JPH01220862A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH01220862A JPH01220862A JP63046673A JP4667388A JPH01220862A JP H01220862 A JPH01220862 A JP H01220862A JP 63046673 A JP63046673 A JP 63046673A JP 4667388 A JP4667388 A JP 4667388A JP H01220862 A JPH01220862 A JP H01220862A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- effect transistor
- photodiode
- silicon layer
- field effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、透明絶縁性基体上に、単結晶シリコン層より
なるチャンネル部を有する駆動用電界効果トランジスタ
とアモルファス・シリコン層よりなるホトダイオードを
設けた固体撮像素子に関するものである。
なるチャンネル部を有する駆動用電界効果トランジスタ
とアモルファス・シリコン層よりなるホトダイオードを
設けた固体撮像素子に関するものである。
従来の単結晶シリコン層よりなるチャンネル部を有する
駆動用電界効果トランジスタを有する固体撮像素子は、
特開昭６２−５８５４９公報に記載されている。第３図
に従来の固体撮像素子の断面図を示す。同図において、
ｎ形基板１５の一生表面にｐ形不純物拡散層１６を設け
、その上にそれぞれＭＯＳ）−ランジスタのソース電極
部４とトレイン電極部５を構成するｎ膨拡散層、ならび
にゲート絶縁膜６を介してゲート電極７を配置しである
。前記ｎ膨拡散層４はＰ形不純物拡散層１６と共にホト
タイオートを構成しており、このホトダイオードの接合
面の基板側に、埋込層１７を設けである。各光電変換素
子は層間絶縁膜１９および素子間分離酸化膜１８によっ
て絶縁分離されているが、前記埋込層１７は一方向に配
列した各ホトダイオードについて電気的に連結した構成
を有する。また、マトリリス状に配置された各光電変換
素子の各界効果トランジスタの各トレインとしてのｎ膨
拡散層５は、各個ごとに共通の信号配線ｌｌに接続しで
ある。
駆動用電界効果トランジスタを有する固体撮像素子は、
特開昭６２−５８５４９公報に記載されている。第３図
に従来の固体撮像素子の断面図を示す。同図において、
ｎ形基板１５の一生表面にｐ形不純物拡散層１６を設け
、その上にそれぞれＭＯＳ）−ランジスタのソース電極
部４とトレイン電極部５を構成するｎ膨拡散層、ならび
にゲート絶縁膜６を介してゲート電極７を配置しである
。前記ｎ膨拡散層４はＰ形不純物拡散層１６と共にホト
タイオートを構成しており、このホトダイオードの接合
面の基板側に、埋込層１７を設けである。各光電変換素
子は層間絶縁膜１９および素子間分離酸化膜１８によっ
て絶縁分離されているが、前記埋込層１７は一方向に配
列した各ホトダイオードについて電気的に連結した構成
を有する。また、マトリリス状に配置された各光電変換
素子の各界効果トランジスタの各トレインとしてのｎ膨
拡散層５は、各個ごとに共通の信号配線ｌｌに接続しで
ある。
（発明か解決しようとする課題）
しかし、上記従来例では、シリコン基体内に駆動用の電
界効果トランジスタを有するため、シリコン基板中で光
励起された電荷が電界効果トランジスタのソース電極部
４とトレイン電極部５を構成するｎ膨拡散層に混入しや
すく、いわゆるスミア現象を起し、偽信号を生ずる原因
となっていた。また、フォト・ダイオード部へ、受容限
界以上のエネルギーを有する光入射か起きると、フォト
ダイオード部で光電変換された過剰電荷かフォトダイオ
ード部外へ流れ、隣接画素のフォトダイオード部に混入
して、いわゆるブルーミング現象を起こし、精密な光電
変換を不可能なものとする課題を有していた。そこで、
ｎ形基板１５にＰ型不純物拡散層１６を構成し、その中
間に接合容量増大のための埋込み層１７を構成すること
によりホトダイオード部の飽和電荷蓄積容量を増やし、
ブルーミング現象を抑制する対策がとられていたが、拡
散層構成のための工程数も多く、不純物拡散の基板内バ
ラツキによるホトダイオード特性のバラツキを生しやす
かった。また、このような複雑な構造によるホトダイオ
ードを構成しても、依然として基板内を通じて生じるフ
ォトダイオード間での電荷移動や、基板内に侵入したα
線などの放射線によって生じる基板内電荷のフォトダイ
オード部や電界効果トランジスタへの混入を無くするこ
とはできなかった。さらに、シリコン基板は不透明なた
め、入射光線のホトダイオード部への入射方向は、基板
の一方の表面だけに限定されてしまっていた。そのうえ
同一基板面にフォトタイオート部と電界効果トランジス
タを構成するために電界効果トランジスタにも光か入射
しやすく、電界効果トランジスタ上に光遮蔽層を構成し
ない限り、電界効果トランジスタのチャンネル部に光励
起電流が生ずるため電界効果トランジスタのスイッチン
グ特性の悪化を招くことがあった。
界効果トランジスタを有するため、シリコン基板中で光
励起された電荷が電界効果トランジスタのソース電極部
４とトレイン電極部５を構成するｎ膨拡散層に混入しや
すく、いわゆるスミア現象を起し、偽信号を生ずる原因
となっていた。また、フォト・ダイオード部へ、受容限
界以上のエネルギーを有する光入射か起きると、フォト
ダイオード部で光電変換された過剰電荷かフォトダイオ
ード部外へ流れ、隣接画素のフォトダイオード部に混入
して、いわゆるブルーミング現象を起こし、精密な光電
変換を不可能なものとする課題を有していた。そこで、
ｎ形基板１５にＰ型不純物拡散層１６を構成し、その中
間に接合容量増大のための埋込み層１７を構成すること
によりホトダイオード部の飽和電荷蓄積容量を増やし、
ブルーミング現象を抑制する対策がとられていたが、拡
散層構成のための工程数も多く、不純物拡散の基板内バ
ラツキによるホトダイオード特性のバラツキを生しやす
かった。また、このような複雑な構造によるホトダイオ
ードを構成しても、依然として基板内を通じて生じるフ
ォトダイオード間での電荷移動や、基板内に侵入したα
線などの放射線によって生じる基板内電荷のフォトダイ
オード部や電界効果トランジスタへの混入を無くするこ
とはできなかった。さらに、シリコン基板は不透明なた
め、入射光線のホトダイオード部への入射方向は、基板
の一方の表面だけに限定されてしまっていた。そのうえ
同一基板面にフォトタイオート部と電界効果トランジス
タを構成するために電界効果トランジスタにも光か入射
しやすく、電界効果トランジスタ上に光遮蔽層を構成し
ない限り、電界効果トランジスタのチャンネル部に光励
起電流が生ずるため電界効果トランジスタのスイッチン
グ特性の悪化を招くことがあった。
そこで、本発明の固体撮像素子は、基体内に複数の不純
物層を構成することなくブルーミング現象やスミア現象
を無くし、基体の両生表面からの光の入射を可能とし、
光遮蔽層を構成することなく電界効果トランジスタの光
励起電流の発生をおさえ、放射線の影響を受けにくい高
性能の固体撮像素子を実現することを目的としている。
物層を構成することなくブルーミング現象やスミア現象
を無くし、基体の両生表面からの光の入射を可能とし、
光遮蔽層を構成することなく電界効果トランジスタの光
励起電流の発生をおさえ、放射線の影響を受けにくい高
性能の固体撮像素子を実現することを目的としている。
このような目的を達成するために、本発明の固体撮像素
子は、ホトダイオードと駆動用の電界効果トランジスタ
からなる光電素子群を配置した固体撮像素子において透
明絶縁性基体上の一部表面上に多結晶シリコン層を有し
、該多結晶シリコン層上に該多結晶シリコン層を種結晶
として構成された単結晶シリコン層よりなるチャンネル
部を有する駆動用の電界効果トランジスタを設け、該電
界効果トランジスタ上に絶縁層を有し、該絶縁層上にア
モルファス・シリコン層からなるホトダイオードを有し
、該ホトダイオードと該電界効果トランジスタのチャン
ネル部に接合する電極部の一つが、配線層を介して連絡
することを特徴とする。
子は、ホトダイオードと駆動用の電界効果トランジスタ
からなる光電素子群を配置した固体撮像素子において透
明絶縁性基体上の一部表面上に多結晶シリコン層を有し
、該多結晶シリコン層上に該多結晶シリコン層を種結晶
として構成された単結晶シリコン層よりなるチャンネル
部を有する駆動用の電界効果トランジスタを設け、該電
界効果トランジスタ上に絶縁層を有し、該絶縁層上にア
モルファス・シリコン層からなるホトダイオードを有し
、該ホトダイオードと該電界効果トランジスタのチャン
ネル部に接合する電極部の一つが、配線層を介して連絡
することを特徴とする。
以下、実施例を用いて本発明による固体撮像素子を詳細
に説明する。第１図は１本発明による固体撮像素子の一
実施例を示す要部断面図である。
に説明する。第１図は１本発明による固体撮像素子の一
実施例を示す要部断面図である。
同図において、透明絶縁性基体ｌ（たとえば石英ガラス
基板）の上に、多結晶シリコン層２を設ける。この多結
晶シリコン層２は、光の入射面を透明絶縁性基体ｌの多
結晶シリコン層２を設けた面の反対面に設定した際に、
電界効果トランジスタへの光の入射を防ぐ光遮蔽層とし
ての働きを為すと共に、電界効果トランジスタの主体を
構成する単結晶シリコン層３の成膜の際に、種結晶の役
割りを為す二つの働きをもっている。多結晶シリコン層
２の上には、単結晶シリコン層３からなる半導体層と不
純物拡散により構成されたソース電極部４とトレイン電
極部５．さらには二酸化シリコンよりなるゲート絶縁膜
６とゲート電極７が設けられ電界効果トランジスタか構
成されている。この電界効果トランジスタは、その側面
及び上部を絶縁層８（たとえば二酸化シリコンや窒化シ
リコン）に囲まれ、その下部を多結晶シリコン層２を狭
んて透明絶縁性基体ｌで囲む完全素子分離形になってい
るために、導電性のシリコン基板内に作られた電界効果
トランジスタに生じるような放射線や光励起によって基
板内の電荷が電界効果トランジスタ内に侵入するような
現象は起きない。そのため、特に、光励起電流の発生量
は小さく、本発明の電界効果トランジスタはシリコン基
板内に構成された電界効果トランジスタと比べると只以
下に光励起電流を抑えることが可能である。前記電界効
果トランジスタ上には、絶縁層８を挟んでアモルファス
・シリコン層からなるフォトダイオード１０が設けられ
る。このアモルファス・シリコンよりなるフォトダイオ
ード１０は、し）わゆるｐｉｎ植層形層形ので、その積
層の順番は光の入射面を透明絶縁性基体ｌのどちらの主
表面に設定するかによって異なっており、ｐｉｎｅ層と
ｎｌｐｕ層の相方か可能である。さらに、アモルファス
・シリコン層からなるフォトダイオード１０は、光電変
換の役割を果たすと共に、光の入射面が透明絶縁性基体
のフォトダイオード１０と電界効果トランジスタの積層
した面に設定された際には、電界効果トランジスタへ入
射する光を遮蔽する役割をも有している。前記のように
、光の入射面か、固体撮像素子の積層面と逆の面にある
ときには、種結晶となる多結晶シリコン層２か光遮蔽層
となり、また、積層面側に入射面か設定されたときには
光電変換部となるアモルファス・シリコン層からなるフ
ォトダイオード１０か光遮蔽層となる。このため、光の
入射面を透明絶縁性基体ｌのいずれの主表面に設定して
も光遮蔽層か基本的構成要素により実現でき、特に光遮
蔽層を作り込まなくとも光入射による電界効果トランジ
スタの特性劣化を抑制することが可能である。さらに、
フォトダイオード１０は、絶縁層８上にあり隣接のフォ
トダイオードと離れて存在する。したがって、導電性の
シリコン基体内に設けられたフォトダイオード間に生じ
る過剰電荷の混入によるブルーミングも発生せず、フォ
トダイオードｌＯの外からの電荷の異常流入は生じない
。また、第２図にみられるようにフォトダイオードｌＯ
を構成するアモルファス・シリコンのフォトダイオード
の感度１３の光波長依存性は、人間の視感度１２に近く
、単結晶シリコンのフォトダイオードの視感度１４に比
べ、人間の視感度に対するずれをもたない。このため、
シリコン基板中に構成されたフォトダイオードの感度を
、人間の視感度１２に合わせるためには長波長光の光を
カットしてフォトダイオードに光を入射することが必要
で、赤外カットフィルターを要する。ところが、本発明
のフォトダイオードｌＯは、アモルファス・シリコン層
より形成されるために、赤外カットフィルターを付けな
くとも人間の視感度１２に合致した光電変換が容易に可
能である。さらに、多結晶シリコン層２を種結晶とした
単結晶シリコン層３の構成をおこなう構造となっている
ため、５インチあるいは６インチシリコン基板を使う固
体撮像素子と異なり、大面積で安価な透明絶縁性基体を
使用することが可能で、−基体から多数の固体撮像素子
群を低コストで得ることができる。そのうえ、シリコン
基板を使用する場合と異なり、不純物拡散によるウェル
構成も不要である。したがって、拡散長のバラツキに共
なう素子特性のバラツキも抑制てきる。
基板）の上に、多結晶シリコン層２を設ける。この多結
晶シリコン層２は、光の入射面を透明絶縁性基体ｌの多
結晶シリコン層２を設けた面の反対面に設定した際に、
電界効果トランジスタへの光の入射を防ぐ光遮蔽層とし
ての働きを為すと共に、電界効果トランジスタの主体を
構成する単結晶シリコン層３の成膜の際に、種結晶の役
割りを為す二つの働きをもっている。多結晶シリコン層
２の上には、単結晶シリコン層３からなる半導体層と不
純物拡散により構成されたソース電極部４とトレイン電
極部５．さらには二酸化シリコンよりなるゲート絶縁膜
６とゲート電極７が設けられ電界効果トランジスタか構
成されている。この電界効果トランジスタは、その側面
及び上部を絶縁層８（たとえば二酸化シリコンや窒化シ
リコン）に囲まれ、その下部を多結晶シリコン層２を狭
んて透明絶縁性基体ｌで囲む完全素子分離形になってい
るために、導電性のシリコン基板内に作られた電界効果
トランジスタに生じるような放射線や光励起によって基
板内の電荷が電界効果トランジスタ内に侵入するような
現象は起きない。そのため、特に、光励起電流の発生量
は小さく、本発明の電界効果トランジスタはシリコン基
板内に構成された電界効果トランジスタと比べると只以
下に光励起電流を抑えることが可能である。前記電界効
果トランジスタ上には、絶縁層８を挟んでアモルファス
・シリコン層からなるフォトダイオード１０が設けられ
る。このアモルファス・シリコンよりなるフォトダイオ
ード１０は、し）わゆるｐｉｎ植層形層形ので、その積
層の順番は光の入射面を透明絶縁性基体ｌのどちらの主
表面に設定するかによって異なっており、ｐｉｎｅ層と
ｎｌｐｕ層の相方か可能である。さらに、アモルファス
・シリコン層からなるフォトダイオード１０は、光電変
換の役割を果たすと共に、光の入射面が透明絶縁性基体
のフォトダイオード１０と電界効果トランジスタの積層
した面に設定された際には、電界効果トランジスタへ入
射する光を遮蔽する役割をも有している。前記のように
、光の入射面か、固体撮像素子の積層面と逆の面にある
ときには、種結晶となる多結晶シリコン層２か光遮蔽層
となり、また、積層面側に入射面か設定されたときには
光電変換部となるアモルファス・シリコン層からなるフ
ォトダイオード１０か光遮蔽層となる。このため、光の
入射面を透明絶縁性基体ｌのいずれの主表面に設定して
も光遮蔽層か基本的構成要素により実現でき、特に光遮
蔽層を作り込まなくとも光入射による電界効果トランジ
スタの特性劣化を抑制することが可能である。さらに、
フォトダイオード１０は、絶縁層８上にあり隣接のフォ
トダイオードと離れて存在する。したがって、導電性の
シリコン基体内に設けられたフォトダイオード間に生じ
る過剰電荷の混入によるブルーミングも発生せず、フォ
トダイオードｌＯの外からの電荷の異常流入は生じない
。また、第２図にみられるようにフォトダイオードｌＯ
を構成するアモルファス・シリコンのフォトダイオード
の感度１３の光波長依存性は、人間の視感度１２に近く
、単結晶シリコンのフォトダイオードの視感度１４に比
べ、人間の視感度に対するずれをもたない。このため、
シリコン基板中に構成されたフォトダイオードの感度を
、人間の視感度１２に合わせるためには長波長光の光を
カットしてフォトダイオードに光を入射することが必要
で、赤外カットフィルターを要する。ところが、本発明
のフォトダイオードｌＯは、アモルファス・シリコン層
より形成されるために、赤外カットフィルターを付けな
くとも人間の視感度１２に合致した光電変換が容易に可
能である。さらに、多結晶シリコン層２を種結晶とした
単結晶シリコン層３の構成をおこなう構造となっている
ため、５インチあるいは６インチシリコン基板を使う固
体撮像素子と異なり、大面積で安価な透明絶縁性基体を
使用することが可能で、−基体から多数の固体撮像素子
群を低コストで得ることができる。そのうえ、シリコン
基板を使用する場合と異なり、不純物拡散によるウェル
構成も不要である。したがって、拡散長のバラツキに共
なう素子特性のバラツキも抑制てきる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明による固体撮像素子によれ
ば、以下に示す効果を有する。
ば、以下に示す効果を有する。
ｌ・・種結晶となる多結晶シリコン層を存在したことに
より、シリコン基板り安価で大面積な透明絶縁性基体上
に固体撮像素子を多数作ることか可能で、低コストな固
体撮像素子が実現できる。
より、シリコン基板り安価で大面積な透明絶縁性基体上
に固体撮像素子を多数作ることか可能で、低コストな固
体撮像素子が実現できる。
２・・透明絶縁性基体を使用することにより、光の入射
面を主二表面の相方のいずれの面に設定することか可能
で、ホトダイオードの構造の任意性も広げることかでき
る。
面を主二表面の相方のいずれの面に設定することか可能
で、ホトダイオードの構造の任意性も広げることかでき
る。
３・・多結晶シリコン層とフォトダイオードが電界効果
トランジスタに入射する光を遮蔽するため、光遮蔽層を
作り込む必要がなく、電界効果トランジスタの光電流に
よる特性劣化を抑制することができる。
トランジスタに入射する光を遮蔽するため、光遮蔽層を
作り込む必要がなく、電界効果トランジスタの光電流に
よる特性劣化を抑制することができる。
４・・アモルファス・シリコン層より構成されるフォト
ダイオードは、隣接するフォトダイオードと分離されて
いるためにフォトダイオードの飽和蓄積電荷より過剰に
発生した電荷が導電層を流れて隣接するフォトダイオー
ド間で流れるツルーミング現象は生じない。このため、
精密な光電変換か可能である。
ダイオードは、隣接するフォトダイオードと分離されて
いるためにフォトダイオードの飽和蓄積電荷より過剰に
発生した電荷が導電層を流れて隣接するフォトダイオー
ド間で流れるツルーミング現象は生じない。このため、
精密な光電変換か可能である。
５・・電界効果トランジスタは絶縁物で囲まれた素子分
離形状となっているために、電界効果トランジスタへの
周囲からの異常電荷流入は生じない。このため、駆動用
電界効果トランジスタの正確な動作が可能である。
離形状となっているために、電界効果トランジスタへの
周囲からの異常電荷流入は生じない。このため、駆動用
電界効果トランジスタの正確な動作が可能である。
６・・シリコン基板を使う場合のように不純物拡散によ
るウェルを構成する必要もなく、拡散の精密なコントロ
ール、拡散工程も不要て、拡散長のバラツキによる素子
特性のバラツキも抑制することが可能である。
るウェルを構成する必要もなく、拡散の精密なコントロ
ール、拡散工程も不要て、拡散長のバラツキによる素子
特性のバラツキも抑制することが可能である。
第１図は本発明の固体撮像素子の一実施例を示す要部断
面図、第２図は、アモルファスシリコン及び単結晶シリ
コンよりなるフォトダイオードの相対感度と人間の視感
度の波長依存性を示す図、第３図は、従来の固体撮像素
子を示す断面図である。 ｌ・・・透明絶縁性基体 ２・・・多結晶シリコン層 ３・・・単結晶シリコン層 ４・・・ソース電極部 ５・・・トレイン電極部 ６・・・ゲート絶縁膜 ７・・・ゲート電極 ８・・・絶縁層 ９・・・配！１層 １０・・・フォトダイオード １１・・・信号配線 １２・・・人間の視感度 １３・・・アモルファス・シリコンのフォトダイオード
の感度 １４・・・単結晶シリコンのフォトダイオードの感度 １５・・・ｎ形基板 １６・・・Ｐ形不純物拡散層 １７・・・埋込層 １８・・・素子間分離酸化膜 １９・・・層間絶縁膜 以上 葛 １ 母 ￥ ２１幻 葛 ３ １ｉ
面図、第２図は、アモルファスシリコン及び単結晶シリ
コンよりなるフォトダイオードの相対感度と人間の視感
度の波長依存性を示す図、第３図は、従来の固体撮像素
子を示す断面図である。 ｌ・・・透明絶縁性基体 ２・・・多結晶シリコン層 ３・・・単結晶シリコン層 ４・・・ソース電極部 ５・・・トレイン電極部 ６・・・ゲート絶縁膜 ７・・・ゲート電極 ８・・・絶縁層 ９・・・配！１層 １０・・・フォトダイオード １１・・・信号配線 １２・・・人間の視感度 １３・・・アモルファス・シリコンのフォトダイオード
の感度 １４・・・単結晶シリコンのフォトダイオードの感度 １５・・・ｎ形基板 １６・・・Ｐ形不純物拡散層 １７・・・埋込層 １８・・・素子間分離酸化膜 １９・・・層間絶縁膜 以上 葛 １ 母 ￥ ２１幻 葛 ３ １ｉ
Claims (1)
- ホトダイオードと駆動用の電界効果トランジスタから
なる光電変換素子群を配置した固体撮像素子において、
透明絶縁性基体の一部表面上に多結晶シリコン層を有し
、該多結晶シリコン層上に該多結晶シリコン層を種結晶
として構成された単結晶シリコン層よりなるチャンネル
部を有する駆動用の電界効果トランジスタを設け、該電
界効果トランジスタ上に絶縁層を有し、該絶縁層上にア
モルファス・シリコン層からなるホトダイオードを有し
、該ホトダイオードと該電界効果トランジスタのチャン
ネル部に接合する電極部の一つが、配線層を介して連結
することを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046673A JPH01220862A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046673A JPH01220862A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220862A true JPH01220862A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12753886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63046673A Pending JPH01220862A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01220862A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1197690A (ja) * | 1997-09-20 | 1999-04-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサおよびイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置 |
| JP2004265932A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
| US7541617B2 (en) | 2003-02-14 | 2009-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation image pickup device |
| JP2012160743A (ja) * | 2012-03-20 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ、電子機器 |
| JP2012169584A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-09-06 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及び撮像装置 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046673A patent/JPH01220862A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1197690A (ja) * | 1997-09-20 | 1999-04-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサおよびイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置 |
| US7791117B2 (en) | 1997-09-20 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image sensor and image sensor integrated type active matrix type display device |
| US8564035B2 (en) | 1997-09-20 | 2013-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image sensor and image sensor integrated type active matrix type display device |
| JP2004265932A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
| US7541617B2 (en) | 2003-02-14 | 2009-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation image pickup device |
| JP2012169584A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-09-06 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及び撮像装置 |
| JP2012160743A (ja) * | 2012-03-20 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ、電子機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4242694A (en) | Solid-state color imaging device | |
| GB2046015A (en) | Solid-state imaging device | |
| JP4779304B2 (ja) | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール | |
| KR960002645B1 (ko) | 전하 전송장치 및 고체 촬상장치 | |
| JP2866328B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH01220862A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0416948B2 (ja) | ||
| JPH0463473A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH05291549A (ja) | 積層型固体撮像デバイス | |
| JPH0424964A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6089967A (ja) | 光電変換素子 | |
| US20190051682A1 (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same | |
| KR970002123B1 (ko) | 적외선 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| JPS63182854A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS59163860A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS60145776A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS5870685A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS61226955A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0821704B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR0172833B1 (ko) | 고체촬상소자 | |
| JPH04158575A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS63266872A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0287573A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS5922371A (ja) | 半導体光検出装置及びその製造方法 | |
| JPS61234072A (ja) | 固体撮像素子 |