JPS60135457A - 感光性重合体組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体素子、マイクロエレクトロニクス素子等
で用いられる感光性重合体組成物に関するものである。

〔発明の背景〕

従来、半導体素子、マイクロエレクトロニクス素子等の
眉間絶縁膜や表面保護膜には、（ＩＩ膜形成が容易、＋
２１膜の平担化能が優れている、（３）耐熱性が高い、
（４）電気的１機械的特性が優れていることから、ポリ
イミドが用いられている。

最近は、（１）ポリイミド前駆体であるポリアミド酸に
感光基を導入した感光性重合体、（２）ポリアミド酸と
感光性付与剤とから成る感光性重合体組成物は、フォト
レジストと絶縁膜機能を兼ねるため、ポリイミド膜のパ
ターン形成プロセスが大幅に合理化されることから現在
まで数多くの材料が検討されて来た。

その具体的な例を挙けると、（イ）ポリアミド酸（ポリ
イミド前駆体）を主成分とするポリマーと、化学線によ
り２量化又は重合可能な炭素−炭素二重結合およびアミ
ノ基を含む化合物とから成組成物、（ロノボリアミド酸
のカルボキシル残基にエステル結合によってメタクリロ
イル又はアクリロイル基含有基を導入した重合体、（ハ
）ポリアミド酸と芳香族アジド基又はヌルホニルアジド
基を含むアミン化合物とから成る組成物などが知られて
いる。

これら感光性ポリイミド前駆体又は前駆体組成物の開発
が進む中で、作業性の改善を図るためあるいは素子特性
を確保するために、ＩＣ，トランジスタ等の表面保護膜
やハイブリッドＩＣ。

ファクシミリ用感熱記録ヘッド等の薄膜デバイスの絶縁
膜として用いる場合、１回塗布によるパターン形成工程
によって薄膜デバイス用絶縁膜としては比較的厚い５μ
ｍ以上のポリイミド膜をパターン化することが望まれて
来た。

しかしながら前記した感光性ポリイミド前駆体又は前駆
体組成物の場合、印、（ロ）は感度が低い、現像時に光
硬化した部分が除々に溶解するため、膜厚の再現安定性
が乏しい等作業性の面で問題点があった。又、（ハ）の
場合は膜のＵＶ吸収が太きく、ＵＶ透過率が低いため５
μｍ以上の厚膜のパターン化に対処するのは困難であっ
た。

〔発明の目的〕

本発明の目的は前記した従来技術の問題点を克服し、５
μｍ以上の厚膜のパターン化が可能でかつ作業性に優れ
た感光性重合体組成物を提供することにある。

〔発明の概要〕

上記目的を達成するためは、塗布、乾燥後の感光性被膜
のＵＶ透過率（波長域３５０〜４５０　ｎｍ　。

高圧水銀灯の発光ピーク３６５，４０５，４３６　ｎｍ
に対応）を高めかつＵＶ照射によって生成する光架橋鎖
の形成速度、効率を高める必要があると考え鋭意検討し
た結果、 ポリアミド酸、ビヌアジド光架橋剤、炭素−炭素二重結
合を有するアミン化合物、分子内に１個以上の水酸基を
含みかつその沸点が常圧で１５０℃以上の化合物とから
成る感光性重合体組成物において、ポリアミド酸の構造
が一般式ＣＩ）の繰り返し単位で表わされるポリアミド
酸を用い（但し、Ｒ１は２価の芳香族環含有有機基又は
ケイ素含有有機基を表わす。） ビスアジド光架橋剤が一般式（Ｉｔ）で表わされるビス
アジド光架橋剤を用い、かつその配合割合が一般式（１
）で表わされるポリアミド酸１００重量部に対し、２〜
１０重量部の割合で配合されることを特徴とする感光性
重合体組成物が、作業性に優れ、厚膜のパターン化が可
能であることを見い出した。

（但し、式中Ｘは水酸基、カルボキシル基、ヒドロキア
ルキル基、アルコキシ基、アルキルゴスチル基、アミン
基を表わし、Ｎ、基はベンゼン核においてメタ又はバラ
位に位置する。）感光性被膜のＵＶ透過率を高めるため
には、ベースポリマであるポリアミド酸のＵＶ透過率を
高める必要がある。ポリアミド酸のＵＶ透過率を低下さ
せる要因の１つとして、一般式（ＩＩＩ）の繰り返し単
位で表わされるポリアミド酸において、リアミド酸全体
が共役系に組み込まれるためＵＶ吸収域の長波長化が起
ることが挙げられる。

この共役な断ち切り、ＵＶ吸収域の長波長化を防（但し
ルは０又は整数を表わす）が考えられるが、ルが１以上
の場合酸化反応に対して活性なベンジル位のメチレンを
含むためにポリイミドとした時の耐熱性、耐環境性が不
十分になると考えた。

これに対し、ルー０．即ちビフェニル骨格を有する場合
はＵＶ吸収域の長波長化が抑制されてＵＶ透過率が向上
するととも、ポリイミドとした時の耐熱性も十分なもの
とすることができることを見い出した（４５０〜５２０
℃以上の耐熱性が確保された）。

ＵＶ照射による光架橋鎖の形成速度、効率を高めるため
には光反応性の高い光架橋剤を用いることが必要である
。この目的で供せられている光架橋剤としては環化ボリ
イプレンをベースポリマとするネガ形フォトレジストで
用いられている式〔■〕又は式〔■〕で示されるビスア
ジド光架橋剤が挙けられる。しかしながら、これらはポ
リアミド酸に対する相溶性が乏しく、感光性ＣＨ。

被膜から分離、析出するため用いることができない。こ
れに対し、シクロヘキサノン環の４位に極性置換基を導
入した一般式（ＩＩ）で示されるビスアジド光架橋剤は
、極性の高いポリアミド酸との相溶性に優れているため
、上記目的の光架橋剤として供することができる。

一般式（ｎ）で表わされるビスアジド光架橋剤の配合割
合は前記した目的を達成するために、ポリアミド酸（１
３１００重量部に対し、２〜１０重量部の割合で配合す
る。ビスアジド光架橋剤（ｎ）自身もＵＶを吸収するた
め、この範囲を逸脱して配合量を太き（すると厚膜のパ
ターン化が難しい。また、この範囲を逸脱して配合量を
少なくすると架橋密度の低下をもたらすため感度が低下
したり、現像時に光硬化した部分の膜厚の再現安定性が
不十分になる等の不都合が生ずる。

以下本発明について詳細に説明する。

Ｃ’Ｈ３ 舎ｏ　−＠＠−ｏ　−◎− ＣＥ、　ＣＭ。

などが挙けられる。

一般式［１３の繰り返し単位で表わされるポリアミド酸
は、上記に示したＲＩの具体例の中で、異った２種以上
のＲＩを用いた共重合体として用いてもさしつかえない
。

一般式〔■〕で示されるビスアジド光架橋剤としては、 ＯＣＥ。

ＣＥ、　ＯＲ ０ＯＥ ０ Ｃ’ＵＯＣＨ。

Ｈ 吟Ｂ ＣＲ １１２ＯＨ ０ＯＨ ｃｏｏｃＢ。

Ｎｌｉ。

などが好適な例として挙げられる。

架橋助剤として配合する炭素−炭素二重結合を有するア
ミン化合物としては一般式〔■〕で表わされる化合物が
好適な例として挙げられる。

（但し、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ８、Ｒ１１は水素、低級アルキ
ル基、フェニル基、ビニル基の中から選択された基、Ｒ
７はアルキレンを表わす。） 具体的には、２−（）Ｉ、Ｎ−ジメチルアミノ）エチル
アクリレート、２−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）エチル
メタクリレ−）、３−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）プロ
ピルアクリレート、６−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）ゾ
ロビルメタクリレート、４−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ
）ブチルアクリレート、４−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ
）ブチルメタクリレート、５−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミ
ノ）ペンチルアクリレート、５−（Ｎ　、Ｎ−ジメチル
アミノ）ペンチルメタクリレート、６−（Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアミノ）へキシルアクレート、６−（Ｎ、Ｎ〜ジメ
チルアミノ）へキシルメタフレレート、２−（Ｎ、Ｎ〜
ジメチルアミノ）エチルシンナメート、６−（Ｎ　、Ｎ
−ジメチルアミノ）プロピルシンナメートなどが好適な
例として挙げられる。

アミン化合物（ＶＩＵの配合割合は一般式〔１〕で表わ
される繰り返し単位を主成分とするポリマ１００重量部
に対して１重量部以上、４００重量部以下で用いるが、
好しくは１０重量部以上４００１量部以下で用いるのが
望しい。上記範囲を逸脱すると、現像性や最終生成物の
ポリイミドの膜質に悪影響をもたらす。

現像の際に生ずるクラックを防止することを目的として
加える分子内に１個以上の水酸基を含みかつその沸点が
常圧で１５０℃以上の化合物としては、エチレングリコ
ール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール
、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール
、プロピレングリコール、ジプロピレンクリコール。

トリプロピレングリコール、グリセリン、トリエチレン
グリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコー
ルモノエチルエーテルナトカ挙けられる。好しくは、ト
リエチレングリコール、テトラエチレングリコール、グ
リセリンが良（・。

上記化合物の配合割合は、一般式ＣＩ）で表わされる繰
り返し単位のポリアミド酸ｉｏｏ重量部に対して１重量
部以上５０重量部以下が良く、１０重量部以上４０重量
以下で用−・るのが好ましい。

この範囲を逸脱すると、現像性に悪影蕃を及をますＯ 本発明による感光性重合体組成物は上記構成分を適当な
有機溶剤に溶解した溶液状態で用−・るが、この場合用
いる溶剤としては溶解性の観点から非プロトン性極性溶
媒が望しく、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチ
ル−２−ピロリドン、Ｎ−ベンジル−２−ピロＩＪドア
、＃１Ｎ−ジメチルホルムアミド、ＮｌＮ−ジメチルア
セトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホス
ホルトリアミド、Ｎ−アセチル−ε−カグゾロクタム、
ジメチルイミダゾリジノンなどが例として挙けられる。

これらは単独で用いても良し・し、混合して用いること
も可能である。溶剤の量は一般式（１）の繰り返し単位
で表わされるポリアミド酸を１００重量部とした時、こ
れに対して１００重量部以上１’０．０００重量部以下
で用いるのが望しく、さらに好しくは２００重量部以上
５０００重量部以上で用いるのが望しく、この範囲を逸
脱すると成膜性に影参を及はす。

上記組成物には感度向上の目的で適宜増感剤を添加して
もさしつかえないが、添加量は一般式〔Ｉ〕の繰り返し
単位で表わされるポリアミド酸と、一般式（ｎ）で表わ
されるビスアジド光架橋剤の総和を１００重量部とした
場合、これの０．１重量部以上１０重量部以下で用℃・
るのが望しく、この範囲を逸脱すると現像性、最終ポリ
イミドの耐熱性に悪影響をもたらす。

芳香族ビスアジド化合物の増感に有効な化合物は角田、
山間［Ｐｈｏｔ、Ｓｃｉ　、Ｅｎｄ、、　１７．３９０
（１９７３）　］らによって詳しく報告されている。

なかでもアントロン、１，９−ベンゾアントロン、アク
リジン、シアノアクリジン、ニトロピレン、１，８−ジ
ニトロピレン、ミヒラケトン、５−ニトロアセナフテン
、２−ニトロピレン。

ピレン−１，６−キノン、９−フルオレノン、１．２−
ベンゾアントラキノン、アントアントロン、２−クロロ
−１，２−ベンズアントラキノン、２−ブロモベンズア
ントラキノン、２−クロロ−１，８−フタロイルナフタ
レンなどが好ましい。

本発明による感光性重合体組成物の塗膜または加熱硬化
後のポリイミド被膜と支持基板の接着性を向上させるた
めに適宜支持基板を接着助剤で処理してもさしつかえな
い。

支持基板としては、金属、ガラス、半導体。

金属酸化物絶縁体（例えｉｊ　Ｔｉｅ、　、　Ｔａ、０
５．　Ｓｉｎ。

など）、窒化ケイ素などが例として挙げられる。

本発明による感光性重合体組成物は通常の微細加工技術
でパターン加工が可能である。上記支持体への本重合体
組成物の塗布にはスピンナを用いた回転塗布、浸漬、噴
霧印刷などの手段が可能であり、適宜選択することがで
きる。塗布膜厚は塗布手段、本重合体組成物のフェンの
固形分濃度、粘度等によって調節可能である。

示持基板上で塗膜となった本発明による感光性重合体組
成物に紫外線を照射し、次に未露光部を現像液で溶解除
去することによりレリーフパターンを得る。光源は紫外
線に限らず可視光線、放射線であってもさしつかえない
。

現像液としてはＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセ
チル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジメチルイミダ
ゾリジノンＮ−ベンジル−２−ピロリドン、　Ａ’−７
＊チル−ε−カプロラクタムなどの非プロトン性極性溶
媒な単独るるいはメタノール、エタノール。

インゾロビルアルコール、ベンゼン、トルエン。

キシレン、メテルセロンルブ、水などのポリアミド酸の
非溶媒との混合液として用いることができる。

現像によって形成したレリーフ・パターンは次いでリン
ス液によりて洗浄し、現像溶媒を除去する。リンス液に
は現像液との混和性の良いポリアミド酸の非溶媒を用い
るが、メタノールエタノール、インゾロビルアルコール
、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルセロソルフ。

水などが好適な例として挙げられる。

上記の処理によって得られたレリーフ・パターンのポリ
マはポリイミドの前駆体であり、１５０℃から４５０℃
までの範囲がら選はれた加熱温度で処理することにより
イミド環や他の環状基を持つ耐熱性ポリマのレリーフ・
パターンとなる。

以下、本発明を実施例によって説明する。

実施例を 窒素気流下に４．４′−ジアミノジフェニルエーテル１
００　ｔ　（０，５モル）をＮ−メチル−２−ピロリド
ン１３８８Ｆに溶解してジアミン溶液を調合した。次に
この溶液を水冷によって約１５℃の温度に保ちながら、
攪拌下に３．５’、４．４−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物１４７　ｔ　（０，５モル）を加えた。加え
終えてからさらに約１５℃で５時間反応させて、粘度５
０ポアズ（６０℃）のボボリアミド酸（，４）の溶液２
０ｆ（ポリアミド酸含有量ａｆ）に、２．６−ビス（パ
ラアジドベンザル）−４−ヒドロキシシクロへキサノン
０．０２９　（０，０５４ミリモル）、３−、（ＡＩ　
、　Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルメタクリレート２．
５ｖ（０，０１４６モル）、グリセリン０．３（ｌを溶
解し、次いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過した
。

得られた溶液をスピンナでＭ表面を持つ基板上に回転塗
布し、９０℃で２０分間乾燥して感光性被膜を得た。こ
の被膜を２０μｍのラインアンドスペースの縞模様のフ
ォトマスクで密着被覆し、５００Ｗ高圧水銀灯で１５秒
間紫外線照射した。

露光後Ｎ−メチル−２−ピロリドン４容、エタノール１
容から成る混液で現像し、次いでエタノールでリンスし
てレリーフパターンを得た。

次いで、窒素雰囲気下１８０℃で３０分間、４００℃で
６０分間の順に熱キユアして膜厚６２μｍのポリイミド
のレリーフパターンを得た。この時、パターンは強固に
基板に密着し、フォトマスクのパターンが忠実に転写さ
れていた。

実施例２゜ 実施例１で得たポリアミド酸（Ａ）の溶液２０ｆに対し
、２，６−ビス（パラアジドベンザル）−４−メチロー
ルシクロへキサノン０．２５Ｆ（０，６５ミリモル）、
４−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）ブチルメタクリレ−）
　２．５　？　（０，０１３５モル）テトラエチレング
リコール１．２ｆを溶解し、次いで１μｍ孔のフィルタ
を用いて加圧濾過した。得られた溶液を２ピンナでＳｉ
ｎ、表面を持つ基板上に回転塗布し、７０℃で３０分間
乾燥して感光性被膜を得た。この被膜を２０μｍのライ
ンアンドスペースの縞模様のフォトマスクで密着被覆し
５００Ｗ高圧水銀灯で１５秒間紫外線照射した。露光後
、ジメチルアセトアミド４容、エタノール１容から成る
混液で現像し、次いでエタノールでリンスしてレリーフ
パターンを得た。次いで窒素雰囲気下２００℃で３０分
間、４００℃で６０分間の順に熱キユアして膜厚５，２
μｍのポリイミドのレリーフパターンを得た。この時、
パターンは強固に基板に密着し、フォトマスクのパター
ンが忠実に転写されていた。

実施例６゜ 実施例１で得たポリアミド酸（，４）の溶液２０１に対
し、２，６−ビス（パラアジドベンザル）＝４−カルボ
キシシクロへキサノン０１４ｔ（０，３５ミリモル）、
３−（＃、＃−シｙｌｆｋ７ミノ）プロピルメタクリレ
ート２゜１　ｆ　（０，０１２モル）、トリエチレング
リコール０．７５ｆを溶解し欠いて１μｍ孔のフィルタ
を用いて加圧濾過した。

得られた溶液をスピンナでシリコンウェハ上に回転塗布
し、８５℃で２０分間乾燥して感光性被膜を得た。この
被膜を２０μｍのラインアンドスペースの縞模様のフォ
トマスクで密着被覆し、５００Ｗ高圧水銀灯で１５秒間
紫外線照射した。露光後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
４容、水１容から成る混液で現像し、次いで水でリンス
してレリーフパターンを得た。次いで音素雰囲気下、２
００℃で３０分間、４００℃で６０分間の順に熱キユア
して膜厚５．８μｍのポリイミドのレリーフパターンを
得た。この時、パターンは強固に基板に密着し、フォト
マスクのパターンが忠実に転写されていた。

実施例４゜ 窒素気流下にパラフェニレンジアミン５４２（０゜５モ
ル）をＮ−メチル−２−ピロリドン１１３９２に溶解し
てジアミン溶液を調製した。次Ｋ、この溶液を水冷によ
って約１５℃の温度に保ちながら、攪拌下に３．３’、
４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１４７
９　（０，５モル）を加えた。加え終てからさらに約１
５℃で５時間反応させて４０ポアズ（３０℃）のポリア
ミド酸（Ｂ）の溶液を得た。

ポリアミド酸（Ｂ）の溶液２０２（ポリアミド酸含有量
５．ｏｆ）に２．６−ビス（パラアジドベンザル）−４
−ヒドロキシシクロへキサノン０．２８ｆ（０，７５ミ
リモル）、５−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルメ
タクリレート２．５ｆ　（０，０１４６モル）、トリエ
チレンクリコールｏ、７ｒヲ溶解り次いで１μｍ孔のフ
ィルタを用いて加圧ｒ過した、次に実施例１に示したの
と全く同じ条件で成膜、パターン化し、膜厚６．２μｍ
のポリイミドのレリーフパターンを得た。この時、パタ
ーンは強固に基板に密着し、フォトマスクのパターンが
忠実に転写されていた。

実施例５゜ 実施例４で得たポリアミド酸（Ｂ）の溶液２０２を用い
ることの他は実施例２と全く同一の薬剤の配合量、組成
物溶液の調製法、パターン形成条件で実験し、膜厚５．
５μｍのポリイミドのレリーフパターンを得た。この時
、パターンは強固に基板に密潔し、フォトマスクのパタ
ーンが忠実に転写されてた。

実施例６゜ 実施例４で得たポリアミド酸（Ｂ）の溶液２０２を用い
ることの他は実施例３と全く同一の薬剤の配合量、組成
物溶液の調製法、パターン形成条件で実験し、膜厚５．
４μｍのポリイミドのレリーフパターンを得た。この時
、パターンは強（６）に基板に密着し、フォトマスクの
パターンが忠実に転写されて（・た。

実施例Ｚ 窒素気流下にバラフェニレンジアミン２７２（０，２５
モル）と４，４′−ジアミノジフェニルエーテル５１（
０，２５モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン１２６９
ｆに溶解してジアミン溶液を調製した。次に、この溶液
を水冷によって約１５℃の温度に保ちながら、攪拌下に
３．３’、４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物１ａ７１　（０，５モル）を加えた。加え終えてか
ら烙らに約１５℃で５時間反応させて４５ポアズ（３０
℃）の繰り返し単位ＣＡ）と（Ｂ）の共重合体で表わさ
れるポリアミド酸（Ｃ“）の溶液を得た。

ポリアミド酸（Ｃ゛）の溶液２０？を用いることの他は
実施例１，２．３と全く同一の薬剤、配合量調製法によ
ってそれぞれ感光性重合体組成溶液（イ）、（ロ）、（
９を得た。これらＧ）、（ロ）、ｅ９を用い、実施例６
と四−のパターン形成条件によって膜厚５５〜６．５μ
ｍのポリイミドのレリーフパターンを得た。これらのパ
ターンはいずれも強固に基板に密着し、フォトマスクの
パターンが忠実に転写されていた。

実施例８゜ 窒素気流下に４，４′−ジアミノビフェニル９２ｆ　（
０，５モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン１５５４ｆ
に溶解してジアミン溶液を調製した。次に、この溶液を
水冷によって約１５℃の温度に保ちながら、攪拌下に３
　、３’　、　４　、４’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物１４７ｆ　（０，５モル）を加えた。加え終
えてからさらに約１５℃で５時間反応させて５０ポアズ
（３０℃）のポリアミド酸ＣＤ）の溶液を得た。

ポリアミド酸（１））の溶液２０ｆを用いることの他は
実施例１，２．３と全く同一の薬剤、配合量、調製法に
よってそれぞれ感光性重合体組成物溶液に）、（ホ）、
（へ）を得た。これらに）、（ホ）、（へ）を用い実施
例３と同一のパターン形成条件によって膜厚５．５〜７
μｍのポリイミドのレリーフパターンを得た。これらの
パターンはいずれも強固に基板に密着し、フォトマスク
のパターンが忠実に転写されていた。

比較例１ 窒素気流下に４，４′−ジアミノジフェニルエーテ／ｌ
／　１００　ｆ　（０，５モ＃　）をＮ−メｆルー２−
ヒロリドン１１８４Ｆに溶解し、ジアミン溶液を調製し
た。次に、この溶液に水冷によって約１５℃の温度に保
ちながら、攪拌下にピロメリット酸二無水物１０９　ｆ
　（０，５モル）を加えた。加え終えてからさらに約１
５℃で５時間反応させて、粘度７０ポアズ（３０℃）の
ポリアミド酸ＣＥ）の溶液を得た。

ポリアミド酸（Ｉ））の溶液２０ｖ（ポリアミド酸含有
量ｓｔ）に２−Ｌ７Ｖ、Ｎ−ジメチルアミノ）エチルメ
タクリレート２．２５ｆ　（０，０１４モル）を溶解し
、次いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧ｆ遇した。

次に得られた溶液を実施例１に示したのと全く同じ成膜
、露光、現像、ヤユア条件で処理したが、パターンが得
られなかった。次に照射時間を２０倍の６００秒にして
、パターン化処理したところ、ポリイミドのレリーフパ
ターンが得られたが、その膜厚は現像時間を長くするに
つれて減少し、最終的には消失した。現像時間を短くし
て、所望膜厚（５μｍ以上）のポリイミドパターンを得
ようとしたが、現像による膜厚減少の依存性が大きく、
作業性に困難を生じた。

比較例２゜ 比較例１で得たポリアミド酸（Ｄ）の溶液２Ｏｆに対し
、バラアジド安息香酸２−（Ａ’、Ａｌ−ジメチルアミ
ノ）エチル５．ＯＢ？　（０，０１４モル）を溶解し、
次いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧沢過した。

得られた溶液をスピンナでＭ表面を持つ基板上に回転塗
布し、９０℃で３０分間乾燥して感光性被膜を得た。こ
の被膜を２０μｍのラインアンドスペースの縞模様の石
英製フォトマスクで密着被榎し、５００　Ｆ　Ｘ　ｇ　
−Ｅ　を灯で１５秒間紫外線した露光後Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスしてレリーフパターンを
得た。

次いで、窒素雰凹気下１８０℃で３０分間、４００℃で
６０分間の順に熱キユアしてポリイミドのレリーフパタ
ーンを得た。膜厚２．５μｍの場合、パターンは強固に
基板に密着し、フォトマスクのパターンが忠実に転写さ
れていたが、膜厚５．２μｍの場合、パターンが部分的
に剥離していた。

比較例３ 比較例１で得たポリアミド酸（Ｅ）の溶液２０２に対し
、２，６−ビス（パラアジドベンザル）−４−ヒドロキ
シシクロへキサノン０．６１Ｆ（１，６ミリモル）、３
−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルメタクリレート
２．５ｆ　（０，０１４６モル）、グＩＪ　セリン０．
５Ｏｆを溶解し、次いで１μｍ孔のフィルタを用いて加
圧濾過した。

得られた感光性重合体組成物溶液を実施例１に示したの
と全く同じ成膜、ｍ光、現像、キュア条件で処理してポ
リイミドのレリーフ・パターンを得た。膜厚３２μｍの
場合、パターンは強固に基板に密着し、フォトマスクの
パターンが忠実に転写されていたが、膜厚５．８μｍの
場合、パターンが部分的に剥離した。

〔発明の効果〕

以上詳述したように、本発明による感光性重合体組成物
によれば、膜厚５μｍ以上のポリイミドのパターンが高
感度でかつ作業性良く形成できる。本発明の感光性重合
体組成物は、半導体素子の表面保睦膜、配線層間絶縁膜
、薄膜デバイス用絶縁膜の膜材および耐熱性フォトレジ
ストなどとして適用される。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　ポリアミド酸、ビスアジド光架橋剤、炭素−炭素二
   重結合を有するアミン化合物、分子内に１個以上の水酸
   基を含みかつその沸点が常圧で１５０℃以上の化合物と
   から成る感光性重合体組成物において、ポリアミド酸の
   構造が一般式（１’３の繰り返し単位で表わされるポリ
   アミド酸を用いることを特徴とする感光性重合体組成物
   。 （但し、Ｒ’に’Ｌ２価の芳香族環含有有機基又はケイ
   素含有有機基を表わす） ２　ビスアジド光架橋剤が一般式（ｎ）で表わさ徊 （但し、式中Ｘは水酸基、カルボキシル基。 ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルキルエステ
   ル基、アミン基を表わし、Ｎ３基はペンセン核において
   メタ又はパラ位に位置する。）であり、かつ、その配合
   割合が一般式〔１〕で表わされるポリアミド酸１００重
   量部に対し、２〜１０重量部であることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の感光性重合体組成物。