JPS60113653U - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS60113653U JPS60113653U JP18534084U JP18534084U JPS60113653U JP S60113653 U JPS60113653 U JP S60113653U JP 18534084 U JP18534084 U JP 18534084U JP 18534084 U JP18534084 U JP 18534084U JP S60113653 U JPS60113653 U JP S60113653U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- semiconductor substrate
- diffusion layer
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図はMO3素子の構成を示す概略断面図。
第2図はCMO3素子の構成を示す概略断面図。第3図
〜第5図はゲート保護ダイオードの働きを示す等価回路
図の例。第6図、第7図は拡散の濃度、勾配の差による
空乏層の拡がりを示す模式図であ 、す、202
,212は空乏層の幅を示す。第8図 −は本考
案の実施例を示すCMO3素子の概略の断面図。
〜第5図はゲート保護ダイオードの働きを示す等価回路
図の例。第6図、第7図は拡散の濃度、勾配の差による
空乏層の拡がりを示す模式図であ 、す、202
,212は空乏層の幅を示す。第8図 −は本考
案の実施例を示すCMO3素子の概略の断面図。
Claims (1)
- 第1導電型の半導体基板内に第2導電型の拡散領域が形
成され、−該領域にトランジスタが形成されてなる半導
体集積回路において、該拡散領域と半導体基板の接合部
分にはガードリング用高濃度拡散層を設けかつ該ガード
リング用高濃度拡散層近傍の半導体基板表面に低濃度拡
散層を設けた半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18534084U JPS60113653U (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18534084U JPS60113653U (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60113653U true JPS60113653U (ja) | 1985-08-01 |
JPS6112693Y2 JPS6112693Y2 (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=30742813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18534084U Granted JPS60113653U (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60113653U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278419A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-12-09 | Kawasaki Microelectronics Inc | 半導体集積回路 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49123287U (ja) * | 1973-02-20 | 1974-10-22 |
-
1984
- 1984-12-06 JP JP18534084U patent/JPS60113653U/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49123287U (ja) * | 1973-02-20 | 1974-10-22 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278419A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-12-09 | Kawasaki Microelectronics Inc | 半導体集積回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6112693Y2 (ja) | 1986-04-19 |
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