JPS6049542A - 撮像管 - Google Patents
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- JPS6049542A JPS6049542A JP58157646A JP15764683A JPS6049542A JP S6049542 A JPS6049542 A JP S6049542A JP 58157646 A JP58157646 A JP 58157646A JP 15764683 A JP15764683 A JP 15764683A JP S6049542 A JPS6049542 A JP S6049542A
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- ray tube
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- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/70—Arrangements for deflecting ray or beam
- H01J29/72—Arrangements for deflecting ray or beam along one straight line or along two perpendicular straight lines
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- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/58—Arrangements for focusing or reflecting ray or beam
- H01J29/62—Electrostatic lenses
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
- H01J31/28—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen
- H01J31/34—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen having regulation of screen potential at cathode potential, e.g. orthicon
- H01J31/38—Tubes with photoconductive screen, e.g. vidicon
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば静電集束・静電偏向型の撮像管に適用
して好適な陰極線管に関する。
して好適な陰極線管に関する。
背景技術とその問題点
従来、撮像管としては電磁集束・電磁偏向型、静電集束
・電磁偏向型等のものが知られている。
・電磁偏向型等のものが知られている。
これら撮像管においては、一般に管長の長い方が良好な
特性が得られるとされている。しかしながら、例えば小
型のビデオカメラに使用する場合には、この管長は短か
い方が好都合である。これによりビデオカメラ全体とし
ての小型化を図れるからである。
特性が得られるとされている。しかしながら、例えば小
型のビデオカメラに使用する場合には、この管長は短か
い方が好都合である。これによりビデオカメラ全体とし
ての小型化を図れるからである。
また、例えば小型のビデオカメラに使用する場合には、
消費電力は小さいことが望ましい。
消費電力は小さいことが望ましい。
発明の目的
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、小型軽量、低
消費電力で、かつ良好な特性が得られるようにしたもの
である。
消費電力で、かつ良好な特性が得られるようにしたもの
である。
発明の概要
本発明は上記目的を達成するため、Ｇ３電極、Ｇ４電極
、Ｇ５電極及びメツシュ状の０６電極を備え、上記Ｇ３
．Ｇ４及びＧ５電極によって電子ビームの集束を行なう
静電レンズ系が形成され、上記Ｇ４電極は上記電子ビー
ムの偏向を行なうアローパターンの偏向電極とされるタ
ーゲットを有する陰極線管において、ビーム制限開孔か
ら上記Ｇ６電極までの距離をｌとするとき、上記Ｇ４電
極の長さは（＋β−六７り〜＜＋ｐ、−十春β）とされ
ると共に上記ビーム制限開孔から上記Ｇ４電極の中心ま
での距離は（＋β−＋β）〜＋ρとされるものである。
、Ｇ５電極及びメツシュ状の０６電極を備え、上記Ｇ３
．Ｇ４及びＧ５電極によって電子ビームの集束を行なう
静電レンズ系が形成され、上記Ｇ４電極は上記電子ビー
ムの偏向を行なうアローパターンの偏向電極とされるタ
ーゲットを有する陰極線管において、ビーム制限開孔か
ら上記Ｇ６電極までの距離をｌとするとき、上記Ｇ４電
極の長さは（＋β−六７り〜＜＋ｐ、−十春β）とされ
ると共に上記ビーム制限開孔から上記Ｇ４電極の中心ま
での距離は（＋β−＋β）〜＋ρとされるものである。
実施例
以下、第１図を参照しながら本発明の一実施例について
説明しよう。本例は静電集束・静電偏向型（Ｓ −Ｓ型
）の撮像管に適用した例である。
説明しよう。本例は静電集束・静電偏向型（Ｓ −Ｓ型
）の撮像管に適用した例である。
同図において、（１）はガラスバルブ、（２）はフェー
スプレート、（３）はターゲツト面（光電変換面）、（
４）は冷封止用のインジウム、（５）は金属リングであ
る。また、（６）はフェースプレート（２）を貫通し−
ＣＣターゲラ面（３）に接触するようになされている信
号取出用の金属電極である。また、Ｇ６はメツシュ状電
極であり、メツシュホルダー（７）に取付けられる。こ
の電極Ｇ６はメソシュホルダー（７）、インジウム（４
）を介し′ζ金属リング（５）に接続される。そして、
この金属リング（５）を介してメソシュ状電＃’ｊｉ
Ｇ Ｇに所定電圧Ｅｍが印加される。
スプレート、（３）はターゲツト面（光電変換面）、（
４）は冷封止用のインジウム、（５）は金属リングであ
る。また、（６）はフェースプレート（２）を貫通し−
ＣＣターゲラ面（３）に接触するようになされている信
号取出用の金属電極である。また、Ｇ６はメツシュ状電
極であり、メツシュホルダー（７）に取付けられる。こ
の電極Ｇ６はメソシュホルダー（７）、インジウム（４
）を介し′ζ金属リング（５）に接続される。そして、
この金属リング（５）を介してメソシュ状電＃’ｊｉ
Ｇ Ｇに所定電圧Ｅｍが印加される。
また、第１図において、Ｋ、Ｇｚ及びＧ２は、夫々電子
銃を構成するカソード、第１グリツド電極及び第２グリ
ツド電極である。また、（８）はごれらを固定するため
のビードガラスである。また、ＬＡはビーム制限開孔で
ある。
銃を構成するカソード、第１グリツド電極及び第２グリ
ツド電極である。また、（８）はごれらを固定するため
のビードガラスである。また、ＬＡはビーム制限開孔で
ある。
また、第１図において、Ｇ３．Ｇ４及びＧ５は、夫々第
３．第４及び第５グリツド電極である。これらの電極６
３〜Ｇ５は、夫々ガラスバルブ（１ンの内面にクロム、
アルミニウム等の金属が蒸着あるいはメッキされた後、
例えばレーザーによるカッティング、フォトエツチング
等により所定パターンに形成される。電極Ｇ３．Ｇ４及
びＧ５により集束用の電極系を構成すると共に、Ｇ４は
偏向兼用の電極でもある。
３．第４及び第５グリツド電極である。これらの電極６
３〜Ｇ５は、夫々ガラスバルブ（１ンの内面にクロム、
アルミニウム等の金属が蒸着あるいはメッキされた後、
例えばレーザーによるカッティング、フォトエツチング
等により所定パターンに形成される。電極Ｇ３．Ｇ４及
びＧ５により集束用の電極系を構成すると共に、Ｇ４は
偏向兼用の電極でもある。
電極Ｇ５は、例えばガラスバルブ（１）の端部にフリッ
トシール（９）され、表面に導電性部分００）が形成さ
れたセラミックリング（１１）に接続される。導電性部
分ＱＯ）は、例えば銀ペーストが焼結されて形成される
。電極Ｇ５には、このセラミックリング（１１）を介し
て所定電圧Ｅａｓが印加される。
トシール（９）され、表面に導電性部分００）が形成さ
れたセラミックリング（１１）に接続される。導電性部
分ＱＯ）は、例えば銀ペーストが焼結されて形成される
。電極Ｇ５には、このセラミックリング（１１）を介し
て所定電圧Ｅａｓが印加される。
また、第１図において、電極Ｇ３．Ｇ４及びＧ５ば、第
２図にその展開図を示すように形成される。
２図にその展開図を示すように形成される。
即ち、電極Ｇ４は絶縁され′ζ入り組んでいる４つの電
極Ｈ十、Ｈ−，Ｖ＋、Ｖ−が交互に配されたパターン（
アローパターン）とされる。そして、これら電極Ｈ＋、
Ｈ−，’Ｖ＋、Ｖ−からのリード（１２Ｌ） 、（１２
１１−） 、； （１２Ｖ＋）及び（１２Ｖ−）が、こ
れらの電極が形成されると同時にガラスバルブ（１）の
内面に同様に形成される。そしてこれらリード（１２１
１＋） 、（Ｌ２Ｈ−） 、（１２Ｖ＋）及び（１２Ｖ
−）は・電極Ｇ３と絶縁され、かつこれを横切るように
形成される。この第２図において、ＳＬは、真空排気の
ために０１及びＧ２電極を管外から加熱するに際し、Ｇ
３電極を加熱しないようにするために設けられたスリッ
トである。
極Ｈ十、Ｈ−，Ｖ＋、Ｖ−が交互に配されたパターン（
アローパターン）とされる。そして、これら電極Ｈ＋、
Ｈ−，’Ｖ＋、Ｖ−からのリード（１２Ｌ） 、（１２
１１−） 、； （１２Ｖ＋）及び（１２Ｖ−）が、こ
れらの電極が形成されると同時にガラスバルブ（１）の
内面に同様に形成される。そしてこれらリード（１２１
１＋） 、（Ｌ２Ｈ−） 、（１２Ｖ＋）及び（１２Ｖ
−）は・電極Ｇ３と絶縁され、かつこれを横切るように
形成される。この第２図において、ＳＬは、真空排気の
ために０１及びＧ２電極を管外から加熱するに際し、Ｇ
３電極を加熱しないようにするために設けられたスリッ
トである。
また、第１図において、（１３）はその一端がステムピ
ン（１４）に接続されたコンタクタ−スプリングを示し
、このスプリング（１３）の他端は上述したり一ド（（
１２１１＋） 、（１２１１−） 、（１２Ｖ＋）及び
（１２Ｖ−） ）に接触される。このスプリング及びス
フームビンはリード（１２Ｈ＋） 、 ’（１２１１−
） 、（１２Ｖ＋）及び（１２Ｖ−）の夫々に対して設
げられる。そし゛Ｃ１ステムビン、スプリング及びリー
ド（１２１１＋） 。
ン（１４）に接続されたコンタクタ−スプリングを示し
、このスプリング（１３）の他端は上述したり一ド（（
１２１１＋） 、（１２１１−） 、（１２Ｖ＋）及び
（１２Ｖ−） ）に接触される。このスプリング及びス
フームビンはリード（１２Ｈ＋） 、 ’（１２１１−
） 、（１２Ｖ＋）及び（１２Ｖ−）の夫々に対して設
げられる。そし゛Ｃ１ステムビン、スプリング及びリー
ド（１２１１＋） 。
（１２１１−） 、（１２Ｖ＋）及び（１２Ｌ）を介し
て、電極Ｇ４を構成する電極Ｈ十及びＨ−には、所定重
圧ＥＧ４を中心に夫々対称的に変化する水平偏向電圧が
印加される。また、電極■十及びＶ−にも所定電圧ＥＧ
４を中心に夫々対称的に変化する垂直偏向電圧が印加さ
れる。
て、電極Ｇ４を構成する電極Ｈ十及びＨ−には、所定重
圧ＥＧ４を中心に夫々対称的に変化する水平偏向電圧が
印加される。また、電極■十及びＶ−にも所定電圧ＥＧ
４を中心に夫々対称的に変化する垂直偏向電圧が印加さ
れる。
また、第１図において、（１５）はその一端がステムピ
ン（１６）に接続されたコンタクタ−スプリングを示し
、このスプリング（１５）の他端は上述した電ｔＭ Ｇ
３に接触される。そして、このステムピン（１６）及
びスプリング（１５）を介して電極Ｇ３に所定電圧Ｅ（
ｄが印加される。
ン（１６）に接続されたコンタクタ−スプリングを示し
、このスプリング（１５）の他端は上述した電ｔＭ Ｇ
３に接触される。そして、このステムピン（１６）及
びスプリング（１５）を介して電極Ｇ３に所定電圧Ｅ（
ｄが印加される。
ここで、Ｇ３電極の電圧ＥＧ３ば、Ｇ５電極の電圧Ｅａ
Ｓを基準とすると、例えば０．６Ｕａｓ〜１ 、５ Ｋ
ａ５とされる。また、Ｇ６電極の電圧ＥＧＯば、ランデ
ィングエラーがとれる程度の電圧とされ、Ｇ４電極の電
圧ＥＧ４は集束が最適となる電圧とされる。この場合、
電圧の違いによる特性の変化はたいしてない。
Ｓを基準とすると、例えば０．６Ｕａｓ〜１ 、５ Ｋ
ａ５とされる。また、Ｇ６電極の電圧ＥＧＯば、ランデ
ィングエラーがとれる程度の電圧とされ、Ｇ４電極の電
圧ＥＧ４は集束が最適となる電圧とされる。この場合、
電圧の違いによる特性の変化はたいしてない。
第３図において、破線で示すものは、電極０３〜Ｇ６で
形成される静電レンズの等電位面を示すもので、これら
形成される静電レンズにより電子ビームＢｍの集束が行
なわれる。そして、電極Ｇ５及びＧ６間に形成される静
電レンズによりランディングエラーの補正が行なわれる
。また、電子ビームＢｍの偏向は電極Ｇ４による偏向電
界百によって行われる。
形成される静電レンズの等電位面を示すもので、これら
形成される静電レンズにより電子ビームＢｍの集束が行
なわれる。そして、電極Ｇ５及びＧ６間に形成される静
電レンズによりランディングエラーの補正が行なわれる
。また、電子ビームＢｍの偏向は電極Ｇ４による偏向電
界百によって行われる。
ここで、Ｓ−８型の特性を決定するパラメータは、Ｇ４
電極の長さＸ（偏向電極の長さ）、ビーム制限開孔ＬＡ
から０４電極の中心までの距離ｙ（偏向電極の位置）及
びビーム制限開孔ＬＡからメツシュ電極Ｇ＠までの距離
Ｃ（管長）である。
電極の長さＸ（偏向電極の長さ）、ビーム制限開孔ＬＡ
から０４電極の中心までの距離ｙ（偏向電極の位置）及
びビーム制限開孔ＬＡからメツシュ電極Ｇ＠までの距離
Ｃ（管長）である。
第４図、第５図及び第６図は、夫々十インチ（４−″）
の撮像管（管径φ−１６ｍ＋＊）において、ｌ＝３．５
φ、ｙ＝＋β、発散角−ｔａｎ−１＆ ｌ Ｅ ａ３＝
Ｅ Ｇ６−５００Ｖ、ＥＧ４及びＥＧＩＩは４．４龍
偏向時にランディ定された電圧とされるとき、偏向電極
の長さＸと収差、偏向電極の長さＸと投影倍率及び偏向
電極の長さＸと集束点のず′れ量の関係を示したもので
ある。
の撮像管（管径φ−１６ｍ＋＊）において、ｌ＝３．５
φ、ｙ＝＋β、発散角−ｔａｎ−１＆ ｌ Ｅ ａ３＝
Ｅ Ｇ６−５００Ｖ、ＥＧ４及びＥＧＩＩは４．４龍
偏向時にランディ定された電圧とされるとき、偏向電極
の長さＸと収差、偏向電極の長さＸと投影倍率及び偏向
電極の長さＸと集束点のず′れ量の関係を示したもので
ある。
第４図において、収差は偏向距離が４．４＆ｍのときの
ものである。また、第６図において、集束点のずれ量は
偏向距離が４．４ｆｌのときのものであって、実線図示
するのは水平方向、破線図示するのは垂直方向のもので
ある。この場合、管長ｌを基準として、ターゲツト面か
らのずれ量が％（ターゲツト面より前方のとき正、後方
のとき負）でボされている。
ものである。また、第６図において、集束点のずれ量は
偏向距離が４．４ｆｌのときのものであって、実線図示
するのは水平方向、破線図示するのは垂直方向のもので
ある。この場合、管長ｌを基準として、ターゲツト面か
らのずれ量が％（ターゲツト面より前方のとき正、後方
のとき負）でボされている。
第４図より、偏向、電極の長さＸが（１十六ｌ）以上に
なると収差が急激に増える。偏向電極の長さＸをあまり
短かくすると偏向電圧を商＜シてパワーを大とする必要
があることから、長さＸは（＋Ａｆβ）より長い方がよ
い。第５図より投影倍率は偏向電極の長さによってほと
んど変化しない。また、第６図より偏向電極の長さＸが
（＋Ａ−＆β）〜（＋β十雀りでは集束点のずれ量は小
さい。
なると収差が急激に増える。偏向電極の長さＸをあまり
短かくすると偏向電圧を商＜シてパワーを大とする必要
があることから、長さＸは（＋Ａｆβ）より長い方がよ
い。第５図より投影倍率は偏向電極の長さによってほと
んど変化しない。また、第６図より偏向電極の長さＸが
（＋Ａ−＆β）〜（＋β十雀りでは集束点のずれ量は小
さい。
以上から、偏向電極の長さＸは、（−１ｌ−β−春Ａ）
〜（＋ Ａ ＋’Ａ ａ ）とすることが望ましい。従
って、第１図において、Ｇ４電極の長さＸは、（＋β−
六Ｉｌ）〜（＋β十着ｌ）とされる。
〜（＋ Ａ ＋’Ａ ａ ）とすることが望ましい。従
って、第１図において、Ｇ４電極の長さＸは、（＋β−
六Ｉｌ）〜（＋β十着ｌ）とされる。
また、第７図、第８図及び第９図は、Ｘ−＋βの他人々
上述したと同様の条件における、偏向電極の位置ｙと収
差、偏向電極の位置ｙと投影倍率及び偏向電極の位置ｙ
と集束点のずれ量の関係を不したものである。
上述したと同様の条件における、偏向電極の位置ｙと収
差、偏向電極の位置ｙと投影倍率及び偏向電極の位置ｙ
と集束点のずれ量の関係を不したものである。
第７図において、収差は偏向距離が４．４鶴のときのも
のである。また、第９図において、集束点のずれ量は偏
向距離が４．４鰭のときのものである。
のである。また、第９図において、集束点のずれ量は偏
向距離が４．４鰭のときのものである。
第７図より、偏向電極の位置ｙが大きい程収差は大とな
る。一方、第８図より、偏向電極の位置ｙが小さい程投
影倍率は大となる。結局、この第７図及び第８図より、
偏向電極の位置ｙが（＋β−＋Ｉり〜＋βにおいては、
収差及び投影倍率はそれ程大とならす実用上充分である
。この場合、投影倍率が高いところでは、ビーム制限間
ＦＬ Ｌ Ａを小さくして対処すればよい。また第９図
より、偏向電極の位置ｙが（＋β−−ｈ−ｉ）〜＋ｌで
は集束点のずれ量は小さい。
る。一方、第８図より、偏向電極の位置ｙが小さい程投
影倍率は大となる。結局、この第７図及び第８図より、
偏向電極の位置ｙが（＋β−＋Ｉり〜＋βにおいては、
収差及び投影倍率はそれ程大とならす実用上充分である
。この場合、投影倍率が高いところでは、ビーム制限間
ＦＬ Ｌ Ａを小さくして対処すればよい。また第９図
より、偏向電極の位置ｙが（＋β−−ｈ−ｉ）〜＋ｌで
は集束点のずれ量は小さい。
以上から偏向電極の位置ｙは、＜＋ｉ−＋７！＞〜＋Ｃ
とすることが望ましい。従って、第１図において、Ｇ４
電極の位置ｙは、＜＋１−−ｈ−４）〜侍−ｌとされる
。
とすることが望ましい。従って、第１図において、Ｇ４
電極の位置ｙは、＜＋１−−ｈ−４）〜侍−ｌとされる
。
ところで、この第１図にポずようなＳ−３型のものにお
いては、他の型のものに比べ何部不都合を生ぜずに管長
を短かくすることが可能である。
いては、他の型のものに比べ何部不都合を生ぜずに管長
を短かくすることが可能である。
例えば、静電集束・電磁偏向型（Ｓ−Ｍ型）及び電磁集
束・電磁偏向型（Ｍ −Ｍ型）の場合、磁界によって偏
向が行なわれる。磁界によって電子を曲げた場合電子の
運動エネルギーは不変であり、偏向時には管軸方向の速
度成分が減少し、像面わん曲が生じ、ターゲツト面にお
いては周辺部程デフォーカスとなる。通當このデフォー
カスはダイナミックフォーカスにより補正しているが、
管長を短かくすると、偏向角が増加するので像面わん曲
が増し、より大きな補正が必要となる。また、磁界偏向
の場合、偏向量によって偏向中心が変動するが、管長を
短かくすると偏向角が増加するので、この偏向中心変動
が大となり、コリメーションレンズによってランディン
グエラーを補正しようとする場合、ランディング角特性
が二み化する。
束・電磁偏向型（Ｍ −Ｍ型）の場合、磁界によって偏
向が行なわれる。磁界によって電子を曲げた場合電子の
運動エネルギーは不変であり、偏向時には管軸方向の速
度成分が減少し、像面わん曲が生じ、ターゲツト面にお
いては周辺部程デフォーカスとなる。通當このデフォー
カスはダイナミックフォーカスにより補正しているが、
管長を短かくすると、偏向角が増加するので像面わん曲
が増し、より大きな補正が必要となる。また、磁界偏向
の場合、偏向量によって偏向中心が変動するが、管長を
短かくすると偏向角が増加するので、この偏向中心変動
が大となり、コリメーションレンズによってランディン
グエラーを補正しようとする場合、ランディング角特性
が二み化する。
また、これらＳ−Ｍ型及びＭ−Ｍ型の場合、偏向電力は
大略１／（管長）２に比例し、管長を短かくすると、偏
向に要する消費電力が大幅に増大する。
大略１／（管長）２に比例し、管長を短かくすると、偏
向に要する消費電力が大幅に増大する。
これに対して、電磁集束・静電偏向型（Ｍ−３型）及び
静電集束・静電偏向型（Ｓ −Ｓ型）の場合、電界によ
って偏向が行なわれるので、管長を短かくしても上述し
たような磁界偏向のとき生じる不都合は生じない。
静電集束・静電偏向型（Ｓ −Ｓ型）の場合、電界によ
って偏向が行なわれるので、管長を短かくしても上述し
たような磁界偏向のとき生じる不都合は生じない。
また、Ｍ’−Ｍ型及びＭ−３型の場合、フォーカス電力
は１／（管長）２に比例し、管長を短かくすると、集束
に要する消費電力が大幅に増大する。
は１／（管長）２に比例し、管長を短かくすると、集束
に要する消費電力が大幅に増大する。
以上のことから、Ｓ−Ｓ型の場合のみ、原理的に同等不
都合を生ぜずに管長を短かくすることができる。
都合を生ぜずに管長を短かくすることができる。
このＳ−８型のものにおいて、本願の発明者がさらに検
討した結果、“管長をある程度短がくしないと特性が悪
化する”という結論を得た。
討した結果、“管長をある程度短がくしないと特性が悪
化する”という結論を得た。
このことを第１０図を参照して説明しよう。
管長！が長い場合、第１０図Ａに示すように静電レンズ
に電子ビームＢｍが入射するとき、発散角γによってそ
の径が拡がっており、レンズ収差によるターゲツト面上
に集束したときの電子ビーム収差が増大する。これを改
善するためには、電子ビームＢｍが大きく発散する前に
静電レンズに入射させることが必要である。例えば第１
０図Ｂに不すように距離ｙを小さくする。しかしながら
この場合、静電レンズの中心がビーム制限開孔り入側に
片寄り投影倍率が大きく （例えば２．０以上）なり、
そのため、ビーム制限開孔ＬＡの径を小さくする必要が
住じ製造上好ましくない。
に電子ビームＢｍが入射するとき、発散角γによってそ
の径が拡がっており、レンズ収差によるターゲツト面上
に集束したときの電子ビーム収差が増大する。これを改
善するためには、電子ビームＢｍが大きく発散する前に
静電レンズに入射させることが必要である。例えば第１
０図Ｂに不すように距離ｙを小さくする。しかしながら
この場合、静電レンズの中心がビーム制限開孔り入側に
片寄り投影倍率が大きく （例えば２．０以上）なり、
そのため、ビーム制限開孔ＬＡの径を小さくする必要が
住じ製造上好ましくない。
これに対し、管長βが短かい場合、電子ビームＢｍば大
きく発散する前に静電レンズに入射し、収差が抑えられ
る。
きく発散する前に静電レンズに入射し、収差が抑えられ
る。
しかしながら、あまり管長βを短かくすると、偏向角が
大きくなりコリメーションを強くしてランディングエラ
ーを補正する必要が生じ、コリメーションレンズの歪に
よる収差が増大する。
大きくなりコリメーションを強くしてランディングエラ
ーを補正する必要が生じ、コリメーションレンズの歪に
よる収差が増大する。
以上から、Ｓ−８型の場合には、管長βをある程度短か
くしなければ、特性が悪化する６第１１図は所定のｘ、
ｙに対して、管長βを変化させたときの収差特性を示し
たものである。この場合、子インチ（−ｔ″）の撮像管
（管径φ−１６ｍｍ）において、Ａ ＝’ ３．５φ、
発散角＝ ｔａｎ−ｉｋ ＋ ＥＧ３＝Ｅａｓ＝５００
Ｖ、 Ｆ、Ｇ４及びＥＧｌｌは４．４鶴偏同時にううに
決定された電圧とされたときのものである。
くしなければ、特性が悪化する６第１１図は所定のｘ、
ｙに対して、管長βを変化させたときの収差特性を示し
たものである。この場合、子インチ（−ｔ″）の撮像管
（管径φ−１６ｍｍ）において、Ａ ＝’ ３．５φ、
発散角＝ ｔａｎ−ｉｋ ＋ ＥＧ３＝Ｅａｓ＝５００
Ｖ、 Ｆ、Ｇ４及びＥＧｌｌは４．４鶴偏同時にううに
決定された電圧とされたときのものである。
同図実線Ａ、破線Ｂ、一点鎖線Ｃ及び二点鎖線りは、夫
々（ｘ＝＋β−雀β、ｙ＝＋１−ｋｌ〕、（’ｘ ＝＋
β十布＃、ｙ＝−１＋−／！−缶β）、〔Ｘ−＋ｌ−布
β、ｙ＝＋β〕及び（ｘ＝＋β十査ｚ、ｙ＝＋Ａ）のと
きの収差特性を示している。
々（ｘ＝＋β−雀β、ｙ＝＋１−ｋｌ〕、（’ｘ ＝＋
β十布＃、ｙ＝−１＋−／！−缶β）、〔Ｘ−＋ｌ−布
β、ｙ＝＋β〕及び（ｘ＝＋β十査ｚ、ｙ＝＋Ａ）のと
きの収差特性を示している。
この第１１図から、Ｓ−８型のものにおいては、管長！
として２φ〜４φ程度が望ましい。
として２φ〜４φ程度が望ましい。
Ｓ−８型がこのようであるのに対し、実用的な現行のＭ
−Ｍ型はｘ＝４φ以上、Ｓ・Ｍ型はβ−４φ〜５φであ
る。Ｍ−３型はβ−３φのものもできるが、集束のため
の電力は無視できない。結局、特性を悪化させず、消費
電力を少なくするということを考慮するならば、・Ｓ−
８型とすることで管長を最も短か（することができる。
−Ｍ型はｘ＝４φ以上、Ｓ・Ｍ型はβ−４φ〜５φであ
る。Ｍ−３型はβ−３φのものもできるが、集束のため
の電力は無視できない。結局、特性を悪化させず、消費
電力を少なくするということを考慮するならば、・Ｓ−
８型とすることで管長を最も短か（することができる。
ここで、十インチ（−１”）の撮像管（管径φ−１６貫
璽）において、ｌ１＝２．８φ、ｘ＝１−４．ｙ−う−
β−青１ｔ、Ｇｈ電極及びＧ２電極の電圧が夫々６■及
び３２０Ｖ、 ／’−ゲット面（３１）電圧が５０Ｖ、
ＥＧ３＝Ｅａ５＝４００Ｖ、ＥＧ４＝ ２０Ｖ±６５
Ｖ 、ＥＧｅ ＝ ９６０Ｖとされたものを試作した。
璽）において、ｌ１＝２．８φ、ｘ＝１−４．ｙ−う−
β−青１ｔ、Ｇｈ電極及びＧ２電極の電圧が夫々６■及
び３２０Ｖ、 ／’−ゲット面（３１）電圧が５０Ｖ、
ＥＧ３＝Ｅａ５＝４００Ｖ、ＥＧ４＝ ２０Ｖ±６５
Ｖ 、ＥＧｅ ＝ ９６０Ｖとされたものを試作した。
これによれば、中心の変調度（４００ＴＶ本において）
は５０％、周辺の変調度（４００ＴＶ本において〕は３
０％、ランディングティー（４，４ｉｉａ偏向時）は０
．３％となり、現行のミックススイールド型（Ｍ−Ｆ型
）のものと同等の特性が得られた。
は５０％、周辺の変調度（４００ＴＶ本において〕は３
０％、ランディングティー（４，４ｉｉａ偏向時）は０
．３％となり、現行のミックススイールド型（Ｍ−Ｆ型
）のものと同等の特性が得られた。
以上のことより、第１図例によれば、Ｓ−８型の構成で
あるから、管長ｌを短かくすることができ、しかも偏向
コイル、集束コイルが不要で小型軽量のものを得ること
ができる。また、偏向及び集束は静電的になされるので
、消費電力が少なくて済む。また、Ｇ４電極の長さＸ及
び位置ｙ等が最適な値とされるので、良好な特性を得る
ことができる。
あるから、管長ｌを短かくすることができ、しかも偏向
コイル、集束コイルが不要で小型軽量のものを得ること
ができる。また、偏向及び集束は静電的になされるので
、消費電力が少なくて済む。また、Ｇ４電極の長さＸ及
び位置ｙ等が最適な値とされるので、良好な特性を得る
ことができる。
また、ｖＪ１図例によれば、電極はガラスバルブ内面に
金属がパターン状に被着されて形成されるので、コリメ
ーションレンズの口径を略ガラスバルブの内径と等しく
大きくできる。管長を短かくすることにより偏向角が増
大し、コリメーションレンズを強くする必要を生じるが
、上述したようにコリメーションレンズの口径を大とで
き、コリメーションレンズを強くしても収差は大となら
ず、ランディング角特性は悪化しない。
金属がパターン状に被着されて形成されるので、コリメ
ーションレンズの口径を略ガラスバルブの内径と等しく
大きくできる。管長を短かくすることにより偏向角が増
大し、コリメーションレンズを強くする必要を生じるが
、上述したようにコリメーションレンズの口径を大とで
き、コリメーションレンズを強くしても収差は大となら
ず、ランディング角特性は悪化しない。
尚、０５電極への電圧印加方法として、第１２図に示す
ように、Ｇ５電極に対応するガラスバルブ（１）の中途
にフリットシール（１７）され、表面が銀ペースト等に
より導電処理を施されたセラミックリング（１８）を設
け、これを介して印加するようにしてもよい。また図示
せずも、Ｇ５電極に対応するガラスバルブに穴を空け、
金属ピンを半田イ」けしあるいは導電フリットを設り、
これら金属ビンあるいは導電フリットを介して印加する
ようにしてもよい。
ように、Ｇ５電極に対応するガラスバルブ（１）の中途
にフリットシール（１７）され、表面が銀ペースト等に
より導電処理を施されたセラミックリング（１８）を設
け、これを介して印加するようにしてもよい。また図示
せずも、Ｇ５電極に対応するガラスバルブに穴を空け、
金属ピンを半田イ」けしあるいは導電フリットを設り、
これら金属ビンあるいは導電フリットを介して印加する
ようにしてもよい。
また、上述実施例によれば、電極０３〜Ｇ５はガラスバ
ルブ（１１の内面に被着形成されたものであるが、例え
は板状金属で形成されるものにも、本発明を同様に適用
することができる。
ルブ（１１の内面に被着形成されたものであるが、例え
は板状金属で形成されるものにも、本発明を同様に適用
することができる。
また、上述実施例においては＋″のものに１目したもの
であるが、どの大きさのものにも同様に適用することが
できる。
であるが、どの大きさのものにも同様に適用することが
できる。
また、上述実施例は、本発明をＳ−Ｓ型の服像管に適用
した例であるが、本発明はこれに限ら場゛、蓄積管、ス
キャンコンバータ等の陰極線管に同様に通用することが
できる。
した例であるが、本発明はこれに限ら場゛、蓄積管、ス
キャンコンバータ等の陰極線管に同様に通用することが
できる。
発明の効果
以上述べた本発明によれば、Ｓ−３型構成とされるので
、管長βを短かくすることができ、しかも偏向コイル、
集束コイルが不要で小型軽量のものを得ることができる
。また、偏向及び集束は静電的になされるので、消費電
力が少なくて済む。
、管長βを短かくすることができ、しかも偏向コイル、
集束コイルが不要で小型軽量のものを得ることができる
。また、偏向及び集束は静電的になされるので、消費電
力が少なくて済む。
また、Ｇ４電極の長さ及び位置が最適な値とされるので
、良好な特性を得ることができる。
、良好な特性を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図〜第１
１図は夫々その説明のための図、第１２図は本発明の他
の実施例を示す要部の断面図である。 （１１はガラスバルブ、（２）はフェースプレート、（
３）はターゲツト面、Ｇ３．Ｇ４及びＧ５は夫々第３、
第４及び第５グリツド電極、Ｇ６はメソシュ電極、ＬＡ
はビーム制限開孔である。 ＝２２” 手続補正書 昭和５９年８月 ２４日 昭和５８年特許願第 １５７６４６ 号２゜発明の名称
陰極線管 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代 理 人 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号（
Ｉｉ宿ヒル）置東京（０３）３４３−５８２１ （代表
）（３３８８） 弁理士 伊 藤 貞 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日６、補正により
増加する発明の数 ７、補正 の 月 象 明細督の発明の詳細な説明の１
−及び図面 ８、補正の内容 （１）明細書中、第７頁１９行及び第７頁１９行ｆ−ｔ
ａｎ−’土」とあるを夫々［ｔａｎ−１−！−Ｊに訂正
す３０ ５０ る。 （２）同、第７頁２０行及び第１３頁１１行ｒ ＥＧ４
及び」とあるを夫々ｒＢａ４は集束が最適となるように
、」に訂正する。 （３）同、第８頁８行及び第９頁１５行［偏向距離が４
，４ｔｎｔｇＪとあるを夫々［偏向距離が水平方向に４
．４＋＋ｎＪに訂正する。 （４） 同、第８頁９行「水平方向」とあるを「垂直方
向」に訂正する。 （５）同、同頁１０行「垂直方向」とあるを「水平方向
」に訂正する。 （６）同、第１３頁１１行「Ｑ ＝ ３．５φ、」とあ
るを削除する。 （力 図面中、第６図及び第９図を別紙の通り訂正する
。 以上
１図は夫々その説明のための図、第１２図は本発明の他
の実施例を示す要部の断面図である。 （１１はガラスバルブ、（２）はフェースプレート、（
３）はターゲツト面、Ｇ３．Ｇ４及びＧ５は夫々第３、
第４及び第５グリツド電極、Ｇ６はメソシュ電極、ＬＡ
はビーム制限開孔である。 ＝２２” 手続補正書 昭和５９年８月 ２４日 昭和５８年特許願第 １５７６４６ 号２゜発明の名称
陰極線管 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代 理 人 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号（
Ｉｉ宿ヒル）置東京（０３）３４３−５８２１ （代表
）（３３８８） 弁理士 伊 藤 貞 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日６、補正により
増加する発明の数 ７、補正 の 月 象 明細督の発明の詳細な説明の１
−及び図面 ８、補正の内容 （１）明細書中、第７頁１９行及び第７頁１９行ｆ−ｔ
ａｎ−’土」とあるを夫々［ｔａｎ−１−！−Ｊに訂正
す３０ ５０ る。 （２）同、第７頁２０行及び第１３頁１１行ｒ ＥＧ４
及び」とあるを夫々ｒＢａ４は集束が最適となるように
、」に訂正する。 （３）同、第８頁８行及び第９頁１５行［偏向距離が４
，４ｔｎｔｇＪとあるを夫々［偏向距離が水平方向に４
．４＋＋ｎＪに訂正する。 （４） 同、第８頁９行「水平方向」とあるを「垂直方
向」に訂正する。 （５）同、同頁１０行「垂直方向」とあるを「水平方向
」に訂正する。 （６）同、第１３頁１１行「Ｑ ＝ ３．５φ、」とあ
るを削除する。 （力 図面中、第６図及び第９図を別紙の通り訂正する
。 以上
Claims (1)
- Ｇ３電極、Ｇ４電極、Ｇ５電極及びメンシュ状の０６電
極を備え、上記Ｇ３．Ｇ４及びＧ５電極によって電子ビ
ームの集束を行なう静電レンズ系が形成され、上記Ｇ４
電極は上記電子ビームの偏向を行なうアローパターンの
偏向電極とされるターゲットを有する陰極線管において
、ビーム制限開孔から上記Ｇ６電極までの距離をβとす
るとき、上記Ｇ４電極の長さは（１１−六ｌ）〜（４Ａ
＋六β）とされると共に上記ビーム制限開孔から上記Ｇ
４＠極の中心までの距離は＜＋ｐ−＋ｐ＞〜＋βとされ
ることを特徴とする陰極線管。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157646A JPS6049542A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 撮像管 |
| CA000461328A CA1219305A (en) | 1983-08-29 | 1984-08-20 | Cathode ray tube |
| AU32230/84A AU568870B2 (en) | 1983-08-26 | 1984-08-21 | Cathode ray tube |
| US06/643,399 US4656387A (en) | 1983-08-29 | 1984-08-23 | Cathode ray tube having a zig-zag shaped deflection electrode |
| DE19843431241 DE3431241C2 (de) | 1983-08-26 | 1984-08-24 | Kathodenstrahlröhre |
| KR1019840005183A KR910007802B1 (ko) | 1983-08-29 | 1984-08-25 | 음극선관 |
| NL8402610A NL8402610A (nl) | 1983-08-26 | 1984-08-27 | Kathodestraalbuis. |
| GB08421696A GB2146171B (en) | 1983-08-29 | 1984-08-28 | Cathode ray tubes |
| FR8413357A FR2551263B1 (fr) | 1983-08-29 | 1984-08-29 | Tube a rayons cathodiques perfectionne |
| AT0276684A AT393760B (de) | 1983-08-29 | 1984-08-29 | Kathodenstrahlroehre |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157646A JPS6049542A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 撮像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049542A true JPS6049542A (ja) | 1985-03-18 |
| JPH0148610B2 JPH0148610B2 (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=15654270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58157646A Granted JPS6049542A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-29 | 撮像管 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4656387A (ja) |
| JP (1) | JPS6049542A (ja) |
| KR (1) | KR910007802B1 (ja) |
| AT (1) | AT393760B (ja) |
| CA (1) | CA1219305A (ja) |
| FR (1) | FR2551263B1 (ja) |
| GB (1) | GB2146171B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622436A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 電子管 |
| JPS6337545A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-18 | Hitachi Ltd | 陰極線管 |
| US4792721A (en) * | 1986-04-18 | 1988-12-20 | Hitachi, Ltd. | Cathode-ray tube with electrostatic deflection |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60172147A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-05 | Sony Corp | 陰極線管 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1078832A (en) * | 1912-04-01 | 1913-11-18 | Carl Collin | Type setting and distributing machine. |
| US2681426A (en) * | 1952-03-06 | 1954-06-15 | Motorola Inc | Deflection system |
| US2830228A (en) * | 1955-05-05 | 1958-04-08 | Motorola Inc | Deflection system |
| GB1306155A (ja) * | 1969-06-11 | 1973-02-07 | ||
| US3952227A (en) * | 1971-04-09 | 1976-04-20 | U.S. Philips Corporation | Cathode-ray tube having electrostatic focusing and electrostatic deflection in one lens |
| US3731136A (en) * | 1971-04-19 | 1973-05-01 | Gen Electric | Cylindrical electrode system for focusing and deflecting an electron beam |
| JPS5910526B2 (ja) * | 1978-03-14 | 1984-03-09 | ソニー株式会社 | 陰極線管 |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP58157646A patent/JPS6049542A/ja active Granted
-
1984
- 1984-08-20 CA CA000461328A patent/CA1219305A/en not_active Expired
- 1984-08-23 US US06/643,399 patent/US4656387A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-08-25 KR KR1019840005183A patent/KR910007802B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-08-28 GB GB08421696A patent/GB2146171B/en not_active Expired
- 1984-08-29 FR FR8413357A patent/FR2551263B1/fr not_active Expired
- 1984-08-29 AT AT0276684A patent/AT393760B/de not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622436A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 電子管 |
| US4792721A (en) * | 1986-04-18 | 1988-12-20 | Hitachi, Ltd. | Cathode-ray tube with electrostatic deflection |
| JPS6337545A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-18 | Hitachi Ltd | 陰極線管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AT393760B (de) | 1991-12-10 |
| FR2551263B1 (fr) | 1988-04-15 |
| GB2146171A (en) | 1985-04-11 |
| US4656387A (en) | 1987-04-07 |
| CA1219305A (en) | 1987-03-17 |
| KR850002163A (ko) | 1985-05-06 |
| ATA276684A (de) | 1991-05-15 |
| FR2551263A1 (fr) | 1985-03-01 |
| GB2146171B (en) | 1987-02-25 |
| KR910007802B1 (ko) | 1991-10-02 |
| GB8421696D0 (en) | 1984-10-03 |
| JPH0148610B2 (ja) | 1989-10-19 |
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