JPS60258942A - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

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JPS60258942A
JPS60258942A JP60099572A JP9957285A JPS60258942A JP S60258942 A JPS60258942 A JP S60258942A JP 60099572 A JP60099572 A JP 60099572A JP 9957285 A JP9957285 A JP 9957285A JP S60258942 A JPS60258942 A JP S60258942A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路装置、特にレジンモールド型の半導体
装置に関する。
レジンモールド型半導体装置(以下単に半導体装置と呼
ぶ。)は、第1図に示すような形状の金属板からなるリ
ードフレーム1を基に組立てられる。すなわち1両端を
タブリード2を介して外枠3に連結される矩形のタブ4
上にペレット(半導体小片からなる回路素子)5を取り
付けた後、このペレット5の電極とタブ4の近傍に内端
を突出させるリード6の内端とをワイヤ7で接続し、つ
いで、鎖線枠内なレジンで被ってモールド部8でペレッ
ト等を封止する。その後、各リード間等を連結するダム
9およびタイバー10を切断除去するとともに、タブリ
ード2を外枠3から切り離丁。
また、第2図に示すように、モールド部8から突出する
リード6を途中から同一方向に折り曲げてデュアルイン
ライン形の半導体装置を得ている。
なお、第2図では基板11に取り付けて使用する半導体
装置の例を示す。
ところで、リードフレームのリード先端は変形シ易<、
ベレットボンディングやワイヤボンディングの不良の増
大を招く。前記リード先端の変形(第3図参照)は、リ
ードフレームの加工時、使用時の取扱いの不注意によっ
て生じる。また、この変形は、ワイヤのタブとの接触(
タブショート)を防止するために、ワイヤボンディング
時にタブをリードよりも一段下げて行なういわゆるタブ
下げ加工によっても生じる。この変形の結果、ワイヤボ
ンディングにあっては、ポンディングパッド(リード先
端部およびペレットの電極部を云う。)の位置がずれる
ことからワイヤボンディングが成されないものもでて来
てしまう。
一方、レジンモールド型の半導体装置のべVットから発
生する熱はレジン中を伝わってモールド部の表面から放
散される経路、タブ、レジン、リードを伝わって基板(
放熱板)に放散される経路、ワイヤ、リードを伝わって
基板に放散される経路がそれぞれある。従来、この放熱
性を向上させるために前記各経路における材質をより熱
伝導性の良好なものを使用して来ているが、限界がある
たとえば、モールド部を形作るレジンについては、熱伝
導性を向上させるようにjると、溶融時の粘度が高くな
り、モールド時にワイヤを動かし、ワイヤを隣接するリ
ードや他のワイヤと接触させてショート不良を発生させ
たり、ワイヤを破断させたりする難点がある。したがっ
て、従来は熱伝導率の高いレジンでの封止(パッケージ
)は困難であった。
尚、放熱性を向上させるために、その一部分に熱伝導性
の良好な物質を用いた集積回路装置については、特開昭
54−86276に記載されている。
本発明の目的はタブやリードの変形を防止することによ
ってペレットボンディング、ワイヤボンディングが確実
に行なわれた半導体装置すなわち集積回路装置を提供す
ることにある。
また、本発明の他の目的は放熱性が良好でかつワイヤの
ショート不良が生じにくい半導体装置すなわち集積回路
装置を提供することなどにある。
上記のような目的を達成するために本発明の一実施態様
の概要は、ペレットを固定するタブと、タブに向かって
延びる複数のリードと、リード内端とペレットの電極と
を結ぶワイヤと、タブ、ペレット、ワイヤおよびリード
の内端部を被うレジンからなるモールド部とからなり、
モールド部からはリードのみが突出する構造の半導体装
置を製造する際、少なくともワイヤボンディング前に、
リード内端およびタブの下面を絶縁性の補強体で一体化
してなるものである。
また1本発明の他の実施態様では、前記補強体を熱伝導
性のよい物質で形作るものである。
さらに、本発明の他の実施態様では、前記補強体におい
て、リード内端面とタブ周面との間の補強体はリードや
タブの上面よりも高(盛り上がるように形成されるもの
である。
以下、実施例により本発明を説明する。
第4図(al 、 (blは本発明の一実施例による半
導体装置の一部を取り去った断面および平面を示す。
これらの図で示すように、リード6の先端部とペレット
5を取り付けたタブ4とは絶縁性でかつ熱伝導性の良好
なレジンかうなる補強体12で一体的に連結されている
。タブ4およびリード6はいずれもその上面には補強体
12は付着していない。
また、この補強体12は同図(b)でも示すように(補
強体12の露出部分はクロスハツチングで示す。)矩形
体からなっている。なお5組立にあっては、第5図で示
すように、リードフレームlのタブ4上にペレット5を
固定した後、このリードフレーム1を加熱体を内蔵した
ヒートシンク13上に運ぶ。ヒートシンク13上にはテ
ープ14が間欠的に移動するようになっている。このテ
ープ14の上面には、リードフレームlの各タブ4に対
応するように矩形のレジン15が貼り付けられている。
そして、停止状態にあるテープ14上に先のリードフレ
ームlが運ばれ、各タブ4が各レジン15上に重ね合さ
れる。その後、上方から加圧体16が降下し、各加圧部
17でリードおよびタブリードを下方に押さえ付けて、
ヒートシンク13によって軟化溶融状態にあるレジン1
5にタブ4およびリード6の内端部を接着させることに
よって第4図(a)で示すよ5なタブおよびリードの一
体化を図る。この際、リード6およびべVブト5上には
その後ワイヤが接続されることから、レジンがこれらの
面に廻り込まないようにする必要がある。また、前記レ
ジンはタブ4.リード内端が変形せず確実に支持される
程度の強度を必要とするとともに、後工程におけるワイ
ヤボンディング工程時に軟化してワイヤが食い込まない
ような熱硬化性レジンからなっている。また、前記レジ
ンはこのワイヤボンディング時の加熱によっても加熱テ
ーブル(ヒートブロック)上に溶けて付着したり、劣化
しないようなレジンからなっている。
さらに、前記レジンは作業性向上のために硬化速度が早
いものが望ましい。
j このような実施例によれば、ワイヤボンディング以
前K l−ド内端が反り返ったり、下方に曲がったりし
た場合でも、加圧体16の加圧部17がレジン15にリ
ード6を押し付けることから、その曲り等が修正され、
各リード先端は所望の配置関係に修正され、かつレジン
で一体に保持される。
この結果、ワイヤボンディングは確実に行なわれる。ま
た、この半導体装置では熱を発生するペレット5を支持
するタブ4とモールド部8の外に突出しかつ基板等に接
触するリードの内端は熱伝導性の良好なレジン(熱伝導
率は1.5W/771’C以上)で連結されている。し
たがって、この半導体装置は熱放散性が優れ、信頼性の
高い安定した動作をする。
なお1本発明は前記実施例に限定されない。たとえば、
前記補強体はレジン材以外の絶縁性で熱伝導性のよい物
質であればよく、これをタブとリード内端の下面に貼り
付けるようにしてもよい。
ま1こ、リードフレームはその組立時、タブリードを下
方に一段押さえ付けてタブをリードよりも一段低い状態
にして前記補強体を取り付けるようにしてもよい。
また、前記補強体はモールド部との密着性が充分である
ならば、前強体の下面をモールド部から露出させ、実装
時に基板に直接この補強体の下面を接触させて放熱性を
さらに高めるようにしてもよい。
また、第6図で示すように、リード6の内端とタブ4の
周面との間の補強体12を小高く盛り上げてその頂上を
リード6やタブ4の上面よりも高(して、ワイヤ7が垂
れ下がっても前記補強体の頂上に接触して支えられ、ワ
イヤ7が直接タブ4やリード6等に接触しないようにし
てもよい。このように丁れば、タブショートが防止でき
るばかりでな(、タブがペレットサイズよりも遥かに太
き(ともタブショートを防ぐことができることから、数
種類のサイズのペレットであってもタブの大きな1つの
リードフレームを使用することができ、リードフレーム
の共用化による加工、維持コストの低減を図ることがで
きる。また、ワイヤが垂んでタブショートを生じたり、
隣接するワイヤに接触することもないので、従来行なっ
ていたワイヤ接触の検査修正作業を廃止でき、製造工数
も少なくなる。
さらに、実施例では補強体はペレットボンディング後に
タブやリードに取り付ける例について説明したが、ベン
ツトボンディング前に取り付けてもよい。このようにす
ると、タブ部分が変形していても水平(平坦)に修正さ
れることから、ペレットボンディング時にペレットとタ
ブとの接合が全域に亘って均一に成され、接合不良によ
る熱の影響でペレットにクラックが入ったりするような
従来の不良も防止できる。
以上のように、本発明によれば、ペレットボンディング
、ワイヤボンディングを正確かつ確実に行なうことがで
きるとともに、ワイヤのショート不良をも防止できるた
め歩留向上、工数の低減等が図れ、コストの軽減を図る
ことができる等種々の丁ぐれた効果を有jる。
また、本発明によれば、一部において熱伝導率の高いレ
ジン等を用いることができるため、放熱性の向上を図る
ことができ、品質の安定した信頼性の高い半導体装置を
提供することができる等多くの効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のリードフレームを示す平面図、第2図は
同じくレジンモールド型半導体装置ノ断面図、第3図は
同じくリードフレームにおけるタブとリード内端との状
態を示す一部拡大断面図、第4図(al 、 (b)は
本発明の一実施例によるレジンモールド型半導体装置の
一部を示す断面図および平面図、第5図は同じ(レジン
モールド型半導体装置の製造方法の一部を示す断面説明
図、第6図は本発明の他の実施例によるレジンモールド
型半導体装置の断面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・タブリード、3・・
・外枠、4・・・タブ、5・・・ペレット、6・−・リ
ード、7・・・ワイヤ% 8・・・モールド部、9・・
・ダム、10・・・タイバー、11・・・基板、12・
・・補強体、13・・・ヒートシンク、14・・・テー
プ、15・・・レジン、16・・・加圧体、17・・・
加圧部。 第 1 図 4 // 計 一りク (0

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、集積回路ペレットを固定するタブ、上記タブ上記集
    積回路ペレット、上記ワイヤおよび上記リードの端部な
    被う絶縁体からなるモールド部とからなり、上記モール
    ド部からリードが突出する構造の集積回路装置において
    、上記リード端部およびタブの下面を一体化する手段を
    持つことを特徴とする集積回路装置。 2、上記一体化する手段は、絶縁性の補強体からなるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の集積回路装
    置。 3、上記一体化する手段は、上記タブと上記リード端部
    との間において上記タブおよび上記リード上面よりも高
    く形成されてなることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の集積回路装置。 4、上記一体化する手段は、熱伝導性の良好なレジンか
    らなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の集
    積回路装置。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS519378A (ja) * 1974-07-12 1976-01-26 Hitachi Ltd Handotaisochi
JPS5134372U (ja) * 1974-09-06 1976-03-13

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5134372B2 (ja) * 1971-08-30 1976-09-25

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS519378A (ja) * 1974-07-12 1976-01-26 Hitachi Ltd Handotaisochi
JPS5134372U (ja) * 1974-09-06 1976-03-13

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