JPS5979445A - 光磁気記憶素子 - Google Patents
光磁気記憶素子Info
- Publication number
- JPS5979445A JPS5979445A JP57190336A JP19033682A JPS5979445A JP S5979445 A JPS5979445 A JP S5979445A JP 57190336 A JP57190336 A JP 57190336A JP 19033682 A JP19033682 A JP 19033682A JP S5979445 A JPS5979445 A JP S5979445A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- transparent dielectric
- memory element
- same
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ぐ技術分野〉
本発明は熱エネルギーで情報を記録あるいは消去し、光
と磁気の相互作用を利用して情報を再生する光磁気記憶
素子に関する。
と磁気の相互作用を利用して情報を再生する光磁気記憶
素子に関する。
〈従来技術〉
近年、高密度、大容量、高速アクセスが可能な光メモリ
装置の研究開発が各方面で精力的に行なわれている。中
でも情報の記録、再生、消去が可能な光磁気メモリ装置
は文字９画像等のファイルメモリやビデオディスク等の
用途が考えられる為取分は有望視されているものである
。
装置の研究開発が各方面で精力的に行なわれている。中
でも情報の記録、再生、消去が可能な光磁気メモリ装置
は文字９画像等のファイルメモリやビデオディスク等の
用途が考えられる為取分は有望視されているものである
。
この光磁気メモリ装置の記憶材料としてはＧｄＣｏ 。
ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ等の希土類と遷
移金属の非晶質合金薄膜が適している。これは希土類と
遷移金属の非晶質合金薄膜が膜面に垂直な方向に磁化容
易軸を有し、非晶質である為粒界ノイズがなく、記録に
必要とされるレーザパワーを少なくできるという優れた
性質を有する為である。しかし上記希土類と遷移金属の
非晶質合金薄膜を記憶材料として用いた場合は磁気光学
効果であるカー回転角が０．２〜０．３度と小さく再生
信号の品質が良くないという欠点がある。この再生信号
の品質を向上させる為に従来より反射膜構造と呼ばれる
素子構造が記憶素子において採用されている（特願昭５
５−８５６９５参照）。第１図は従来の反射膜構造の光
磁気記憶素子の一部側面断面図である。同図で１は透明
基板、２は透明基板１よりも屈折率の高い透明誘電体膜
、３は希土類−遷移金属の非晶質合金薄膜、４は透明誘
電体膜、５は金１７．’ｊ反川１１・↓゛ｊである。こ
の構造の光磁気記憶素子では非ＩＭ音′［合金ｌｉ、ｌ
Ｉ’、 ｌｊ、”ｊ ３は充分にｌ：、１１り、従−）
てこの非晶Ｖ′↓合金ｌ’、’ｌＩＩ・、゛コ３に入用
した光は−１１６か通り抜りる。
移金属の非晶質合金薄膜が適している。これは希土類と
遷移金属の非晶質合金薄膜が膜面に垂直な方向に磁化容
易軸を有し、非晶質である為粒界ノイズがなく、記録に
必要とされるレーザパワーを少なくできるという優れた
性質を有する為である。しかし上記希土類と遷移金属の
非晶質合金薄膜を記憶材料として用いた場合は磁気光学
効果であるカー回転角が０．２〜０．３度と小さく再生
信号の品質が良くないという欠点がある。この再生信号
の品質を向上させる為に従来より反射膜構造と呼ばれる
素子構造が記憶素子において採用されている（特願昭５
５−８５６９５参照）。第１図は従来の反射膜構造の光
磁気記憶素子の一部側面断面図である。同図で１は透明
基板、２は透明基板１よりも屈折率の高い透明誘電体膜
、３は希土類−遷移金属の非晶質合金薄膜、４は透明誘
電体膜、５は金１７．’ｊ反川１１・↓゛ｊである。こ
の構造の光磁気記憶素子では非ＩＭ音′［合金ｌｉ、ｌ
Ｉ’、 ｌｊ、”ｊ ３は充分にｌ：、１１り、従−）
てこの非晶Ｖ′↓合金ｌ’、’ｌＩＩ・、゛コ３に入用
した光は−１１６か通り抜りる。
その／）出生光は非晶パと１合金薄膜３表面での反射に
よるカー効ＩＩ！：と、非晶質合金薄１１ｆｆ： ３を
通り抜は金ｈＪ＋反１１１１１・１゛！５て反射されｉ
ｆ４び非晶質合金薄膜３を通り抜けることで、（１↓こ
るファラディ効果か合わせられる小によって、単なるカ
ー効果のりに比へて数倍カー回転角かＬｌ！大するもの
である。尚、非晶質合金−＞ｊ１７１１１’、’５３上
の７１１シ明誘′市体膜２も）７−回転角を増大化する
働きを有する（ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、ｏｎ Ｒｌａ
ｇ。
よるカー効ＩＩ！：と、非晶質合金薄１１ｆｆ： ３を
通り抜は金ｈＪ＋反１１１１１・１゛！５て反射されｉ
ｆ４び非晶質合金薄膜３を通り抜けることで、（１↓こ
るファラディ効果か合わせられる小によって、単なるカ
ー効果のりに比へて数倍カー回転角かＬｌ！大するもの
である。尚、非晶質合金−＞ｊ１７１１１’、’５３上
の７１１シ明誘′市体膜２も）７−回転角を増大化する
働きを有する（ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、ｏｎ Ｒｌａ
ｇ。
Ｖｏｌ−１６Ｎｏ５ １９８０ ＰＩ＋９４にて仲告
されている）。−例として透明基板１をガラス板とし、
Ｊｉ明誘電体＋１ｙＨ２を１１００ｎのＳｉ０表し、非
晶Ｉｃ１合金薄＋１ｅｊｊ ３をＩ ２．５ ｎｍのＱ
ｃｌ Ｔ ｌ） Ｉ） ｙ Ｆ ｅとし、ノ２り閉講
電体１１史４を３０ｎｍのＳ ｔ Ｏ２とし、金属反！
’１４１に′ｉ ５を４ Ｑ ｎｍのＣｕ とした構成
ではカー回：ｌｉ、、角力用７５度まで増大した。
されている）。−例として透明基板１をガラス板とし、
Ｊｉ明誘電体＋１ｙＨ２を１１００ｎのＳｉ０表し、非
晶Ｉｃ１合金薄＋１ｅｊｊ ３をＩ ２．５ ｎｍのＱ
ｃｌ Ｔ ｌ） Ｉ） ｙ Ｆ ｅとし、ノ２り閉講
電体１１史４を３０ｎｍのＳ ｔ Ｏ２とし、金属反！
’１４１に′ｉ ５を４ Ｑ ｎｍのＣｕ とした構成
ではカー回：ｌｉ、、角力用７５度まで増大した。
す、」二の反１：１．１１臣構造の光磁気記憶素子はカ
ー回転１１ｊの増大化を得るという利点を有する一方で
反ρ１ｊ光句が充分に得られないという欠点を有する。
ー回転１１ｊの増大化を得るという利点を有する一方で
反ρ１ｊ光句が充分に得られないという欠点を有する。
即ち」二連の第１図の構造ではカー回転角が１７５度ま
で増大した反曲て反η、ｊ光は５％程度に減少した。
で増大した反曲て反η、ｊ光は５％程度に減少した。
ところがガラスによって形成した透明へ板１の表面での
光の反射は４％程度あるため、非晶質合金Ｒ１７，１１
１ｙ５３にて反η、ｊされ情報を含む反身１光と、透明
基板１の表面にて反牙１され情報を含まない反４、Ｉ光
とが同程度の光量値となり、情８’＋Ｊ ’ｆ’４生に
困）コ（、を来たすようになった。
光の反射は４％程度あるため、非晶質合金Ｒ１７，１１
１ｙ５３にて反η、ｊされ情報を含む反身１光と、透明
基板１の表面にて反牙１され情報を含まない反４、Ｉ光
とが同程度の光量値となり、情８’＋Ｊ ’ｆ’４生に
困）コ（、を来たすようになった。
〈目〔白〉
本発明は以上の従来欠点を解消する為に光７臓気記・１
・ざ素子の内部に備えられるｊｌｉ明誘閉講ル”、”Ｓ
と同一（／１′１”′１の１１１力を基板表面にも形成
し、製法」二も容易であ−）でしかも基板表面でのノヌ
ｎ、Ｉ光を充分に減少せしめ得る新規有用な素子構造を
提イノ（するこ七を目的とする。
・ざ素子の内部に備えられるｊｌｉ明誘閉講ル”、”Ｓ
と同一（／１′１”′１の１１１力を基板表面にも形成
し、製法」二も容易であ−）でしかも基板表面でのノヌ
ｎ、Ｉ光を充分に減少せしめ得る新規有用な素子構造を
提イノ（するこ七を目的とする。
〈実施例〉
以下、本発明に係る光ｔＭ＆、気記憶素子の一実施例に
ついて８゛１−紬に説明する。
ついて８゛１−紬に説明する。
第２図は本発明に係る光磁気配づ、へ素子の一実施例の
−：■側面１ｉＪｉ向図をンｊくず４．同１２＜１にお
いて第１図のＪ＋”ｉ成と同一４ｆ：ｉ成の１ＸＩＳ分
（」同一符号をもって示している。尚ε１−２図の光磁
気配ｔＣ，素子は〕’）’ｉ ’ＩＪＪ基板ｌ基板凸の
ガイド）・ランクを設けている。又、透明基板目４ガラ
ス板１．ｉん閉講電体１１１５′５２はＳ１０、非晶Ｐ
ｉ合＜ｌ卜’＋ｊ７ ＋ｐＹ、ｊ ３１コＧ（１゛１Ｍ
）ｙＦｅ Ｓ透明誘電体ｎヴｊ４ＬＪ、 Ｓ ＋０２、
金屈反Ｊ’ｌ、ＩＩＥ’ ５はＣｕ とする。同図で
６ζ」透明誘電体膜２と同−材質であるＳｉＯを１００
〜ＩＩＯｎｍのル゛Ｊｊ ＩＥ＋’にて被覆形成した第
１の被覆１臣であり、７は透明誘電体１１ψ４と同−Ｈ
’Ｓである５Ｌ０２を１３０〜１４０ｎｍの■ヴｙ厚に
て被覆形成した第２の被ＶＩ７１１１．：ｊである。こ
の構造の光磁気記憶素子（」」−記憶１の被覆１１ヴ！
６及び第２の被覆＋１ｖ５７が反４、ｌ防止ｖｓ 、ｌ
！′：して作用する為透明基板１表面で反射し情報の採
取に寄与しない反則光を充分減少させることができるも
のである。上記第１の被覆膜６及び第２の被覆１１うｌ
ｊ、 ７は各々の膜厚ｄが使用レーザ波長をλ、屈折率
をｎとした時、ｄ−λ／４ｎにム゛るように形成されて
いる。又上記第１の被ｉｆｆ中、゛！６）・りびｔ１〜
２の被七ｔ’； ＋１１°、′Ｓ７はいずれか一方のみ
が存在しても反身、１防止のｉｆ、ｓ Ｆを果たすこと
ができる。
−：■側面１ｉＪｉ向図をンｊくず４．同１２＜１にお
いて第１図のＪ＋”ｉ成と同一４ｆ：ｉ成の１ＸＩＳ分
（」同一符号をもって示している。尚ε１−２図の光磁
気配ｔＣ，素子は〕’）’ｉ ’ＩＪＪ基板ｌ基板凸の
ガイド）・ランクを設けている。又、透明基板目４ガラ
ス板１．ｉん閉講電体１１１５′５２はＳ１０、非晶Ｐ
ｉ合＜ｌ卜’＋ｊ７ ＋ｐＹ、ｊ ３１コＧ（１゛１Ｍ
）ｙＦｅ Ｓ透明誘電体ｎヴｊ４ＬＪ、 Ｓ ＋０２、
金屈反Ｊ’ｌ、ＩＩＥ’ ５はＣｕ とする。同図で
６ζ」透明誘電体膜２と同−材質であるＳｉＯを１００
〜ＩＩＯｎｍのル゛Ｊｊ ＩＥ＋’にて被覆形成した第
１の被覆１臣であり、７は透明誘電体１１ψ４と同−Ｈ
’Ｓである５Ｌ０２を１３０〜１４０ｎｍの■ヴｙ厚に
て被覆形成した第２の被ＶＩ７１１１．：ｊである。こ
の構造の光磁気記憶素子（」」−記憶１の被覆１１ヴ！
６及び第２の被覆＋１ｖ５７が反４、ｌ防止ｖｓ 、ｌ
！′：して作用する為透明基板１表面で反射し情報の採
取に寄与しない反則光を充分減少させることができるも
のである。上記第１の被覆膜６及び第２の被覆１１うｌ
ｊ、 ７は各々の膜厚ｄが使用レーザ波長をλ、屈折率
をｎとした時、ｄ−λ／４ｎにム゛るように形成されて
いる。又上記第１の被ｉｆｆ中、゛！６）・りびｔ１〜
２の被七ｔ’； ＋１１°、′Ｓ７はいずれか一方のみ
が存在しても反身、１防止のｉｆ、ｓ Ｆを果たすこと
ができる。
ここで上記第１の被覆１１１°７！６及び第２の被覆膜
７の利質は透明誘電体膜２，４の利質に応じて種々と変
更することができる。例えばＴｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４から
なる２層ＩＩ’′、’ｊあるいはＭｇＦｅ 、 ３Ｎａ
Ｆ ； ＡｌＦ３’（氷晶） Ａｌｊの単層１％’ｊで
あっても４１］“［わない。又他の構造例えば３層膜あ
るいはそれ以上の多層＋１１；県であっても構わない。
７の利質は透明誘電体膜２，４の利質に応じて種々と変
更することができる。例えばＴｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４から
なる２層ＩＩ’′、’ｊあるいはＭｇＦｅ 、 ３Ｎａ
Ｆ ； ＡｌＦ３’（氷晶） Ａｌｊの単層１％’ｊで
あっても４１］“［わない。又他の構造例えば３層膜あ
るいはそれ以上の多層＋１１；県であっても構わない。
又、以」二の説明では透明基板Ｉをガラス板で構成した
ものについて説明したか、透明基板１がＰＭＭＡ樹脂あ
るいはボリカーホネート樹脂等からなる樹脂基板であっ
てもよい。ここて透明Ｊｉ（板１をＩ”ｌ’ｔｆＭＡ樹
脂にて構成した場合はＰＭＭＡ樹脂の吸湿性が高い為に
第１図の）ｌ￥Ｉ造の素子てはめ゛空中て各彼？Ｊ、Ｊ
膜２〜５を形成し次に大気中にとり出すと、基板ｌが
水分を吸収して各被覆１１３に２〜５を内側に′して凸
状に反ってしまう。しかるに第２図の構造の如く第１の
被覆１１１．′！６及び第２の被覆ｌｉ＋、菰７を真空
中にて形成しておりば上述の反りを未然に防出すること
ができるものである。即ちこの場合第１の１皮々゛す（
１１・′・”１６及Ｏ・第２の彼）５Ｊ１１・１．ｌｊ
７はＪ刀明基板１の表面ての反則防＋１−吉透明基板
１の反り防止の両方の機能を１．１′：ｌこずものであ
る。
ものについて説明したか、透明基板１がＰＭＭＡ樹脂あ
るいはボリカーホネート樹脂等からなる樹脂基板であっ
てもよい。ここて透明Ｊｉ（板１をＩ”ｌ’ｔｆＭＡ樹
脂にて構成した場合はＰＭＭＡ樹脂の吸湿性が高い為に
第１図の）ｌ￥Ｉ造の素子てはめ゛空中て各彼？Ｊ、Ｊ
膜２〜５を形成し次に大気中にとり出すと、基板ｌが
水分を吸収して各被覆１１３に２〜５を内側に′して凸
状に反ってしまう。しかるに第２図の構造の如く第１の
被覆１１１．′！６及び第２の被覆ｌｉ＋、菰７を真空
中にて形成しておりば上述の反りを未然に防出すること
ができるものである。即ちこの場合第１の１皮々゛す（
１１・′・”１６及Ｏ・第２の彼）５Ｊ１１・１．ｌｊ
７はＪ刀明基板１の表面ての反則防＋１−吉透明基板
１の反り防止の両方の機能を１．１′：ｌこずものであ
る。
く′効果ン
本発明によれは透明基板の表面にて反則され情報を含ま
ない反４．１光を減少させることができるので、情゛報
の品質向上を得ることができる。しかも本発明に係る光
磁気記憶素子の構成（１−素子内部に備えられる３Ｂ明
誘電体膜と同−相性の膜を基板表面に形成するものであ
るから製造」−においても容易てあり製造コス１への点
においても有利なものである。
ない反４．１光を減少させることができるので、情゛報
の品質向上を得ることができる。しかも本発明に係る光
磁気記憶素子の構成（１−素子内部に備えられる３Ｂ明
誘電体膜と同−相性の膜を基板表面に形成するものであ
るから製造」−においても容易てあり製造コス１への点
においても有利なものである。
ｆａＥ １図は従来の光磁気記憶素子の一部側面断面図
、第２ ｌ）＜ｊは本発明に係る光磁気記憶素子の一実
施例の一部側面断面図を示す。 図中、Ｉ：透明基板、２：透明誘電体模、３：非晶質合
金薄１悼、４：ｙｆｉ明誘電体１１１カ、５：金属反ヰ
則・°ｊ、６：ム（Ｊ１の被覆１１ｉ’ｊ、７：第２の
被覆膜。 代、埋入 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 第２図
、第２ ｌ）＜ｊは本発明に係る光磁気記憶素子の一実
施例の一部側面断面図を示す。 図中、Ｉ：透明基板、２：透明誘電体模、３：非晶質合
金薄１悼、４：ｙｆｉ明誘電体１１１カ、５：金属反ヰ
則・°ｊ、６：ム（Ｊ１の被覆１１ｉ’ｊ、７：第２の
被覆膜。 代、埋入 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 第２図
Claims (1)
- 】、基板の裏面側に磁性薄膜と該磁性薄膜に隣接する透
明誘電体１摸とを被覆形成した光磁気記憶素子において
、前記透明誘電体膜と同一材質の膜を前記基板の表面側
に被覆形成しこの膜を反則防止膜としたことを特徴とす
る光磁気記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190336A JPS5979445A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 光磁気記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190336A JPS5979445A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 光磁気記憶素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3187382A Division JP2662474B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光磁気記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5979445A true JPS5979445A (ja) | 1984-05-08 |
| JPH0479076B2 JPH0479076B2 (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=16256491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57190336A Granted JPS5979445A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 光磁気記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5979445A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60171654A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-05 | Kyocera Corp | 磁気記録素子 |
| JPS61139961A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-27 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH04349247A (ja) * | 1991-07-26 | 1992-12-03 | Sharp Corp | 光磁気記憶素子 |
| US5214636A (en) * | 1988-10-21 | 1993-05-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording element having a plurality of thin film filtering layers and optical recording element having an electrically conductive layer |
| US6418814B1 (en) | 1997-01-29 | 2002-07-16 | Takata-Petri Ag | Steering wheel with at least one covering element |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674843A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
| JPS5714534U (ja) * | 1980-06-26 | 1982-01-25 | ||
| JPS5724042A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-08 | Sony Corp | Optical information recording medium and its production |
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5714534B2 (ja) * | 1974-03-19 | 1982-03-25 |
-
1982
- 1982-10-28 JP JP57190336A patent/JPS5979445A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5674843A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
| JPS5714534U (ja) * | 1980-06-26 | 1982-01-25 | ||
| JPS5724042A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-08 | Sony Corp | Optical information recording medium and its production |
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60171654A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-05 | Kyocera Corp | 磁気記録素子 |
| JPS61139961A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-27 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体 |
| US5214636A (en) * | 1988-10-21 | 1993-05-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording element having a plurality of thin film filtering layers and optical recording element having an electrically conductive layer |
| JPH04349247A (ja) * | 1991-07-26 | 1992-12-03 | Sharp Corp | 光磁気記憶素子 |
| US6418814B1 (en) | 1997-01-29 | 2002-07-16 | Takata-Petri Ag | Steering wheel with at least one covering element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0479076B2 (ja) | 1992-12-14 |
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