JPS60161332A - 電子写真用硫セレン化カドミウムの製造方法 - Google Patents
電子写真用硫セレン化カドミウムの製造方法Info
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- JPS60161332A JPS60161332A JP1440584A JP1440584A JPS60161332A JP S60161332 A JPS60161332 A JP S60161332A JP 1440584 A JP1440584 A JP 1440584A JP 1440584 A JP1440584 A JP 1440584A JP S60161332 A JPS60161332 A JP S60161332A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発町は、1b;千′ーIEj真用似セレン化カドミウ
ムの製造方法に開−する1。
ムの製造方法に開−する1。
電子写真用感光体に用いられる硫化カドミウム粉体の製
造方法として実用化されている一方法においては、沈殿
生成した竹.化カドミウム粉体を20重量%以上の融剤
と共に該融剤の融点r h t 5 0u(lJ }−
鹿lmlJt’f+h!libL−tj, /” J−
W− Pつて達成ざれる。この方法によって傅らi+′
に硫化カドミウム粉体の形状は著し< kA純化され、
かつ高結晶性を示している。
造方法として実用化されている一方法においては、沈殿
生成した竹.化カドミウム粉体を20重量%以上の融剤
と共に該融剤の融点r h t 5 0u(lJ }−
鹿lmlJt’f+h!libL−tj, /” J−
W− Pつて達成ざれる。この方法によって傅らi+′
に硫化カドミウム粉体の形状は著し< kA純化され、
かつ高結晶性を示している。
このような粒子を用いて作成された感光板は、確かに、
従来よシも光メモリ−等の特性については優れている。
従来よシも光メモリ−等の特性については優れている。
そのため、従来、応々見られた複写機中に長時間休止さ
せた後の画像濃度の低下に関しては、大l〕に改良され
た。しかし、感度の面については、得られる硫化カドミ
ウム粒子の粒径お・よひドープされた銅濃度によって変
動し、現在↓造されている複写機に適用させるたν)に
は、粒径をかなり大きくすると共に、銅の濃度を低くす
る必要が生じていた。しかし高速複写機への適用等、今
までよシ一層耐久性か必要とされる場合には、必ずしも
十分とけ言えなかつノヒ。劇久性を改良するためには、
粉体自体の抵抗を高くすればよい、最も簡単で、効果的
な方法は、感光体粒子が含む銅の量を増加させることで
ある。しかし、単に銅の量を増加させただけでは、アク
セプター濃度が高くなる結果、発へ1(たキャリアーが
トラップされ、感度の1j(−ト等の現WがJ」1.わ
trる。
せた後の画像濃度の低下に関しては、大l〕に改良され
た。しかし、感度の面については、得られる硫化カドミ
ウム粒子の粒径お・よひドープされた銅濃度によって変
動し、現在↓造されている複写機に適用させるたν)に
は、粒径をかなり大きくすると共に、銅の濃度を低くす
る必要が生じていた。しかし高速複写機への適用等、今
までよシ一層耐久性か必要とされる場合には、必ずしも
十分とけ言えなかつノヒ。劇久性を改良するためには、
粉体自体の抵抗を高くすればよい、最も簡単で、効果的
な方法は、感光体粒子が含む銅の量を増加させることで
ある。しかし、単に銅の量を増加させただけでは、アク
セプター濃度が高くなる結果、発へ1(たキャリアーが
トラップされ、感度の1j(−ト等の現WがJ」1.わ
trる。
本発明の目的は、上記欠点を解決しlCもので、耐久+
’lを改J呈しながら、四〇、llに高感度化を達〕J
ν1−タ、1b寸j/J、 4:+用ifセレン化カド
ミウムの製造力11、を祈−伊、1°るものである1、
本発明の横1戎は、1モル当り4〜1. (l X 1
0−’モルの斜1を含む値化カドミウムに2021<
E%以上の醋剤を添加し、融剤のH1点より・右、5(
1”c以」二高い温度で焼成したり゛、該知、成物を水
に分散さ一υ、Mi:I 葡含む溶液、および値化物、
セレン化物の混合浴液裟同時に滴下うることを特徴とす
る箱’h +’j’t: J’J用位rセレン化カドミ
ウムの製造方法である。
’lを改J呈しながら、四〇、llに高感度化を達〕J
ν1−タ、1b寸j/J、 4:+用ifセレン化カド
ミウムの製造力11、を祈−伊、1°るものである1、
本発明の横1戎は、1モル当り4〜1. (l X 1
0−’モルの斜1を含む値化カドミウムに2021<
E%以上の醋剤を添加し、融剤のH1点より・右、5(
1”c以」二高い温度で焼成したり゛、該知、成物を水
に分散さ一υ、Mi:I 葡含む溶液、および値化物、
セレン化物の混合浴液裟同時に滴下うることを特徴とす
る箱’h +’j’t: J’J用位rセレン化カドミ
ウムの製造方法である。
一般的に硫セレン化カドミウノ・混晶は、儲化カドミウ
ム単体よりも、高感度なものをつくることができる。従
って、高感度化を図るために辷1、硫セレン化カドミウ
ムを、−jW釈することが宿料である。
ム単体よりも、高感度なものをつくることができる。従
って、高感度化を図るために辷1、硫セレン化カドミウ
ムを、−jW釈することが宿料である。
本発明の偏セレン化カドミウム処理に5、鋤、成晩に、
融剤として使用する塩化カドミウム/塩化ナトリウム混
合溶剤中のカドミウム・イオン血・1久件の改良に対し
て、効果を肩する銅の磯度に、硫化カドミウム1モル当
り4〜10×10−4モルが含ぼれなければならない。
融剤として使用する塩化カドミウム/塩化ナトリウム混
合溶剤中のカドミウム・イオン血・1久件の改良に対し
て、効果を肩する銅の磯度に、硫化カドミウム1モル当
り4〜10×10−4モルが含ぼれなければならない。
10 X 10=モル以上含才れる場合には次第に表面
層による効果が現われにくくなる。
層による効果が現われにくくなる。
表向層として富山させる硫セレン化カドミウム層は、該
混晶中の硫黄、セレンの組成比によってその特性に彩管
をうける。増感効果を図りながら、光メモリーを減少さ
せるために(d、セレンが混晶に対して、5〜30モル
%の範囲で含まれる場合が良い、5%以下の場合は、セ
レン添加の効果が現われず、特に感朋の点で増感効果が
認められない。又、逆にセレンの比率が30モル%を越
すと発生するキャリアーの動きが悪くなり、#度か低下
す/。
混晶中の硫黄、セレンの組成比によってその特性に彩管
をうける。増感効果を図りながら、光メモリーを減少さ
せるために(d、セレンが混晶に対して、5〜30モル
%の範囲で含まれる場合が良い、5%以下の場合は、セ
レン添加の効果が現われず、特に感朋の点で増感効果が
認められない。又、逆にセレンの比率が30モル%を越
すと発生するキャリアーの動きが悪くなり、#度か低下
す/。
形成された徹セレン化カドミウノ・粒子の表面形状を半
f1室にするた〃)にC」、印−吊1ij削才用いるよ
りも、混自副1剤、特にはい化ナトリウム/均化ツノト
ミウム混合削1介11を月1いることがイJ利である。
f1室にするた〃)にC」、印−吊1ij削才用いるよ
りも、混自副1剤、特にはい化ナトリウム/均化ツノト
ミウム混合削1介11を月1いることがイJ利である。
本発明の硫セレン化カドミウノ・1!′□彫hy汐応に
おいては、融剤の一成分である塩化カドミウムのカドミ
ウムを利用し、硫セレン化カドミウムを魯出さゼる。従
って、カドミウム濃1仄によって最終的に形成訟れる粒
子の粒径が決九さtする/こめ、粒径の増大に伴う塗工
面の平滑さの態化ケ防ぐためには、焼成物中υCC14
−する塩化カドミウムか、焼成をれた硫セレン化カドミ
ウムに対して10〜30モル%の岬、囲にあるようにし
なけれQ」ならない、4 本発明においては、この融剤邦に、20九以上、特に好
ましくは30〜50%が好捷しい。
おいては、融剤の一成分である塩化カドミウムのカドミ
ウムを利用し、硫セレン化カドミウムを魯出さゼる。従
って、カドミウム濃1仄によって最終的に形成訟れる粒
子の粒径が決九さtする/こめ、粒径の増大に伴う塗工
面の平滑さの態化ケ防ぐためには、焼成物中υCC14
−する塩化カドミウムか、焼成をれた硫セレン化カドミ
ウムに対して10〜30モル%の岬、囲にあるようにし
なけれQ」ならない、4 本発明においては、この融剤邦に、20九以上、特に好
ましくは30〜50%が好捷しい。
20%以下では、製造される硫セレン化カドミウム粒子
は焼結し7て粗大粒子になり、寸だ表面形状も不均一で
、電位保持性が十分でなく、−まだ、解像性に欠ける悪
い硫セレン化カドミウムになる。また、焼成を融剤の融
点よりも50℃高い温度に及はない温度で行なった場合
には、製造される硫セレン化カドミウム粒子は粒径が大
きく、解像性や塗工性が悪い。
は焼結し7て粗大粒子になり、寸だ表面形状も不均一で
、電位保持性が十分でなく、−まだ、解像性に欠ける悪
い硫セレン化カドミウムになる。また、焼成を融剤の融
点よりも50℃高い温度に及はない温度で行なった場合
には、製造される硫セレン化カドミウム粒子は粒径が大
きく、解像性や塗工性が悪い。
なお、本発明の製造方法において、焼成温度は、600
℃以下が好適である。また、融剤の混合物に対する冷加
量は、収率の点からは65%以1か好適である、 ゼ1.セレン化及La、は硫化物 セレン化物の四合溶
液を徐々に醪j下して行う。
℃以下が好適である。また、融剤の混合物に対する冷加
量は、収率の点からは65%以1か好適である、 ゼ1.セレン化及La、は硫化物 セレン化物の四合溶
液を徐々に醪j下して行う。
表向層に均一に銅を分布させるため、銅を含む溶液を上
記混合溶液と同時に滴汗する。銅は表面層としてn出す
る値セレン化カドミウム1モル当り0.5〜2.0X1
0−4モル含むように溶液を調製して滴下する。
記混合溶液と同時に滴汗する。銅は表面層としてn出す
る値セレン化カドミウム1モル当り0.5〜2.0X1
0−4モル含むように溶液を調製して滴下する。
反応溶液は、硫セレン化カドミウムの硫化カドミウム上
への岱出反応および前記層の溶液中への再溶解反応を考
慮し、史に、形成される層が均一となる粂件を考慮する
と、40〜60°Cの温度範囲から選択することが好ま
しい。
への岱出反応および前記層の溶液中への再溶解反応を考
慮し、史に、形成される層が均一となる粂件を考慮する
と、40〜60°Cの温度範囲から選択することが好ま
しい。
上記処理路−1・後、硫セレン化カドミウムは、十分に
洗浄し、乾燥する。 ゛ このように(7て得られた硫セレン化カドミウムは更に
、再焼成を行なう、この再焼成処理によって、感光体に
利用されたときの形成される画像の静電コントラントが
一層安定化する。再焼成−500°C以下特には400
〜450°Cの温度で行わオ■ることか好ましい。特に
500 ”c以」−の焼h(・2温j6−では感光体中
に残部′th、liが残りやすい。
洗浄し、乾燥する。 ゛ このように(7て得られた硫セレン化カドミウムは更に
、再焼成を行なう、この再焼成処理によって、感光体に
利用されたときの形成される画像の静電コントラントが
一層安定化する。再焼成−500°C以下特には400
〜450°Cの温度で行わオ■ることか好ましい。特に
500 ”c以」−の焼h(・2温j6−では感光体中
に残部′th、liが残りやすい。
以下実施例1tcよって浩、明する。
実M112例1
銅をモル比6 X 1 (1=モル含む硫化カドミウム
100 g K CdC/、2を20gとNa Ctを
3()g添加し15、よく混合1〜だ上で石英ルツボに
充填し、530゛Cで30分焼成した。(なお、CdC
1,2とNaCtの混合溶剤)岬I!点は、秋4ji図
から、cdCI2.2NaC6の融点の426°Cに相
当する)この様に一層て得らノまたC(Isの六方度は
、100%であり、1力倍のFfb、子〆【1微曾−′
1写真によれば粒子表面口非常に滑らかで、六方晶形特
有の形状を持ち、各粒子は、2〜5μの径の単一粒子と
なっているのが認められた。
100 g K CdC/、2を20gとNa Ctを
3()g添加し15、よく混合1〜だ上で石英ルツボに
充填し、530゛Cで30分焼成した。(なお、CdC
1,2とNaCtの混合溶剤)岬I!点は、秋4ji図
から、cdCI2.2NaC6の融点の426°Cに相
当する)この様に一層て得らノまたC(Isの六方度は
、100%であり、1力倍のFfb、子〆【1微曾−′
1写真によれば粒子表面口非常に滑らかで、六方晶形特
有の形状を持ち、各粒子は、2〜5μの径の単一粒子と
なっているのが認められた。
焼成物を反応容器中に入れ純水を加えて撹拌、解体する
。−力値化ナトリウム0.098モル、セレン化アンモ
ニウム0.011モル含tr 100mt水溶液を作成
する。次に、1×10−4モル/lの硫酸銅水溶液を1
00rr+z用意する。前記録を含む伽1化カドミウム
分散水溶液の温度を50°Cに保ち硫化ナトリウム/セ
レン化アンモニウムの静合水溶液を10 mt 7m
in 、又、硫酸銅水溶液を10m4/minの速度で
滴下する。反応終了後、上澄み液の電導度が10μ8/
am以下となるまで水洗を繰り返しだ後、60°Cで1
晩乾燥した。乾燥後、450°Cで60分間再焼成を行
い、史に洗浄液の上澄みが20μs/cm以下となる壕
で水洗を繰り返した後、イオン交換樹脂による残留イオ
ン除去し、乾燥した。この硫セレン化カドミウム粒子を
塩化ビニル/酢酸ビニル共■ユ合体中に分散さぜた後ア
ルミニウム基板上に40μの厚さに塗布乾燥させて得た
感光板に15μ厚のポリエスデエルフイルムをはりつけ
三層構成の感光体・をイ!tだところ、表面が非常に平
滑であった。
。−力値化ナトリウム0.098モル、セレン化アンモ
ニウム0.011モル含tr 100mt水溶液を作成
する。次に、1×10−4モル/lの硫酸銅水溶液を1
00rr+z用意する。前記録を含む伽1化カドミウム
分散水溶液の温度を50°Cに保ち硫化ナトリウム/セ
レン化アンモニウムの静合水溶液を10 mt 7m
in 、又、硫酸銅水溶液を10m4/minの速度で
滴下する。反応終了後、上澄み液の電導度が10μ8/
am以下となるまで水洗を繰り返しだ後、60°Cで1
晩乾燥した。乾燥後、450°Cで60分間再焼成を行
い、史に洗浄液の上澄みが20μs/cm以下となる壕
で水洗を繰り返した後、イオン交換樹脂による残留イオ
ン除去し、乾燥した。この硫セレン化カドミウム粒子を
塩化ビニル/酢酸ビニル共■ユ合体中に分散さぜた後ア
ルミニウム基板上に40μの厚さに塗布乾燥させて得た
感光板に15μ厚のポリエスデエルフイルムをはりつけ
三層構成の感光体・をイ!tだところ、表面が非常に平
滑であった。
実施例2
4ijlをモル比8 X 10−’モル含む(Mj化カ
ドミウムl 00. gに(:dC12を35 g、
NaCtを35g添加し、実/1fli 91.1と同
様の方法で焼成を行った。焼成後の41Iic化カドミ
ウム塊幻、卯r体しだ後肢分散水浴液を40°Cに保つ
。−力値化ツノ’I O,153モル、!1r1セレン
醒アンモニウム0.038 ′+ニル含む水# 液10
0m tを訴1製、史に3 X 10−4モル/’を硫
酸銅溶液を100mz調製する。上記浴液ケそi−rぞ
れl Q +nz/minの速度で前記硫化カドミウム
分散水溶液中に滴下する。
ドミウムl 00. gに(:dC12を35 g、
NaCtを35g添加し、実/1fli 91.1と同
様の方法で焼成を行った。焼成後の41Iic化カドミ
ウム塊幻、卯r体しだ後肢分散水浴液を40°Cに保つ
。−力値化ツノ’I O,153モル、!1r1セレン
醒アンモニウム0.038 ′+ニル含む水# 液10
0m tを訴1製、史に3 X 10−4モル/’を硫
酸銅溶液を100mz調製する。上記浴液ケそi−rぞ
れl Q +nz/minの速度で前記硫化カドミウム
分散水溶液中に滴下する。
実施例1と同様の方法で、反応後の洗浄、再焼成を行っ
て、硫セレン化カドミウムを、この光導電体を用いて実
施例1と同様の方法によって、感光板を作成したところ
、表面は非常に平滑であった。
て、硫セレン化カドミウムを、この光導電体を用いて実
施例1と同様の方法によって、感光板を作成したところ
、表面は非常に平滑であった。
比較例
’Ail 2 x 10−4モル含む硫化カドミウム1
00gについ上値セレン化カドミウム)f’i k S
!FtJ’rすることを除いて実施例1と同様の方法で
感光板を作成した。
00gについ上値セレン化カドミウム)f’i k S
!FtJ’rすることを除いて実施例1と同様の方法で
感光板を作成した。
実施例および比較例のザンプルについて感度を測定した
結果、次に示すような6ijl定価か得られた。
結果、次に示すような6ijl定価か得られた。
感光体 半減島光郁(tux−see)実施例1 0.
32 tt2 0.35 比較例 0.35 次にこれら感光板を正帯電、AC除電同時露光 全面露
光を基本プロセスとする複写機でそれぞれ100000
回剛久試験を行い耐久前後の電位保持率を測定した1男
、次の結果が得られた。
32 tt2 0.35 比較例 0.35 次にこれら感光板を正帯電、AC除電同時露光 全面露
光を基本プロセスとする複写機でそれぞれ100000
回剛久試験を行い耐久前後の電位保持率を測定した1男
、次の結果が得られた。
以上の結果より実施例1,2から硫セレン化カドミウム
層を設けた感光体粒子は、ハ・に度、耐久性ともすぐれ
ていることがわかる。
層を設けた感光体粒子は、ハ・に度、耐久性ともすぐれ
ていることがわかる。
%約出願人 キャノン株式会社
代理人 弁理士 狩 野 有
Claims (1)
- (1)1モル当り4〜10 X 10−’モルの銅を含
む硫化ツノドミウムレ(20乗量%以上の融剤を沿加し
、融1111の継点より50°C以上商い仏11u−で
焼成した後、6に焼成物を)1(に分散させ、φ%Iを
含む溶液およびイυi1、化物とセレン化物とを含む混
合溶液を同11、Jに11:4−トし、反応後1イJ焼
成り−行うことを重機とする電子写真/’(l (Ir
セレン化カドミウムの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1440584A JPS60161332A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 電子写真用硫セレン化カドミウムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1440584A JPS60161332A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 電子写真用硫セレン化カドミウムの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60161332A true JPS60161332A (ja) | 1985-08-23 |
Family
ID=11860134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1440584A Pending JPS60161332A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 電子写真用硫セレン化カドミウムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60161332A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105838112A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-08-10 | 四川大学 | 一种掺铬型耐温硫硒化镉大红色料及其制备方法 |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP1440584A patent/JPS60161332A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105838112A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-08-10 | 四川大学 | 一种掺铬型耐温硫硒化镉大红色料及其制备方法 |
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