JPS60246208A - 窒化ホウ素の製造方法 - Google Patents
窒化ホウ素の製造方法Info
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- JPS60246208A JPS60246208A JP59100682A JP10068284A JPS60246208A JP S60246208 A JPS60246208 A JP S60246208A JP 59100682 A JP59100682 A JP 59100682A JP 10068284 A JP10068284 A JP 10068284A JP S60246208 A JPS60246208 A JP S60246208A
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- Japan
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- boron nitride
- borazine
- thermal decomposition
- pressure
- temperature
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/064—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
- C01B21/0646—Preparation by pyrolysis of boron and nitrogen containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/82—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
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- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
未発1jは窒化ホウ素(以下、BNという)の製造方法
に関し、更に詳しくは、立方晶窒化ホウ素(以下、c−
BNという)への転換率の高いBNの製造方法に関する
。
に関し、更に詳しくは、立方晶窒化ホウ素(以下、c−
BNという)への転換率の高いBNの製造方法に関する
。
[発明の技術的背景とその問題点]
窒化ホウ素の焼結体は、ファインセラミックスの1つと
して最近とみに注目を集めている。とくにc−BNの焼
結体は高硬度、耐摩耗性に優れた素材として脚光を浴び
工具用材料の用途分野への淡望が開けている。また、一
方では極めて高い熱伝導性と電気抵抗を兼ね備えている
ため、高密度集積回路におけるヒートシンク材料として
大きな期待がもたれている。
して最近とみに注目を集めている。とくにc−BNの焼
結体は高硬度、耐摩耗性に優れた素材として脚光を浴び
工具用材料の用途分野への淡望が開けている。また、一
方では極めて高い熱伝導性と電気抵抗を兼ね備えている
ため、高密度集積回路におけるヒートシンク材料として
大きな期待がもたれている。
このc−BN焼結体は大別して次の2つの方法で製造さ
れている。その第1の方法は、c−BNの粉末を超高圧
・高温ド(例えば、5GPa以l−11200°0以−
h) で焼結したり、又は、c−BHの粉末と TiN
若しくはl、、03を主体とする結合材とを混合し、こ
の混合粉末を超高圧・高温下で焼結したりする、いわゆ
るc−BNを原料とする方法である。第2の方法は、c
−BN以外のBN(後述)を出発原料とし、これを上記
したような結合材と混合したのち、超高圧−高温下−で
処理して、BNをc−BNに転換すると同時に全体を焼
結するという方法である。
れている。その第1の方法は、c−BNの粉末を超高圧
・高温ド(例えば、5GPa以l−11200°0以−
h) で焼結したり、又は、c−BHの粉末と TiN
若しくはl、、03を主体とする結合材とを混合し、こ
の混合粉末を超高圧・高温下で焼結したりする、いわゆ
るc−BNを原料とする方法である。第2の方法は、c
−BN以外のBN(後述)を出発原料とし、これを上記
したような結合材と混合したのち、超高圧−高温下−で
処理して、BNをc−BNに転換すると同時に全体を焼
結するという方法である。
これら2つの方法のうち、後者の方法の場合には、BN
からc−BNへの転換率が 100%ではなく、未転換
のBNが残留し、得られた焼結体の特性を著しく低下せ
しめるという問題が避けられない。
からc−BNへの転換率が 100%ではなく、未転換
のBNが残留し、得られた焼結体の特性を著しく低下せ
しめるという問題が避けられない。
そのため、実際には前者の方法で主としてC−BN焼結
体は製造されている。
体は製造されている。
この前者の方法にあっては、出発原料はC−BNである
。したがって、前提闇題としてC−BNの合成が重要な
ファクターとなる。
。したがって、前提闇題としてC−BNの合成が重要な
ファクターとなる。
ところで、BNには、c−BNの外に、六方晶窒化ホウ
素(以下、h−BNという)、ウルツ型窒化ホウ素(以
下、w−BNという)及び非晶質窒化ホウ素(a−BN
という)がある。そして、c−BNの合成に関しては、
主に、h−BNを超高圧・高温Fで処理してc−BNに
転換するという方法が取られている。
素(以下、h−BNという)、ウルツ型窒化ホウ素(以
下、w−BNという)及び非晶質窒化ホウ素(a−BN
という)がある。そして、c−BNの合成に関しては、
主に、h−BNを超高圧・高温Fで処理してc−BNに
転換するという方法が取られている。
しかしながら、その転換率は一般に低い。それは、h−
BNに物理的・化学的に吸着している酸素又は化学的に
結合している酸素成分の影響に起因するためであること
が明らかとなっている。
BNに物理的・化学的に吸着している酸素又は化学的に
結合している酸素成分の影響に起因するためであること
が明らかとなっている。
h−BNからc−BNの転換率を高めるために、種々の
研究が重ねられているが、本発明者らは、h−BNから
c−BNを合成する際に合成触媒としての窒化アルミニ
ウムを介在せしめるとその転換率が向上するとの事実を
見出しこれを既に発表した(粉体粉末冶金協会、昭和5
7年度秋季人会講演概要集、 100〜101頁参照)
。
研究が重ねられているが、本発明者らは、h−BNから
c−BNを合成する際に合成触媒としての窒化アルミニ
ウムを介在せしめるとその転換率が向上するとの事実を
見出しこれを既に発表した(粉体粉末冶金協会、昭和5
7年度秋季人会講演概要集、 100〜101頁参照)
。
更に研究を進め、h−BNの結晶性と転換率との関係に
つき研究を重ねた結果、h−BNの結晶化度が小さいも
のはどc−BNへの転換率が高くなることを確認し、そ
れを既に発表した(粉体粉末冶金協会、昭和58年度春
季大会講演[?集、86〜87頁参照)。
つき研究を重ねた結果、h−BNの結晶化度が小さいも
のはどc−BNへの転換率が高くなることを確認し、そ
れを既に発表した(粉体粉末冶金協会、昭和58年度春
季大会講演[?集、86〜87頁参照)。
このようなことから、出発原料としてa−BNを用いれ
ば、高い転換率でc−BNを合成できることが明らかと
なった。
ば、高い転換率でc−BNを合成できることが明らかと
なった。
[発明の目的]
本発明は、c−BNの合成に当り、C−BNへの転換率
が高<c−BNへの出発原料として好適なa−BNの新
規な製造方V、の提供をll的とする。
が高<c−BNへの出発原料として好適なa−BNの新
規な製造方V、の提供をll的とする。
[発明の概要]
本発明者らは、a−BNの原料になり得る種々の化合物
に関して検討を加えた結果、後述する化合物を所定の温
度、圧力下で熱分解すると、a−BNの白色固体を得る
ことができ、しかもこのa−BNのc−BN転換反応に
おける活性化エネルギーは極めて低い値となり、c−B
Nへの転換重大であるとの事実を見出し本発明方法を開
発するに到った。
に関して検討を加えた結果、後述する化合物を所定の温
度、圧力下で熱分解すると、a−BNの白色固体を得る
ことができ、しかもこのa−BNのc−BN転換反応に
おける活性化エネルギーは極めて低い値となり、c−B
Nへの転換重大であるとの事実を見出し本発明方法を開
発するに到った。
すなわち、本発明のBNの製造方法は、ボラジン又はボ
ラジンの誘導体の群から選ばれる少なくとも1種の化合
物を、温度150〜700℃、圧力10MPa以トの条
以下で加圧下前熱分解することを特徴とする。
ラジンの誘導体の群から選ばれる少なくとも1種の化合
物を、温度150〜700℃、圧力10MPa以トの条
以下で加圧下前熱分解することを特徴とする。
本発明における原料は、次式:
で示される■ボラジン、■ボラジンの誘導体のいずれか
1種又はこれらを適宜に混合して成る混合物である。
1種又はこれらを適宜に混合して成る混合物である。
■のボラジンの誘導体としては、例えば、次式:
で示されるポラシナフタリン、次式:
で示されるボラゾビフェニル、次式:
で示される2、4−ジアミノボラジンをあげることがで
きる。これらのうち、とくにボラジンは好適なものであ
る。
きる。これらのうち、とくにボラジンは好適なものであ
る。
これらの原ネ1は、酸素、炭素を含有していないことが
重要である。酸素は前述したようにC−BNへの転換率
を低ドせしめる因子として作用するからであり、また、
炭素は後述の条伯下で熱分解処理を施したときにa−B
N内に残留するからである。このような炭素を含有する
a−BNを原料として高圧・高温下でc−BNを合成し
た場合、この炭素が黒鉛に転換してc−BN内に残留し
、モしてC−BN焼結体の特性低下をもたらすからであ
る。
重要である。酸素は前述したようにC−BNへの転換率
を低ドせしめる因子として作用するからであり、また、
炭素は後述の条伯下で熱分解処理を施したときにa−B
N内に残留するからである。このような炭素を含有する
a−BNを原料として高圧・高温下でc−BNを合成し
た場合、この炭素が黒鉛に転換してc−BN内に残留し
、モしてC−BN焼結体の特性低下をもたらすからであ
る。
本発明方法にあっては、ト記した原ネ4を密閉式の圧力
容器の中に入れ、熱分解処理を施す。
容器の中に入れ、熱分解処理を施す。
温度は 150〜700℃、圧力は 10MPa以トの
範曲内に設定される。熱分解温度が高くなるにつれて得
られたa−BNの水素含有量は減少していくが、同時に
、c−BNへの転換率が低くなるので、熱分解温度は7
00℃以下に設定されることが望ましい。しかし、熱分
解温度が 150℃未満の場合には、得られたa−BN
の活性が高すぎるためにN2又は不活性ガス雰囲気中で
取扱う必要があるなどの問題を生ずるようになるので
150℃以1とすることが望ましい。
範曲内に設定される。熱分解温度が高くなるにつれて得
られたa−BNの水素含有量は減少していくが、同時に
、c−BNへの転換率が低くなるので、熱分解温度は7
00℃以下に設定されることが望ましい。しかし、熱分
解温度が 150℃未満の場合には、得られたa−BN
の活性が高すぎるためにN2又は不活性ガス雰囲気中で
取扱う必要があるなどの問題を生ずるようになるので
150℃以1とすることが望ましい。
また、圧力は、ボラジン又はボラジン誘導体の熱分解処
理量によって異なるもので、ポラジンヌはボラジン誘導
体が熱分解処理中に放出する水素を押え込めるだけの圧
力であればよく、具体的には、 10MPa以1−であ
ればよい。
理量によって異なるもので、ポラジンヌはボラジン誘導
体が熱分解処理中に放出する水素を押え込めるだけの圧
力であればよく、具体的には、 10MPa以1−であ
ればよい。
このときの処理時間は格別限定されるものではないが、
通常、10分以l二である。
通常、10分以l二である。
本発明における好適な条件は、温度200〜300℃、
圧力50〜150MPa、熱分解時間30〜120分で
ある。
圧力50〜150MPa、熱分解時間30〜120分で
ある。
このようにして得られたa−BNを常法によってc−B
Nに転換して使用したり又はそのC−BNを出発原ネ1
としてc−BN焼結体とすればよい。
Nに転換して使用したり又はそのC−BNを出発原ネ1
としてc−BN焼結体とすればよい。
[発明の実施例]
実施例1
(1)a−BNの調製
β−トリクロロボラジンを還元してボラジンを製造した
。このボラジン(液体)を金カプセルの中に封入し、カ
プセルをコーン密閉式圧力容器内にセットした。容器内
圧力をloOMPaに維持して各種の温度でそれぞれ1
時間処理した。いずれの場合も白色固体が得られた。
。このボラジン(液体)を金カプセルの中に封入し、カ
プセルをコーン密閉式圧力容器内にセットした。容器内
圧力をloOMPaに維持して各種の温度でそれぞれ1
時間処理した。いずれの場合も白色固体が得られた。
これらの固体につき粉末X線回折法により結晶構造を観
察したところ、いずれも非晶質であることが確認された
。また、これら白色固体につき赤外吸収(IR)スペク
トル分析を行なったところ、3400 c m−’の位
置にN−H伸縮による吸収、2520cm−’の位置に
B−H伸縮による吸収、1400c〔1の位置にB−N
伸縮による吸収が認められた。
察したところ、いずれも非晶質であることが確認された
。また、これら白色固体につき赤外吸収(IR)スペク
トル分析を行なったところ、3400 c m−’の位
置にN−H伸縮による吸収、2520cm−’の位置に
B−H伸縮による吸収、1400c〔1の位置にB−N
伸縮による吸収が認められた。
このときの、各熱分解温度における、B−H及びB−N
の各伸縮振動に基づく吸収強度の比を第1図に示した0
図から明らかなように、熱分解温度が上昇するにつれて
a−BN中の水素含有量は減少していく。
の各伸縮振動に基づく吸収強度の比を第1図に示した0
図から明らかなように、熱分解温度が上昇するにつれて
a−BN中の水素含有量は減少していく。
(2)c−BNへの転換率の測定
各熱分解温度で得られたa−BNに窒化アルミニウム2
0モル%添加して混合し、この混合粉末を、圧力8.5
GPa、温度1200℃の条件ドで10分間処理して焼
結した。
0モル%添加して混合し、この混合粉末を、圧力8.5
GPa、温度1200℃の条件ドで10分間処理して焼
結した。
得られた各焼結体につき、X線回折法でそのc−BNの
存在割合を測定し、各a−BNの転換率を算出した。
存在割合を測定し、各a−BNの転換率を算出した。
その結果を、熱分解温度との関係として第2図に示した
。図から明らかなように、 250℃の熱分解温度で得
られたa−BNの転換率は80モル%と非常に高い伯で
あった。
。図から明らかなように、 250℃の熱分解温度で得
られたa−BNの転換率は80モル%と非常に高い伯で
あった。
(3)活性化エネルギーの測定
ボラジンを 250℃で熱分解したa−BNにつき、圧
力8.5GPaドにおいて、1200℃、1400”0
.1800℃の各温度(T)で処理しa−BNからc−
BNへの転換率が80モル%になるまでの反応時間(τ
)をめ、第3図のような文nτ−104/Tの関係直線
を得た。この直線の傾きからa−BNからc−BNへの
直接転換反応における活性化エネルギーを算出したとこ
ろ、約11kcal/molt=あった。
力8.5GPaドにおいて、1200℃、1400”0
.1800℃の各温度(T)で処理しa−BNからc−
BNへの転換率が80モル%になるまでの反応時間(τ
)をめ、第3図のような文nτ−104/Tの関係直線
を得た。この直線の傾きからa−BNからc−BNへの
直接転換反応における活性化エネルギーを算出したとこ
ろ、約11kcal/molt=あった。
なお、h−BNからc−BNへの直接転換反応における
活性化エネルギーは 150〜250kcal/mo1
.h −B Nに空化アルミニウムを配合した場合の活
性化エネルギーは約40kcal/■01である。
活性化エネルギーは 150〜250kcal/mo1
.h −B Nに空化アルミニウムを配合した場合の活
性化エネルギーは約40kcal/■01である。
このように、本発明にかかるa−BNのC−BNへの活
性化エネルギーは非常に低い値であることがわかる。
性化エネルギーは非常に低い値であることがわかる。
実施例2
ボラジンに代えてボラゾビフェニルを用いた外は、実施
例1と同様にして白色固体を得た。これらはいずれもa
−BNであった。
例1と同様にして白色固体を得た。これらはいずれもa
−BNであった。
これら各a−BNの粉末を温度1500℃、圧力θGP
a、時間20分の条件で焼結した。
a、時間20分の条件で焼結した。
得られた焼結体につき、X線回折法でc−BN量を分析
し、転換率を算出した。その結果は第2図とほとんど同
じであった。
し、転換率を算出した。その結果は第2図とほとんど同
じであった。
[発明の効果]
以1−の説明で明らかなように、本発明方法によi
れば、c−BNへの転換反応における活性化エネルギー
が非常に小さく、したがってc−BNへの転換率が高い
a−BNを製造することができる。
が非常に小さく、したがってc−BNへの転換率が高い
a−BNを製造することができる。
したがって、近時、工具材や電子回路のヒートシンクと
して脚光を浴びているc−BN焼結体用の原料であるc
−BNそれ自体を供給するために有用であり、そのT業
的価値は大である。
して脚光を浴びているc−BN焼結体用の原料であるc
−BNそれ自体を供給するために有用であり、そのT業
的価値は大である。
第1図は実施例1で得られたa−BNのIR分析におけ
るB−N及びB−H吸収強度比と熱分解温度との関係図
であり、第2図はc −BNへのモル転換率と熱分解温
度との関係図であり、543図は活性化エネルギー算出
のための見nτ−104/T関係直線図である。 2 rSA− □千くq鴬^癲Sで(去「 7 Q −+ 第361 10’/T (K−’ l □ 手続補正d4 昭和60年 3月1311 特許庁長官 志賀 7殿 1、事件の表示 昭和59年特約願第100682号 2、発明の名称 窒化ホウ素の製造力U。 3、補i1:をする者 4、代理人 5、補止命令の11付 自発
るB−N及びB−H吸収強度比と熱分解温度との関係図
であり、第2図はc −BNへのモル転換率と熱分解温
度との関係図であり、543図は活性化エネルギー算出
のための見nτ−104/T関係直線図である。 2 rSA− □千くq鴬^癲Sで(去「 7 Q −+ 第361 10’/T (K−’ l □ 手続補正d4 昭和60年 3月1311 特許庁長官 志賀 7殿 1、事件の表示 昭和59年特約願第100682号 2、発明の名称 窒化ホウ素の製造力U。 3、補i1:をする者 4、代理人 5、補止命令の11付 自発
Claims (1)
- ボラジン又はボラジンの誘導体の群から選ばれる少なく
とも1種の化合物を、温度150〜700℃、圧力 1
ONPa以上の条件下で加圧子熱分解することを特徴と
する窒化ホウ素の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59100682A JPS60246208A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 窒化ホウ素の製造方法 |
US06/667,802 US4545968A (en) | 1984-03-30 | 1984-11-02 | Methods for preparing cubic boron nitride sintered body and cubic boron nitride, and method for preparing boron nitride for use in the same |
EP84114769A EP0162137B1 (en) | 1984-05-21 | 1984-12-05 | Method for preparing boron nitride |
DE8484114769T DE3478678D1 (en) | 1984-05-21 | 1984-12-05 | Method for preparing boron nitride |
AT84114769T ATE44019T1 (de) | 1984-05-21 | 1984-12-05 | Verfahren zum herstellen von bornitrid. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59100682A JPS60246208A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 窒化ホウ素の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60246208A true JPS60246208A (ja) | 1985-12-05 |
JPH044966B2 JPH044966B2 (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=14280513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59100682A Granted JPS60246208A (ja) | 1984-03-30 | 1984-05-21 | 窒化ホウ素の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0162137B1 (ja) |
JP (1) | JPS60246208A (ja) |
AT (1) | ATE44019T1 (ja) |
DE (1) | DE3478678D1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002220213A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-08-09 | Sony Corp | Iiib族窒素化合物の合成方法 |
CN113697782A (zh) * | 2021-10-28 | 2021-11-26 | 北京玻钢院复合材料有限公司 | 一种低反应活性的无机氮化硼粉体及其制备方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4865830A (en) * | 1988-01-27 | 1989-09-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Gas phase preparation of aluminum nitride |
CN114890393B (zh) * | 2022-03-24 | 2023-08-22 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种bn微球的低温制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1017795B (de) * | 1954-05-25 | 1957-10-17 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP59100682A patent/JPS60246208A/ja active Granted
- 1984-12-05 DE DE8484114769T patent/DE3478678D1/de not_active Expired
- 1984-12-05 EP EP84114769A patent/EP0162137B1/en not_active Expired
- 1984-12-05 AT AT84114769T patent/ATE44019T1/de not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0162137B1 (en) | 1989-06-14 |
EP0162137A3 (en) | 1987-05-13 |
ATE44019T1 (de) | 1989-06-15 |
EP0162137A2 (en) | 1985-11-27 |
DE3478678D1 (en) | 1989-07-20 |
JPH044966B2 (ja) | 1992-01-30 |
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