JPS60166162U - 薄膜トランジスタ基板 - Google Patents

薄膜トランジスタ基板

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JPS60166162U
JPS60166162U JP5326784U JP5326784U JPS60166162U JP S60166162 U JPS60166162 U JP S60166162U JP 5326784 U JP5326784 U JP 5326784U JP 5326784 U JP5326784 U JP 5326784U JP S60166162 U JPS60166162 U JP S60166162U
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JP
Japan
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thin film
film transistor
source
transistor substrate
transistor array
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Application number
JP5326784U
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Inventor
清藤　伸一
Original Assignee
キヤノン株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案による薄膜トランジスタアレイパネルの
一実施例を示す概略図、第２図はソース！、極引出し部
の実施例を示す断面図、第３図はソース電極引出し部の
６他の実施例を示す断面図である。 １・・・薄膜トランジスタアレイ部、２・・・ゲート電
極引出し部、３・・・ソース電極引出し部、４・・・ソ
ース透明導電膜、５・・・ゲート電極、６・・・ドレイ
ン透明画素電極、７・・・薄膜半導体、８・・・絶縁膜
、９・・・メッキ金属部、Ｓ・・・薄膜トランジスタア
レイ基板、Ａ・・・配線接続領域、Ｂ・・・パネル有効
領域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁基板上に形成されたソース、ドレイン、画素電極を
    透明導電膜で構成した薄膜トランジスタアレイにおいモ
    ソース電極引出部をソース透明溝４電膜下に部分的型な
    りをもって位置させ、且つ上記ソース電極引出部をアル
    ミニウムーまたはメッキ可能な金属によって形成し、薄
    膜トランジスタのゲートと一括して形成したことを特徴
    とする薄膜トランジスタアレイパネル。
JP1984053267U 1984-04-11 1984-04-11 薄膜トランジスタ基板 Expired - Lifetime JP2513739Y2 (ja)

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JPS60166162U true JPS60166162U (ja) 1985-11-05
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0277167A (ja) * 1988-09-13 1990-03-16 Nippon Precision Circuits Kk アクティブマトリクスシリコン薄膜トランジスタ基板

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP4112168B2 (ja) * 2000-12-11 2008-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
SG111923A1 (en) 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5922030A (ja) * 1982-07-28 1984-02-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd マトリクス表示パネルの製造方法

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