JPH0148610B2 - - Google Patents
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- JPH0148610B2 JPH0148610B2 JP58157646A JP15764683A JPH0148610B2 JP H0148610 B2 JPH0148610 B2 JP H0148610B2 JP 58157646 A JP58157646 A JP 58157646A JP 15764683 A JP15764683 A JP 15764683A JP H0148610 B2 JPH0148610 B2 JP H0148610B2
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- Japan
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- electrode
- deflection
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- focusing
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/70—Arrangements for deflecting ray or beam
- H01J29/72—Arrangements for deflecting ray or beam along one straight line or along two perpendicular straight lines
- H01J29/74—Deflecting by electric fields only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/465—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement for simultaneous focalisation and deflection of ray or beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/58—Arrangements for focusing or reflecting ray or beam
- H01J29/62—Electrostatic lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
- H01J31/28—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen
- H01J31/34—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen having regulation of screen potential at cathode potential, e.g. orthicon
- H01J31/38—Tubes with photoconductive screen, e.g. vidicon
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば静電集束・静電偏向型の撮像
管に関する。
管に関する。
背景技術とその問題点
従来、撮像管としては電磁集束・電磁偏向型、
静電集束・電磁偏向型等のものが知られている。
これら撮像管においては、一般に管長の長い方が
良好な特性が得られるとされている。しかしなが
ら、例えば小型のビデオカメラに使用する場合に
は、この管長は短かい方が好都合である。これに
よりビデオカメラ全体としての小型化を図れるか
らである。
静電集束・電磁偏向型等のものが知られている。
これら撮像管においては、一般に管長の長い方が
良好な特性が得られるとされている。しかしなが
ら、例えば小型のビデオカメラに使用する場合に
は、この管長は短かい方が好都合である。これに
よりビデオカメラ全体としての小型化を図れるか
らである。
また、例えば小型のビデオカメラに使用する場
合には、消費電力は小さいことが望ましい。
合には、消費電力は小さいことが望ましい。
発明の目的
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、小型
軽量、低消費電力で、かつ良好な特性が得られる
ようにしたものである。
軽量、低消費電力で、かつ良好な特性が得られる
ようにしたものである。
発明の概要
本発明は上記目的を達成するため、G3電極、
G4電極、G5電極及びメツシユ状のG6電極を備え、
上記G3，G4及びG5電極によつて電子ビームの集
束を行なう静電レンズ系が形成され、上記G4電
極は上記電子ビームの偏向を行なうアローパター
ンの偏向電極とされるターゲツトを有する陰極線
管において、ビーム制限開孔から上記G6電極ま
での距離をとするとき、上記G4電極の長さは
（1/3−1/10）〜（1/3＋1/10）とされる
と共に上記ビーム制限開孔から上記G4電極の中
心までの距離は（1/2−1/3）〜1/2とされ
るものである。
G4電極、G5電極及びメツシユ状のG6電極を備え、
上記G3，G4及びG5電極によつて電子ビームの集
束を行なう静電レンズ系が形成され、上記G4電
極は上記電子ビームの偏向を行なうアローパター
ンの偏向電極とされるターゲツトを有する陰極線
管において、ビーム制限開孔から上記G6電極ま
での距離をとするとき、上記G4電極の長さは
（1/3−1/10）〜（1/3＋1/10）とされる
と共に上記ビーム制限開孔から上記G4電極の中
心までの距離は（1/2−1/3）〜1/2とされ
るものである。
実施例
以下、第１図を参照しながら本発明の一実施例
について説明しよう。本例は静電集束・静電偏向
型（Ｓ・Ｓ型）の撮像管に適用した例である。
について説明しよう。本例は静電集束・静電偏向
型（Ｓ・Ｓ型）の撮像管に適用した例である。
同図において、１はガラスバルブ、２はフエー
スプレート、３はターゲツト面（光電変換面）、
４は冷封止用のインジウム、５は金属リングであ
る。また、６はフエースプレート２を貫通してタ
ーゲツト面３に接触するようになされている信号
取出用の金属電極である。また、G6はメツシユ
状電極であり、メツシユホルダー７に取付けられ
る。この電極G6はメツシユホルダー７、インジ
ウム４を介して金属リング５に接続される。そし
て、この金属リング５を介してメツシユ状電極
G6に所定電圧EG6が印加される。
スプレート、３はターゲツト面（光電変換面）、
４は冷封止用のインジウム、５は金属リングであ
る。また、６はフエースプレート２を貫通してタ
ーゲツト面３に接触するようになされている信号
取出用の金属電極である。また、G6はメツシユ
状電極であり、メツシユホルダー７に取付けられ
る。この電極G6はメツシユホルダー７、インジ
ウム４を介して金属リング５に接続される。そし
て、この金属リング５を介してメツシユ状電極
G6に所定電圧EG6が印加される。
また、第１図において、Ｋ，G1及びG2は、
夫々電子銃を構成するカソード、第１グリツド電
極及び第２グリツド電極である。また、８はこれ
らを固定するためのビードガラスである。また、
LAはビーム制限開孔である。
夫々電子銃を構成するカソード、第１グリツド電
極及び第２グリツド電極である。また、８はこれ
らを固定するためのビードガラスである。また、
LAはビーム制限開孔である。
また、第１図において、G3，G4及びG5は、
夫々第３、第４及び第５グリツド電極である。こ
れらの電極G3〜G5は、夫々ガラスバルブ１の内
面にクロム、アルミニウム等の金属が蒸着あるい
はメツキされた後、例えばレーザーによるカツテ
イング、フオトエツチング等により所定パターン
に形成される。電極G3，G4及びG5により集束用
の電極系を構成すると共に、G4は偏向兼用の電
極でもある。
夫々第３、第４及び第５グリツド電極である。こ
れらの電極G3〜G5は、夫々ガラスバルブ１の内
面にクロム、アルミニウム等の金属が蒸着あるい
はメツキされた後、例えばレーザーによるカツテ
イング、フオトエツチング等により所定パターン
に形成される。電極G3，G4及びG5により集束用
の電極系を構成すると共に、G4は偏向兼用の電
極でもある。
電極G5は、例えばガラスバルブ１の端部にフ
リツトシール９され、表面に導電性部分１０が形
成されたセラミツクリング１１に接続される。導
電性部分１０は、例えば銀ペーストが焼結されて
形成される。電極G5には、このセラミツクリン
グ１１を介して所定電圧EG5が印加される。
リツトシール９され、表面に導電性部分１０が形
成されたセラミツクリング１１に接続される。導
電性部分１０は、例えば銀ペーストが焼結されて
形成される。電極G5には、このセラミツクリン
グ１１を介して所定電圧EG5が印加される。
また、第１図において、電極G3，G4及びG5は、
第２図にその展開図を示すように形成される。即
ち、電極G4は絶縁されて入り組んでいる４つの
電極Ｈ＋，Ｈ−，Ｖ＋，Ｖ−が交互に配されたパ
ターン（アローパターン）とされる。そして、こ
れら電極Ｈ＋，Ｈ−，Ｖ＋，Ｖ−からのリード
（12H＋），（12H−），（12V＋）及び（12V−）
が、これらの電極が形成されると同時にガラスバ
ルブ１の内面に同様に形成される。そしてこれら
リード（12H＋），（12H−），（12V＋）及び
（12V−）は、電極G3と絶縁され、かつこれを横
切るように形成される。この第２図において、
SLは、真空排気のためにG1及びG2電極を管外か
ら加熱するに際し、G3電極を加熱しないように
するために設けられたスリツトである。
第２図にその展開図を示すように形成される。即
ち、電極G4は絶縁されて入り組んでいる４つの
電極Ｈ＋，Ｈ−，Ｖ＋，Ｖ−が交互に配されたパ
ターン（アローパターン）とされる。そして、こ
れら電極Ｈ＋，Ｈ−，Ｖ＋，Ｖ−からのリード
（12H＋），（12H−），（12V＋）及び（12V−）
が、これらの電極が形成されると同時にガラスバ
ルブ１の内面に同様に形成される。そしてこれら
リード（12H＋），（12H−），（12V＋）及び
（12V−）は、電極G3と絶縁され、かつこれを横
切るように形成される。この第２図において、
SLは、真空排気のためにG1及びG2電極を管外か
ら加熱するに際し、G3電極を加熱しないように
するために設けられたスリツトである。
また、第１図において、１３はその一端がステ
ムピン１４に接続されたコンタクタースプリング
を示し、このスプリング１３の他端は上述したリ
ード〔（12H＋），（12H−），（12V＋）及び（12V
−）〕に接触される。このスプリング及びステム
ピンはリード（12H＋），（12H−），（12V＋）及
び（12V−）の夫々に対して設けられる。そし
て、ステムピン、スプリング及びリード（12H
＋），（12H−），（12V＋）及び（12V−）を介し
て、電極G4を構成する電極Ｈ＋及びＨ−には、
所定電圧EG4を中心に夫々対称的に変化する水平
偏向電圧が印加される。また、電極Ｖ＋及びＶ−
にも所定電圧EG4を中心に夫々対称的に変化する
垂直偏向電圧が印加される。
ムピン１４に接続されたコンタクタースプリング
を示し、このスプリング１３の他端は上述したリ
ード〔（12H＋），（12H−），（12V＋）及び（12V
−）〕に接触される。このスプリング及びステム
ピンはリード（12H＋），（12H−），（12V＋）及
び（12V−）の夫々に対して設けられる。そし
て、ステムピン、スプリング及びリード（12H
＋），（12H−），（12V＋）及び（12V−）を介し
て、電極G4を構成する電極Ｈ＋及びＨ−には、
所定電圧EG4を中心に夫々対称的に変化する水平
偏向電圧が印加される。また、電極Ｖ＋及びＶ−
にも所定電圧EG4を中心に夫々対称的に変化する
垂直偏向電圧が印加される。
また、第１図において、１５はその一端がステ
ムピン１６に接続されたコンタクタースプリング
を示し、このスプリング１５の他端は上述した電
極G3に接触される。そして、このステムピン１
６及びスプリング１５を介して電極G3に所定電
圧EG3が印加される。
ムピン１６に接続されたコンタクタースプリング
を示し、このスプリング１５の他端は上述した電
極G3に接触される。そして、このステムピン１
６及びスプリング１５を介して電極G3に所定電
圧EG3が印加される。
ここで、G3電極の電圧EG3は、G5電極の電圧
EG5を基準とすると、例えば0.6EG5〜1.5EG5とされ
る。また、G6の電極の電圧EG6は、ランデイング
エラーがとれる程度の電圧とされ、G4電極の電
圧EG4は集束が最適となる電圧とされる。この場
合、電圧の違いによる特性の変化はたいしてな
い。
EG5を基準とすると、例えば0.6EG5〜1.5EG5とされ
る。また、G6の電極の電圧EG6は、ランデイング
エラーがとれる程度の電圧とされ、G4電極の電
圧EG4は集束が最適となる電圧とされる。この場
合、電圧の違いによる特性の変化はたいしてな
い。
第３図において、破線で示すものは、電極G3
〜G6で形成される静電レンズの等電位面を示す
もので、これら形成される静電レンズにより電子
ビームBmの集束が行なわれる。そして、電極G5
及びG6間に形成される静電レンズによりランデ
イングエラーの補正が行なわれる。また、電子ビ
ームBmの偏向は電極G4による偏向電界Ｅ→によつ
て行われる。
〜G6で形成される静電レンズの等電位面を示す
もので、これら形成される静電レンズにより電子
ビームBmの集束が行なわれる。そして、電極G5
及びG6間に形成される静電レンズによりランデ
イングエラーの補正が行なわれる。また、電子ビ
ームBmの偏向は電極G4による偏向電界Ｅ→によつ
て行われる。
ここでＳ・Ｓ型の特性を決定するパラメータ
は、G4の電極の長さｘ（偏向電極の長さ）、ビー
ム制限開孔LAからG4電極の中心までの距離ｙ
（偏向電極の位置）及びビーム制限開孔LAからメ
ツシユ電極G6までの距離（管長）である。
は、G4の電極の長さｘ（偏向電極の長さ）、ビー
ム制限開孔LAからG4電極の中心までの距離ｙ
（偏向電極の位置）及びビーム制限開孔LAからメ
ツシユ電極G6までの距離（管長）である。
第４図、第５図及び第６図は、夫々2/3インチ
（2/3″）の撮像管（管径φ＝16mm）において、
＝3.5φ、ｙ＝1/2、発散角＝tan-11/50，EG3＝
EG5＝500V，EG4は集束が最適となるように、EG6
は4.4mm偏向時にランデイングエラーが±0.2／
100ラジアン以内に入るように決定された電圧と
されるとき、偏向電極の長さｘと収差、偏向電極
の長さｘと投影倍率及び偏向電極の長さｘと集束
点のずれ量の関係を示したものである。
（2/3″）の撮像管（管径φ＝16mm）において、
＝3.5φ、ｙ＝1/2、発散角＝tan-11/50，EG3＝
EG5＝500V，EG4は集束が最適となるように、EG6
は4.4mm偏向時にランデイングエラーが±0.2／
100ラジアン以内に入るように決定された電圧と
されるとき、偏向電極の長さｘと収差、偏向電極
の長さｘと投影倍率及び偏向電極の長さｘと集束
点のずれ量の関係を示したものである。
第４図において、収差は偏向距離が4.4mmのと
きのものである。また、第６図において、集束点
のずれ量は偏向距離が水平方向に4.4mmのときの
ものであつて、実線図示するのは垂直方向、破線
図示するもは水平方向のものである。この場合、
管長を基準として、ターゲツト面からのずれ量
が％（ターゲツト面より前方のとき正、後方のと
き負）で示されている。
きのものである。また、第６図において、集束点
のずれ量は偏向距離が水平方向に4.4mmのときの
ものであつて、実線図示するのは垂直方向、破線
図示するもは水平方向のものである。この場合、
管長を基準として、ターゲツト面からのずれ量
が％（ターゲツト面より前方のとき正、後方のと
き負）で示されている。
第４図より、偏向電極の長さｘが（1/3＋1/1
０）以上になると収差が急激に増える。偏向電
極の長さｘをあまり短かくすると偏向電圧を高く
してパワーを大とする必要があることから、長さ
ｘは、（1/3−1/10）より長い方がよい。第５
図より投影倍率は偏向電極の長さによつてほとん
ど変化しない。また、第６図より偏向電極の長さ
ｘが（1/3−1/10）〜（1/3＋1/10）では
集束点のずれ量は小さい。
０）以上になると収差が急激に増える。偏向電
極の長さｘをあまり短かくすると偏向電圧を高く
してパワーを大とする必要があることから、長さ
ｘは、（1/3−1/10）より長い方がよい。第５
図より投影倍率は偏向電極の長さによつてほとん
ど変化しない。また、第６図より偏向電極の長さ
ｘが（1/3−1/10）〜（1/3＋1/10）では
集束点のずれ量は小さい。
以上から、偏向電極の長さｘは、（1/3−1/10
）〜（1/3＋1/10）とすることが望ましい。
従つて、第１図において、G4電極の長さｘは、
（1/3−1/10）〜（1/3＋1/10）とされる。
）〜（1/3＋1/10）とすることが望ましい。
従つて、第１図において、G4電極の長さｘは、
（1/3−1/10）〜（1/3＋1/10）とされる。
また、第７図、第８図及び第９図は、ｘ＝1/3
の他夫々上述したと同様の条件における、偏向
電極の位置ｙと収差、偏向電極の位置ｙと投影倍
率及び偏向電極の位置ｙと集束点のずれ量の関係
を示したものである。
の他夫々上述したと同様の条件における、偏向
電極の位置ｙと収差、偏向電極の位置ｙと投影倍
率及び偏向電極の位置ｙと集束点のずれ量の関係
を示したものである。
第７図において、収差は偏向距離が水平方向に
4.4mmのときのものである。また、第９図におい
て、集束点のずれ量は偏向距離が4.4mmのときの
ものである。
4.4mmのときのものである。また、第９図におい
て、集束点のずれ量は偏向距離が4.4mmのときの
ものである。
第７図より、偏向電極の位置ｙが大きい程収差
は大となる。一方、第８図より、偏向電極の位置
ｙが小さい程投影倍率は大となる。結局、この第
７図及び第８図より、偏向電極の位置ｙが（1/2
−1/3）〜1/2においては、収差及び投影倍
率はそれ程大とならず実用上充分である。この場
合、投影倍率が高いところでは、ビーム制限開孔
LAを小さくして対処すればよい。また第９図よ
り、偏向電極の位置ｙが（1/2−1/3）〜1/2
では集束点のずれ量は小さい。
は大となる。一方、第８図より、偏向電極の位置
ｙが小さい程投影倍率は大となる。結局、この第
７図及び第８図より、偏向電極の位置ｙが（1/2
−1/3）〜1/2においては、収差及び投影倍
率はそれ程大とならず実用上充分である。この場
合、投影倍率が高いところでは、ビーム制限開孔
LAを小さくして対処すればよい。また第９図よ
り、偏向電極の位置ｙが（1/2−1/3）〜1/2
では集束点のずれ量は小さい。
以上から偏向電極の位置ｙは、（1/2−1/3）
〜1/2とすることが望ましい。従つて、第１図
において、G4電極の位置ｙは、（1/2−1/3）
〜1/2とされる。
〜1/2とすることが望ましい。従つて、第１図
において、G4電極の位置ｙは、（1/2−1/3）
〜1/2とされる。
ところで、この第１図に示すようなＳ・Ｓ型の
ものにおいては、他の型のものに比べ何等不都合
を生ぜずに管長を短かくすることが可能である。
ものにおいては、他の型のものに比べ何等不都合
を生ぜずに管長を短かくすることが可能である。
例えば、静電集束・電磁偏向型（Ｓ・Ｍ型）及
び電磁集束・電磁偏向型（Ｍ・Ｍ型）の場合、磁
界によつて偏向が行なわれる。磁界によつて電子
を曲げた場合電子の運動エネルギーは不変であ
り、偏向時には管軸方向の速度成分が減少し、像
面わん曲が生じ、ターゲツト面においては周辺部
程デフオーカスとなる。通常このデフオーカスは
ダイナミツクフオーカスにより補正しているが、
管長を短かくすると、偏向角が増加するので像面
わん曲が増し、より大きな補正が必要となる。ま
た、磁界偏向の場合、偏向量によつて偏向中心が
変動するが、管長を短かくすると偏向角が増加す
るので、この偏向中心変動が大となり、コリメー
シヨンレンズによつてランデイングエラーを補正
しようとする場合、ランデイング角特性が悪化す
る。
び電磁集束・電磁偏向型（Ｍ・Ｍ型）の場合、磁
界によつて偏向が行なわれる。磁界によつて電子
を曲げた場合電子の運動エネルギーは不変であ
り、偏向時には管軸方向の速度成分が減少し、像
面わん曲が生じ、ターゲツト面においては周辺部
程デフオーカスとなる。通常このデフオーカスは
ダイナミツクフオーカスにより補正しているが、
管長を短かくすると、偏向角が増加するので像面
わん曲が増し、より大きな補正が必要となる。ま
た、磁界偏向の場合、偏向量によつて偏向中心が
変動するが、管長を短かくすると偏向角が増加す
るので、この偏向中心変動が大となり、コリメー
シヨンレンズによつてランデイングエラーを補正
しようとする場合、ランデイング角特性が悪化す
る。
また、これらＳ・Ｍ型及びＭ・Ｍ型の場合、偏
向電力は大略１／（管長）2に比例し、管長を短か
くすると、偏向に要する消費電力が大幅に増大す
る。
向電力は大略１／（管長）2に比例し、管長を短か
くすると、偏向に要する消費電力が大幅に増大す
る。
これに対して、電磁集束・静電偏向型（Ｍ・Ｓ
型）及び静電集束・静電偏向型（Ｓ・Ｓ型）の場
合、電界によつて偏向が行なわれるので、管長を
短かくしても上述したような磁界偏向のとき生じ
る不都合は生じない。
型）及び静電集束・静電偏向型（Ｓ・Ｓ型）の場
合、電界によつて偏向が行なわれるので、管長を
短かくしても上述したような磁界偏向のとき生じ
る不都合は生じない。
また、Ｍ・Ｍ型及びＭ・Ｓ型の場合、フオーカ
ス電力は１／（管長）2に比例し、管長を短かくす
ると、集束に要する消費電力が大幅に増大する。
ス電力は１／（管長）2に比例し、管長を短かくす
ると、集束に要する消費電力が大幅に増大する。
以上のことから、Ｓ・Ｓ型の場合のみ、原理的
に何等不都合を生ぜずに管長を短かくすることが
できる。
に何等不都合を生ぜずに管長を短かくすることが
できる。
このＳ・Ｓ型のものにおいて、本願の発明者が
さらに検討した結果、“管長をある程度短かくし
ないと特性が悪化する”という結論を得た。
さらに検討した結果、“管長をある程度短かくし
ないと特性が悪化する”という結論を得た。
このことを第１０図を参照して説明しよう。
管長が長い場合、第１０図Ａに示すように静
電レンズに電子ビームBmが入射するとき、発散
角ｒによつてその径が拡がつており、レンズ収差
によるターゲツト面上に集束したときの電子ビー
ム収差が増大する。これを改善するためには、電
子ビームBmが大きく発散する前に静電レンズに
入射させることが必要である。例えば第１０図Ｂ
に示すように距離ｙを小さくする。しかしながら
この場合、静電レンズの中心がビーム制限開孔
LA側に片寄り投影倍率が大きく（例えば2.0以
上）なり、そのため、ビーム制限開孔LAの径を
小さくする必要が生じ製造上好ましくない。
電レンズに電子ビームBmが入射するとき、発散
角ｒによつてその径が拡がつており、レンズ収差
によるターゲツト面上に集束したときの電子ビー
ム収差が増大する。これを改善するためには、電
子ビームBmが大きく発散する前に静電レンズに
入射させることが必要である。例えば第１０図Ｂ
に示すように距離ｙを小さくする。しかしながら
この場合、静電レンズの中心がビーム制限開孔
LA側に片寄り投影倍率が大きく（例えば2.0以
上）なり、そのため、ビーム制限開孔LAの径を
小さくする必要が生じ製造上好ましくない。
これに対し、管長が短かい場合、電子ビーム
Bmは大きく発散する前に静電レンズに入射し、
収差が抑えられる。
Bmは大きく発散する前に静電レンズに入射し、
収差が抑えられる。
しかしながら、あまり管長を短かくすると、
偏向角が大きくなりコリメーシヨンを強くしてラ
ンデイングエラーを補正する必要が生じ、コリメ
ーシヨンレンズの歪による収差が増大する。
偏向角が大きくなりコリメーシヨンを強くしてラ
ンデイングエラーを補正する必要が生じ、コリメ
ーシヨンレンズの歪による収差が増大する。
以上から、Ｓ・Ｓ型の場合には、管長をある
程度短かくしなければ、特性が悪化する。
程度短かくしなければ、特性が悪化する。
第１１図は所定のｘ，ｙに対して、管長を変
化させたときの収差特性を示したものである。こ
の場合、2/3インチ（2/3″）の撮像管（管径φ＝
16mm）において、発散角＝tan-11/50，EG3＝EG5
＝500V，EG4は集束が最適となるように、EG6は
4.4mm偏向時にランデイングエラーが±0.2／100
ラジアン以内に入るように決定された電圧とされ
たときのものである。
化させたときの収差特性を示したものである。こ
の場合、2/3インチ（2/3″）の撮像管（管径φ＝
16mm）において、発散角＝tan-11/50，EG3＝EG5
＝500V，EG4は集束が最適となるように、EG6は
4.4mm偏向時にランデイングエラーが±0.2／100
ラジアン以内に入るように決定された電圧とされ
たときのものである。
同図実線Ａ、破線Ｂ、一点鎖線Ｃ及び二点鎖線
Ｄは、夫々〔ｘ＝1/3−1/10，ｙ＝1/2−1/
１０〕，〔ｘ＝1/3＋1/10，ｙ＝1/2−1/10
〕，〔ｘ＝1/3−1/10，ｙ＝1/2〕及び〔ｘ
＝1/3＋1/10，ｙ＝1/2〕のときの収差特性
を示している。
Ｄは、夫々〔ｘ＝1/3−1/10，ｙ＝1/2−1/
１０〕，〔ｘ＝1/3＋1/10，ｙ＝1/2−1/10
〕，〔ｘ＝1/3−1/10，ｙ＝1/2〕及び〔ｘ
＝1/3＋1/10，ｙ＝1/2〕のときの収差特性
を示している。
この第１１図から、Ｓ・Ｓ型のものにおいて
は、管長として2φ〜4φ程度が望ましい。
は、管長として2φ〜4φ程度が望ましい。
Ｓ・Ｓ型がこのようであるのに対し、実用的な
現行のＭ・Ｍ型は＝4φ以上、Ｓ・Ｍ型は＝
4φ〜5φである。Ｍ・Ｓ型は＝3φものもできる
が、集束のための電力は無視できない。結局、特
性を悪化せず、消費電力を少なくするということ
を考慮するならば、Ｓ・Ｓ型とすることで管長を
最も短かくすることができる。
現行のＭ・Ｍ型は＝4φ以上、Ｓ・Ｍ型は＝
4φ〜5φである。Ｍ・Ｓ型は＝3φものもできる
が、集束のための電力は無視できない。結局、特
性を悪化せず、消費電力を少なくするということ
を考慮するならば、Ｓ・Ｓ型とすることで管長を
最も短かくすることができる。
ここで、2/3インチ（2/3″）の撮像管（管径φ
＝16mm）において、＝2.8φ，ｘ＝1/3，ｙ＝
１／２−1/10，G1電極及びG2の電極の電圧が
夫々6V及び320V、ターゲツト面３の電圧が50V，
EG3＝EG5＝400V，EG4＝−20V±65V，EG6＝
960Vとされたものを試作した。これによれば、
中心の変調度（400TV本において）は50％、周
辺の変調度（400TV本において）は30％、ラン
デイング角（全面で）は0.5／100ラジアン以下、
偏向リニアリテイー（4.4mm偏向時）は0.3％とな
り、現行のミツクススイールド型（Ｍ・Ｆ型）の
ものと同等の特性が得られた。
＝16mm）において、＝2.8φ，ｘ＝1/3，ｙ＝
１／２−1/10，G1電極及びG2の電極の電圧が
夫々6V及び320V、ターゲツト面３の電圧が50V，
EG3＝EG5＝400V，EG4＝−20V±65V，EG6＝
960Vとされたものを試作した。これによれば、
中心の変調度（400TV本において）は50％、周
辺の変調度（400TV本において）は30％、ラン
デイング角（全面で）は0.5／100ラジアン以下、
偏向リニアリテイー（4.4mm偏向時）は0.3％とな
り、現行のミツクススイールド型（Ｍ・Ｆ型）の
ものと同等の特性が得られた。
以上のことより、第１図例によれば、Ｓ・Ｓ型
の構成であるから、管長を短かくすることがで
き、しかも偏向コイル、集束コイルが不要で小型
軽量のものを得ることができる。また、偏向及び
集束は静電的になされるので、消費電力が少なく
て済む。また、G4電極の長さｘ及び位置ｙ等が
最適な値とされるので、良好な特性を得ることが
できる。
の構成であるから、管長を短かくすることがで
き、しかも偏向コイル、集束コイルが不要で小型
軽量のものを得ることができる。また、偏向及び
集束は静電的になされるので、消費電力が少なく
て済む。また、G4電極の長さｘ及び位置ｙ等が
最適な値とされるので、良好な特性を得ることが
できる。
また、第１図例によれば、電極はガラスバルブ
内面に金属がパターン状に被着されて形成される
ので、コリメーシヨンレンズの口径を略ガラスバ
ルブの内径と等しく大きくできる。管長を短かく
することにより偏向角が増大し、コリメーシヨン
レンズを強くする必要を生じるが、上述したよう
にコリメーシヨンレンズの口径を大とでき、コリ
メーシヨンレンズを強くしても収差は大となら
ず、ランデイング角特性は悪化しない。
内面に金属がパターン状に被着されて形成される
ので、コリメーシヨンレンズの口径を略ガラスバ
ルブの内径と等しく大きくできる。管長を短かく
することにより偏向角が増大し、コリメーシヨン
レンズを強くする必要を生じるが、上述したよう
にコリメーシヨンレンズの口径を大とでき、コリ
メーシヨンレンズを強くしても収差は大となら
ず、ランデイング角特性は悪化しない。
尚、G5電極への電圧印加方法として、第１２
図に示すように、G5電極に対応するガラスバル
ブ１の中途にフリツトシール１７され、表面が銀
ペースト等により導電処理を施されたセラミツク
リング１８を設け、これを介して印加するように
してもよい。また図示せずも、G5電極に対応す
るガラスバルブに穴を空け、金属ピンを半田付け
しあるいは導電フリツトを設け、これら金属ピン
あるいは導電フリツトを介して印加するようにし
てもよい。
図に示すように、G5電極に対応するガラスバル
ブ１の中途にフリツトシール１７され、表面が銀
ペースト等により導電処理を施されたセラミツク
リング１８を設け、これを介して印加するように
してもよい。また図示せずも、G5電極に対応す
るガラスバルブに穴を空け、金属ピンを半田付け
しあるいは導電フリツトを設け、これら金属ピン
あるいは導電フリツトを介して印加するようにし
てもよい。
また、上述実施例によれば、電極G3〜G5はガ
ラスバルブ１の内面に被着形成されたものである
が、例えば板状金属で形成されるものにも、本発
明を同様に適用することができる。
ラスバルブ１の内面に被着形成されたものである
が、例えば板状金属で形成されるものにも、本発
明を同様に適用することができる。
また、上述実施例においては2/3″のものに着目
したものであるが、どの大きさのものにも同様に
適用することができる。
したものであるが、どの大きさのものにも同様に
適用することができる。
また、上述実施例は、本発明をＳ・Ｓ型の撮像
管に適用した例であるが、本発明はこれに限ら
ず、蓄積管、スキヤンコンバータ等に同様に適用
することができる。
管に適用した例であるが、本発明はこれに限ら
ず、蓄積管、スキヤンコンバータ等に同様に適用
することができる。
発明の効果
以上述べた本発明によれば、Ｓ・Ｓ型構成とさ
れるので、管長を短かくすることができ、しか
も偏向コイル、集束コイルが不要で小型軽量のも
のを得ることができる。また、偏向及び集束は静
電的になされるもので、消費電力が少なくて済
む。また、G4電極の長さ及び位置が最適な値と
されるので、良好な特性を得ることができる。
れるので、管長を短かくすることができ、しか
も偏向コイル、集束コイルが不要で小型軽量のも
のを得ることができる。また、偏向及び集束は静
電的になされるもので、消費電力が少なくて済
む。また、G4電極の長さ及び位置が最適な値と
されるので、良好な特性を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２
図〜第１１図は夫々その説明のための図、第１２
図は本発明の他の実施例を示す要部の断面図であ
る。 １はガラスバルブ、２はフエースプレート、３
はターゲツト面、G3，G4及びG5は夫々第３、第
４及び第５グリツド電極、G6はメツシユ電極、
LAはビーム制限開孔である。
図〜第１１図は夫々その説明のための図、第１２
図は本発明の他の実施例を示す要部の断面図であ
る。 １はガラスバルブ、２はフエースプレート、３
はターゲツト面、G3，G4及びG5は夫々第３、第
４及び第５グリツド電極、G6はメツシユ電極、
LAはビーム制限開孔である。
Claims (1)
- １ カソードＫ及び電子ビーム制限開孔LAとを
有する電子銃と、G3電極、G4電極、G5電極及び
メツシユ状のG6電極と、光電変換用ターゲツト
とを備え、上記G3，G4，G5電極は円筒状電極で
あり、かつ、上記G4電極は電子ビームの偏向を
行うアロー又はジグザグのパターンの静電偏向電
極でもあると共に、上記G3，G4，G5電極によつ
て、上記電子ビームの集束を行う静電レンズ系が
形成されて成る陰極線管において、上記ビーム制
限開孔LAから上記G6電極までの距離をとする
とき、上記G4電極の長さは（1/3−1/10）〜
（1/3＋1/10）とされると共に上記ビーム制限
開孔LAから上記G4電極の中心までの距離は（1/
２−1/3）〜1/2とされることを特徴とする
撮像管。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157646A JPS6049542A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 撮像管 |
| CA000461328A CA1219305A (en) | 1983-08-29 | 1984-08-20 | Cathode ray tube |
| AU32230/84A AU568870B2 (en) | 1983-08-26 | 1984-08-21 | Cathode ray tube |
| US06/643,399 US4656387A (en) | 1983-08-29 | 1984-08-23 | Cathode ray tube having a zig-zag shaped deflection electrode |
| DE19843431241 DE3431241C2 (de) | 1983-08-26 | 1984-08-24 | Kathodenstrahlröhre |
| KR1019840005183A KR910007802B1 (ko) | 1983-08-29 | 1984-08-25 | 음극선관 |
| NL8402610A NL8402610A (nl) | 1983-08-26 | 1984-08-27 | Kathodestraalbuis. |
| GB08421696A GB2146171B (en) | 1983-08-29 | 1984-08-28 | Cathode ray tubes |
| FR8413357A FR2551263B1 (fr) | 1983-08-29 | 1984-08-29 | Tube a rayons cathodiques perfectionne |
| AT0276684A AT393760B (de) | 1983-08-29 | 1984-08-29 | Kathodenstrahlroehre |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157646A JPS6049542A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | 撮像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049542A JPS6049542A (ja) | 1985-03-18 |
| JPH0148610B2 true JPH0148610B2 (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=15654270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58157646A Granted JPS6049542A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-29 | 撮像管 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4656387A (ja) |
| JP (1) | JPS6049542A (ja) |
| KR (1) | KR910007802B1 (ja) |
| AT (1) | AT393760B (ja) |
| CA (1) | CA1219305A (ja) |
| FR (1) | FR2551263B1 (ja) |
| GB (1) | GB2146171B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60172147A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-05 | Sony Corp | 陰極線管 |
| JPH0658792B2 (ja) * | 1985-06-27 | 1994-08-03 | 日本放送協会 | 電子管 |
| JPS62246233A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-27 | Hitachi Ltd | 陰極線管 |
| JPS6337545A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-18 | Hitachi Ltd | 陰極線管 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1078832A (en) * | 1912-04-01 | 1913-11-18 | Carl Collin | Type setting and distributing machine. |
| US2681426A (en) * | 1952-03-06 | 1954-06-15 | Motorola Inc | Deflection system |
| US2830228A (en) * | 1955-05-05 | 1958-04-08 | Motorola Inc | Deflection system |
| GB1306155A (ja) * | 1969-06-11 | 1973-02-07 | ||
| US3952227A (en) * | 1971-04-09 | 1976-04-20 | U.S. Philips Corporation | Cathode-ray tube having electrostatic focusing and electrostatic deflection in one lens |
| US3731136A (en) * | 1971-04-19 | 1973-05-01 | Gen Electric | Cylindrical electrode system for focusing and deflecting an electron beam |
| JPS5910526B2 (ja) * | 1978-03-14 | 1984-03-09 | ソニー株式会社 | 陰極線管 |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP58157646A patent/JPS6049542A/ja active Granted
-
1984
- 1984-08-20 CA CA000461328A patent/CA1219305A/en not_active Expired
- 1984-08-23 US US06/643,399 patent/US4656387A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-08-25 KR KR1019840005183A patent/KR910007802B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-08-28 GB GB08421696A patent/GB2146171B/en not_active Expired
- 1984-08-29 FR FR8413357A patent/FR2551263B1/fr not_active Expired
- 1984-08-29 AT AT0276684A patent/AT393760B/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1219305A (en) | 1987-03-17 |
| FR2551263A1 (fr) | 1985-03-01 |
| ATA276684A (de) | 1991-05-15 |
| US4656387A (en) | 1987-04-07 |
| AT393760B (de) | 1991-12-10 |
| GB2146171A (en) | 1985-04-11 |
| GB8421696D0 (en) | 1984-10-03 |
| KR910007802B1 (ko) | 1991-10-02 |
| FR2551263B1 (fr) | 1988-04-15 |
| GB2146171B (en) | 1987-02-25 |
| JPS6049542A (ja) | 1985-03-18 |
| KR850002163A (ko) | 1985-05-06 |
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