JPS60145776A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS60145776A JPS60145776A JP59001580A JP158084A JPS60145776A JP S60145776 A JPS60145776 A JP S60145776A JP 59001580 A JP59001580 A JP 59001580A JP 158084 A JP158084 A JP 158084A JP S60145776 A JPS60145776 A JP S60145776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- refractive index
- convex lens
- smaller
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はビデオカメラ等に用いられる固体撮像装置に関
するものである。
するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、固体撮像装置はカメラ一体形ビデオの開発ととも
に非常に注目を集めている。
に非常に注目を集めている。
以下に従来の固体撮像装置について説明する。
第１図は従来の固体撮像装置の単位画素の断面図を示す
ものであり、１はフォトダイオード、２シ１１層間絶縁
膜、３はバノ７ベーション膜、４は遮光用アルミニウム
、６は転送ゲート、６はオーバーフローコントロールゲ
ート、ｙｉｊＮ″−１ｊｊシリコン層、８はＮ形シリコ
ン層、９はＰ十形シリコン層、１０はフィールド酸化膜
、１１はＰ形ノリコン基板、１２は光の伝搬方向である
。
ものであり、１はフォトダイオード、２シ１１層間絶縁
膜、３はバノ７ベーション膜、４は遮光用アルミニウム
、６は転送ゲート、６はオーバーフローコントロールゲ
ート、ｙｉｊＮ″−１ｊｊシリコン層、８はＮ形シリコ
ン層、９はＰ十形シリコン層、１０はフィールド酸化膜
、１１はＰ形ノリコン基板、１２は光の伝搬方向である
。
しかしながら上記のような構成では、光の伝搬方向１１
が、第１図に示したように、パソ／ベーション膜３や層
間絶縁膜２のレンズ作用によ−て散乱され、フォトダイ
オード１に到達する素子の数が減少し、感度の低下を招
き、壕だ、上記と同様の作用によシ、フォトダイオード
１の端部に到達した光子はスミアの原因となるという問
題点を有していた。
が、第１図に示したように、パソ／ベーション膜３や層
間絶縁膜２のレンズ作用によ−て散乱され、フォトダイ
オード１に到達する素子の数が減少し、感度の低下を招
き、壕だ、上記と同様の作用によシ、フォトダイオード
１の端部に到達した光子はスミアの原因となるという問
題点を有していた。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、感度の向
上、スミア低減が可能な固体撮像装置を提供することを
目的とする。
上、スミア低減が可能な固体撮像装置を提供することを
目的とする。
発明の構成
本発明は光電変換部の真上の絶縁膜上に、前記絶縁膜屈
折率と等しいか、より大きい屈折率の物質で形成された
凸レンズを備えた固体撮像装置で、この凸レンズの効果
によって、感度の向上、スミア低減を可能とすることの
できるものである。
折率と等しいか、より大きい屈折率の物質で形成された
凸レンズを備えた固体撮像装置で、この凸レンズの効果
によって、感度の向上、スミア低減を可能とすることの
できるものである。
実施例の説明
第２図は本発明の実施例における固体撮像装置の中位画
素の断面図を示すものである。１はフ第１・ダイオード
、２は層間絶縁膜、３はバツゾヘー／ヨン膜、４は遮光
用アルミニウム、６は転送ゲート、６はオーバーフロー
コントロールゲート、７はＮ］−形７リコン層、８はＮ
形シリコン層、９はＰ十形シリコン層、１ｏはフィール
ド酸化膜、１１はＰ形シリコン基板、１２は光の伝搬方
向、１３はパンシベーション膜と層間絶縁膜よりも屈折
率の小さくない物質で形成された凸レンズである。
素の断面図を示すものである。１はフ第１・ダイオード
、２は層間絶縁膜、３はバツゾヘー／ヨン膜、４は遮光
用アルミニウム、６は転送ゲート、６はオーバーフロー
コントロールゲート、７はＮ］−形７リコン層、８はＮ
形シリコン層、９はＰ十形シリコン層、１ｏはフィール
ド酸化膜、１１はＰ形シリコン基板、１２は光の伝搬方
向、１３はパンシベーション膜と層間絶縁膜よりも屈折
率の小さくない物質で形成された凸レンズである。
本実施例では、ＳｉＨ４ガスを用いた減圧ｃｖｎ法によ
りポリシリコンを成長させ、転送ゲート５おヨヒオーバ
ーフローコントロールゲー）６ｔ［成し、５ＩＨ４，０
２カスヲ用イタ常圧ＣＶＤ法テ５ｉ０２を成長させ、層
間絶縁膜２を形成した。その後、スパッタ法により約０
．５ Ｉｔ ｍのアルミニウムを蒸着し、遮光用アルミ
ニウム４を形成し、５ＩＨ４，０２ガスを用いた常圧Ｃ
ＶＤ法で５ｉｎ２を成長させ、パンシベーション膜３を
形成した。また、パッノベーション膜上の凸レンズ１３
は５１０２よりも屈折率の小さくないポリスチレンによ
って形成した。
りポリシリコンを成長させ、転送ゲート５おヨヒオーバ
ーフローコントロールゲー）６ｔ［成し、５ＩＨ４，０
２カスヲ用イタ常圧ＣＶＤ法テ５ｉ０２を成長させ、層
間絶縁膜２を形成した。その後、スパッタ法により約０
．５ Ｉｔ ｍのアルミニウムを蒸着し、遮光用アルミ
ニウム４を形成し、５ＩＨ４，０２ガスを用いた常圧Ｃ
ＶＤ法で５ｉｎ２を成長させ、パンシベーション膜３を
形成した。また、パッノベーション膜上の凸レンズ１３
は５１０２よりも屈折率の小さくないポリスチレンによ
って形成した。
以上のように構成された本実施例によれば、フォトダイ
オード部１の真上のパソンベー／ヨン膜３上に、パンシ
ベーション膜３と層間絶縁膜２よりも屈折率の小さくな
い物質で凸レンズを設けることにより、感度の向上、ス
ミア低減を可能とすることができる。尚、本実施例では
上にも下にも凸の凸レンズを形成したが、いずれか一方
が平坦な形状でもよい。また、凸レンズをポリスチレン
で形成したが、これは５１０２よりも屈折率の小さくな
い物質ならば、全て可能である。
オード部１の真上のパソンベー／ヨン膜３上に、パンシ
ベーション膜３と層間絶縁膜２よりも屈折率の小さくな
い物質で凸レンズを設けることにより、感度の向上、ス
ミア低減を可能とすることができる。尚、本実施例では
上にも下にも凸の凸レンズを形成したが、いずれか一方
が平坦な形状でもよい。また、凸レンズをポリスチレン
で形成したが、これは５１０２よりも屈折率の小さくな
い物質ならば、全て可能である。
発明の効果
本発明の固体撮像装置は、光電変換部の真上の絶縁膜上
に、前記絶縁膜よりも屈折率の小さくない物質で凸レン
ズを設けることにより、感度の向上、スミアの低減が可
能となり、その実用的効果ｔｌ、大きい。
に、前記絶縁膜よりも屈折率の小さくない物質で凸レン
ズを設けることにより、感度の向上、スミアの低減が可
能となり、その実用的効果ｔｌ、大きい。
第１図は従来の固体撮像装置の単位画素の断面図、第２
図は本発明の実施例における固体撮像装置の単位画素の
断面図である。 １・・・・・・ツメ）・ダイオード、２・・°・・・層
間絶縁膜、３・・・・・・バッソヘーンヨン膜、４・・
・・・・遮光用アルミニウム、６・・・・・転送ゲート
、６・・・・・・オーバー７゜−コントロールゲート、
１２・・・・・・光の伝搬方向、１３・・・・・・パノ
シベーンヲン膜と層間絶縁膜よりも屈折率の小さくない
物質で形成された凸レンズ。
図は本発明の実施例における固体撮像装置の単位画素の
断面図である。 １・・・・・・ツメ）・ダイオード、２・・°・・・層
間絶縁膜、３・・・・・・バッソヘーンヨン膜、４・・
・・・・遮光用アルミニウム、６・・・・・転送ゲート
、６・・・・・・オーバー７゜−コントロールゲート、
１２・・・・・・光の伝搬方向、１３・・・・・・パノ
シベーンヲン膜と層間絶縁膜よりも屈折率の小さくない
物質で形成された凸レンズ。
Claims (1)
- 光電変換部の表面の絶縁膜の上に、前記絶縁膜の屈折率
と等しいか、より大きい屈折率を有する物質で凸レンズ
が形成されていることを特徴とする［−！１体撮像装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001580A JPS60145776A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001580A JPS60145776A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145776A true JPS60145776A (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=11505450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59001580A Pending JPS60145776A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145776A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04199874A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US5371397A (en) * | 1992-10-09 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging array including focusing elements |
| US5670384A (en) * | 1993-09-17 | 1997-09-23 | Polaroid Corporation | Process for forming solid state imager with microlenses |
| KR100457335B1 (ko) * | 1997-09-11 | 2005-05-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치및그의제조방법 |
-
1984
- 1984-01-09 JP JP59001580A patent/JPS60145776A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04199874A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US5371397A (en) * | 1992-10-09 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging array including focusing elements |
| US5670384A (en) * | 1993-09-17 | 1997-09-23 | Polaroid Corporation | Process for forming solid state imager with microlenses |
| KR100457335B1 (ko) * | 1997-09-11 | 2005-05-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치및그의제조방법 |
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