JPS60240032A - 陰極線管 - Google Patents

陰極線管

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JPS60240032A
JPS60240032A JP59096797A JP9679784A JPS60240032A JP S60240032 A JPS60240032 A JP S60240032A JP 59096797 A JP59096797 A JP 59096797A JP 9679784 A JP9679784 A JP 9679784A JP S60240032 A JPS60240032 A JP S60240032A
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JP
Japan
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electrode
voltage
electrodes
voltage electrode
electrostatic lens
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JP59096797A
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Takehiro Kakizaki
蛎崎 武広
Akishi Araki
昭士 荒木
Shinichi Numata
沼田 眞一
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Sony Corp
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Sony Corp
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    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J29/58Arrangements for focusing or reflecting ray or beam
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    • H01J29/72Arrangements for deflecting ray or beam along one straight line or along two perpendicular straight lines

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  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、例えば静電集束・静電偏向型の撮像管に適用
して好適な陰極線管に関する。
背景技術とその問題点 本出願人は、先に第1図に示すような静電集束・静電偏
向型(S−S型)の撮像管を提案した(特願昭58−1
56167号)。
同図において、(1)はガラスバルブ、(2)はフェー
スシレー)、(3)はターゲツト面(光電変換面)、(
4)は冷封止用のインジウム、(5)は金属リングであ
る。また、(6)はフェースル−) (2) ’lr貫
通してターゲツト面(3)に接触するようになされてい
る信号取出用の電極である。また、G6はメツシュ状電
極であり、メツシュホルダー(7)に取付けられる。そ
して、この電極G6には、金属リング(5)、インジウ
ム(4)、メツシュホルダー(7)を介して所定電圧が
印加される。
また第1図において、K、G 及びG2は、夫々電子銃
を構成するカソード、第1グリツド電極及び第2グリツ
ド電極である。また、(8)はこれらを固定するための
ビードガラスである。また、LAはビーム制限開孔であ
る。
また第1図において、G、 、 G4及びG5は、夫々
第3.第4及び第5グリツド電極である。これらの電極
03〜G5は、夫々ガラスバルブ(1)の内面に、クロ
ム、アルミニウム等の金属が蒸着あるいはメッキされた
後、例えばレーザーによるカッティング、フォトエツチ
ング等により所定パターンに形成される。これら電極0
3〜G5により集束用の電極系が構成されると共に、G
4は偏向兼用の電極でもある。
電極G5は、例えばガラスパルプ(1)の端部にフリッ
トシール(9)され、表面に導電性部分a1が形成され
たセラミックリングαルに接続される。導電性部分α1
は、例えば銀ペーストが焼結されて形成される。電極G
5には、このセラミックリングαυを介して所定電圧が
印加される。
また、電極03〜G5は、第2図にその展開図を示すよ
うに形成される。図面の簡単化のため、この第2図にお
いては金属の被着されていない部分を黒線で示している
。即ち、電極G4は絶縁されて入)組んでいる4つの電
極部H+ t H−、V+及びV−が交互に配された、
いわゆるアローノ母ターンとされる。この場合、各電極
部は、例えば270°の角範囲に亘るように形成される
。これら電極部町。
H−、V+及びv−カらのリー)’ (12H+) 、
 (12H−) 。
(12V+)及び(12V−)は、電極G、〜G5カ形
成サレると同時にガラス・ぐルブ(1)の内面に同様に
形成さレル。コレラリ−) (12H+) 〜(12V
−)は電極G3と絶縁され、かつ管軸と平行にこれを横
切るように形成される。リード(12H+)〜(12V
−)の先端部には幅広のコンタクト部CTが形成される
。尚、第2図において、SLは真空排気のために電極G
、及びG2を管外から加熱するに際し、電極03ヲ加熱
しないように設けられたスリットである。また凧は面板
との角度合せのためのマークである。
また第1図において、<11はその一端がステムビンα
4に接続されたコンタクタ−スプリング全示し、このス
ゲリングellの他端は上述したリード(12H+)〜
(12VL)のコンタクト部CTに接触される。このス
プリング及びステムビンはリード(12H+)〜(12
V−)に対して夫々設けられる。そして、ステムビン、
スゲリング及びリード(12′!Iト)、 (12H−
) 、 (12V+)及び(12V−) ’jz介して
、電極04′f:構成する電極部H十及びH−には、所
定電圧を中心に対称的に変化する水平偏向電圧が印加さ
れ、また電極部料及びV−にも、所定電圧を中心に対称
的に変化する垂直偏向電圧が印加される。
また第1図において、G5はその一端がステムビンαり
に接続されたコンタクタ−スプリングを示し、このスプ
リング0!liの他端は上述した電極G、に接触される
。そして、このステムビンcIQ及びスゲリング(15
を介して電極G3に所定電圧が印加される。
第3図において、破線で示すものは、電極05〜G6で
形成される静電レンズの等電位面で、電極G3〜G5で
形成される静電レンズにより電子ビームBmの集束が行
なわれる。そして、電極G及び06間に形成される静電
レンズによ)ランディングエラーの補正が行なわれる。
また、電子ビームBmの偏向は電極q4による偏向電界
Eによって行なわれる。
この第1図例においては、電極G5に所定電圧を印加す
るため、表面に導電性部分aOが形成されたセラミック
リングC1])がガラスバルブ(1)の端部にフリット
シール(9)されるものである。従って、セラミックリ
ングα])1cフリツトシールする工程が必要となり、
製造が難しくなる。
また、この第1図例においては、電子ビームのターゲツ
ト面(3)上での集束特性をよくするため、電極G5の
電位を高くとり、電極G4との電位差音大(5) とする必要がある。また、電極G5とメツシュ状電極G
6との間にはコリメーションレンズカ形成され電子ビー
ムのランディングエラーの補正が行なわれるため、これ
ら電極G5と06との間にはある程度の電位差が必要で
ある。以上の点が考慮されて、従来例えば電極G、の電
圧EG3=500V、電極G4の中心電圧E。4−Ov
1電極G5(D電圧EG5= 500V。
電極G6)電圧E。6= 1160 V、 fi−1”
)ト面(3)の電圧ETA=50vで動作するようにな
されている。
このように、メツシュ状電極G6の電圧EG6がかなり
高くなることから、この電極G6とターゲツト面(3)
間に放電が生じ、ターゲツト面(3)に傷がつくことが
あった。
発明の目的 本発明は斯る点に鑑み、製造が簡単となると共に、メツ
シュ状電極の電圧を低くできるようにしたものである。
発明の概要 本発明は上記目的を達成するため、電子ビーム通路に沿
って配された円筒状の高圧電極及び円筒(6) 状の低圧電極及びメツシュ状電極とを備え、高圧電極及
び低圧電極によって集束を行なう静電レンズ系が形成さ
れ、低圧電極は偏向を行なう偏向電極とされるものであ
る。
本発明はこのように構成され、例えば第1図における電
極G5がなくなるので、製造が簡単となると共に、メツ
シュ状電極の電圧を低くできるので、放電の問題を生じ
なくなる。
実施例 以下、第4図を参照しながら本発明の一実施例について
説明しよう。この第4図において第1図と対応する部分
には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
同図において、フェースプレー) (2) トガラスバ
ルブ(1)との間に金属リング(5)内に固着されたイ
ンジウム(4)が挾み込まれ、このインジウム(4)に
よってフェースプレート(2)とガラスバルブ(1)と
が気密シールされる。また、G5はメツシュ状電極であ
り、メツシュホルダー(7)に取付けられる。そして、
この電極G5には、金属リング(5)、インジウム(4
)、メツシュホルダー(7)を介して所定電圧が印加さ
れる。
また、G、及びG4は、夫々第3及び第4グリツド電極
である。これら電極G及びG4により集束用の電極系が
構成されると共に、電極G4は偏向兼用の電極でもある
。また、05′はメツシュ状電極G5に電気的に接続さ
れる電極である。これらの電極G 、G 及び05′は
、夫々ガラスバルブ(1)の内面に、4 クロム、アルミニウム等の金属が蒸着された後、! 例えばレーザーによるカッティング、フォトエツチング
等により所定i4ターンに形成される。
これらの電極G 、G 及び05′は、例えば第5図4 にその展開図を示すように形成される。この第5図にお
いて第2図と対応する部分には同一符号を付して示して
いる。第5図例においても、電極G4は絶縁されて入ヤ
組んでいる4つの電極部H+。
H−、V+及び■−が交互に配された、いわゆるアロー
パターンとされる。また、これら電極部H+。
IL 、 V+及びv−カらのリード(12H+) 、
 (12H−) 。
(12V4.)及び(12V−)は電極G5と絶縁され
、かつ管軸と平行1゛にこれを横切るように形成される
。また、リード(12H+)〜(12V−)の先端部に
は幅広のコンタクト部CTが形成される。
尚、電極G3及びG4への電圧の印加は第1図例と同様
にして行なわれる。
第6図において破線で示すものは、電極03〜G5(0
5′)で形成される静電レンズの等電位面で、電極G及
び04間に形成される静電レンズによシミ子ビームBm
の集束が行なわれ、電極G4及び05間に形成される静
電レンズによりランディングエラーの補正が行なわれる
。尚、この第6図において破線で示される電位は、電極
G4による偏向電界Eを除いたものである。
ところで、本例のように電極G3及びG4で集束用の電
極系が形成されるものにおいては、第6図に示すように
電極G、の長さX(ビーム制限開孔Mからターゲツト面
(3)までの長さ)と管長t(ビーム制限開孔LAから
ターゲツト面(3)までの距離)とが変化することによ
り、投影倍率、収差、ランディングエラーが変化する。
第6図において、φは管径である。
(9) 第7図は、例えば1″管(φ−12w11)において、
電極G、 (7)電圧Eos;500 V s電極G4
ノ中心電圧”G4はE。4〈Eo、で集束が最適となる
ように、またメツシュ状電極G の電圧E。5は特性が
最良となるよすな電圧、発散角1150 (EG5が高
い程小となる)で1t≦X≦”t、1φ≦t≦7φの範
囲におい4 て、X及びtの所定値に対する、投影倍率、収差〔μm
〕、ランディングエラー[:rad]のシミュレーショ
ン結果を示すものである。尚、収差及びランディングエ
ラーは中心からの偏向距離が3゜3mにおけるものであ
る。
尚、撮像管として良好に使用するためには、投影倍率は
2以下、収差は20μm以下、ランディングエラーは2
/100ラジアン以下であることが望ましい。従って、
第7図において、投影倍率の制限からaの直線がめられ
、収差の制限からbの直線がめられ、ランディングエラ
ーの制限からCの直線がめられる。故に、X及びtは、
第7図において直線a ”−cで囲まれる斜線部分に設
定されることか望ましい。尚、第7図は1”管におけ(
10) るシミュレーション結果であるが、上述したX及びtの
範囲はその他の大きさのものにも適用される。
以上の点が考慮され、上述第4図に示す本例においては
、電極G3の長さX及び管長tは、例えば第7図におけ
る斜線部分に設定され、良好な特性が得られるようにさ
れる・ 本例は以上のように構成され、電極G5及びG4により
電子ビームBmの集束が行なわれる、いわゆるパイポテ
ンシャル形とされ、第1図例におけ・る電極G5が存在
しない。従って、第1図例におけるように、この電極G
5に所定電圧を印加するためにセラミックリングα1)
全取付ける等の加工が不要となり、製造が容易となる。
また、第1図例においては、電極G5の電圧E。5が比
較的高く、そのため、コリメーションレンズの形成のた
めにメツシュ状電極G6の電圧E。6がかなシ高くされ
ているが、本例においては、この第1図例における電極
G5が存在せず、しかも電極G4の電圧E04はかなり
低い電圧となるので、メツシュ状電極G5の電圧E05
を低くすることができる。
従って本例においては、メツシュ状電極G5の電圧Eo
5i低くすることができるので、メツシュ状電極G5と
ターグツト面(3)間の放電の問題がなくなる。
また、電極G4の領域を長くできるので、本例において
は、従来のものより偏向感度が上げられる。
尚、上述実施例は、本発明を静電集束・静電偏向型の撮
像管に適用したものであるが、本発明はこれに限らず、
蓄積管、スキャンコンバータ等の陰極線管に同様に適用
することができる。
発明の効果 以上述べた実施例からも明らかなように本発明によれば
、従来例に比ベニ程が少なくなり製造が簡単となると共
に、メツシュ状電極の電圧を低くでき、放電の問題を生
じなくなる。また、従来例に比べ偏向領域を長くでき、
偏向感度を上げることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は撮像管の一例を示す断面図、第2図及び第3図
は夫々その説明のための図、第4図は本発明の一実施例
を示す断面図、第5図〜第7図は夫々その説明のための
図である。 (1)はガラスパルプ、(2)はフェースプレー)、(
3)はターグツト面、G及びG4は夫々第3及び第4グ
リッド電極、G5はメツシュ状電極、LAはビー五制限
開孔である。 (13) 特開昭GO−240032(6) 第7図 手続ネ市j−E書 1、事件の表示 昭和59年 特 許 願 第 96797号3、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用図化品用6丁目7番35号名称(2
18)ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 4、代理人 8、補正の内容 (1)明細書中、第5頁9行「行なわれる。」の後に下
記を加入する。 「尚、この第3図において破線で示される電位は、電極
G4による偏向電界Wを除いたものである。」 (2)同、第9頁16行[ターゲツト面(3)までの」
を「電極G4までの」と訂正する。 (3)同、第10頁4〜5行「なるよりな」を「なるよ
うな」と訂正する。 する。 (5) 同、同頁14行r 2/100ラジアン以下」
を「±2/100ラジアン以内」と訂正する。 (6)図面中、第7図を別紙のとおり訂正する。 以上 第7図 を寿&G−36監さ工

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電子ビーム通路に沿って配された円筒状の高圧電極、円
    筒状の低圧電極及びメツシュ状電極を備え、上記高圧電
    極及び低圧電極によって上記電子ビームの集束を行なう
    静電レンズ系が形成され、上記低圧電極は上記電子ビー
    ムの偏向を行なう偏向電極とされるターゲットを有する
    陰極線管。
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