、損失を大きくするという欠点があ
った。
に断面半円形状の光導波路４を形成したガラス基板３を
光導波路４が対面するように、２楔接着剤５で貼り合わ
せて製作するものであるから、光導波路４の中央部に接
着剤５が位置することになり、光導波路内を光が通過す
る際、光散乱が生じ、損失を大きくするという欠点があ
った。
（ハ）目的
この発明の目的は、上記した従来の光導波路の製造方法
の欠点を解消し、製造が比較的簡単に行え、しかも作製
された光導波路が損失の少ないものを得ることのできる
光導波路の製造方法を提供することである。
の欠点を解消し、製造が比較的簡単に行え、しかも作製
された光導波路が損失の少ないものを得ることのできる
光導波路の製造方法を提供することである。
（ニ）構成
上記目的を達成するために、この発明の光導波路の製造
方法は、片面全面に電極を、他面にマスクパターン電極
を設けたガラス基板を溶融塩中に浸漬し、前記全面電極
とマスクパターン電極間に電圧を印加して、前記ガラス
基板の非マスク部に、断面が半円状となる高屈折率部が
形成される程度を越えて十分にガラスイオン交換を行い
、続いて前記ガラス基板の前記高屈折率部が露出する面
に、前記ガラス基板と同質のガラスを貼り合わせるよ（
ホ）実施例 以下、実施例により、この発明をさらに詳細に説明する
。
方法は、片面全面に電極を、他面にマスクパターン電極
を設けたガラス基板を溶融塩中に浸漬し、前記全面電極
とマスクパターン電極間に電圧を印加して、前記ガラス
基板の非マスク部に、断面が半円状となる高屈折率部が
形成される程度を越えて十分にガラスイオン交換を行い
、続いて前記ガラス基板の前記高屈折率部が露出する面
に、前記ガラス基板と同質のガラスを貼り合わせるよ（
ホ）実施例 以下、実施例により、この発明をさらに詳細に説明する
。
以下に示す実施例では、第３図（ａ）に示すように、主
導波路１３、分岐導波路１５．１６からなる光分岐導波
路１２をガラス基板１１上に形成する場合について説明
する。
導波路１３、分岐導波路１５．１６からなる光分岐導波
路１２をガラス基板１１上に形成する場合について説明
する。
製造は、第４図に示すように、まずソーダライムガラス
あるいはＢＫ−７などのガラス基板１１の片面に、全面
電極１８、他方の面にマスクパターン電極１９を設け、
このガラス基板１１を、槽２０内に充填された高温の溶
融塩中２１内に浸漬し、上記電極１８と１９間に電圧Ｖ
を印加し、ガラスイオン交換を行う。電圧Ｖの印加が継
続されると、溶融塩２１中の金属イオンは、マスクパタ
ーン１９の非マスク部１９ａよりガラス基板１１内に浸
入し、やがて半円状の高屈折率部２２が形成される。こ
の時点よりもさらにガラスイオン交換を継続し、電界を
加え続けると、断面半円形状の高屈折率部２２は、ガラ
ス基板１１の内部に向かって引き込まれ、高屈折率部２
２は半円形状からつり鐘状の形状をしたものとなる。
あるいはＢＫ−７などのガラス基板１１の片面に、全面
電極１８、他方の面にマスクパターン電極１９を設け、
このガラス基板１１を、槽２０内に充填された高温の溶
融塩中２１内に浸漬し、上記電極１８と１９間に電圧Ｖ
を印加し、ガラスイオン交換を行う。電圧Ｖの印加が継
続されると、溶融塩２１中の金属イオンは、マスクパタ
ーン１９の非マスク部１９ａよりガラス基板１１内に浸
入し、やがて半円状の高屈折率部２２が形成される。こ
の時点よりもさらにガラスイオン交換を継続し、電界を
加え続けると、断面半円形状の高屈折率部２２は、ガラ
ス基板１１の内部に向かって引き込まれ、高屈折率部２
２は半円形状からつり鐘状の形状をしたものとなる。
ガラス基板１１につり鐘状の高屈折率部２２が形成され
ると、このガラス基板１１を槽２ｏの溶融塩２１から取
り出し、ガラス基板１１の表面をよく洗浄し、その後つ
り鐘状の高屈折率部２２が形成された側に、ガラス基板
１１と同材料のガラス板１６を接着剤１７で貼着する。
ると、このガラス基板１１を槽２ｏの溶融塩２１から取
り出し、ガラス基板１１の表面をよく洗浄し、その後つ
り鐘状の高屈折率部２２が形成された側に、ガラス基板
１１と同材料のガラス板１６を接着剤１７で貼着する。
以上の過程により、断面がつり鐘状をした主導波路１３
、分岐導波路１５．１６からなる光分岐導波路１２が、
ガラス基板１１上に形成される。
、分岐導波路１５．１６からなる光分岐導波路１２が、
ガラス基板１１上に形成される。
以上のようにして得られた光分岐導波路の断面形状は、
円形ではないがつり鐘状をしており、光導波路の中央部
には接着剤が位置しないので、導波路内を伝播する光は
、散乱などによる損失を受けることなく伝播する。
円形ではないがつり鐘状をしており、光導波路の中央部
には接着剤が位置しないので、導波路内を伝播する光は
、散乱などによる損失を受けることなく伝播する。
なお、断面形状は円形ではないが、伝播する光のモード
がマルチモードの場合、完全円形でないことはさしつか
えなく、全体として良好な光伝播を得ることができる。
がマルチモードの場合、完全円形でないことはさしつか
えなく、全体として良好な光伝播を得ることができる。
（へ）効果
この発明によれば、ガラスイオン交換は一回だけである
ので、比較的短時間で光導波路を製作することができ、
また光導波路の断面形状がつり鐘状に形成され、つり鐘
状の底面に接着剤によりガラス板を貼着して光導波路を
構成するものであるから、光導波路の中央部には接着剤
などが占めることがないので、伝播する光は散乱などを
受けず、従って低損失のマルチモード導波路を得ること
ができるし、また安定な特性のものを得ることができる
。
ので、比較的短時間で光導波路を製作することができ、
また光導波路の断面形状がつり鐘状に形成され、つり鐘
状の底面に接着剤によりガラス板を貼着して光導波路を
構成するものであるから、光導波路の中央部には接着剤
などが占めることがないので、伝播する光は散乱などを
受けず、従って低損失のマルチモード導波路を得ること
ができるし、また安定な特性のものを得ることができる
。
第１図は従来の光導波路の製造方法によって得られた光
導波路を示す図であって、第１図（ａ）は同平面図、第
１図（ｂ）は同側面図、第２図は従来の他の製造方法に
よって製作された光導波路を示ず図であって、第２図（
ａ）は同光導波路の斜視図、第２図（ｂ）は同光導波路
の側面図、第３図はこの発明の光導波路の製造方法によ
って製作された光導波路を示す図であって、第３図（ａ
）は同光導波路の斜視図、第３図（ｂ）は同光導波路の
側面図、第４図はこの発明の一実施例を説明するための
槽内を示す図である。 １１ニガラス基板、１２：光分岐導波路、１６：ガラス
板、 １７：接着剤、 １８：電極、 １９：マスクパターン電極特許出願人
株式会社島津製作所 代理人 弁理士 中 村 茂 信 第１図 （Ｃ７） （ｂ） １１ −１？３
導波路を示す図であって、第１図（ａ）は同平面図、第
１図（ｂ）は同側面図、第２図は従来の他の製造方法に
よって製作された光導波路を示ず図であって、第２図（
ａ）は同光導波路の斜視図、第２図（ｂ）は同光導波路
の側面図、第３図はこの発明の光導波路の製造方法によ
って製作された光導波路を示す図であって、第３図（ａ
）は同光導波路の斜視図、第３図（ｂ）は同光導波路の
側面図、第４図はこの発明の一実施例を説明するための
槽内を示す図である。 １１ニガラス基板、１２：光分岐導波路、１６：ガラス
板、 １７：接着剤、 １８：電極、 １９：マスクパターン電極特許出願人
株式会社島津製作所 代理人 弁理士 中 村 茂 信 第１図 （Ｃ７） （ｂ） １１ −１？３
Claims (1)
- （１）片面前面に電極を、他面にマスクパターン電極を
設けたガラス基板を溶融塩中に浸漬し、前記全面電極と
マスクパターン電極間に電圧を印加し、前記ガラス基板
の非マスク部に、断面が半円状となる高屈折率部が形成
される程度を越えて十分にガラスイオン交換を行い、そ
の後、前記ガラス基板の前記高屈折率部が露出する面に
、前記ガラス基板と同質のガラス板を貼着するようにし
た光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175044A JPS6066210A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175044A JPS6066210A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066210A true JPS6066210A (ja) | 1985-04-16 |
Family
ID=15989235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58175044A Pending JPS6066210A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066210A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5035734A (en) * | 1989-04-13 | 1991-07-30 | Oy Nokia Ab | Method of producing optical waveguides |
| US5269888A (en) * | 1990-04-19 | 1993-12-14 | Cselt - Centro Studi E Laboratori Telecomunicazioni S.P.A. | Method of fabricating integrated optical devices by means of field-assisted ion exchange |
| JP2009089481A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | ケーブル布設方法 |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP58175044A patent/JPS6066210A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5035734A (en) * | 1989-04-13 | 1991-07-30 | Oy Nokia Ab | Method of producing optical waveguides |
| US5269888A (en) * | 1990-04-19 | 1993-12-14 | Cselt - Centro Studi E Laboratori Telecomunicazioni S.P.A. | Method of fabricating integrated optical devices by means of field-assisted ion exchange |
| JP2009089481A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | ケーブル布設方法 |
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