JPS5988487A - ペネム誘導体の製造法 - Google Patents

ペネム誘導体の製造法

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JPS5988487A
JPS5988487A JP57197923A JP19792382A JPS5988487A JP S5988487 A JPS5988487 A JP S5988487A JP 57197923 A JP57197923 A JP 57197923A JP 19792382 A JP19792382 A JP 19792382A JP S5988487 A JPS5988487 A JP S5988487A
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formula
solution
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fluoroethylthio
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Isao Kawamoto
勲 川本
Rokuro Endo
遠藤 六郎
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Sankyo Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 のである。
R1 式中 R1は水酸基の保護基乞、R2は弗素原子で置換
された直鎖若しくは分岐鎖状低級アルキル基を、R3は
カルボキシ基の保膜基馨示す。
近年耐性菌の著しい増加に伴ない、抗菌スペクトルが広
く耐性菌に強い抗菌活性を有する化学療法剤が望まれて
いる。本発明者等は長年に亘シ前述した活性な有する新
規ペネム酵導体を1成すべく鋭意研究を重ねた結果、一
般式(JD(式中、R2&家前述したものと同意義、、
、ulおよびR3が水素原子を示す。)?r:有する化
合物が広範囲の病原菌に対してすぐれた抗菌活性6有す
ることな見い出した。今回発明者等はこれらの化合物の
合成法を種々検削しこれらの化合物の合成中間体である
一般式■(式中、R1は水酸基の保護基な R2は弗素
原子で置換された直鎖若しくは分岐鎖状低級アルキル基
、p、−、u3はカルボキシ基の保護基を示す。)を有
すペネム誘導体の新規なかつ簡便な製造法な見い出し本
発明を完成するに至った。その製造法は一般式印(式中
、R1は水酸基の保護基な、R2は弗素原子で置換され
た直鎖若しくは分岐鎖状低級アルキル基を、R3はカル
ボキン基の保護基を、又は酸素原子又は硫黄原子を示す
。)を有する化合物を3価リンと反応させ一般式(ID
 C式中 R1は水酸基の保凸基を、RM弗素原子で置
換された直鎖若しくは分岐鎖状低級アルキル基*、R3
はカルボキン基の保護基を示す)を有するペネムカルボ
ン酸エステルナ得る方法である。この方法は従来のヘイ
・ム誘導体の合成法たとえばJ、Am、Ohem、So
e。
± 8214 (197B) 、または特開昭54−1
19486号に開示された方法に比較して短かい工程で
効率よく一般式(IIJを有する化合物を合成できる点
ですぐれた方法である。
本発明は一般式■を有す新規ペネム誘導体の合成法であ
る。
○R1 式中、Rが示す水酸基の保護基としては、例えばp−ニ
トロベンジルオキシカルボニル、。
−ニトロベンジルオキシカルボニル、ベンジルオキシカ
ルボニルなどのベンジルオキ7カルボニル基を;トリメ
チルシリル、トリエチルシリル〜 tert−ブチルジ
メチルシリルなどのトリアルキルシIJル基を;アセチ
ル、10ピオニル、ブチリル、クロルアセチルなどの低
級アルカノイル基化;メトキシメチル、エトキンメチル
、1−メチル−1−メトキシエチル、2−メトキシエト
キシメチル、2,2.2−1−リクロルエトキ7メチル
などのアルコキシアルキル基を;エトキシカルボニル、
プロポキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、2,
2.2−1−リクロルエトキシカルボニルなどのアルコ
キシカルボニル基をあげることができる。好適にはp−
ニトロベンジルオキシカルボニル基、トリエチルシリル
基またはtert−ブチルジメチルシリル基である。
R2が示す弗素原子で置換された直鎖若しくは分岐鎖状
の1氏級アルキル基としては、例えば2−フルオロエチ
ル、3−フルオロプロピル、1−フルオロ−2−プロピ
ル、4−フルオロブチル、1.3−ジフルオロ−2−プ
ロピル、2.2.2−トリフルオロエチルをあげること
ができる。好適には2−フルオロエチル、3−フルオロ
プロピルまたは1−フルオロ−2−プロピル基であわ、
特に好適には2−フルオロエチル基でおる。R6で示さ
れるカルボキシ基の保餓基としては例えばメチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t
ert−ブチルなどのアルキル基馨;アリル、2−クロ
ルアリル、2−メチル−2−プロペニルなどのアリル基
を;メトキンメチル、エトキシメチル、プロポキシメチ
ル、イソ10ボキシメチル、ブトキシメチル、イソブト
キシメチルなどのアルコキシメチル基ヲ、ヘンシル、p
−メトキシベンジル、0−ニトロベンジル、p−ニトロ
ベンジルナトのベンジル基をあげることができる。R3
で示されるカルボキン基の保護基のうち生体内で容易に
カルボン酸に戻るものとして例えば、アセトキシメチル
、プロピオニルオキンメチル、ブチリルオキシメチル、
インブチリルオキンメチル、ビバロイルオキンメテルの
ようなアシルオキシメチル基を;1−メトキシカルボニ
ルオキシエチル、1−エトキシカルボニルオキシエチル
、1−プロポキシカルボニルオキ/エチル、1−インプ
ロホキ7カルボニルオキシエチル、1−プトキ7カルポ
ニルオキシエチル、1−インブトキシカルボニルオキシ
エチルなどのアルコキシカルボニルオキシエチル基を;
フタリジル基ta0:;(2−オキソ−5−メチル−1
,3−ジオキソレン−4−イルコメチル基をあげること
ができる。
好適には、アリル、p−ニトロベンジル、(2−オキソ
−5−メチル−1,3−ジオキソレン−4−イル)メチ
ル基である。
なお前記一般式(II)を有する化合物においては不斉
炭素原子に基く光学、異性体が存在し、これらの異性体
がすべて単一式で示きれている。これらの異性体のうち
で好適なものとしては(5R,5B)および6−[1−
(R))配位の化合物をあげることができる。
一般式(ID ’に有するペネム誘導体は新規な一般式
中 (式中R1、R2およびR3は前述したものと同意萩を
示し、又は酸素原子または硫黄原子を示す。
を有する化合物を溶媒中、2〜4当社の3価の有機リン
化合物を用いて環化することによって得られる。本反応
に使用する溶媒としては、反応に関与しないものであれ
ば特に限定はないが、クロロホルム、メチレンクロライ
ドのよ5なハロゲン化炭化水素、テトラヒドロフラン、
゛ジオキサンのよ5なエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブ
チル等のようなエステル類、ベンゼン、トルエン、キシ
レンのような芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド
、ジメチルアセトアミドのようなジアルキルアセトアミ
ド類その他、アセトニトリル、ジメスルホキシドなどで
ありこれらの混合溶媒も使用できる。好適にはベンゼン
トルエン、キシレンなどである。
3価の有機リン化合物としては亜リン酸トリアルキル、
環式および/または脂環式亜リン酸トリアルキル、亜す
ン酸トリアリ〜ル、混合亜リン酸アルキルアリールおよ
び亜すン畝トリアミドなどが使用できる。好適には亜リ
ン酸トリ)アルキルである。
反応温度は特に限定はなく、通常20°〜200℃で行
うが好適には50@〜150℃である。
反応に要する時間は一般式(1)を有する化合物の種類
および反応温度によシ異なるが2時間〜4日間である。
反応終了後ペネム誘導体(n)は常法に従って反応混合
物から単離する。例えば反応混合物を必要ならば不溶物
をF別後、水洗、乾燥し76媒および試薬を留去し得ら
れる目的化合物を必要ならば再結晶、薄層クロマトグラ
フィーまだはカラムクロマトグラフィーなどによシ精製
する。
本発明によって得られだペネム誘導体(IIJの水酸基
の1呆役基Rおよびカルボキン基の保欣基R3を通常の
方法、例えば特開昭57−2289号に記載の方法に従
って除去することにより強い抗菌活性を示すペネム誘導
体へ導ける。又一般式(II)においてRが水素原子R
か前述した生体内でカルホン敞へ戻る化合物はエステル
型のま\経日用抗菌剤として用いることができる。
本発明に使用した一般式(1)ヲ有する化合物は以下に
示す方法により!!!造することができる。
特開昭54−88291号に開示されたアセトキンアゼ
チジノン[相]に二硫化炭素及び弗素置換アルキルメル
カプタンを反応させ化合物(財)とし次いでアルコキシ
オキサリルクロリドを反応させることによシ化合物(1
)を得ることができる。
(IJ 又、UK Patent Application G
B 2042514 。
(1980年)に開示された方法によって得られるアゼ
チジノン銹導体(■をB、G、0hrietensen
等(Tetrahedron  1etlers  3
535  (f  9 8 2 )  )  の方法に
従って化合物(1)(X−0)を製造することができる
Xり0 (V)巾 実施例1゜ (3s、4R)−N−アリルオキシオキサリル−3−〔
1−(5)−tart−ブチ/l/ジメチルシリルオキ
シエチル)−4C(2−フルオロエチルチオ)カルボッ
チオイルチオ〕アゼチジン−2−オン112m9と亜リ
ン酸トリエチルγγμtのトルエン3 ml?溶液を窒
素気流下75°〜80℃で20時間攪拌し、溶剤および
揮発性物質な減圧上留去し、残渣なローバーカラム(メ
ルク社製シリカゲル θ1zeA *展開溶剤、ベンゼ
ン−酢酸エチル(30:l)を用いて精製するとml)
63’〜5℃を有する目的化合物32〜が得られた。
赤外線吸収スペクトル νL1qC11!−に1160
゜ax 16γ5 1tOH 紫外線吸収スペクトル λ  nm : 260 +a
x 34 核磁気共鳴吸収スペクトル δ  0DO73pm (liQMH2); 0.90(9Hjs)、L25(3H,a、J−6,0
H2)。
3.22(2H,dt、J−IB、0,6.0l−1z
)、3.67(iH,aa、y−2,0,4,0Hz)
、4.60(2H。
dt、J−46,0,6,0H2)、4.0〜4.48
(IH。
m)、4.66(2H,d、J=6.0Hz)、5.5
7(1H,d、、Tm2.0Hz)、5.12〜6.2
2(3H,m)実施例2゜ (SR,6B)−2−(2−フルオロエチルチオ)  
6−(1−(R)−tart−ブチルジメチル(3B、
4R)−N−p−ニトロベンジルオキシオキサリル−3
−〔1−(5)−tart−ブチルジメチルシリルオキ
シエチル)−4−[(2−フルオロエチルチオ)カルボ
ッチオイルチオ〕アゼチジン−2−オン129qと亜リ
ン酸トリエチルγ5μtのトルエン3 ml溶液を窒素
気流下、156〜80℃で19時間攪拌し、溶剤および
jJ■発性物質を減圧上留去し、残渣をローバーカラム
(メルク社製シリガゲル 日1zeA ;展開剤ベンゼ
ン−酢酸エチル(zs:1))pt用いて4’:f 製
すると目的化合物18m9が得られた。
赤外線吸収スペクトル νに乏’4:ty90m169
0.1605 核磁気共鳴スペクトル(a:ooz5)δppm ’0
.90(9H,8)、1.35(3H,a、J−6,0
H2)。
3.32(2H,it、J−19,0,6、QHz)。
3.80(IH、aa、J−4,0,2,0H2)、4
.00〜4.6G(?H,m)、4.70(2H,at
、、T、−47,0゜6.0Hz) 、5.25 j5
.50(2H,AB−quartet 。
:f−14,0Hz)、5.72(IH,d、、T−2
,QHg)。
7.68 、8.24(4H、A2B2.J−9,0H
z)参考例1゜ 2−フルオロエチルチオアセテートc268mg)を無
水メタノ−k 4 mlに溶解し約−15℃に冷却する
。窒素気流中、0.5Mナトリウムメトキシドのメタノ
ール溶液(4M)を滴下し約5分間攪拌しく132μt
)の二硫化炭素を加え、約−15℃で約15分間攪拌し
た。(3B、4R)−3−(1−い) −tert−ブ
チルジメチルシリルオキシエテル)−4−アセトキシア
ゼチジン−2−オン(604■〕を加え一15°〜−1
0℃で2.5時間、さらに06〜5℃で15分間攪拌し
た後酢酸(Q、21 ml )を加え、酢酸エチル、食
塩水馨加えて抽出した。食塩水で洗浄した後、無水硫酸
マクネシュウムで乾燥し溶剤な留去した後残竹ケシリカ
ゲルを用いだカラムクロマトグラフィー(展開剤、ベン
セン−酢酸エチルtaxi)で精製すると、融点106
〜?07 ℃Y有する目的化合物(3451%+)と原
料化合物である( 3 B 、 4 R)−3−[1−
(R)−tert−ブチルジメチルシリルオキシエチル
)−4−アセトキシアセテジン−2−オン(131rn
9)が得られた。
赤外線吸収スペクトル νKBrC1n= : 305
0 。
ax 1765.1725 核磁気共鳴吸収スペクトル δ  0DOt5pm (60MHz): 0.89(9H,S)、1.21(3H,d、J−6,
0H2)。
3.20(1)1.t、J−2,0H5)、3.68(
2H。
dts J−21,0、6,OHz ) 、 4、DO
〜4.50(iH。
m)*4s9(2H,dt、J−47,0,6,0H2
)。
5.65(IH,d、J−2,[1H2)、6.65(
IH,br)B法(共存法) 2−フルオロエチルチオアセテート(zea雫)と二硫
化炭素(132μt〕を無水メタノール(4献〕に溶解
し約−15℃に冷却する。窒素気流中、0.5Mナトリ
ウムメトキシドのメタノール溶液(4d〕を約15分か
かってゆっくシ滴下し約−15℃で30分間攪拌した。
(38,4R) −−3−[1−(RJ −tart−
ブチルジメチルシリルオキシエテル)−4−アセトキン
アセチジン−2−オン(604rn9)を加え、−15
°〜−10℃で約1時間攪拌すると目的化合物の結晶が
析出しはじめる。反応液なそのまま約−20℃の冷凍庫
中に1夜放置した後A法と同様に処理、精製して目的化
合物(536叩)を得た。
参考例2゜ チオ)カルボッチオイルチオ〕アゼチジン−2−オン (3f3.4R)−3(1−(R)−tert−ブチル
ジメチルシリルオキシエチル)−4−4(2−フルオロ
エチルチオ)カルボッチオイルチオ〕アセチジン−2−
オン100Fn9とトリエチルアミン36μtの塩化メ
チレン溶液(3M)を0−5℃に冷却し、アリルオキシ
オキサリルクロリド39g夕のo、 s mi塩化メチ
レン溶液を加え、〇−5℃で約30分攪拌した。反応液
を塩化メチレン30m1で希釈し、飽和食塩水で洗浄し
、無水硫酸マグイ・シュラムで乾燥し、溶剤を留去する
とmp58°−60℃な有する目的化合物116 m9
が得られた。
Nujot−1。
赤外線吸収スペクトル ν  cvr  、1810゜
ax 1745.1695 核磁気共鳴吸収スペクトル δ  anct3pm (60MHz); 0.85(9H,8)、122(3H,a、、T−5,
0Hz)。
3.41〜4.05(aH,m)、4.6o(zH,a
t。
J−47,0,6,0H2)、4.35(II(、m)
、4.75(2u、a、J=6、GHz)、5.11〜
6.22C3H。
m)、6.70(IH,a、、T−4,rJ1’Iz)
参考例3゜ (31314R)−3−[1−(R)−tert−ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル〕−4−4(2−フルオ
ロエチルチオ)カルボッチオイルチオ〕アセチジン−2
−オン100m9とトリエチルアミン36μtの塩化メ
チレン溶液(3ffl/)YO−5℃に冷却し、p−ニ
トロベンジルオキシオキサリルクロリド63.5〜の0
.5M塩化メチレン溶液を加え0−5℃で約30分攪拌
し、実施例1と同様に処理すると1291n&の目的化
合物が得られた。
赤外W吸収スペクトル vLlqcm−’ :18t5
゜max 1770.1 γ10 疹考例4゜ ステル (5R,68)−2−(2−フルオロエチルチオ)−6
−[1−(至)−tert−ブチルジメチルノリルオキ
シエチル)ペネム−3−カルボンばp−ニトロベンジル
エステル(82mg)のテトラヒドロフラン溶# (2
mA )に酢ば(86μt)とテトラブチルアンモニウ
ムフルオライドの1モルナトラヒドロフラン俗液(0,
604ml ) ?!′加ん、室温で一夜(,1を拌、
30℃の油浴上10時間憶拌する。酢酸エチルで反応液
を希釈した後、飽和食塩水、5%M替水、飽和食塩水で
順次洗砂し、俗ハ1」欠留去して得られる残渣なローバ
カラム(メルク社製、サイズA1展開溶剤:ベンゼン:
酢酸エチル−〇5:35)を用いて精製すると目的化合
物(40mg)が得られた。
融点168〜110℃ tOH 紫外線吸収スペクトル λ  nm:261+ax 39 核磁気共鳴スペクトル(DMSO−d6)δppm ’
118(3H,d、J−6,OHl、2.9〜3.7(
2H,m)、3.86(IH,ddl、J−6,0,2
,0Hz)、3.8〜4.15(IH,m)、4.66
(2H。
at、J−4乙0,6.0H2)、5.19(’IH,
d。
J==4.0Hz)、5.30.5.48(2H,AB
−q 。
J=14.0Hz)、5.77(iH,d、J−2,O
H1゜?、72,8.25(4H,A2B2jJ−9,
0Hz)参考例5゜ (5R,6B)−2−(2−フルオロエチルチオ)−6
−(1−(R1−ヒドロキシエチル)ペネム−3−カル
ボン酸 p−ニトロベンジルエステル(39mg)をテ
トラヒドロフラン(3M)ニ溶カシ、’l ン酸緩1r
li(pH−7,1,3mlりおよび10%パラジウム
炭素(78m9)を加え、水素気流下、室温で2.5時
間攪拌する。触媒を沖去した後、酢酸エチルで洗浄し、
水層な約2mlにまで減圧濃縮する。これをダイアイオ
ンHP−20AG(三菱化成工業製)のカラムに付し、
5乃アセトン水で溶出される部分から、減圧濃縮、凍結
乾燥して白色粉末の目的化合物(17fflを得た。
赤外線吸収スペクトル νHHHcm” : 3425
 。
1765.1600 321.5 核磁気共鳴スペクトル(D20)δppm ’1.30
(3H,d、J−6,9Iiz) 、2.9〜3.5(
2H,m)、3.90(IH,dd、J−6,0,2,
0H2)。
4.0〜4.45(IH,m)、4.70(2H,at
参考例6゜ (5R,6B)−2−(2−フルオロエテルチオ)−6
−[1−(R)−tert−ブチルジメチルシリルオキ
シエチル〕ペネム−3−カルボン酸アリルエステル64
mgの1.6 mAのテトラヒドロフラン溶液に酢酸8
2μtとテトラブチルアンモニウムフルオライドの1モ
ルテトラヒドロフラン溶液0.57m1を加え、室温で
18時間投拌する。
酢酸エチルで反応液を希釈した後、飽和食塩水、5%重
曹水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。溶剤を留去すると(SR,6B)−2−[
2−フルオロエチルチオ) −5−C1−(R)−ヒド
ロキンエチル]ペネムー3−カルボン酸 アリルエステ
ル43m9得られた。
次いで(5R,6B) −2−(2−フルオロル〕ペネ
ムー3−カルボン酸 アリルエステル43 m9を塩化
メチレンT mlに溶解し、2−エチルヘキ→ノ゛ン酸
ナトリウム23ηの酢酸エチル0、5 ml!溶液え加
え、次いでトリフェニルホスフィン5m?、テトラキス
(トリフェニルホスフィン〕パラジウムs my @加
え、この溶液?望素気流中約1時間攪拌した。この反応
液を酢酸エチル10m1で希釈し、水(sm/x3回)
で抽出し水ノ鍔馨約2 ml、まで減圧濃縮した。これ
をタイアイオンHP−20A()(三菱化成工業製)の
カラムに付し5%アセトン水で溶出すれる部分から、減
圧−MI?i 、凍結して白色粉末の目的化合物24m
gぞ(4?た。このものは先の参力例梓で得たものと赤
外線吸収スペクトル、紫外線吸収スペクトルおよO・核
イ=気共11歇吸収スペクトルにおいて一致した。
特許出願人 三共株式会社 代理人 弁理士 樫出庄治 手続補正書(自発) 昭和58年1月17日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事件の表示 昭和57年特許願第197923号 2、発明の名称 ベネム誘導体の製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒103東京都中央区日本橋本町3丁目]一番地
の6名称   (185)三共株式会社 代表者 取締役社長  河村喜典 4、代理人 居所 〒140東京部品川区広町1丁目2番58号三共
株式会社内 明細@第14頁第4行と第5行の間に次の文を加入する
■)出発原料の製造 (38,4R) −3−[1−(R) −tert−ブ
チルジメチルシリルオキシエチル]−4−((2−フル
オロエチルチオ)カルボッチオイルチオ〕アゼチジン−
2−オン3841〜の塩化メチレン溶液(40me)を
()−5℃に冷却し、炭酸カルシウム4.00g−とア
リルオキシオキサリルクロリド1.787の5 ml塩
化メチレン溶液を加え、o−5℃で約30分攪拌した。
反応液をクロロポルム30゜meで希釈し、冷水で2回
洗浄稜、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過し、クロロ
ホルムで容量全調節することによって、(38,4R)
 −N−アリルオキシオキサリル−3−[1−(R) 
−tert −ブチルジメチルシリルオキシエチル]−
4−〔(2−フルオロエチルチオ)カルボッチオイルチ
オ〕アゼチジン−2−オンの370 ml溶液を得た。
2−A) 上述の(38,4R) −N−アリルオキシオキザリル
−3−(1−(R) −tert−ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル]−4−[(z−フルオロエチルチオ)
カルボッチオイルチオ〕アゼチソン−2−オンの37 
(l mlクロロポルム溶液に11!、リン酸トリエチ
ル3.43 mlを加えた後約16時問屋素気流下加熱
還流した。溶剤および揮発性物質を減圧下留去し、残液
をシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー(展開
剤、ベンゼン−酢酸エチル30:1およびベンゼン−酢
酸エチル5:1)で精製するとベンゼン−酢酸エチル3
0:1の溶出部より目的化合物2.667が無色の結晶
として得られた。このものは先に実施例1で得たものと
赤外線吸収スペクトル、紫外線吸収スペクトルおよび核
磁気共鳴ス4クト、+1/において一致した。又、ベン
ゼン−酢酸エテル5;1の溶出部よシ(3s、4n) 
−N −C(アリルオキシカルビニル)トリエトキシホ
スホラニリデンメチル] −3−C1−(R) −te
rt−ブチルジメチルシリルオキシエチル]−4−[(
2−フルオロエチルチオ)カルボッチオイルチオ〕アゼ
チジン−2−オンo、49ty(赤外線吸収スペクトル
ニジ銖を旨750 r 1635crn−’ + 薄層
クロマトグラフィー(メルク社製、シリカケ9ルfiO
F−254):展開液ベンゼン−酢酸エチル5: I 
R,=0.26 )を得た。このもの0.49iをクロ
ロホルム50 ml中18時間加熱Ki 1ift、 
しても目的化合物は得られないが、乾燥キシレン(30
mg )中5 mgのハイドロキノンを加え、屋素気流
F’ 125℃で7時間加熱した後、溶剤を留去し、前
述と同様にシリカケ9ルを用いたカラムクロマトグラフ
ィー(展開剤、ベンゼン−酢酸エチル30 :1 )で
精製すると161 mgの目的化合物及び(5S、6S
) −2−(2−フルオロエチルチオ)−6−[1−(
R) −tart−ブチルジメチルシリルオキシエチル
)ベネム−3−カルd?ン酸アリルエステル(5R体:
5S体=4:1)が得られた。
2−B) (3S、4R) −3−C1−(R) −tert−ブ
チルジメチルシリルオキシエチル)−4−[(2−フル
オロエチルチオ)カルボッチオイルチオ〕アゼチジン−
2−オン6、Of!−より1)と同様にして調製した(
38.4R) −N−アリルオキシオキツリル−3−(
1−(R) −tert−ブチルジメチルシリルオキシ
エチル)−4−((2−フルオロエチルチオ)カルプツ
チオイルチオ〕アゼチジン−2−オンの470−のクロ
ロホルム溶液を窒素気流中、加熱還流し、亜リン酸トリ
エチル5、36 mlの130 mlのクロロホルム溶
′g!、を約4時***してゆつくシ滴下した。滴下終了
後、約16時間還流した。溶剤および揮発性物質を減圧
下に留去し、残渣をシリカダルを用いたカラムクロマト
グラフィー(展開剤、ベンゼン−酢酸エチル3()二1
)で精製すると4.9637の目的化合物が無色の結晶
として得られた。このものけ先に実施例1で得たものと
赤外線吸収スペクトル、紫外緑吸収スペクトルおよび核
磁気共鳴スペクトルにおいて一致した。
2−C) (38,4R) −3CI −(R) −tert−ブ
チルジメチルシリルオキシエチル)−4−[:(2−フ
ルオロエチルチオ)カルボッチオイルチオ〕アゼチジン
−2−オン384 Tn?より1)と同様にしテ調製し
た(38.4R) −N−アリルオキシオキサリル−3
−[1−(R) −tert−ブチルジメチルシリルオ
キシエチル]−4−4(2−フルオロエテルチオ)カル
ボッチオイルチオ〕アゼチゾン−2−オンの30m1の
クロロホルム溶液に亜リン酸トリメチル236μ乙の1
0m1クロロホルム溶iiiを加え、窒素気流中、18
時間加熱還流した。溶剤および揮発性物質を減圧下留去
し、残渣−12−B)と同様に精製すると207 m9
の目的化合物が無色の結晶として得られた。このものは
先に実施例1で得たものと赤外線吸収スペクトル、紫外
線吸収スペクトルおよび核磁気共鳴スペクトルにおいて
一致した。
2−D) (38,4R) −3−C1−(R) −tert−ブ
チルジメチルシリルオキシエチル]−4−C(2−フル
オロエチルチオ)カルがノチオイルチオ〕アゼチジンー
2−オン384mQよ#)1)と同様にして調製した(
38.4R) −N−アリルオキシオキツリルー3− 
[1−(R) −tart−ブチルジメチルシリルオキ
シエチル]−4−((2−フルオロエチルチオ)カル?
ノチオイルチオ〕アゼチノン−2−オンの30mgのク
ロロホルム溶液に用影リン酸トリーn−ブチル541μ
tの1 (l meジクロロルム溶液を加え、窒素気流
中、188.7間加熱還流した。溶剤および揮発性物ダ
↓を減圧下留去し、残渣を2−B)と同様に精製すると
211 mLiの目的化合物が無色の結晶としてイi手
られた。このものは先に実施例1で得たものと赤外線吸
収スペクトル、紫外線吸収スペクトルおよび核磁気共鳴
スペクトルにおいて一致した。」以上 手続補正書(自発) 昭和9?年q月15日 特許庁長官若杉和夫殿 1、事件の表示 昭和57年特許願第197923号 2、発明の名称 ペネム誘導体の製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒103東京都中央区日本橋本町3丁目1番地の
6名称   (185)三共株式会社 代表者 取締役社長  河村喜典 4、代理人 居所 〒140東京部品川区広町1丁目2番58号三共
株式会社内 5、補正により増加する発明の数  なし6、補正の対
象  明細書の発明の詳細な説明1、 明細書第12頁
第14行の r (I Hl 64 、 J −2,0、4,OHz
 ) 、 jを[(I H、dd、 J −4,0、2
,0Hz ) 、 Jと訂正する。
2、 明細書第14頁第4行と第5行の間に、かつ1)
出発原料の製造 (3B、4R) −3−(1−(R) −tert−ブ
チルジメチルシリルオキシエチル)−4−[(2−フル
オロエチルチオ)カルボッチオイルチオ〕アゼチジン−
2−オン2.31の塩化メチレン溶液(24−)を0−
5℃に冷却し、炭酸カルシウム2、4.9 +!: p
−ニトロベンジルオキシオキサリルクロリド1.75.
9の6−塩化メチレン溶液を加え、0−5℃で約30分
攪拌した。反応液をクロロホルム150−で希釈し、冷
水で2回洗浄後、無水硫酸マグネシュウムで乾燥、r過
し、クロロホルムで容量を調節することによって、(3
S。
4R) −N −p−ニトロベンジルオキシオキサリル
−3−〔1−但) −tert−ブチルジメチルシリル
オキシエチル]−4−(2−フルオロエチルチオ)カル
ボッチオイルチオ〕アゼチジン−2−オンの180m1
溶液を得た。
2−A) 上述の(38,4R) −N −p−二トロベンジルオ
キシオキサリ# −3−(1−(R)−tert−ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル]−4−4(2−フルオ
ロエチルチオ)カルボッチオイルチオ〕アゼチジン−2
−オンの180−クロロホルム溶液を蟹素気流下に加熱
還流し、その溶液に亜リン酸トリエチル2.06m1の
60−クロロホルム溶液を約4時間かかつて滴下し、滴
下後約16時間還流した。溶剤および揮発性物質を減圧
留去し、残漬をシリカゲルを用いたカラムクロマトグラ
フィー(展開剤、ベンゼン−酢酸エチル30:1および
ベンゼン−酢酸エチル5;1)で精製するとベンゼン−
酢酸エチル30:1(7)溶出部よシ目的化合物1.6
8.9が無色の結晶として得られた。このものは先に実
施例2で得たものと赤外線吸収スペクトル、核磁気共鳴
スペク) ルK オイて一致した。又、ベンゼン−酢酸
エチル5:1の溶出部よυ(3”’+4R) −N−C
(p−二トロベンジルオキシカルボニル)トリエトキシ
ホスホラニリデンメチ、ル) −3−(1−(R)−t
ert−ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−4−[
(2−フルオロエチルチオ)カルボッチオイルチオ〕ア
ゼチジン−2−オン51olly(赤外線吸収スペクト
ル+ v ”1q: 1750 、1630ax m−1,薄層クロマトグラフィー(メルク社製。
シIJ カケル60F −254) :展開液 ベンゼ
ン酢酸xイル5 : I  Rf−0,30)を得た。
このもの100■をクロロホルム2o−中16時間加熱
還流しても目的化合物は得られないが、このもの191
1+1Fヲ乾燥キシレン(12td)中3誘gのハイド
ロキノンを加え、窒紫気流下125℃でT時間加熱した
後、溶剤を留去し、前述と同様にシリカゲルを用いたカ
ラムクロマトグラフィー(展開剤、ベンゼン−酢酸エチ
ル30:1)で精製すると7019の目的化合物及び(
58,68) −2−(2−フルオロエチルチオ)−6
−[1−但)−tert−7’チルジメチルシリルオキ
シエチル)ベネム−3−カルボン酸 p−ニトロベンジ
ルエステル(5R体:58体−3.5 : 1 )が得
られた。」3、 明細書第23頁第12行の 「凍結して・・・・・・・・・」を 「凍結乾燥して・・・・・・・・・」と訂正する。
以上 手続補正書(自発) 昭和58年12月6日 特許庁長官若杉相夫殿 ■、事件の表示 昭和51年特許願第197923  号2、発明の名称 ペネム誘導体の製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒103東京都中央区日本橋本町3丁月1番地の
6名称   (185)三共株式会社 代表者 取締役社長  河村喜典 4、代理人 居所 〒140東京部品川区広町J丁目2番58号三共
株式会社内 1 昭和58年1月1γ日付の手に洸補正■第1真下か
ら第一1]σ)あと、かつ昭和58年7月15日付の平
和1;補正1の第2貞第T竹とよ8行の間に次の字句を
加入する。
[2−E) (3B、4R) −3−[1−(R〕−tert−ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル]−4−E(2−フルメ
ロエチルチオフカルボノチオイルチメ]アゼチジン−2
−オン969m9より1)と同4J2にして調製した(
38,4R) −N−アリルオキシメキザリル−3−[
1−σt) −tert−ブチルジメチルシリルオキシ
エチル]−4−4(2−フルオロエチルチオ)カルボノ
チメイルチメ〕アゼチジン−2−メンの70 meのク
ロロホルム溶液に亜リン酸トリー1so−プロピル1.
14−の25 meジクロロルム浴液を加え窒素気流中
18時間還回しした。浴剤および揮発注物質ン減圧下留
去し残/i!1を2−B)と同様に精製すると3501
1?の目的化合物が無色の結晶として得られた。このも
のは先に実施例1で得たものと赤外線吸収スペクトル、
紫外線吸収スペクトルおよび核磁気共鳴スペク]・ルに
おいて一致した。」 28  昭和58年T月15日付の手続袖止胃紀5負第
5頁第81]と第9行の間に次の字句を加入する。
r 2−B) (38,4R) −3−(: 1− (R) −ter
t;−ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−4−CC
2−フルオロエチルチオ)カルボノチオイルヂオ〕アセ
チジン−2−オン951111i+より1)と同43k
にして調m シyt (3E+、4R) −N −p−
ニトロベンジルオギシオキサリル−3−[1−(R)−
tert−ブチルジメチルシリルオキシエチル]−4−
[(2−フルオロエチルチオ)カルボッチオイルチオシ
ー1ゼチジン−2−オンの70m1クロロホルム治液を
窒素気流下に加熱還流し、その溶液に亜リン酸トリー1
so−プロピル1.14m1の25meクロロホルム溶
液を約2.5時間かかって滴−トし、滴下後約17時間
還流した。溶剤および揮発性物質を減圧留去し残置をシ
リカ゛ゲルを用いたカラムクロマトグラフィー(展開剤
、ベンゼン−酢敵工チル301)で精製すると1011
1gの目的化合物が無色の結晶として得られた。このも
のは先に実施例2で得たものと赤外線吸収スペクトル、
核磁気共鳴スペクトルにおいて−iした。」以上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 (式中、R1は水酸基の保護基を、R騒弗素原子で置換
    された直鎖若しくは分岐鎖状低級アルキル基な、R3は
    カルボキシ基の1M穫基を、又は酸素原子又は硫黄原子
    を示す)を有する化合物に三価のリン化合物を反応させ
    ること乞特徴とする 一般式 (式中、R1,R2およびR3は前述したものと同意義
    を示す)を有するペネムd導体の製造法。
JP57197923A 1982-11-11 1982-11-11 ペネム誘導体の製造法 Granted JPS5988487A (ja)

Priority Applications (1)

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JP57197923A JPS5988487A (ja) 1982-11-11 1982-11-11 ペネム誘導体の製造法

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JPS5988487A true JPS5988487A (ja) 1984-05-22
JPH045037B2 JPH045037B2 (ja) 1992-01-30

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6299379A (ja) * 1985-10-17 1987-05-08 フアイザ−・インコ−ポレ−テツド 2−(1−オキソ−3−チオラニル)−2−ペネム抗生物質の製法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6299379A (ja) * 1985-10-17 1987-05-08 フアイザ−・インコ−ポレ−テツド 2−(1−オキソ−3−チオラニル)−2−ペネム抗生物質の製法

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