JPS5980466A - ポリマ−のホ−素−窒素ド−プ剤 - Google Patents
ポリマ−のホ−素−窒素ド−プ剤Info
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- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体の製造においてドープ剤(dopan
t)材料として使用されるホウ素−窒素ポリマーの使用
、とくに半導体基体上に回転付着に適合しかつ集積回路
の製作に使用されるドープ剤組成物に関する。ドープ剤
は、有機溶媒中のガラス様樹脂の形態のポリマーからな
り、その主鎖の少なくとも実質的な部分はホウ素−窒素
ポラゾール(ボラジン)千ツマ一単位を含有する。
t)材料として使用されるホウ素−窒素ポリマーの使用
、とくに半導体基体上に回転付着に適合しかつ集積回路
の製作に使用されるドープ剤組成物に関する。ドープ剤
は、有機溶媒中のガラス様樹脂の形態のポリマーからな
り、その主鎖の少なくとも実質的な部分はホウ素−窒素
ポラゾール(ボラジン)千ツマ一単位を含有する。
ホウ素の不純原子のシリコン中への拡散は半導体装置の
製作に必要であるので、ホウ素をシリコン中に「ドープ
」するための、ある数のホウ素含有化学薬品方法が提案
されてきている。先行技術の製品(および方法)のいく
つかは、次ぎのとおりである: l)ホウ素窒化物のウェーファーを拡散炉内で酸化して
B2O3またはHBO2にし、そしてこの酸化物を蒸気
相の雰囲気中でシリコンウェーファー表面へ移すか、あ
るいはホウ素酸化物を直接使用することができる; 2)三臭化ホウ素の液体を拡散炉内で蒸発させかつ酸化
してB2O3とし、これを蒸気相からウェーファーをコ
ートする; 3)三臭化ホウ素をイオンインブランターとともに使用
するためのホウ素イオン源として使用する。
製作に必要であるので、ホウ素をシリコン中に「ドープ
」するための、ある数のホウ素含有化学薬品方法が提案
されてきている。先行技術の製品(および方法)のいく
つかは、次ぎのとおりである: l)ホウ素窒化物のウェーファーを拡散炉内で酸化して
B2O3またはHBO2にし、そしてこの酸化物を蒸気
相の雰囲気中でシリコンウェーファー表面へ移すか、あ
るいはホウ素酸化物を直接使用することができる; 2)三臭化ホウ素の液体を拡散炉内で蒸発させかつ酸化
してB2O3とし、これを蒸気相からウェーファーをコ
ートする; 3)三臭化ホウ素をイオンインブランターとともに使用
するためのホウ素イオン源として使用する。
それほど普通に使用されていないホウ素源の例は、ホウ
素回転付着(spin−on)溶液(これは、典型的に
は、B2O3、または溶媒中に溶けたボロシリケートの
ガラス前駆物質である)、化学的蒸着により付着される
ボロシリケートフィルム、またはジポラン(B2 Hl
l )ガス(これはBB r3と同様な手順により使用
される。
素回転付着(spin−on)溶液(これは、典型的に
は、B2O3、または溶媒中に溶けたボロシリケートの
ガラス前駆物質である)、化学的蒸着により付着される
ボロシリケートフィルム、またはジポラン(B2 Hl
l )ガス(これはBB r3と同様な手順により使用
される。
前記のものは有効なホウ素源でるが、すべては欠点を有
する。詳しくは、イオンインプランテーションは、高い
資本投下、低い処理量、およびシリコンの結晶構造への
損傷を含むが、ホウ素酸化物および関連する源は異常に
湿気に感受性であり、損傷されたまたは汚れたシリコン
表面をつくり、および/または品質のよいドーピングを
達成するためにはコストが高くかつ複雑な方法を含む。
する。詳しくは、イオンインプランテーションは、高い
資本投下、低い処理量、およびシリコンの結晶構造への
損傷を含むが、ホウ素酸化物および関連する源は異常に
湿気に感受性であり、損傷されたまたは汚れたシリコン
表面をつくり、および/または品質のよいドーピングを
達成するためにはコストが高くかつ複雑な方法を含む。
有利には、有用であるポリマーは、均質でありかつ可溶
性であり、これにより、たとえば、回転付着法により、
表面上に均一に容易に分布されなくてはならない;それ
は比較的非揮発性であり、これにより溶媒を除去すると
きおよび材料を拡散温度に加熱するとき、所望フィルム
は実質的に無傷であるようにしなくてはならない;それ
は不溶性とすることができなくてはならない、すなわち
、熱的にまたは他の方法により橋かけしなくてはならな
い;そしてそれは結晶性よりはむしろガラス様として特
徴づけられなくてはならない。
性であり、これにより、たとえば、回転付着法により、
表面上に均一に容易に分布されなくてはならない;それ
は比較的非揮発性であり、これにより溶媒を除去すると
きおよび材料を拡散温度に加熱するとき、所望フィルム
は実質的に無傷であるようにしなくてはならない;それ
は不溶性とすることができなくてはならない、すなわち
、熱的にまたは他の方法により橋かけしなくてはならな
い;そしてそれは結晶性よりはむしろガラス様として特
徴づけられなくてはならない。
こうして、明らかなように、より経済的に、効率よく適
用される回転付着ホウ素ドープ剤系が要 −求されてい
る。
用される回転付着ホウ素ドープ剤系が要 −求されてい
る。
本発明の目的は、先行技術よりも潜在的に有意な利点を
与える、新規なポリマーのボラゾール回転付着ホウ素ド
ープ剤を提供することである。より詳しくは、拡散源と
して、湿気に感受性ではなく、これにより、より大きい
処理の寛容度を提供し、そして損傷を発生する傾向およ
び/またはシリコン結晶基体の汚染する傾向が少ない、
半導体ドープ剤組成物のためのホウ素−窒素様を提供す
ることである。
与える、新規なポリマーのボラゾール回転付着ホウ素ド
ープ剤を提供することである。より詳しくは、拡散源と
して、湿気に感受性ではなく、これにより、より大きい
処理の寛容度を提供し、そして損傷を発生する傾向およ
び/またはシリコン結晶基体の汚染する傾向が少ない、
半導体ドープ剤組成物のためのホウ素−窒素様を提供す
ることである。
本発明において使用するポリマーのボラゾール類は、ボ
ラジン類(またはボラゾール類)として知られている材
料のクラスから誘導されるポリマーである。これらのボ
ラジン類は、一般式(XBNY)sを有する複素環式6
原子環の化合物であり、それぞれ接辞” B ”および
” N ”で表示される環上の置換基XおよびYは位置
を示す。
ラジン類(またはボラゾール類)として知られている材
料のクラスから誘導されるポリマーである。これらのボ
ラジン類は、一般式(XBNY)sを有する複素環式6
原子環の化合物であり、それぞれ接辞” B ”および
” N ”で表示される環上の置換基XおよびYは位置
を示す。
ボラジン類から誘導されるポリマーは1次ぎの2つの型
である: 1)1つの環中のホウ素と隣接環中の窒素原子との間で
直接結合したボラジン環をもつポリマ+1 および 2)主鎖の少なくとも一部分が他の(異なる)基Zを介
して結合するボラジン環である、ポリマー、すなわち、 式中、Zは−N (R)−1−0−1−N (R) −
R’−N(R)−または−R−(RおよびRoは1〜1
0個の炭素原子の有機基である)から成る群より選ばれ
、そしてXおよびYは水素、1〜8個の炭素原子を有す
るアルキル基、非置換の芳香族基、アルキル、ハロゲン
、ヒドロキシおよびアミノで置換された芳香族基、複素
環式芳香族基、1〜6個の炭素原子のアルキルで置換さ
れた複素環式芳香族基、アミン、ヒドロキシおよびハロ
ゲン基から成る群より選ばれた基である。
である: 1)1つの環中のホウ素と隣接環中の窒素原子との間で
直接結合したボラジン環をもつポリマ+1 および 2)主鎖の少なくとも一部分が他の(異なる)基Zを介
して結合するボラジン環である、ポリマー、すなわち、 式中、Zは−N (R)−1−0−1−N (R) −
R’−N(R)−または−R−(RおよびRoは1〜1
0個の炭素原子の有機基である)から成る群より選ばれ
、そしてXおよびYは水素、1〜8個の炭素原子を有す
るアルキル基、非置換の芳香族基、アルキル、ハロゲン
、ヒドロキシおよびアミノで置換された芳香族基、複素
環式芳香族基、1〜6個の炭素原子のアルキルで置換さ
れた複素環式芳香族基、アミン、ヒドロキシおよびハロ
ゲン基から成る群より選ばれた基である。
これらのボラジンポリマーは、単一のモノマーのボラジ
ンからのホモポリマーまたは2種の異なるボラジンから
のコポリマーとして製造できる。
ンからのホモポリマーまたは2種の異なるボラジンから
のコポリマーとして製造できる。
本発明によるポリマーのドープ剤組成物の製造において
、ポリマーのボラゾールは、まずBC13およびアミン
を一60℃〜−5℃の温度において不活性溶媒中で反応
させて、中間体のドリアミノポランを生成する。アミン
塩酸塩を除去した後、この中間体を380〜420℃の
温度において熱縮合を経て重合される。次いで、ガラス
様樹脂の形態の、ポリマーを、有機溶媒、たとえば、ト
ルエンまたはキシレン中に1〜20%(重量/重量)の
レベルで溶解し、そしてシリコンウェーファー上へ回転
付着させて、熱拡散においてホウ素不純物源(ドープ剤
)として機能する。次いで、このようにして製造された
ドープしたウェーファーは集積回路の製作において使用
される。
、ポリマーのボラゾールは、まずBC13およびアミン
を一60℃〜−5℃の温度において不活性溶媒中で反応
させて、中間体のドリアミノポランを生成する。アミン
塩酸塩を除去した後、この中間体を380〜420℃の
温度において熱縮合を経て重合される。次いで、ガラス
様樹脂の形態の、ポリマーを、有機溶媒、たとえば、ト
ルエンまたはキシレン中に1〜20%(重量/重量)の
レベルで溶解し、そしてシリコンウェーファー上へ回転
付着させて、熱拡散においてホウ素不純物源(ドープ剤
)として機能する。次いで、このようにして製造された
ドープしたウェーファーは集積回路の製作において使用
される。
本発明によれば、ボラジン類から誘導されたポリマーは
、次ぎの2つの型である: 1)6員環のホウ素/窒素環の1つの環中のホウ素と隣
接6員環のホウ素/窒素環中の窒素原子との間で直接結
合したボラジン環をもつポリマー。
、次ぎの2つの型である: 1)6員環のホウ素/窒素環の1つの環中のホウ素と隣
接6員環のホウ素/窒素環中の窒素原子との間で直接結
合したボラジン環をもつポリマー。
および
2)主鎖の少なくとも一部分が他の(異なる)基Zを介
して結合するボラジン環である、ポリマー、すなわち、 2 式中、Zは−N (R)−1−o−1−N (R) −
R’−N(R)−または−R−(RおよびRoは1−1
0個の炭素原子の有機基である)から成る群より選ばれ
、そしてXおよびYは水素、1〜8個の炭素原子を有す
るアルキル基、非置換の芳香族基、アルキル、ハロゲン
、ヒドロキシおよびアミンで置換された芳香族基、複素
環式芳香族基、1〜6個の炭素原子のアルキルで置換さ
れた複素環式芳香族基、アミノ、ヒドロキシおよびハロ
ゲン基から成る群より選ばれた基である。
して結合するボラジン環である、ポリマー、すなわち、 2 式中、Zは−N (R)−1−o−1−N (R) −
R’−N(R)−または−R−(RおよびRoは1−1
0個の炭素原子の有機基である)から成る群より選ばれ
、そしてXおよびYは水素、1〜8個の炭素原子を有す
るアルキル基、非置換の芳香族基、アルキル、ハロゲン
、ヒドロキシおよびアミンで置換された芳香族基、複素
環式芳香族基、1〜6個の炭素原子のアルキルで置換さ
れた複素環式芳香族基、アミノ、ヒドロキシおよびハロ
ゲン基から成る群より選ばれた基である。
これらのボラジンポリマーは、単一の七ツマ−のボラジ
ンからのホモポリマーまたは2種の異なるボラジンから
のコポリマーとして既知の種々の合成法により製造する
ことができる。これらの方法は、たとえば、米国特許第
3,166.520号(English、et al
、)およびAubrey、et al、、JCS(1
959)2927−31ページに記載されている。こう
して、ホモポリマーはB−7ミノポラジン類(2または
3種の−NHR−または−NR2基)の熱重合またはボ
ラジン類の熱重合から製造することができ、ここでXお
よびYは上に定義したとおりである。同様に、コポリマ
ーは、2種の異なるボラジン類を反応させることにより
、製造することができ、ここでXおよびYは上に定義し
たとおりである。コポリマーは、B−アミノまたはB−
ハロゲンボラジン類を広範な種類の脂肪族、芳香族およ
び複素環族ジアミン類と反応させることによって、製造
することもできる。ボラジンコポリマーは、環式メチル
−アミノ−ポラントリマーをジエンまたはポリエンと反
応させることにより、製造できる。B−ハロゲンボラジ
ン類をN−リチウム化ボラジン類と共重合させることが
でき、そして酸素を介して結合した環をもつボラジンコ
ポリマーは、B−ハロゲンボラジン類のコントロールさ
れた加水分解により製造できる。明らかなように、すべ
てのものを前記は含むわけではなく、そして上の定義内
に入る他のボラジンポリマーも意図される。
ンからのホモポリマーまたは2種の異なるボラジンから
のコポリマーとして既知の種々の合成法により製造する
ことができる。これらの方法は、たとえば、米国特許第
3,166.520号(English、et al
、)およびAubrey、et al、、JCS(1
959)2927−31ページに記載されている。こう
して、ホモポリマーはB−7ミノポラジン類(2または
3種の−NHR−または−NR2基)の熱重合またはボ
ラジン類の熱重合から製造することができ、ここでXお
よびYは上に定義したとおりである。同様に、コポリマ
ーは、2種の異なるボラジン類を反応させることにより
、製造することができ、ここでXおよびYは上に定義し
たとおりである。コポリマーは、B−アミノまたはB−
ハロゲンボラジン類を広範な種類の脂肪族、芳香族およ
び複素環族ジアミン類と反応させることによって、製造
することもできる。ボラジンコポリマーは、環式メチル
−アミノ−ポラントリマーをジエンまたはポリエンと反
応させることにより、製造できる。B−ハロゲンボラジ
ン類をN−リチウム化ボラジン類と共重合させることが
でき、そして酸素を介して結合した環をもつボラジンコ
ポリマーは、B−ハロゲンボラジン類のコントロールさ
れた加水分解により製造できる。明らかなように、すべ
てのものを前記は含むわけではなく、そして上の定義内
に入る他のボラジンポリマーも意図される。
本発明のボラジンポリマーの使用において、回転付着ド
ープ剤の伝統的な利点、すなわち、より大きい均一性、
低い資本投下、高い処理量、より多くのコントロール、
および拡散管およびポートの少ない清忰回数、は維持さ
れる。
ープ剤の伝統的な利点、すなわち、より大きい均一性、
低い資本投下、高い処理量、より多くのコントロール、
および拡散管およびポートの少ない清忰回数、は維持さ
れる。
本発明を次ぎの実施例により説明する。
実施例1
本発明に従いかつ下の反応により示されるように、三塩
化ホウ素(BCl a ) (35g、0.3モル)
ガスを、2文の石油エーテル(沸点30〜60℃)中に
溶解したシクロヘキシルアミン(195g、2.0モル
)の−5℃〜−60℃の溶液に加える。この反応により
、ドリアミノポラン、5 B (NHCy)a (ここでCy=c、Ht 1.
シクロヘキシル)、およびシクロヘキシルアミン塩酸塩
が生ずる。この塩を濾過により除去した後、トリアミノ
ポランを窒素雰囲気中で300℃に1〜2時間加熱して
、モノマーの中間体を生成し、その後380〜420℃
に2〜4時間にわたって加熱し、その間縮合重合が起こ
り、かつシクロヘキシルアミンが発生する。ガラス様樹
脂(糸曳き温度140±30℃)が冷却すると形成する
;この琥珀色の固体をトルエン中に1〜20%(重量/
重量)のレベルで溶解させる。得られる生成物は、暗琥
珀色ないしほとんど黒色の溶液である。
化ホウ素(BCl a ) (35g、0.3モル)
ガスを、2文の石油エーテル(沸点30〜60℃)中に
溶解したシクロヘキシルアミン(195g、2.0モル
)の−5℃〜−60℃の溶液に加える。この反応により
、ドリアミノポラン、5 B (NHCy)a (ここでCy=c、Ht 1.
シクロヘキシル)、およびシクロヘキシルアミン塩酸塩
が生ずる。この塩を濾過により除去した後、トリアミノ
ポランを窒素雰囲気中で300℃に1〜2時間加熱して
、モノマーの中間体を生成し、その後380〜420℃
に2〜4時間にわたって加熱し、その間縮合重合が起こ
り、かつシクロヘキシルアミンが発生する。ガラス様樹
脂(糸曳き温度140±30℃)が冷却すると形成する
;この琥珀色の固体をトルエン中に1〜20%(重量/
重量)のレベルで溶解させる。得られる生成物は、暗琥
珀色ないしほとんど黒色の溶液である。
(a)BCl、+6NH2Cy−+
B (NHCV)8 +3NHa Cy+ Cl−30
0℃ (b)3B (NHCy)3 → 6 HCy \ / CY B Cy \ / \ / N 1 HBB)( \ / \ / \ / NN 1 1 1 cy cy cy [中間体] 410℃ + 3 N H2CV → [B3 (NCy)4 NHCy] X[縮合ポリマー
] + x N H2CV 実施例2 実施例1の手順を反復するが、ただし186g(2,0
モル)のアニリンをシクロヘキシルアミンの代わりに使
用する。アニリンは反応して、トリアミンポランB (
NHPh) 3、(Ph=−Ce HIりを生成し、こ
のポランは実施例1と同一条件下に重合して[B3 L
(NPh)4 (NHPh)] を生成する。
0℃ (b)3B (NHCy)3 → 6 HCy \ / CY B Cy \ / \ / N 1 HBB)( \ / \ / \ / NN 1 1 1 cy cy cy [中間体] 410℃ + 3 N H2CV → [B3 (NCy)4 NHCy] X[縮合ポリマー
] + x N H2CV 実施例2 実施例1の手順を反復するが、ただし186g(2,0
モル)のアニリンをシクロヘキシルアミンの代わりに使
用する。アニリンは反応して、トリアミンポランB (
NHPh) 3、(Ph=−Ce HIりを生成し、こ
のポランは実施例1と同一条件下に重合して[B3 L
(NPh)4 (NHPh)] を生成する。
X
実施例3
実施例1の手順を反復するが、ただし90g(2、0モ
ル)のエチルアミンをシルロヘキシルアミンの代わりに
使用する。エチルアミンは反応して、トリアミンポラン
B (NHEt)a 、 これは320〜360 ’
Oの温度において重合して、実施例4 基体にポリマー組成物を適用するとき、実施例1(実施
例2および3)に従って製造した溶液の2〜6mlを、
ポリマー溶液をシリコンウェーファーの表面上に分配し
、ウェーファーを2,000〜IQ、OOOrpmで回
転することによって回転付着させ、これによりポリマー
の薄いフィルム(100〜7000A)が得られる。処
理されたウェーファーは、24時間まで保持することが
でき、拡散炉に入れ、そしてウェーファーを次ぎの拡散
手順の1つにより拡散させる。
ル)のエチルアミンをシルロヘキシルアミンの代わりに
使用する。エチルアミンは反応して、トリアミンポラン
B (NHEt)a 、 これは320〜360 ’
Oの温度において重合して、実施例4 基体にポリマー組成物を適用するとき、実施例1(実施
例2および3)に従って製造した溶液の2〜6mlを、
ポリマー溶液をシリコンウェーファーの表面上に分配し
、ウェーファーを2,000〜IQ、OOOrpmで回
転することによって回転付着させ、これによりポリマー
の薄いフィルム(100〜7000A)が得られる。処
理されたウェーファーは、24時間まで保持することが
でき、拡散炉に入れ、そしてウェーファーを次ぎの拡散
手順の1つにより拡散させる。
9
フィルムの拡散
拡散の時間、温度、炉の雰囲気、および精確なプロセス
は変えることができる。2つの典型的な二極のベース(
b a s e)の拡散法(a)および(C);二極の
隔離拡散(b);および金属酸化物シリ:17(MOS
)源/ドレイン(drain)(d)を、後述する。
は変えることができる。2つの典型的な二極のベース(
b a s e)の拡散法(a)および(C);二極の
隔離拡散(b);および金属酸化物シリ:17(MOS
)源/ドレイン(drain)(d)を、後述する。
(a)普通の2工程の拡散法は、窒素雰囲気下に850
°C〜1000℃の温度において1時間までの拡散時間
で予備析出して、15〜275オーム/平方のシート抵
抗を得ることを含む。この予備析出工程後、製水性HF
中で脱グレーズ(deglaze)L、そして1050
°(!−1150°Cにおいて1〜2時間、酸素、湿潤
酸素および窒素およびそれらの混合物から選ばれた雰囲
気のもとに、m進工程を実施する。
°C〜1000℃の温度において1時間までの拡散時間
で予備析出して、15〜275オーム/平方のシート抵
抗を得ることを含む。この予備析出工程後、製水性HF
中で脱グレーズ(deglaze)L、そして1050
°(!−1150°Cにおいて1〜2時間、酸素、湿潤
酸素および窒素およびそれらの混合物から選ばれた雰囲
気のもとに、m進工程を実施する。
(b)それほど普通ではないl工程の拡散法は、窒素雰
囲気下に850〜1000℃において5〜60分間開始
され、その直後に湿潤酸素段階をわずかに低い温度にお
いて5〜45分間実施す0 る、予備析出段階を含む。この1工程の最後の段階(単
一の拡散管)は、1050℃〜1150’0に温度を」
二げ、フィルムを、酸素、湿潤酸素および窒素およびそ
れらの混合物から選ばれた雰囲気のもとに1〜2時間拡
散する。この1工程の方法は、手順(a)において要求
されるHFの脱グリーズ工程ならびに2本(またはそれ
以上)の拡散管の使用を排除する。
囲気下に850〜1000℃において5〜60分間開始
され、その直後に湿潤酸素段階をわずかに低い温度にお
いて5〜45分間実施す0 る、予備析出段階を含む。この1工程の最後の段階(単
一の拡散管)は、1050℃〜1150’0に温度を」
二げ、フィルムを、酸素、湿潤酸素および窒素およびそ
れらの混合物から選ばれた雰囲気のもとに1〜2時間拡
散する。この1工程の方法は、手順(a)において要求
されるHFの脱グリーズ工程ならびに2本(またはそれ
以上)の拡散管の使用を排除する。
(C)二極の隔離拡散は、手順(a)におけるように実
施するが、より高い予備析出温度(1100℃〜120
0℃)を用いて、1〜4オーム/平方のシート抵抗を生
する。
施するが、より高い予備析出温度(1100℃〜120
0℃)を用いて、1〜4オーム/平方のシート抵抗を生
する。
(d)相補的CMO5またはポジティブMO9(PMO
5)源/ドレイン拡散は、推進工程を排除して、手順(
a)におけるように実施することもできる。典型的な実
験において、935°Cの温度において1時間N2雰囲
気のもとに、0.4ミクロンの接合深さにおいて40オ
ーム/平方のシート抵抗を達成できる。
5)源/ドレイン拡散は、推進工程を排除して、手順(
a)におけるように実施することもできる。典型的な実
験において、935°Cの温度において1時間N2雰囲
気のもとに、0.4ミクロンの接合深さにおいて40オ
ーム/平方のシート抵抗を達成できる。
工業的応用
本発明に従って製造されたホウ素−窒素製品は、2極集
積回路のためのベースおよび隔離拡散法の両者において
効果的に適用され、かつ絶対シート抵抗について評価さ
れる。短結晶のウェーファーおよびウェーファ一対ウェ
ーファーの横断抵抗の均一性ならびにバッチ対バッチの
抵抗の均一性、最小のウェープアー損傷および汚染、加
工容易性、および現存の方法との適合性を有するものと
して特徴づけられる。これらの領域の各々において、本
発明によるポリマー源のフィルム形成組成物は、効果的
にはたらく。
積回路のためのベースおよび隔離拡散法の両者において
効果的に適用され、かつ絶対シート抵抗について評価さ
れる。短結晶のウェーファーおよびウェーファ一対ウェ
ーファーの横断抵抗の均一性ならびにバッチ対バッチの
抵抗の均一性、最小のウェープアー損傷および汚染、加
工容易性、および現存の方法との適合性を有するものと
して特徴づけられる。これらの領域の各々において、本
発明によるポリマー源のフィルム形成組成物は、効果的
にはたらく。
この製品は、半導体の製造工業の広範な装置、たとえば
、二極およびMO5集積回路、別個の装置、光電(太陽
)電池などに使用できる0本発明によるボラジン環含有
ポリマー組成物は、典型的には、実施例4に記載する方
法においてベースおよび隔離拡散の二極集積回路の製作
に特に使用される。
、二極およびMO5集積回路、別個の装置、光電(太陽
)電池などに使用できる0本発明によるボラジン環含有
ポリマー組成物は、典型的には、実施例4に記載する方
法においてベースおよび隔離拡散の二極集積回路の製作
に特に使用される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l、揮発性溶媒中に少なくとも1.0重量%のポリマー
を含有し、前記ポリマーの主鎖の少なくとも実質的な部
分は、 (a)1つの環中のホウ素と隣接環中の窒素原子との間
で直接結合したボラジン環をもつポリマー、 および (b)他の基Zを介して結合するボラジン環をもつポリ
マー、 から選ばれ、式中XおよびYは置換基を環のホウ素原子
および窒素原子上に位置決めし、そしてZは−N (R
)−1−〇−1−N CR) −R’ −NCR)−ま
たは−R−(RおよびR゛は1〜10個の炭素原子の有
機基である)から成る群より選ばれ、モしてXおよびY
は水素、1〜8個の炭素原子を有するアルキル基、非置
換の芳香族基、アルキル、ハロゲン、ヒドロキシおよび
アミノで置換された芳香族基、複素環式芳香族基、1〜
6個の炭素原子のアルキルで置換された複素環式芳香族
基、アミン、ヒドロキシおよびハロゲン基から成る群よ
・り選ばれた基である、ことを特徴とする導電性誘発性
ポリマー源フィルム形成組成物。 2、有機溶媒中に、少なくとも1.0重量%の式 %式%) 式中Rは1〜4個の炭素原子のアルキル基、シクロヘキ
シル、フェニル、およびメチル−およびエチル−置換フ
ェニル基から成る群より選ばれる、 のモノマーのホモ重合から誘導されたポリマーを含有し
、前記樹脂は溶媒よりも比較的揮発性に劣り、そして基
体上に付着させかつ溶媒を蒸発させるとき、さらに重合
して不溶性のガラス様フィルムを生成する、ことを特徴
とする、導電性誘発性ポリマー源フィルム形成組成物。 3、Rはシクロヘキシル置換基である。特許請求の範囲
第1項記載の組成物。 4、Rはフェニル置換基である、特許請求の範囲第1項
記載の組成物。 5、Rはエチル置換基である、特許請求の範囲第1項記
載の組成物。 6、溶媒はキシレンまたはトルエンである、特許請求の
範囲第1〜5項のいずれかに記載の組成物。 7、特許請求の範囲第1項記載のポリマー組成物の溶液
をシリコンウェーファー上へ分配し、ウェーファーを2
、000−10 、00Or pmで回転させて基体
上にポリマーの100〜7000A程度の薄いフィルム
を生成させ、処理されたウェーファーを拡散炉内で85
0〜110℃に0.5〜2.0時間窒素雰囲気中で加熱
し、IF中で脱グレーズし、そして基体を1050〜1
200℃の高温に1〜2時間、酸素、湿った酸素および
窒素の雰囲気およびそそれらの組み合わせから選ばれた
雰囲気中で加熱する、ことを特徴とする。半導体の基体
へ特許請求の範囲第1項記載のポリマー組成物を適用す
る方法。 8、(a)半導体の基体を回転させ、 (b)同時に、少なくとも1.0重量%の式%式%) 式中Rは1〜4個の炭素原子のアルキル基、シクロヘキ
シル、フェニル、およびメチル−およびエチル置換フェ
ニル基から成る群より選ばれる、 のモノマーのホモ重合から誘導された樹脂の溶液を、前
記基体上に付着させ、 (c)前記溶液中に存在する溶媒が実質的に蒸発するま
で、前記付着物を加熱し、そして(d)前記樹脂を重合
させてガラス様不溶性の状態にする、 ことを特徴とする、半導体材料をドープする方法。 9、Rはシクロヘキシル置換基である、特許請求の範囲
第8項記載の組成物。 10、半導体の基体をドープし、その後拡散させる方法
において、1管拡散において実施される。適用されたド
ープ剤のフィルムの拡散は、a)被覆されたウェーファ
ーを拡散炉内に約1時間窒素雰囲気のもとに850−1
200℃の温度において入れ、 b)温度を700〜800°Cに15〜30分間低下し
た後、窒素雰囲気を湿潤酸素と置換し、そして C)窒素、酸素および/または水蒸気の雰囲気、または
それらの組み合わせのちとに、温度を900〜1250
℃に、要求される接合の深さを達成するために要する時
間の間、上げる、ことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US42194582A | 1982-09-23 | 1982-09-23 | |
US421945 | 1982-09-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5980466A true JPS5980466A (ja) | 1984-05-09 |
Family
ID=23672737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58176871A Pending JPS5980466A (ja) | 1982-09-23 | 1983-09-24 | ポリマ−のホ−素−窒素ド−プ剤 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0104412B1 (ja) |
JP (1) | JPS5980466A (ja) |
KR (1) | KR850000463A (ja) |
DE (1) | DE3375253D1 (ja) |
Cited By (4)
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KR20180073490A (ko) * | 2016-12-22 | 2018-07-02 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 불순물 확산제 조성물, 및 반도체 기판의 제조 방법 |
JP2019009412A (ja) * | 2017-06-23 | 2019-01-17 | 東京応化工業株式会社 | 拡散剤組成物、及び半導体基板の製造方法 |
JP2019033252A (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | 東京応化工業株式会社 | 拡散剤組成物、及び半導体基板の製造方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0165507A3 (en) * | 1984-06-18 | 1987-12-02 | Allied Corporation | Phosphoric triamides and polymers thereof as dopants |
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