JPS62179563A - 感光性重合体組成物 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、感光性重合体組成物に関し、さらに詳しくは
加熱処理により半導体素子等の電子部品の表面保護膜、
眉間絶縁膜、ホトレジスト等として適用可能なポリイミ
ド系耐熱高分子となる感光性重合体組成物に関する。
加熱処理により半導体素子等の電子部品の表面保護膜、
眉間絶縁膜、ホトレジスト等として適用可能なポリイミ
ド系耐熱高分子となる感光性重合体組成物に関する。
(従来の技術)
従来、マイクロエレクトロニクス素子等の絶縁膜として
は、(1)膜形成が容易で、かつ表面を平坦化できる、
(2)耐熱性が高い等の利点から、ポリイミドが幅広く
用いられている。しかしながらポリイミドの場合には、
その膜形成工程がホトレジストを用いるエツチング法に
より行なわれているため、工程数が多いという欠点があ
る。
は、(1)膜形成が容易で、かつ表面を平坦化できる、
(2)耐熱性が高い等の利点から、ポリイミドが幅広く
用いられている。しかしながらポリイミドの場合には、
その膜形成工程がホトレジストを用いるエツチング法に
より行なわれているため、工程数が多いという欠点があ
る。
そこで感光性をも兼ね備えた耐熱性材料を用いることに
より、工程の大幅合理化を図ろうとして、現在までに多
くの材料が検討されてきた。その−例としてポリイミド
前駆体であるポリアミド酸と、芳香族ビスアジド化合物
と、炭素−炭素二重結合を有するアミン化合物とからな
る材料が知られている。この材料を用いてパターンを形
成するには、溶液状態でガラス基板やシリコンウェーハ
等の基板上に塗布し、加熱乾燥により塗膜を得、次にホ
トマスクを介して露光現像によりパターン化し、さらに
加熱処理によりポリイミドを得る。
より、工程の大幅合理化を図ろうとして、現在までに多
くの材料が検討されてきた。その−例としてポリイミド
前駆体であるポリアミド酸と、芳香族ビスアジド化合物
と、炭素−炭素二重結合を有するアミン化合物とからな
る材料が知られている。この材料を用いてパターンを形
成するには、溶液状態でガラス基板やシリコンウェーハ
等の基板上に塗布し、加熱乾燥により塗膜を得、次にホ
トマスクを介して露光現像によりパターン化し、さらに
加熱処理によりポリイミドを得る。
しかしながら、この材料は基板に対する接着性が悪いた
め、現像によるパターン化の際、塗膜が基板から剥離し
、パターンが熔解したり、さらに加熱処理によりポリイ
ミドとした場合にも十分な接着性が得られないという欠
点があった。そのため接着性を向上させる目的で、シリ
コンウェーハ上へのアルミキレート溶液による基板の前
処理およびガラス基板上へのアミノシラン系カンプリン
グ剤の添加が行なわれている。
め、現像によるパターン化の際、塗膜が基板から剥離し
、パターンが熔解したり、さらに加熱処理によりポリイ
ミドとした場合にも十分な接着性が得られないという欠
点があった。そのため接着性を向上させる目的で、シリ
コンウェーハ上へのアルミキレート溶液による基板の前
処理およびガラス基板上へのアミノシラン系カンプリン
グ剤の添加が行なわれている。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明の目的は、前記の従来技術の欠点を除去し、感光
特性や耐熱性を低下させることなく、しかも前記基板の
前処理やカンプリング剤の添加を行なわずに、)゛ラス
基材やシリコンウェーハ\への十分な接着性を有し、加
熱処理によりポリイミド系耐熱高分子となる感光性重合
体組成物を提供することにある。
特性や耐熱性を低下させることなく、しかも前記基板の
前処理やカンプリング剤の添加を行なわずに、)゛ラス
基材やシリコンウェーハ\への十分な接着性を有し、加
熱処理によりポリイミド系耐熱高分子となる感光性重合
体組成物を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らはガラス基板、シリコンウェーハ\等のSt
基材に対する接着性を向上させる目的で、従来からポリ
イミド前駆体として使用されているポリアミド酸のポリ
マ主鎖にSiを含有させることに着目し、鋭意検討の結
果、本発明に到達した。
基材に対する接着性を向上させる目的で、従来からポリ
イミド前駆体として使用されているポリアミド酸のポリ
マ主鎖にSiを含有させることに着目し、鋭意検討の結
果、本発明に到達した。
本発明は、(a)ジアミン、ジアミノシロキサンおよび
テトラカルボン酸二無水物を、該ジアミノシロキサンの
割合をジアミンおよびジアミノシロキサンの総量に対し
て0.1〜20モル%として反応させて得られるポリア
ミド酸iooMa部、(b)一般式(1) %式%(1) (式中R1は2価または3価の有機基を意味する)で表
わされるビスアジド化合物0.1〜100i量部ならび
に (c)一般式(2) (式中R,、Rコ、R4およびR6は水素原子、低級ア
ルキル基、フェニル基、ビニル基またはアリル基、RS
はアルキレン基を意味する)で表わされるアミン化合物
1〜400重量部を含有してなる感光性重合体組成物に
関する。
テトラカルボン酸二無水物を、該ジアミノシロキサンの
割合をジアミンおよびジアミノシロキサンの総量に対し
て0.1〜20モル%として反応させて得られるポリア
ミド酸iooMa部、(b)一般式(1) %式%(1) (式中R1は2価または3価の有機基を意味する)で表
わされるビスアジド化合物0.1〜100i量部ならび
に (c)一般式(2) (式中R,、Rコ、R4およびR6は水素原子、低級ア
ルキル基、フェニル基、ビニル基またはアリル基、RS
はアルキレン基を意味する)で表わされるアミン化合物
1〜400重量部を含有してなる感光性重合体組成物に
関する。
本発明に用いられるポリアミド酸は、加熱処理により耐
熱性を有するポリイミドとなり得るものであり、ジアミ
ン、ジアミノシロキサンおよびテトラカルボン酸二無水
物を反応させることにより得られる。ジアミン、ジアミ
ノシロキサンおよびテトラカルボン酸二無水物の反応は
、ジアミンおよびジアミノシロキサンと、テトラカルボ
ン酸二無水物とをほぼ等モルとして反応させることが好
ましい。
熱性を有するポリイミドとなり得るものであり、ジアミ
ン、ジアミノシロキサンおよびテトラカルボン酸二無水
物を反応させることにより得られる。ジアミン、ジアミ
ノシロキサンおよびテトラカルボン酸二無水物の反応は
、ジアミンおよびジアミノシロキサンと、テトラカルボ
ン酸二無水物とをほぼ等モルとして反応させることが好
ましい。
本発明に用いられるジアミノシロキサンは、例えば一般
式 (R,は2価の炭化水素基、R8は1価の炭化水素基、
mは1以上の整数を意味する)で表わされる化合物であ
る。R7は、好ましくは炭素数1〜5のアルキレン基、
フェニレン基、アルキル置換フェニレン基であり、R[
lは、好ましくは炭素数1〜5のアルキル基、フェニル
基、アルキル置換フェニル基である。R7およびR8は
それぞれ同一でも異なっていてもよい。
式 (R,は2価の炭化水素基、R8は1価の炭化水素基、
mは1以上の整数を意味する)で表わされる化合物であ
る。R7は、好ましくは炭素数1〜5のアルキレン基、
フェニレン基、アルキル置換フェニレン基であり、R[
lは、好ましくは炭素数1〜5のアルキル基、フェニル
基、アルキル置換フェニル基である。R7およびR8は
それぞれ同一でも異なっていてもよい。
ジアミノシロキサンとしては、例えば次式で示される化
合物が挙げられる。
合物が挙げられる。
これらのジアミノシロキサンは1種または2種以上組合
わせて用いられる。
わせて用いられる。
ジアミノシロキサンは、例えば米国特許第3゜185.
719号明!lII書に示される方法により合成される
。
719号明!lII書に示される方法により合成される
。
ジアミノシロキサンの使用割合は、接着性、耐熱性、生
成化合物の分子量の点等からジアミンおよびジアミノシ
ロキサンの総量に対して0.1〜20モル%とされる。
成化合物の分子量の点等からジアミンおよびジアミノシ
ロキサンの総量に対して0.1〜20モル%とされる。
この使用割合が20モル%を超える場合には、分子量の
低下および耐熱性の低下の原因となり、0.1モル%未
満の場合には、接着性等の特性が低下する。
低下および耐熱性の低下の原因となり、0.1モル%未
満の場合には、接着性等の特性が低下する。
本発明に用いられるジアミンとしては、例えばm−フェ
ニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、4.4’−
ジアミノジフェニルプロパン、4゜4′−ジアミノジフ
ェニルメタン(以下「メチレンジアニリン」と称す)、
ベンジジン、4,41−ジアミノジフェニルスルフィド
、4,4°−ジアミノジフェニルスルホン、4,4′−
ジアミノジフェニルエーテル、■、5−ジアミノナフタ
レン、3.31−ジメチルベンジジン、3.3’−ジメ
トキシベンジジン、2,4〜ビス(β−アミノ−t−ブ
チル) トルエン、ビス(p−β−アミノ−【−ブチル
フェニル)エーテル、ビス(p −β−メチル−〇−ア
ミノペンチル)ベンゼン、1゜3−ジアミノ−4−イソ
プロピルベンゼン、1゜2−ビス(3−アミノプロポキ
シ)エタン、m −キシリレンジアミン、p−キシリレ
ンジアミン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン
、デカメチレンジアミン、3−メチルへブタメチレンジ
アミン、4.4−ジメチルへブタメチレンジアミン、2
.11−ドデカンジアミン、2,2−ジメチルプロピレ
ンジアミン、オクタメチレンジアミン、3−メトキシへ
キサメチレンジアミン、2゜5−ジメチルへキサメチレ
ンジアミン、2.5−ジメチルへブタメチレンジアミン
、3−メチルへブタメチレンジアミン、5−メチルノナ
メチレンジアミン、1,4−シクロヘキサンジアミン、
1゜12−オクタデカンジアミン、ビス(3−アミノプ
ロピル)スルフィド、N−メチル−ビス(3−アミノプ
ロピル)アミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチ
レンジアミン、ノナメチレンジアミン等が挙げられる。
ニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、4.4’−
ジアミノジフェニルプロパン、4゜4′−ジアミノジフ
ェニルメタン(以下「メチレンジアニリン」と称す)、
ベンジジン、4,41−ジアミノジフェニルスルフィド
、4,4°−ジアミノジフェニルスルホン、4,4′−
ジアミノジフェニルエーテル、■、5−ジアミノナフタ
レン、3.31−ジメチルベンジジン、3.3’−ジメ
トキシベンジジン、2,4〜ビス(β−アミノ−t−ブ
チル) トルエン、ビス(p−β−アミノ−【−ブチル
フェニル)エーテル、ビス(p −β−メチル−〇−ア
ミノペンチル)ベンゼン、1゜3−ジアミノ−4−イソ
プロピルベンゼン、1゜2−ビス(3−アミノプロポキ
シ)エタン、m −キシリレンジアミン、p−キシリレ
ンジアミン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン
、デカメチレンジアミン、3−メチルへブタメチレンジ
アミン、4.4−ジメチルへブタメチレンジアミン、2
.11−ドデカンジアミン、2,2−ジメチルプロピレ
ンジアミン、オクタメチレンジアミン、3−メトキシへ
キサメチレンジアミン、2゜5−ジメチルへキサメチレ
ンジアミン、2.5−ジメチルへブタメチレンジアミン
、3−メチルへブタメチレンジアミン、5−メチルノナ
メチレンジアミン、1,4−シクロヘキサンジアミン、
1゜12−オクタデカンジアミン、ビス(3−アミノプ
ロピル)スルフィド、N−メチル−ビス(3−アミノプ
ロピル)アミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチ
レンジアミン、ノナメチレンジアミン等が挙げられる。
これらのジアミンは、1種または2種以上組合わせて用
いられる。
いられる。
本発明に用いられるテトラカルボン酸二無水物としては
、例えばピロメリット酸二無水物、3゜3’、4.4’
−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、3.3’、4
.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、シ
クロペンタンテトラカルボン酸二無水物、l、2.5.
6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6
.7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2.3゜
5.6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、1゜4.
5.8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、3,4
,9.10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、4.
4’−スルホニルシフクル酸二無水物等が挙げられる。
、例えばピロメリット酸二無水物、3゜3’、4.4’
−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、3.3’、4
.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、シ
クロペンタンテトラカルボン酸二無水物、l、2.5.
6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6
.7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2.3゜
5.6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、1゜4.
5.8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、3,4
,9.10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、4.
4’−スルホニルシフクル酸二無水物等が挙げられる。
これらのテトラカルボン酸二無水物は1種または2 f
t以上組合わせて用いられる。
t以上組合わせて用いられる。
本発明の組成物に用いられる(a)成分は、例えば、一
般式 (式中Rツは3価または4[iの有機基、RIOは2価
の有機基、R7は2価の炭化水素基、R8は1価の炭化
水素基、mは1以上の整数を怠味する)で表わされる繰
返し単位を有する。
般式 (式中Rツは3価または4[iの有機基、RIOは2価
の有機基、R7は2価の炭化水素基、R8は1価の炭化
水素基、mは1以上の整数を怠味する)で表わされる繰
返し単位を有する。
一般式(1)で表わされるビスアジド化合物としては、
例えば4,4゛−ジアジドカルコン、Nコ 等が挙げられる。
例えば4,4゛−ジアジドカルコン、Nコ 等が挙げられる。
ビスアジド化合物の配合割合は、前記ポリアミド酸10
0重量部に対して0.1〜100重量部、特に好ましく
は0.5〜50重量部である。この配合割合が0.1重
量部未満の場合、または100重量部を超える場合には
、現像性、フェスの保存安定性等に悪影響を及ぼす。
0重量部に対して0.1〜100重量部、特に好ましく
は0.5〜50重量部である。この配合割合が0.1重
量部未満の場合、または100重量部を超える場合には
、現像性、フェスの保存安定性等に悪影響を及ぼす。
一般式(2)で表わされるアミン化合物としては、例え
ば2−(N、、N−ジメチルアミノ)エチルアクリレー
ト、2− (N、N−ジメチルアミノ)エチルアクリレ
ート、3−(N、N−ジメチルアミノ)プロピルアクリ
レート、3−(N、N−ジメチルアミノ)プロピルメタ
クリレート、4− (N、N−ジメチルアミノ)ブチル
アクリレート、4− (N、N−ジメチルアミノ)ブチ
ルメタクリレート、5−(N、N−ジメチルアミノ)ペ
ンチルアクリレート、5−(N、N−ジメチルアミノ)
ペンチルメタクリレート、6− (N、N−ジメチルア
ミノ)へキシルアクリレート、6−(N、N−ジメチル
アミノ)へキシルメタクリレート、2− (N、N−ジ
メチルアミノ)エチルシンナメート、3−(N、N−ジ
メチルアミノ)プロピルシンナメート、ソルビタン酸3
− (N、N−ジメチルアミノ)プロピル、ソルビタン
酸2−(N、N−ジメチルアミノ)エチル、ソルビタン
酸4− (N、N−ジメチルアミノ)ブチル等が挙げら
れる。
ば2−(N、、N−ジメチルアミノ)エチルアクリレー
ト、2− (N、N−ジメチルアミノ)エチルアクリレ
ート、3−(N、N−ジメチルアミノ)プロピルアクリ
レート、3−(N、N−ジメチルアミノ)プロピルメタ
クリレート、4− (N、N−ジメチルアミノ)ブチル
アクリレート、4− (N、N−ジメチルアミノ)ブチ
ルメタクリレート、5−(N、N−ジメチルアミノ)ペ
ンチルアクリレート、5−(N、N−ジメチルアミノ)
ペンチルメタクリレート、6− (N、N−ジメチルア
ミノ)へキシルアクリレート、6−(N、N−ジメチル
アミノ)へキシルメタクリレート、2− (N、N−ジ
メチルアミノ)エチルシンナメート、3−(N、N−ジ
メチルアミノ)プロピルシンナメート、ソルビタン酸3
− (N、N−ジメチルアミノ)プロピル、ソルビタン
酸2−(N、N−ジメチルアミノ)エチル、ソルビタン
酸4− (N、N−ジメチルアミノ)ブチル等が挙げら
れる。
アミン化合物の配合割合は、前記ポリアミド酸100重
量部に対して1〜400重量部である。
量部に対して1〜400重量部である。
この配合割合が1重量部未満の場合、または400M量
部を超える場合には、現像性や最終生成物であるポリイ
ミドの膜質に悪影響を及ぼす。
部を超える場合には、現像性や最終生成物であるポリイ
ミドの膜質に悪影響を及ぼす。
本発明の感光性重合体組成物は、前記成分(a)〜(c
)を、適当な有機溶剤に溶解することにより、溶液状態
で得られる。この際用いられる有機溶剤としては、溶解
性の点から非プロトン性極性溶媒が好ましく、例えばN
−メチル−2−ピロリドン、N−アセチル−2−ピロI
J Fン、N−ヘンシル−2−ピロリドン、N、N−ジ
メチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミ
ド、N−アセチル−ε−カプロラクタム、ジメチルイミ
ダゾリジノン等が挙げられる。これらの有機溶剤は単独
でまたは2種以上組合わせて用いられる。
)を、適当な有機溶剤に溶解することにより、溶液状態
で得られる。この際用いられる有機溶剤としては、溶解
性の点から非プロトン性極性溶媒が好ましく、例えばN
−メチル−2−ピロリドン、N−アセチル−2−ピロI
J Fン、N−ヘンシル−2−ピロリドン、N、N−ジ
メチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、
ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミ
ド、N−アセチル−ε−カプロラクタム、ジメチルイミ
ダゾリジノン等が挙げられる。これらの有機溶剤は単独
でまたは2種以上組合わせて用いられる。
有機溶剤の配合割合は、前記ポリアミド酸、ビスアジド
化合物およびアミン化合物の混合物1゜0重量部に対し
て100〜10,000重量部、好ましくは200〜5
ooo重量部とされる。この配合割合が1ooii部未
満の場合、または1o、ooo重量部を超える場合には
、成膜性に悪影響を及ぼす。
化合物およびアミン化合物の混合物1゜0重量部に対し
て100〜10,000重量部、好ましくは200〜5
ooo重量部とされる。この配合割合が1ooii部未
満の場合、または1o、ooo重量部を超える場合には
、成膜性に悪影響を及ぼす。
本発明による感光性重合体組成物は、必要に応じミヒラ
ーケトン、アントロン、5−ニトロアセテラテン等の増
感剤を含むことができる。
ーケトン、アントロン、5−ニトロアセテラテン等の増
感剤を含むことができる。
本発明の感光性重合体組成物は、通常のif&細加工技
術によりパターン加工することが可能である。
術によりパターン加工することが可能である。
本発明の感光性重合体組成物を、ガラス基板やシリコン
ウェーハ等の支持基板上に塗布するに際しては、スピン
ナーを用いた回転塗布、浸?M、噴霧印刷等の手段が用
いられる。塗布膜厚は塗布手段、本発明の感光性重合体
組成物のワニスの固形分濃度、粘度等により調節可能で
ある。
ウェーハ等の支持基板上に塗布するに際しては、スピン
ナーを用いた回転塗布、浸?M、噴霧印刷等の手段が用
いられる。塗布膜厚は塗布手段、本発明の感光性重合体
組成物のワニスの固形分濃度、粘度等により調節可能で
ある。
乾燥工程により支持基板上で、被膜となった本発明の感
光性重合体組成物に光源を照射し、次いで未露光部分を
現像液で溶解除去することにより、レリーフ・パターン
が得られる。この際用いられる光源は紫外線、可視光線
、放射線等が用いられる。
光性重合体組成物に光源を照射し、次いで未露光部分を
現像液で溶解除去することにより、レリーフ・パターン
が得られる。この際用いられる光源は紫外線、可視光線
、放射線等が用いられる。
現像液としては、例えばN−メチル−2−ピロリドン、
N−アセチル−2−ピロリドン、N、 N−ジメチル
ホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジ
メチルイミダゾリジノン、N−ベンジル−2−ピロリド
ン、N−アセチル−ε−カプロラクタム等の非プロトン
性極性溶媒が、単独でまたはポリアミド酸の非溶媒、例
えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール
、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブ、
水等との混合液として用いられる。
N−アセチル−2−ピロリドン、N、 N−ジメチル
ホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジ
メチルイミダゾリジノン、N−ベンジル−2−ピロリド
ン、N−アセチル−ε−カプロラクタム等の非プロトン
性極性溶媒が、単独でまたはポリアミド酸の非溶媒、例
えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール
、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブ、
水等との混合液として用いられる。
次いで現像により形成されたレリーフ・パターンを、リ
ンス液により洗浄し、現像溶媒を除去する。リンス液と
しては、現像液との混和性のよいポリアミド酸の非溶媒
が用いられ、例えばメタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチ
ルセロソルブ、水等が挙げられる。
ンス液により洗浄し、現像溶媒を除去する。リンス液と
しては、現像液との混和性のよいポリアミド酸の非溶媒
が用いられ、例えばメタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチ
ルセロソルブ、水等が挙げられる。
上記処理により得られるレリーフ・パターンの重合体は
、ポリイミドの前駆体であり、150〜450°Cの加
熱処理によりイミド環や他の環状基を持つ耐熱性重合体
のレリーフ・パターンとなる。
、ポリイミドの前駆体であり、150〜450°Cの加
熱処理によりイミド環や他の環状基を持つ耐熱性重合体
のレリーフ・パターンとなる。
(実施例)
以下、実施例により本発明を説明する。
実施例1
温度計、攪拌機および塩化カルシウム管を備えた5 0
0m/三つロフラスコに、4.41−ジアミノジフェニ
ルエーテル18g、1.3−ビス(アミノプロピル)テ
トラメチルジシロキサン2.48gおよびN−メチル−
2−ピロリドン300gを入れ、攪拌熔解した。次いで
この溶液に3,3′4.4′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物32.2 gを徐々に加え、添加終了
後、さらに5時間攪拌し、粘度20ポアズ(25℃)の
ポリアミド酸溶液を得た。
0m/三つロフラスコに、4.41−ジアミノジフェニ
ルエーテル18g、1.3−ビス(アミノプロピル)テ
トラメチルジシロキサン2.48gおよびN−メチル−
2−ピロリドン300gを入れ、攪拌熔解した。次いで
この溶液に3,3′4.4′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物32.2 gを徐々に加え、添加終了
後、さらに5時間攪拌し、粘度20ポアズ(25℃)の
ポリアミド酸溶液を得た。
このポリアミド酸溶液20gに、3−(N、N−ジメチ
ルアミノ)プロピルメタクリレート1.9gおよび2,
6−ジ(p−アジドベンザル)4−カルボキシルシクロ
へキサノン0.45gを溶解し、次いで1μm孔のフィ
ルタを用いて加圧濾過した。
ルアミノ)プロピルメタクリレート1.9gおよび2,
6−ジ(p−アジドベンザル)4−カルボキシルシクロ
へキサノン0.45gを溶解し、次いで1μm孔のフィ
ルタを用いて加圧濾過した。
得られた溶液をスピンナーでアルミキレート’t4液に
よる基板処理をしていないシリコンウエーハ上に回転塗
布し、次いで80℃で30分加熱乾燥して3μmの塗膜
を得た。
よる基板処理をしていないシリコンウエーハ上に回転塗
布し、次いで80℃で30分加熱乾燥して3μmの塗膜
を得た。
この塗膜を縞模様のソーダガラス製ホトマスクを介して
密着露光し、500WのX e −Hg灯で30秒露光
した。露光後、N−メチル−2−ピロリドン−メタノー
ル混液(容積比4:1)で10分間浸漬現像し、次いで
エタノールでリンスして最小線幅5μmのレリーフ・パ
ターンを得た。現像中にパターンの流れは見られず、基
板に強固に密着していた。さらに、このパターンを20
0℃で30分、ついで350℃で30分加熱硬化し、ポ
リイミドとした。この塗膜は、ウェーハ上に強固に密着
しており、剥離することは困難であった。
密着露光し、500WのX e −Hg灯で30秒露光
した。露光後、N−メチル−2−ピロリドン−メタノー
ル混液(容積比4:1)で10分間浸漬現像し、次いで
エタノールでリンスして最小線幅5μmのレリーフ・パ
ターンを得た。現像中にパターンの流れは見られず、基
板に強固に密着していた。さらに、このパターンを20
0℃で30分、ついで350℃で30分加熱硬化し、ポ
リイミドとした。この塗膜は、ウェーハ上に強固に密着
しており、剥離することは困難であった。
実施例2
実施例1と同様な三つロフラスコに、4.4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル19.0g、1.3=ビス(アミ
ノプロピル)テトラメチルジシロキサン1.24gおよ
びN−メチル−2−ピロリドン300gを入れ、攪拌溶
解した。次いでこの溶液にピロメリット酸二無水物10
.9 gおよび3.3’。
ノジフェニルエーテル19.0g、1.3=ビス(アミ
ノプロピル)テトラメチルジシロキサン1.24gおよ
びN−メチル−2−ピロリドン300gを入れ、攪拌溶
解した。次いでこの溶液にピロメリット酸二無水物10
.9 gおよび3.3’。
4.4′−ベンゾフェノンテトラカルポン酸二無水物1
6.1 gを徐々に加え、添加終了後、さらに5時間攪
拌し、粘度15ポアズ(25℃)のポリアミド酸熔ン皮
を得た。
6.1 gを徐々に加え、添加終了後、さらに5時間攪
拌し、粘度15ポアズ(25℃)のポリアミド酸熔ン皮
を得た。
このポリアミド酸溶液20gに、2− (N、N−ジメ
チルアミノ)エチルメタクリレート1.8gおよび4,
4′−ジアジドカルコン0.17 gを溶解し、次いで
1μm孔のフィルタを用いて加圧濾過した。
チルアミノ)エチルメタクリレート1.8gおよび4,
4′−ジアジドカルコン0.17 gを溶解し、次いで
1μm孔のフィルタを用いて加圧濾過した。
得られた溶液をスピンナーでアミノシラン系カップリン
グ剤による前処理をしていないガラス基板上に回転塗布
し、次いで80℃で60分加熱乾燥して3.5μmの塗
膜を得た。
グ剤による前処理をしていないガラス基板上に回転塗布
し、次いで80℃で60分加熱乾燥して3.5μmの塗
膜を得た。
この塗膜を縞模様のソーダガラス製ホトマスクを介して
密着露光し、500WのXs−Hg灯で30秒露光した
。露光後、ジメチルアセトアミドエタノール混液(容積
比4:2)で10分間浸漬現像し、次いでエタノールで
リンスして最小線幅5μmのレリーフ・パターンを得た
。現像中にパターンの流れは見られず、基板に強固に密
着していた。さらに、このパターンを200℃で30分
、ついで350℃で30分加熱硬化しポリイミドとした
。この塗膜はガラス基板上に強固に密着しており、剥離
することは困難であった。
密着露光し、500WのXs−Hg灯で30秒露光した
。露光後、ジメチルアセトアミドエタノール混液(容積
比4:2)で10分間浸漬現像し、次いでエタノールで
リンスして最小線幅5μmのレリーフ・パターンを得た
。現像中にパターンの流れは見られず、基板に強固に密
着していた。さらに、このパターンを200℃で30分
、ついで350℃で30分加熱硬化しポリイミドとした
。この塗膜はガラス基板上に強固に密着しており、剥離
することは困難であった。
実施例3
実施例1と同様な三つロフラスコに、4.4゜−ジアミ
ノジフェニルエーテル19g、1.3−ビス(アミノブ
チル)テトラメチルジシロキサン1.38g、N−メチ
ル−2−ピロリドン150gおよびN、N−ジメチルア
セトアミド150gを入れ、攪拌溶解した。次いでこの
溶液に3.3’。
ノジフェニルエーテル19g、1.3−ビス(アミノブ
チル)テトラメチルジシロキサン1.38g、N−メチ
ル−2−ピロリドン150gおよびN、N−ジメチルア
セトアミド150gを入れ、攪拌溶解した。次いでこの
溶液に3.3’。
4.4f−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物29、
4 gを徐々に加え、添加終了後、さらに5時間攪拌し
、粘度20ポアズ(25℃)のポリアミド酸溶液を得た
。
4 gを徐々に加え、添加終了後、さらに5時間攪拌し
、粘度20ポアズ(25℃)のポリアミド酸溶液を得た
。
このポリアミド酸溶液20gに、3−(N、N−ジメチ
ルアミノ)プロピルメタクリレート1.9gおよび2,
6−ジ(p−アジドベンザル)4−ヒドロキシルシクロ
へキサノン0.22 gを溶解し、次いで1μm孔のフ
ィルタを用いて加圧濾過した。
ルアミノ)プロピルメタクリレート1.9gおよび2,
6−ジ(p−アジドベンザル)4−ヒドロキシルシクロ
へキサノン0.22 gを溶解し、次いで1μm孔のフ
ィルタを用いて加圧濾過した。
得られた溶液をスピンナーでアルミキレート溶液による
基板処理をしていないシリコンウェーハ上に回転塗布し
、次いで80℃で60分加熱乾燥して2μmの塗膜を得
た。
基板処理をしていないシリコンウェーハ上に回転塗布し
、次いで80℃で60分加熱乾燥して2μmの塗膜を得
た。
この塗膜を縞模様のソーダガラス製ホトマスクを介して
密着露光し、500Wの高圧水銀灯で20秒露光した。
密着露光し、500Wの高圧水銀灯で20秒露光した。
露光後、N−メチル−2−ピロリドン−水混液(容積比
5:l)で10分間浸漬現像し、次いでエタノールでリ
ンスして最小線幅4μmのレリーフ・パターンを得た。
5:l)で10分間浸漬現像し、次いでエタノールでリ
ンスして最小線幅4μmのレリーフ・パターンを得た。
現像中にパターンの流れは見られず、基板に強く密着し
ていた。
ていた。
さらに、このパータンを200℃で30分、ついで35
0℃で30分加熱硬化してポリイミドとした。この塗膜
はガラス基板上に強固に密着しており剥離することは、
困難であった。
0℃で30分加熱硬化してポリイミドとした。この塗膜
はガラス基板上に強固に密着しており剥離することは、
困難であった。
比較例1
実施例1と同様な三つロフラスコに、4,4“−ジアミ
ノジフェニルエーテル20gおよびN−メチル−2−ピ
ロリドン300gを入れ、攪拌溶解した。次いでこの溶
液に3.3’、4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物32.2gを徐々に加え、添加終了後、さ
らに5時間攪拌し、粘度20ポアズ(25°C)のポリ
アミド酸溶液を得た。
ノジフェニルエーテル20gおよびN−メチル−2−ピ
ロリドン300gを入れ、攪拌溶解した。次いでこの溶
液に3.3’、4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物32.2gを徐々に加え、添加終了後、さ
らに5時間攪拌し、粘度20ポアズ(25°C)のポリ
アミド酸溶液を得た。
このポリアミド酸の溶液20gに、3−(N。
N−ジメチルアミノ)プロピルメタクリレート1゜9g
および2,6−ジ(p−アジドベンザル)4−カルボキ
シルシクロへキサノン0.45g−t−熔解し、次いで
1μm孔のフィルタを用いて加圧濾過した。
および2,6−ジ(p−アジドベンザル)4−カルボキ
シルシクロへキサノン0.45g−t−熔解し、次いで
1μm孔のフィルタを用いて加圧濾過した。
得られた溶液をスピンナーでアルミキレート溶液による
基板処理をしていないシリコンウェーハ上に回転塗布し
、次いで80℃で30分加熱乾燥して3μmの塗膜を得
た。
基板処理をしていないシリコンウェーハ上に回転塗布し
、次いで80℃で30分加熱乾燥して3μmの塗膜を得
た。
以下、実施例1と同様な方法で評価したところ、パター
ンの半分以上が溶解してしまい、鮮明なパターンを得る
ことができなかった。
ンの半分以上が溶解してしまい、鮮明なパターンを得る
ことができなかった。
(発明の効果)
本発明の感光性重合体組成物は、カップリング剤処理を
していないガラス基板やシリコンウェーハとの接着性に
優れるため、現像中にパターンが熔解せず、鮮明なパタ
ーンを得ることができ、しかも加熱処理により、ポリイ
ミドとした時にも十分な接着性を有する耐熱高分子とな
るものである。
していないガラス基板やシリコンウェーハとの接着性に
優れるため、現像中にパターンが熔解せず、鮮明なパタ
ーンを得ることができ、しかも加熱処理により、ポリイ
ミドとした時にも十分な接着性を有する耐熱高分子とな
るものである。
本発明の感光性重合体組成物は、加熱処理してポリイミ
ド系耐熱高分子を生ぜしめることにより、半導体素子等
の電子部品の表面保護膜、眉間絶縁膜、ホトレジスト等
として使用することができる。
ド系耐熱高分子を生ぜしめることにより、半導体素子等
の電子部品の表面保護膜、眉間絶縁膜、ホトレジスト等
として使用することができる。
代理人 弁理士 若 林 邦 彦パ
・−′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(a)ジアミン、ジアミノシロキサンおよびテトラ
カルボン酸二無水物を、該ジアミノシロキサンの割合を
ジアミンおよびジアミノシロキサンの総量に対して0.
1〜20モル%として反応させて得られるポリアミド酸
100重量部、 (b)一般式(1) N_3−R_1−N_3(1) (式中R_1は2価または3価の有機基を意味する)で
表わされるビスアジド化合物0.1〜100重量部なら
びに (c)一般式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼(2) (式中R_2、R_3、R_4およびR_6は水素原子
、低級アルキル基、フェニル基、ビニル基またはアリル
基、R_5はアルキレン基を意味する)で表わされるア
ミン化合物1〜400重量部を含有してなる感光性重合
体組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2092886A JPS62179563A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 感光性重合体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2092886A JPS62179563A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 感光性重合体組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62179563A true JPS62179563A (ja) | 1987-08-06 |
Family
ID=12040876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2092886A Pending JPS62179563A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 感光性重合体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62179563A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01283554A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Hitachi Ltd | 耐熱感光性重合体組成物 |
EP0430220A2 (en) * | 1989-11-30 | 1991-06-05 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Photosensitive resin composition and semiconductor apparatus using it |
JPH03168214A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002055449A (ja) * | 1993-09-03 | 2002-02-20 | Hitachi Chem Co Ltd | レリーフパターン、半導体用バッファコート膜及び多層配線板の層間絶縁膜の製造法 |
JP2005242389A (ja) * | 1993-09-03 | 2005-09-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
WO2020246565A1 (ja) * | 2019-06-06 | 2020-12-10 | 株式会社ピーアイ技術研究所 | 感光性ポリイミド樹脂組成物 |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP2092886A patent/JPS62179563A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01283554A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Hitachi Ltd | 耐熱感光性重合体組成物 |
JPH03168214A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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US5385808A (en) * | 1989-11-30 | 1995-01-31 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Photosensitive resin composition and semiconductor apparatus using it |
JP2002055449A (ja) * | 1993-09-03 | 2002-02-20 | Hitachi Chem Co Ltd | レリーフパターン、半導体用バッファコート膜及び多層配線板の層間絶縁膜の製造法 |
JP2005242389A (ja) * | 1993-09-03 | 2005-09-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
WO2020246565A1 (ja) * | 2019-06-06 | 2020-12-10 | 株式会社ピーアイ技術研究所 | 感光性ポリイミド樹脂組成物 |
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