JPS59184585A - 単一軸モ−ド半導体レ−ザ - Google Patents
単一軸モ−ド半導体レ−ザInfo
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2238—Buried stripe structure with a terraced structure
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は元ファイバ通信システム用光源に適した単一軸
モード半導体レーザに関する。
モード半導体レーザに関する。
光ファイバの伝送損失が波長１．３μｍ帯及び１．５μ
ｍ帯で０．３〜０．５ｄＢ／１ｍ以下と超低損失化され
たことにより中継間隔が１００ｂ以上という超長距離の
伝送実験が各所で行われ始めている。この様な超長距離
光フアイバ通信システムは中継間隔を長くすることが有
利な海底通信システム等への適用が期待されている。超
長距離伝送においては、伝送可能中継間隔は光ファイバ
の伝送損失の制限のほかに、波長分散による制限も受け
るようになる。
ｍ帯で０．３〜０．５ｄＢ／１ｍ以下と超低損失化され
たことにより中継間隔が１００ｂ以上という超長距離の
伝送実験が各所で行われ始めている。この様な超長距離
光フアイバ通信システムは中継間隔を長くすることが有
利な海底通信システム等への適用が期待されている。超
長距離伝送においては、伝送可能中継間隔は光ファイバ
の伝送損失の制限のほかに、波長分散による制限も受け
るようになる。
従来光フアイバ通信用光源として開発されて来たファプ
リー・ペロー（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ ）共振器形半
導体レーザは通常複数本の発振軸モードを有するため、
伝送可能中継器間隔あるいは伝送容量は伝送損失よりも
むしろ波長分散による制限を受ける。従って長距離かつ
高速の元ファイバ伝送通信システムを実現して行く上で
は、高速変調時にＣ単一軸モードで発振する半導体レー
ザが要求される。この様な半導体レーザとしては、ファ
プリー・ペロー共振器によらず内部に周期構造を有する
回折格子を作り付けた分布帰還形半導体レーザあるいは
分布反射形半導体レーザがある。筆者は特願昭５７−１
７８８２４で第１図（ａ）に示す構造の分布反射形半導
体レーザを発明した。この分布反射形半導体レーザの特
徴は、エピタキシャル成長の結晶方位依存性を有効に利
用して、回折格子２０が形成された光力イト層１０と活
性ｇＩ３とが突き合せの形で接続されており、活性層３
と光力イト層１０との間の伝搬光の結合効率が９０％程
度と高いこと、また埋め込みへテロ構造が採用されてい
ることにより。
リー・ペロー（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏｔ ）共振器形半
導体レーザは通常複数本の発振軸モードを有するため、
伝送可能中継器間隔あるいは伝送容量は伝送損失よりも
むしろ波長分散による制限を受ける。従って長距離かつ
高速の元ファイバ伝送通信システムを実現して行く上で
は、高速変調時にＣ単一軸モードで発振する半導体レー
ザが要求される。この様な半導体レーザとしては、ファ
プリー・ペロー共振器によらず内部に周期構造を有する
回折格子を作り付けた分布帰還形半導体レーザあるいは
分布反射形半導体レーザがある。筆者は特願昭５７−１
７８８２４で第１図（ａ）に示す構造の分布反射形半導
体レーザを発明した。この分布反射形半導体レーザの特
徴は、エピタキシャル成長の結晶方位依存性を有効に利
用して、回折格子２０が形成された光力イト層１０と活
性ｇＩ３とが突き合せの形で接続されており、活性層３
と光力イト層１０との間の伝搬光の結合効率が９０％程
度と高いこと、また埋め込みへテロ構造が採用されてい
ることにより。
発成閾値が室温で２０〜３０ｍＡと低いこと、微分量子
効率が３０〜５０％と冒いこ乏、等である。しかしなが
らこの分布反射形半導隼レーザではｐ形ＩｎＰ電流ブロ
ック層５と１１形ｆｉｎｄ’＠流閉じ込めｆｆ！ｊ６が
形成すれていないメサストライプ１５の領域について、
中央部のＡ−Ｂ−Ｃの断面をみると、第１図（ｂ）に示
す様に活性層３の部分にｐｎ接合が形成されている。従
って電流注入領域を制御する８ ｉ ０２絶縁膜３０が
なけれは、レーザ動作には不必要な光カイト層５上の活
性層３にも電流が注入され、無効電流を発生させる。
効率が３０〜５０％と冒いこ乏、等である。しかしなが
らこの分布反射形半導隼レーザではｐ形ＩｎＰ電流ブロ
ック層５と１１形ｆｉｎｄ’＠流閉じ込めｆｆ！ｊ６が
形成すれていないメサストライプ１５の領域について、
中央部のＡ−Ｂ−Ｃの断面をみると、第１図（ｂ）に示
す様に活性層３の部分にｐｎ接合が形成されている。従
って電流注入領域を制御する８ ｉ ０２絶縁膜３０が
なけれは、レーザ動作には不必要な光カイト層５上の活
性層３にも電流が注入され、無効電流を発生させる。
またＳ ｒ Ｏを絶縁膜３０が形成されていてもｐ形Ｉ
ｎＰ埋め込み層７およびｐ形ＩｎＰクラッド層４を回り
込んでこの不必要な活性層３に流れ込む電流が数ｍ人存
在する。以上の様に第１図（ａ）に示す従来構造の年−
軸モード半導体レーザでは電流注入領域を制限するため
の５ｉＯ−絶縁膜加の形成工程を含む長い電極形成プロ
セスを必要としたこと、また？ 若干の無効電流が存在したことが欠点々なっていた。
ｎＰ埋め込み層７およびｐ形ＩｎＰクラッド層４を回り
込んでこの不必要な活性層３に流れ込む電流が数ｍ人存
在する。以上の様に第１図（ａ）に示す従来構造の年−
軸モード半導体レーザでは電流注入領域を制限するため
の５ｉＯ−絶縁膜加の形成工程を含む長い電極形成プロ
セスを必要としたこと、また？ 若干の無効電流が存在したことが欠点々なっていた。
本発明は、上記分布反射形半導体レーザの構造を改良す
ることにより、触動電流を少くし動作特性を向上させ、
かつ電極形成プロセスを簡易にした単一軸モード半纒体
レーザを提供するものである。
ることにより、触動電流を少くし動作特性を向上させ、
かつ電極形成プロセスを簡易にした単一軸モード半纒体
レーザを提供するものである。
本発明ｌこよれは上面もしくは下面の少くとも片面に回
折格子が形成された分布反射領域となる光ガイド層と発
光再結合を行う活性層とを含み、前記光力イト層と前記
活性層とは各々の端面が突き合わされた形で接続されて
おり、かつ前記光力イト層と前記活性層とは少なくとも
上下面を屈折率の低い牛纏体層により取り囲まれている
構造の単一軸モード半導体レーザにおいて、前記光力イ
ト層の上下方向の半導体多層膜がｐｎｐＭｊ合とｎｐｎ
接合のうちの少くとも片方を含んだ接合を構成している
ことを％徴とする単一軸モード半導体レーザが得られる
。
折格子が形成された分布反射領域となる光ガイド層と発
光再結合を行う活性層とを含み、前記光力イト層と前記
活性層とは各々の端面が突き合わされた形で接続されて
おり、かつ前記光力イト層と前記活性層とは少なくとも
上下面を屈折率の低い牛纏体層により取り囲まれている
構造の単一軸モード半導体レーザにおいて、前記光力イ
ト層の上下方向の半導体多層膜がｐｎｐＭｊ合とｎｐｎ
接合のうちの少くとも片方を含んだ接合を構成している
ことを％徴とする単一軸モード半導体レーザが得られる
。
次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第２図（ａｌは本発明の第１の実施例を示す斜視図であ
る。
る。
まず製造工程を述べる（！−第１回目の液相エピタキシ
ャル成長工程で（００１）面方位ｎ形ＩｎＰ基板ｌ上に
ｐ形ＩｎＰ ｉｌ洩阻止１ｌｌ（Ｚｎドープ、Ｉ Ｘ
１０１１１ｍ１厚さｏ、３μＷＬ）およびｎ形ＩｎＧａ
ＡｓＰ光ガイド層１０ Ｃ発光波長にして１．３μｍ組
成、厚さ０５μ扉）を積層した基板を作製した後、Ｈｅ
−Ｃｄガスレーザを用いた干渉露光法とフォｌ−ＩＪソ
グラフィの手法により、ピッチ方向が＜１１０＞方向と
なる周期’２３５ＱＡの回折格子２０を元カイト層１０
の上に形成する。次Ｂｒ−メタノール系のエツチング液
を用いて＜ＩＴＯ＞方向に平行に段差部４０の右側を１
．０μｍ ５− の深さでエツチングしてテラス状基板を作製する。
ャル成長工程で（００１）面方位ｎ形ＩｎＰ基板ｌ上に
ｐ形ＩｎＰ ｉｌ洩阻止１ｌｌ（Ｚｎドープ、Ｉ Ｘ
１０１１１ｍ１厚さｏ、３μＷＬ）およびｎ形ＩｎＧａ
ＡｓＰ光ガイド層１０ Ｃ発光波長にして１．３μｍ組
成、厚さ０５μ扉）を積層した基板を作製した後、Ｈｅ
−Ｃｄガスレーザを用いた干渉露光法とフォｌ−ＩＪソ
グラフィの手法により、ピッチ方向が＜１１０＞方向と
なる周期’２３５ＱＡの回折格子２０を元カイト層１０
の上に形成する。次Ｂｒ−メタノール系のエツチング液
を用いて＜ＩＴＯ＞方向に平行に段差部４０の右側を１
．０μｍ ５− の深さでエツチングしてテラス状基板を作製する。
第２回目の液相エピタキシャル成長工程では、ｎ形Ｉｎ
Ｐバッフｙ／１２（’Ｓｎドープ 、 ×１ｏｉｌｌ
ｍ−厚さ０．７μｍ）およびノンドープＩｎＧａＡｓＰ
活性膚３（発振波長１．ｓｓμｍ組成、厚さ０．１５μ
ｍ）を２〜３度の比較的低い過飽和度を有する成長溶液
から成長させることにより段差部４０の両側で途切れる
形状で成長させる。また次のｐ形ＩｎＰクラッド層４
（Ｚｎドープ、 ｌ Ｘ１９１８ｍ”、厚さ約１．５μ
ｓ）を１５度程度の比較的高い過飽和度を有する成長溶
液から１段差部伯の上方も含めて全面を覆う形状で成長
させる。この基板に＜１１０＞方向に平行な２本の溝１
６．１７（幅約７μｍ、深さ約３μｍ）を、間に幅約２
μｍのメサストライプ１５を挾む形で形成する。次に第
３回目の液相エピタキシャル成長工程では、ｐ形ＩｎＰ
電流ブロック層５（Ｚｎドープ、 ｌ ＸＩＱ” ｃ
ｍ ｓ、平坦部での厚さ０．５μ” ） ｅ ｎ形Ｉ
ｎＰ電流閉じ込め層６ （Ｔｅドープ、２Ｘ１０”ｆｆ
ｉ ” 、平坦部での厚さ０，５μｍ〕をメサストライ
プ１５の上部の上部を除いて積層させた後、ｐ形Ｉｎｐ
６− 埋め込み層７ （Ｚｎドープ Ｉ Ｘ ＩＱ” ｃｍ
” 、平坦部での厚さ１．５μｍ）およびｐ形ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層８ （Ｚｎドープ、 ５ＸＩＱ”ｃｒ
ｎ”、平坦部での厚さ０７μｍ）を全面を覆って積層さ
せる。以上で全エピタキシャル成長工程を終了する。こ
の多層膜構造基板が第１図に示す従来例の場合と異なる
点はｐ形ＩｎＰ漏洩阻止層１１が光力イト層１０の下に
導入されたことである。第２図（ｂ）に示す、メサスト
ライプ１５の中央部分での断面図を見ると、この漏洩阻
止層１１が導入されたことにより１段差部４０の左側の
テラス状領域部分では、多層膜の導電形構成がｐｎｐｎ
接合となっていることがわかる。また段差部４０の右側
の領域は活性層３を挾んだｐｎ接合のみである。従って
キャップ層８側を正、基板１側を負とする順方向バイア
スを印加した場合。
Ｐバッフｙ／１２（’Ｓｎドープ 、 ×１ｏｉｌｌ
ｍ−厚さ０．７μｍ）およびノンドープＩｎＧａＡｓＰ
活性膚３（発振波長１．ｓｓμｍ組成、厚さ０．１５μ
ｍ）を２〜３度の比較的低い過飽和度を有する成長溶液
から成長させることにより段差部４０の両側で途切れる
形状で成長させる。また次のｐ形ＩｎＰクラッド層４
（Ｚｎドープ、 ｌ Ｘ１９１８ｍ”、厚さ約１．５μ
ｓ）を１５度程度の比較的高い過飽和度を有する成長溶
液から１段差部伯の上方も含めて全面を覆う形状で成長
させる。この基板に＜１１０＞方向に平行な２本の溝１
６．１７（幅約７μｍ、深さ約３μｍ）を、間に幅約２
μｍのメサストライプ１５を挾む形で形成する。次に第
３回目の液相エピタキシャル成長工程では、ｐ形ＩｎＰ
電流ブロック層５（Ｚｎドープ、 ｌ ＸＩＱ” ｃ
ｍ ｓ、平坦部での厚さ０．５μ” ） ｅ ｎ形Ｉ
ｎＰ電流閉じ込め層６ （Ｔｅドープ、２Ｘ１０”ｆｆ
ｉ ” 、平坦部での厚さ０，５μｍ〕をメサストライ
プ１５の上部の上部を除いて積層させた後、ｐ形Ｉｎｐ
６− 埋め込み層７ （Ｚｎドープ Ｉ Ｘ ＩＱ” ｃｍ
” 、平坦部での厚さ１．５μｍ）およびｐ形ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層８ （Ｚｎドープ、 ５ＸＩＱ”ｃｒ
ｎ”、平坦部での厚さ０７μｍ）を全面を覆って積層さ
せる。以上で全エピタキシャル成長工程を終了する。こ
の多層膜構造基板が第１図に示す従来例の場合と異なる
点はｐ形ＩｎＰ漏洩阻止層１１が光力イト層１０の下に
導入されたことである。第２図（ｂ）に示す、メサスト
ライプ１５の中央部分での断面図を見ると、この漏洩阻
止層１１が導入されたことにより１段差部４０の左側の
テラス状領域部分では、多層膜の導電形構成がｐｎｐｎ
接合となっていることがわかる。また段差部４０の右側
の領域は活性層３を挾んだｐｎ接合のみである。従って
キャップ層８側を正、基板１側を負とする順方向バイア
スを印加した場合。
ｐｎ ｐｎ接合がターン・オンする電圧（約１０Ｖ）以
下の通常の動作状態では電流は全て段差部４０の右側部
分の活性層３に注入され効率良く発光再結合することに
なる。内部にこの様な電流制限構造を有するため第２図
（ａ）に示す実施例では、第１図（ａ）の従来例では必
要であった電流注入領域を制限するためのＳｉＯ＊絶縁
膜３０を必要としない。従って電極材料としてＴｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕをキャップ層８の表面全部ｌこ蒸着しｐ側金属
電極３２を形成することができるので電極形成プロセス
を大幅に簡略化できた。
下の通常の動作状態では電流は全て段差部４０の右側部
分の活性層３に注入され効率良く発光再結合することに
なる。内部にこの様な電流制限構造を有するため第２図
（ａ）に示す実施例では、第１図（ａ）の従来例では必
要であった電流注入領域を制限するためのＳｉＯ＊絶縁
膜３０を必要としない。従って電極材料としてＴｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕをキャップ層８の表面全部ｌこ蒸着しｐ側金属
電極３２を形成することができるので電極形成プロセス
を大幅に簡略化できた。
また動作特性としては第２図（ｂ）を見ればわかる様に
、順方向バイアス電圧を印加した時光ガイド層１０の上
方の活性層３に流入する電流径路がほとんど存在しない
ため、無効電流を減少させることができ従来の素子に比
べ発振閾値を低下させ、微分量子効率を増大させること
ができた。
、順方向バイアス電圧を印加した時光ガイド層１０の上
方の活性層３に流入する電流径路がほとんど存在しない
ため、無効電流を減少させることができ従来の素子に比
べ発振閾値を低下させ、微分量子効率を増大させること
ができた。
−例を示すと１段差部４０の右側の活性層３の長さを約
２００μｍ また段差部４０の左側の光ガイド層の長さ
を４００μｍとする素子で発振閾値１５ｍＡ、微分量子
効率５５チの値を得た。発振波長は１．５５μｍで単一
軸モードであった。
２００μｍ また段差部４０の左側の光ガイド層の長さ
を４００μｍとする素子で発振閾値１５ｍＡ、微分量子
効率５５チの値を得た。発振波長は１．５５μｍで単一
軸モードであった。
次に本発明の第２の実施例を第３図（ａ）ａ （ｂ）を
用いて示す。第３図（ａｌの斜視図に示す第２の実施例
の構造が第２図（ａ）に示された第１の実施例の構造と
異なる点は、ｐ形ＩｎＰの漏洩阻止層（Ｚｎドープ ］
ＸＩＱ ６ｎ、厚さ約０．５μｔｘ）１１が光力イト
層ｌＯの上に形成されている点である。この場合の漏洩
阻止層１１は第１回目の液相エピタキシャル成長工程で
元カイト層１０の上に０３μｍの厚さで形成される。こ
の構造においても、第３図（ｂｌのメサストライプ１５
の中央部分での断面図を見る２段差部４０の左側のテラ
ス状領域部分では多層膜がｐ−ｎｐｎ接合を形成してい
るため、この領域では電流が流れない。従って第１の実
施例と同様に、ｐ側金属電極３２をキャップ層８の表面
の全面に形成できるため電極形成プロセスを簡略化でき
、また無効電流を減少できるため動作特性を向上させる
ことができた。
用いて示す。第３図（ａｌの斜視図に示す第２の実施例
の構造が第２図（ａ）に示された第１の実施例の構造と
異なる点は、ｐ形ＩｎＰの漏洩阻止層（Ｚｎドープ ］
ＸＩＱ ６ｎ、厚さ約０．５μｔｘ）１１が光力イト
層ｌＯの上に形成されている点である。この場合の漏洩
阻止層１１は第１回目の液相エピタキシャル成長工程で
元カイト層１０の上に０３μｍの厚さで形成される。こ
の構造においても、第３図（ｂｌのメサストライプ１５
の中央部分での断面図を見る２段差部４０の左側のテラ
ス状領域部分では多層膜がｐ−ｎｐｎ接合を形成してい
るため、この領域では電流が流れない。従って第１の実
施例と同様に、ｐ側金属電極３２をキャップ層８の表面
の全面に形成できるため電極形成プロセスを簡略化でき
、また無効電流を減少できるため動作特性を向上させる
ことができた。
本発明の第３の実施例を第４図（ａｌ ｅ （ｂｌに示
す。
す。
第１及び第２の実施例と異なる点は、エピタキシャル成
長工程が２回と短いことである。即ち最初にｎ形ＩｎＰ
基板１の表面にＺｎ拡散を施し厚さ約０８μｍの漏洩防
止層ｌ］を形成したあとで表面に回折格子２０を形成す
る。
長工程が２回と短いことである。即ち最初にｎ形ＩｎＰ
基板１の表面にＺｎ拡散を施し厚さ約０８μｍの漏洩防
止層ｌ］を形成したあとで表面に回折格子２０を形成す
る。
次に第１の実施例と同様なエツチングを施し。
９一
段差部４０の両側を１３μｍの段差をつける。第１回目
の液相エピタキシャル成長工程でｎ形ＩｎＧａＡｓＰ光
ガイド層１０．ｎ形ＩｎＰバッファ層２．ノンドープＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層３を段差部４０の両側で分離して成
長させたのちｐ形１ｎＰクラッド層４を全面に連続して
成長させる。各層の膜厚を各々、０５μｍ１μｍ、０．
１５μｍ、 ］μｍで成長させると段差部４０のところ
で回折格子上の光力イト層ＩＯと活性層３とが端面・を
突き合せた形で接続される。このテラス状基板を作製し
た後の工程は第１の実施例と同様である。この構造は、
第４図（ｂ）の断面図に示される様に段差部４０の左側
では第１の実施例と全く同じ積層形状をしている。また
段差部４０の右側では光ガイド層１０を余計に含むが、
この庵と活性層３との間には、ｎ形ＩｎＰバッファ層２
を１μｍの厚さで形成しているため、活性Ｎ３へのキャ
リア注入及び活性層３での元導波齋こ影響を与えること
はない。従って第３の実施例は第１の実施例と同等の性
能を実現できかつ第１の実施例よりも製作工程が短くて
済む利点を有している。
の液相エピタキシャル成長工程でｎ形ＩｎＧａＡｓＰ光
ガイド層１０．ｎ形ＩｎＰバッファ層２．ノンドープＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層３を段差部４０の両側で分離して成
長させたのちｐ形１ｎＰクラッド層４を全面に連続して
成長させる。各層の膜厚を各々、０５μｍ１μｍ、０．
１５μｍ、 ］μｍで成長させると段差部４０のところ
で回折格子上の光力イト層ＩＯと活性層３とが端面・を
突き合せた形で接続される。このテラス状基板を作製し
た後の工程は第１の実施例と同様である。この構造は、
第４図（ｂ）の断面図に示される様に段差部４０の左側
では第１の実施例と全く同じ積層形状をしている。また
段差部４０の右側では光ガイド層１０を余計に含むが、
この庵と活性層３との間には、ｎ形ＩｎＰバッファ層２
を１μｍの厚さで形成しているため、活性Ｎ３へのキャ
リア注入及び活性層３での元導波齋こ影響を与えること
はない。従って第３の実施例は第１の実施例と同等の性
能を実現できかつ第１の実施例よりも製作工程が短くて
済む利点を有している。
１０−
以上の３つの実施例においては、 Ｉｒ＋ＧａＡｓＰ活
性層３は上下をＩｎＰ層で挾まれていたが１片側あるい
は両側にＩｎＧａＡｓＰ活性層３よりも屈折率が小さい
ＩｎＧａＡｓＰ！４波層を設けたラージ・オノティカル
ーキャビテ（（Ｌａｒｇｅ ＱｐｔｉｃａｌＣａｖｉｔ
ｙ ） 構造とすることも可能である。また材料を（Ｊ
ａ Ａ ａ基板上のＡｌＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡ
ｓＰ等とすることも可能である。
性層３は上下をＩｎＰ層で挾まれていたが１片側あるい
は両側にＩｎＧａＡｓＰ活性層３よりも屈折率が小さい
ＩｎＧａＡｓＰ！４波層を設けたラージ・オノティカル
ーキャビテ（（Ｌａｒｇｅ ＱｐｔｉｃａｌＣａｖｉｔ
ｙ ） 構造とすることも可能である。また材料を（Ｊ
ａ Ａ ａ基板上のＡｌＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡ
ｓＰ等とすることも可能である。
最後に本発明の％徴をまとめると、従来に比べ回折格子
が設けられた光力イト層を含む領域をｐｎｐｎ多層構造
とすることにより、電極形成プロセスを簡略化でき生産
性を高めることができることである。
が設けられた光力イト層を含む領域をｐｎｐｎ多層構造
とすることにより、電極形成プロセスを簡略化でき生産
性を高めることができることである。
明の第１の実施例の胴視図、第２図（ｂｌはその断面図
、第３図（ａ）は本発明の第２の実施例の斜視図。 第３図（ｂｌはその断面図、第４図（ａ）は本発明の第
３の実施例の斜視図、第４図（ｂｊはその断面図を示す
。 図中１はｎ形ＩｎＰ基板、２はｎ形ＩｎＰバッファ層。 ３はＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｐ形ＩｎＰクラッド層
。 ５はｐ形ＩｎＰ電流ブロック層、６はｎ形ＩｎＰ電流閉
じ込め層、７はｐ形ＩｎＰ埋め込み層、 ８はｐ形Ｉｎ
ＧａＡｓＰキャップ層、１０はｐ形もしくはｎ形のＩ
ｎＧａＡｓＰ光ガイド／ｅ＊、１１はｐ形ＩｎＰｉ洩阻
止層、 １５はメサストライプ、１６及び１７は平行な
２本の溝、２０は回折格子、３０は５ｉｎｓ絶縁膜、３
２はｐ側金属電極、３３はｎ側金属電極、４０は段差部
を示す。 第１ 口 （ｂ） ８２ 図 躬 ３１ｆｌ 范 〃 図 （ｂ）
、第３図（ａ）は本発明の第２の実施例の斜視図。 第３図（ｂｌはその断面図、第４図（ａ）は本発明の第
３の実施例の斜視図、第４図（ｂｊはその断面図を示す
。 図中１はｎ形ＩｎＰ基板、２はｎ形ＩｎＰバッファ層。 ３はＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｐ形ＩｎＰクラッド層
。 ５はｐ形ＩｎＰ電流ブロック層、６はｎ形ＩｎＰ電流閉
じ込め層、７はｐ形ＩｎＰ埋め込み層、 ８はｐ形Ｉｎ
ＧａＡｓＰキャップ層、１０はｐ形もしくはｎ形のＩ
ｎＧａＡｓＰ光ガイド／ｅ＊、１１はｐ形ＩｎＰｉ洩阻
止層、 １５はメサストライプ、１６及び１７は平行な
２本の溝、２０は回折格子、３０は５ｉｎｓ絶縁膜、３
２はｐ側金属電極、３３はｎ側金属電極、４０は段差部
を示す。 第１ 口 （ｂ） ８２ 図 躬 ３１ｆｌ 范 〃 図 （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、上面もしくは下面の少くとも片面に回折格子が形成
された分布反射領域となる光力イト層と。 発光再結合を行う活性層とを含み、前記光ガイド層と前
記活性層とは各々の端間が突き合わされた形で接続され
ており、かつ前記光力イト層と前記活性層とは少なくと
も上下面を屈折率の低い半導体層により取り囲まれてい
る構造の単一軸モード半導体レーザにおいて、前記光ガ
イド層の上下方向の半導体多層膜がｐｎｐ接合とｎｐｎ
接合のうマ〜少くとも一方の接合を含んだ接合を搗成し
ていることを特徴とする単一軸モード半導体レーザ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5950583A JPS59184585A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
| DE8383110135T DE3379442D1 (en) | 1982-10-12 | 1983-10-11 | Double heterostructure semiconductor laser with periodic structure formed in guide layer |
| EP83110135A EP0106305B1 (en) | 1982-10-12 | 1983-10-11 | Double heterostructure semiconductor laser with periodic structure formed in guide layer |
| US06/541,211 US4618959A (en) | 1982-10-12 | 1983-10-12 | Double heterostructure semiconductor laser with periodic structure formed in guide layer |
| CA000438801A CA1197308A (en) | 1982-10-12 | 1983-10-12 | Double heterostructure semiconductor laser with periodic structure formed in guide layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5950583A JPS59184585A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59184585A true JPS59184585A (ja) | 1984-10-19 |
Family
ID=13115185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5950583A Pending JPS59184585A (ja) | 1982-10-12 | 1983-04-05 | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59184585A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62221182A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Fujikura Ltd | 分布反射型レ−ザ |
| JPS62221181A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Fujikura Ltd | 分布反射型半導体レ−ザ |
| JPS62221184A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Fujikura Ltd | 分布反射型半導体レ−ザ |
-
1983
- 1983-04-05 JP JP5950583A patent/JPS59184585A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62221182A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Fujikura Ltd | 分布反射型レ−ザ |
| JPS62221181A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Fujikura Ltd | 分布反射型半導体レ−ザ |
| JPS62221184A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Fujikura Ltd | 分布反射型半導体レ−ザ |
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