JPS5942577A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
- Publication number
- JPS5942577A JPS5942577A JP15200782A JP15200782A JPS5942577A JP S5942577 A JPS5942577 A JP S5942577A JP 15200782 A JP15200782 A JP 15200782A JP 15200782 A JP15200782 A JP 15200782A JP S5942577 A JPS5942577 A JP S5942577A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- rare earth
- magnetic material
- transition metal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術範囲）
本発明は、レーザ光等の然エネルギーで情報を記録ある
いは消去し光と磁気の相１ｉ−作用を利用して情報を再
生する磁気光学記憶素子に関する。
いは消去し光と磁気の相１ｉ−作用を利用して情報を再
生する磁気光学記憶素子に関する。
（従来技術）
近Ｑ′、、Ｉ’＋’５密度３人容ｈｌ’、 ＋ 畠連ア
クセスを狙いとした光メモリ装置の研究開発が精力的に
行なわれている。中でも、情報の消去が可能な光磁気メ
モリ装置は文字・画像等のファイルメモリやｄｊキ換、
を可能なビテオティスク等の応用が考えられ光メモリ装
置の中でもとりわけ有望視されているものである。
クセスを狙いとした光メモリ装置の研究開発が精力的に
行なわれている。中でも、情報の消去が可能な光磁気メ
モリ装置は文字・画像等のファイルメモリやｄｊキ換、
を可能なビテオティスク等の応用が考えられ光メモリ装
置の中でもとりわけ有望視されているものである。
光磁気メモリ用拐刺としては１９６０年代から１９７０
年代にかけＭｎＢ１を中心とする多結晶４１薄膜が検討
されたが材料の作成が困難な事、記録エネルギーが多く
いる事、結晶粒界によるノイズが無視できない事等によ
り、現在はＧｄ Ｔｌ） Ｆ ｅ 。
年代にかけＭｎＢ１を中心とする多結晶４１薄膜が検討
されたが材料の作成が困難な事、記録エネルギーが多く
いる事、結晶粒界によるノイズが無視できない事等によ
り、現在はＧｄ Ｔｌ） Ｆ ｅ 。
ＴｂＤｙＦｅ 、ＧｄＣｏ等、希−Ｌ類ＬＴｉ移金属の
合金薄膜が材料検討の中心となっている。これらの旧料
はアモルファスであるため、８己（呆に不ＩＪＩ１１す
るレーザパワーに応じた記録スレツシヨルドを自−丈る
膜を作ることが可能である事、粒界ノイズがないため再
生信号の品質が良い事等の利点かある。
合金薄膜が材料検討の中心となっている。これらの旧料
はアモルファスであるため、８己（呆に不ＩＪＩ１１す
るレーザパワーに応じた記録スレツシヨルドを自−丈る
膜を作ることが可能である事、粒界ノイズがないため再
生信号の品質が良い事等の利点かある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしこの種の希土類（！：遷移金属の合金薄膜は型土
類が酸化しやすく最初所定の組成比をイコする膜を作っ
ても時間さ伴に希土類の酸化が進み遷移金属リッチの組
成に移り、極端な場合は商密度メモリに直型な垂直異方
性かなくなり、又そうてない場合でも保磁力の変化によ
り記録特性が変化する等酸化の点て問題がある。
類が酸化しやすく最初所定の組成比をイコする膜を作っ
ても時間さ伴に希土類の酸化が進み遷移金属リッチの組
成に移り、極端な場合は商密度メモリに直型な垂直異方
性かなくなり、又そうてない場合でも保磁力の変化によ
り記録特性が変化する等酸化の点て問題がある。
（問題点を解決する為の手段）
木光り）Ｖｉ上記問題を解決する為に、希土類と遷移金
属の合金からなる膜面に垂ｌｌ′Ｉな方向に磁気異方性
をイーＪする磁性体膜と、該磁性体膜と同−月質からな
る反射膜とを層状に形成し、該反射膜に−１−製膜１ｆ
１１に重ｌｌ′ｌな方向に磁気異方性をイ〕する磁性体
ｊ模の酸化を防ぐ防御膜としての作用を兼ねさせ−たも
のである。
属の合金からなる膜面に垂ｌｌ′Ｉな方向に磁気異方性
をイーＪする磁性体膜と、該磁性体膜と同−月質からな
る反射膜とを層状に形成し、該反射膜に−１−製膜１ｆ
１１に重ｌｌ′ｌな方向に磁気異方性をイ〕する磁性体
ｊ模の酸化を防ぐ防御膜としての作用を兼ねさせ−たも
のである。
（実施例）
以下、木兄り１の具体的な実施例を図面を参照しなから
詳説する。
詳説する。
第１図は木兄ＩＩＩの磁気）し字配１．（テ素了の一実
施例の一部側面断面図である。図中１はノーダライム石
英等のカラス板てあり、註カラス板ｌには巾０．５−１
．５７７１１１ 、ピッチ１．０−３．Ｏｐ ｔｏ 、
深σ４０〜９０ ｎｍの案内溝が形成されている。この
案内溝は記録・消去時に光ビームを所定位置ＶＣ案内す
る為に必要なものである。２はＴｌＯ２の誘電体膜であ
る。該誘電体膜２は屈折率が２．４で」１記ガラス板ｌ
の屈折率より大きい。該誘電体膜２はカー回転角を°増
大する為に設けられるものである。３はＧｄＴｂＦｅ磁
性体膜てあり希土類と遷移金属の合金からなる膜面に垂
直な方向に磁気異方性をイ〕する磁性体膜である。４は
Ｔ ｉ ０２の誘電体膜である。該誘電体膜４はカー回
転角を増大する為、及び上記磁性体膜３と後述する反射
膜５の間の断熱、及び」二記磁性体膜３と後述する反射
膜５の間の原子、電子の移動を防ぐ為等に設けられるも
のである。５はＧｄＴｂＦｅ １ｍ性体膜であり希土類
と遷移金属の合金からなる磁性体（即ち上記磁性体膜３
と同一材質）から構成される反射膜である。この反射膜
５はカー回転角を増大させる作用（例えは特願昭５５−
８５６９５を参照）と上記磁性体ｊ模３の酸化を防ぐ作
用とを合わせ持つ。即ちこの反射膜５の成分であるＧｄ
、Ｔｂの希土類金属は極めて酸化されやすいので外部か
ら侵入した酸素が上記磁性体膜３に達するｒＪｉｆに反
射膜５が先に酸化されよって磁性体膜３に達する酸素の
量を棒刀減少せしめるものである。６は一］二記反射膜
５の配設のためのＴ ｉ Ｏ２の誘電体膜である。
施例の一部側面断面図である。図中１はノーダライム石
英等のカラス板てあり、註カラス板ｌには巾０．５−１
．５７７１１１ 、ピッチ１．０−３．Ｏｐ ｔｏ 、
深σ４０〜９０ ｎｍの案内溝が形成されている。この
案内溝は記録・消去時に光ビームを所定位置ＶＣ案内す
る為に必要なものである。２はＴｌＯ２の誘電体膜であ
る。該誘電体膜２は屈折率が２．４で」１記ガラス板ｌ
の屈折率より大きい。該誘電体膜２はカー回転角を°増
大する為に設けられるものである。３はＧｄＴｂＦｅ磁
性体膜てあり希土類と遷移金属の合金からなる膜面に垂
直な方向に磁気異方性をイ〕する磁性体膜である。４は
Ｔ ｉ ０２の誘電体膜である。該誘電体膜４はカー回
転角を増大する為、及び上記磁性体膜３と後述する反射
膜５の間の断熱、及び」二記磁性体膜３と後述する反射
膜５の間の原子、電子の移動を防ぐ為等に設けられるも
のである。５はＧｄＴｂＦｅ １ｍ性体膜であり希土類
と遷移金属の合金からなる磁性体（即ち上記磁性体膜３
と同一材質）から構成される反射膜である。この反射膜
５はカー回転角を増大させる作用（例えは特願昭５５−
８５６９５を参照）と上記磁性体ｊ模３の酸化を防ぐ作
用とを合わせ持つ。即ちこの反射膜５の成分であるＧｄ
、Ｔｂの希土類金属は極めて酸化されやすいので外部か
ら侵入した酸素が上記磁性体膜３に達するｒＪｉｆに反
射膜５が先に酸化されよって磁性体膜３に達する酸素の
量を棒刀減少せしめるものである。６は一］二記反射膜
５の配設のためのＴ ｉ Ｏ２の誘電体膜である。
次に−）二連した磁気光字配１Ｍ素子の一実施例の製υ
、について説りｊする。上記ガラス板■は円板形状で厚
さｄ、０．５〜２ 悶稈度であり、このカラス板ｌにレ
ジスト膜を塗布し、該塗布状態にてカラス板１７、ｒ回
］］す、ａ−ｉなからＡ！−レーザ、Ｉ］ｅＣｃｌレー
ザ雪のレー−１）を用いてレジスト１摸に１す［定のＩ
ＩＪの案内溝を潜像として記録しレジスト膜を現像後Ｃ
Ｃｔ４゜ＣＦ４＋ＩＩ２等のカスによりドライエッヂジ
グする１１により上記所定形状の案内溝をカラス板ｌに
形成する。以−１−の案内溝形成方法によれは案内溝形
成後に基板を＋１η成するものＱＪ、カラス板のみであ
るので湿久等に対して強い。以りの案内溝形成方法以外
ｅこ基板の相性をＩ） Ｍへ１Ａやポリカーボネート等
の樹脂月利とし射出成形や圧縮成形によって案内溝を形
１戊する方法、あるいはカラスやＩ’ Ｍ Ｍ Ａ樹脂
の基板上に紫外線硬化樹脂を用いて案内溝全形成する方
法（２Ｐ法）があるがこれらの形成方法はいずれも樹脂
材料を仲立ちとしている為その樹脂材料の透湿性あるい
は吸湿性あるいは酸素透過性により樹脂材料を通じて酸
素が侵入し記録媒体である希土類・遷移金属合金薄膜が
酸化されることによって特性劣化する現象があった。
、について説りｊする。上記ガラス板■は円板形状で厚
さｄ、０．５〜２ 悶稈度であり、このカラス板ｌにレ
ジスト膜を塗布し、該塗布状態にてカラス板１７、ｒ回
］］す、ａ−ｉなからＡ！−レーザ、Ｉ］ｅＣｃｌレー
ザ雪のレー−１）を用いてレジスト１摸に１す［定のＩ
ＩＪの案内溝を潜像として記録しレジスト膜を現像後Ｃ
Ｃｔ４゜ＣＦ４＋ＩＩ２等のカスによりドライエッヂジ
グする１１により上記所定形状の案内溝をカラス板ｌに
形成する。以−１−の案内溝形成方法によれは案内溝形
成後に基板を＋１η成するものＱＪ、カラス板のみであ
るので湿久等に対して強い。以りの案内溝形成方法以外
ｅこ基板の相性をＩ） Ｍへ１Ａやポリカーボネート等
の樹脂月利とし射出成形や圧縮成形によって案内溝を形
１戊する方法、あるいはカラスやＩ’ Ｍ Ｍ Ａ樹脂
の基板上に紫外線硬化樹脂を用いて案内溝全形成する方
法（２Ｐ法）があるがこれらの形成方法はいずれも樹脂
材料を仲立ちとしている為その樹脂材料の透湿性あるい
は吸湿性あるいは酸素透過性により樹脂材料を通じて酸
素が侵入し記録媒体である希土類・遷移金属合金薄膜が
酸化されることによって特性劣化する現象があった。
次に上記案内溝を形成したカラス板１−」二に−［−述
したＴｉ０ｚ２．ＧｄＴｂＦｅ３．ＦｉＯｚ４ 、Ｇｄ
ＴｂＦｅ。
したＴｉ０ｚ２．ＧｄＴｂＦｅ３．ＦｉＯｚ４ 、Ｇｄ
ＴｂＦｅ。
Ｔ ｉ ０２６を順に被覆する。これらの６膜の肢鈎形
成は蒸着、スパックリング、イオンプレーチイノグ等の
手段によって行ない／ｊｌるが、ＧｄＴｂＦｅ３＆ユ膜
而に垂直な方向に磁気異方性をイーＪすることが必要で
あり、このＧ （ｌ Ｔ ｌ） Ｆ ｅ 希土類・遷移
金属合盆膜に垂直磁気異方性を持たせる容易さ、及び膜
形成の再現性・均一性の得やすさから１１°ｂ周彼スノ
＜ツクリングにて上記６膜の形成をイｊなうのが良い。
成は蒸着、スパックリング、イオンプレーチイノグ等の
手段によって行ない／ｊｌるが、ＧｄＴｂＦｅ３＆ユ膜
而に垂直な方向に磁気異方性をイーＪすることが必要で
あり、このＧ （ｌ Ｔ ｌ） Ｆ ｅ 希土類・遷移
金属合盆膜に垂直磁気異方性を持たせる容易さ、及び膜
形成の再現性・均一性の得やすさから１１°ｂ周彼スノ
＜ツクリングにて上記６膜の形成をイｊなうのが良い。
この際上記多層膜構造の場合、Ｔ ｉ Ｏ２２、Ｇ＜ｌ
ＴｂＦｃ３゜ＴｉＯ２４，ＧｄＴｂＦｅ３．ＴｉＯ２６
の６膜を形成するものであるからスパックリングクーゲ
、、１・としてＴ ｉ Ｏ２、Ｇ ｄ Ｔ ｂ Ｆ ｅ
の２種類だけでよいのでスパックリング装百の小形簡略
化をａすることがてきる。
ＴｂＦｃ３゜ＴｉＯ２４，ＧｄＴｂＦｅ３．ＴｉＯ２６
の６膜を形成するものであるからスパックリングクーゲ
、、１・としてＴ ｉ Ｏ２、Ｇ ｄ Ｔ ｂ Ｆ ｅ
の２種類だけでよいのでスパックリング装百の小形簡略
化をａすることがてきる。
尚ＧｄＴｂＦｅ３の層Ｃ：ｉ記録媒体であるのてこの膜
は膜面に垂直な方向に磁化容易軸を持たねばならないが
一方Ｇ ｃｌ Ｔ ｌ） Ｆ ｅ５の層は反射膜である
のて記録ビットの安定性から車面磁化膜でない方か良い
。
は膜面に垂直な方向に磁化容易軸を持たねばならないが
一方Ｇ ｃｌ Ｔ ｌ） Ｆ ｅ５の層は反射膜である
のて記録ビットの安定性から車面磁化膜でない方か良い
。
このＧ ｃｌ Ｔ ｂ Ｆ ｅ ３とＧ ｄ １’ ｌ
） Ｆ ｅ ５の月見のＪａいを１′！ｉ′だせる′Ｉ
うに次の方法を採る。第２図ｔＪ、クーケットを一定の
組成のＧｄＴＩ）’Ｆｅ 、：しスパックリング時の
Ａｒ圧力を液化させたｎ、ｆの形成膜の保磁力の液化を
示している。同図に示される様にクーケラトか一定の組
成のＧｄＴｌ）Ｆｅ てあってもＡ［圧力を変化させる
たけて保磁力が変化（即ち膜の組成か液化）するもので
ある。実際にはＡｔ−圧の低いＩ＋、’ｉにはＦｅリッ
ヂ（Ａ ｔｒｉ（分）にＡｒ圧の商い時には希」１類（
Ｇ ｄ 、 ｉ” ｌ））リッヂ（Ｂ ｔｒｌ＜分）に
な−、でいる。史に図示していないがＡｒ圧のかなり低
い所では垂１１’ｒ 磁気異方性の無いＦｅリッヂの組
成膜が出３Ａｇ）、Ａ ｒ圧のかなり高い所では垂直磁
気異方性の無い希土類に鳥Ｎ 、 ’Ｉ’ ｂ ＞ Ｉ
Ｊッヂの組成ｊ換が出来る。反射膜５としては希土類リ
ッヂの方が酸化防ＩＬの点から好ｔ Ｌ、い。こうして
上記Ｔ ｉ ０２２ 、ＧｄＴｂＦｅ３ 。
） Ｆ ｅ ５の月見のＪａいを１′！ｉ′だせる′Ｉ
うに次の方法を採る。第２図ｔＪ、クーケットを一定の
組成のＧｄＴＩ）’Ｆｅ 、：しスパックリング時の
Ａｒ圧力を液化させたｎ、ｆの形成膜の保磁力の液化を
示している。同図に示される様にクーケラトか一定の組
成のＧｄＴｌ）Ｆｅ てあってもＡ［圧力を変化させる
たけて保磁力が変化（即ち膜の組成か液化）するもので
ある。実際にはＡｔ−圧の低いＩ＋、’ｉにはＦｅリッ
ヂ（Ａ ｔｒｉ（分）にＡｒ圧の商い時には希」１類（
Ｇ ｄ 、 ｉ” ｌ））リッヂ（Ｂ ｔｒｌ＜分）に
な−、でいる。史に図示していないがＡｒ圧のかなり低
い所では垂１１’ｒ 磁気異方性の無いＦｅリッヂの組
成膜が出３Ａｇ）、Ａ ｒ圧のかなり高い所では垂直磁
気異方性の無い希土類に鳥Ｎ 、 ’Ｉ’ ｂ ＞ Ｉ
Ｊッヂの組成ｊ換が出来る。反射膜５としては希土類リ
ッヂの方が酸化防ＩＬの点から好ｔ Ｌ、い。こうして
上記Ｔ ｉ ０２２ 、ＧｄＴｂＦｅ３ 。
Ｔｌ０２４．ＧｄＴｂＦｅ３．Ｔｉ０ｚ６の多層膜の形
成時にはスパックリングクーゲット古してＴｉＯ２゜Ｇ
ｄＴｌ）Ｆｅの２種類のみを用いＡｒ圧を適宜調整して
膜面に垂直な方向に磁化容易軸を持つＧｄＴｂＦｅ３、
及び膜面に平行な方向に磁化容易軸を持つＧｄＴｌ）−
Ｆｅ５ を作成する。尚Ｔｉ０２２の膜厚は５０〜１
００ ｎｍ 、 ＧｄＴｂＦｅ ３ の膜厚ｒｉ １０
−３０ ｎｍ、Ｔ ｉ Ｏ２４の膜厚Ｌｒ１．３０−１
００ ｎｍ、 ＧｄＴｂＦｃ ５の膜厚はｌ ＯＯｎｍ
以」ユ、”ｒｉ ０２６の膜厚は５゜ｎｍ以上てあれば
適切な素子禍造をイ（Ｊる。
成時にはスパックリングクーゲット古してＴｉＯ２゜Ｇ
ｄＴｌ）Ｆｅの２種類のみを用いＡｒ圧を適宜調整して
膜面に垂直な方向に磁化容易軸を持つＧｄＴｂＦｅ３、
及び膜面に平行な方向に磁化容易軸を持つＧｄＴｌ）−
Ｆｅ５ を作成する。尚Ｔｉ０２２の膜厚は５０〜１
００ ｎｍ 、 ＧｄＴｂＦｅ ３ の膜厚ｒｉ １０
−３０ ｎｍ、Ｔ ｉ Ｏ２４の膜厚Ｌｒ１．３０−１
００ ｎｍ、 ＧｄＴｂＦｃ ５の膜厚はｌ ＯＯｎｍ
以」ユ、”ｒｉ ０２６の膜厚は５゜ｎｍ以上てあれば
適切な素子禍造をイ（Ｊる。
以」二の実施形態以外に次の実施形態が可能である。即
ち」１記誘電体膜２の利質としてＳｉ；ＩＮ４゜ＳｉＯ
，ＺｎＳ、ＣｅＯ２，Ｚｒ０ｚ、５ｂ２ｏ３．Ｎｄ２Ｏ
：ｌ。
ち」１記誘電体膜２の利質としてＳｉ；ＩＮ４゜ＳｉＯ
，ＺｎＳ、ＣｅＯ２，Ｚｒ０ｚ、５ｂ２ｏ３．Ｎｄ２Ｏ
：ｌ。
ＣｅＦ３ の何れかを用いる。これらは屈折率が１．７
〜２．５ とＴｉ０２（屈折率２．４）と同程度の為
膜厚は上記の値と同等で良い。父上、′ｉＬ！磁性体膜
３及び反射膜５の材質としてＧｄＴｂＤｙＦｅ 、 Ｔ
ｂＤｙＦｅ 。
〜２．５ とＴｉ０２（屈折率２．４）と同程度の為
膜厚は上記の値と同等で良い。父上、′ｉＬ！磁性体膜
３及び反射膜５の材質としてＧｄＴｂＤｙＦｅ 、 Ｔ
ｂＤｙＦｅ 。
Ｇ ｄ ＋ｃ、０等他の希土類−遷移金属合金あるいは
これらの希土類−遷移金属合金に不純物元素が加わった
ものを用いてもよい。又第３図に示す様に案内溝を形成
したカラス板■の上面にＩ） Ｉ’ｔｌ ＭＡの樹脂基
板７を貼り合わせてもよい。これによりガラス板ｌの割
れ等か防止てきるので素子の収り扱いか容易になる。上
記樹脂基板７はフ」トボリマー法によって形成してもよ
い。この場合同図に示す如く裏面にも上記樹脂基板７と
同様の製法にて樹脂基板８を形成すれはより効果的であ
る。又木兄ＩＪ］の要旨は透明基板と、希土類と遷移金
１萬の合金からなる膜面に垂直な方向に磁気異方性をイ
〕する磁性体膜と、該磁性体膜と同−相性からなる反射
膜とがこの順に積層されて構成される磁気光学記憶素子
にあり、この＋１１１１ｉ成によって裏面よりの酸素及
び水分の透過を防Ｉ４．する事をｉ、＋Ｊ能としたもの
である。従−）てこの彎旨を逸脱する串なく様々な構成
をとるＪｉがてきる。例え１ｌ−１第１図、第３図に示
される誘電体膜２及び誘電体膜６が無い構造の磁気光学
記憶素子の構成てあってもよいのである。
これらの希土類−遷移金属合金に不純物元素が加わった
ものを用いてもよい。又第３図に示す様に案内溝を形成
したカラス板■の上面にＩ） Ｉ’ｔｌ ＭＡの樹脂基
板７を貼り合わせてもよい。これによりガラス板ｌの割
れ等か防止てきるので素子の収り扱いか容易になる。上
記樹脂基板７はフ」トボリマー法によって形成してもよ
い。この場合同図に示す如く裏面にも上記樹脂基板７と
同様の製法にて樹脂基板８を形成すれはより効果的であ
る。又木兄ＩＪ］の要旨は透明基板と、希土類と遷移金
１萬の合金からなる膜面に垂直な方向に磁気異方性をイ
〕する磁性体膜と、該磁性体膜と同−相性からなる反射
膜とがこの順に積層されて構成される磁気光学記憶素子
にあり、この＋１１１１ｉ成によって裏面よりの酸素及
び水分の透過を防Ｉ４．する事をｉ、＋Ｊ能としたもの
である。従−）てこの彎旨を逸脱する串なく様々な構成
をとるＪｉがてきる。例え１ｌ−１第１図、第３図に示
される誘電体膜２及び誘電体膜６が無い構造の磁気光学
記憶素子の構成てあってもよいのである。
（効 果）
本発明によれば記憶媒体である希土類と遷移命属の合金
からなる膜面に垂直な方向に磁気異方ＩＰ−１を有する
磁性体膜の酸化を防止して該膜の記・１．ハ特性の安定
化を得ることができるものである。又カー回転角を増大
させる作用と上記磁ＩＩｉ体膜の酸化を防止する作用と
の２種の作用を合わせ持つ反射膜を」二記磁性体膜の材
質と同−相性からトｉ’Ｉｌ成したので製法上において
極めて容易に膜形成か出来るという利点を有するもので
ある。
からなる膜面に垂直な方向に磁気異方ＩＰ−１を有する
磁性体膜の酸化を防止して該膜の記・１．ハ特性の安定
化を得ることができるものである。又カー回転角を増大
させる作用と上記磁ＩＩｉ体膜の酸化を防止する作用と
の２種の作用を合わせ持つ反射膜を」二記磁性体膜の材
質と同−相性からトｉ’Ｉｌ成したので製法上において
極めて容易に膜形成か出来るという利点を有するもので
ある。
第１図は本発明の磁気光学記憶素子の一実施例の一部側
面断面図、第２図はアルゴン圧さ深磁力の関係を示すグ
ラフ図、第３図は不発１月の磁気光学記憶素子の他の実
施例の一部■（）］向断面図を、ｊンｒつ図中、１．ガ
ラス板 ２．４．６ ：誘電体膜３ 磁性体膜 ５・反
射膜 ７．８：樹脂基板
面断面図、第２図はアルゴン圧さ深磁力の関係を示すグ
ラフ図、第３図は不発１月の磁気光学記憶素子の他の実
施例の一部■（）］向断面図を、ｊンｒつ図中、１．ガ
ラス板 ２．４．６ ：誘電体膜３ 磁性体膜 ５・反
射膜 ７．８：樹脂基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、透明基板と、希土類と遷移金属の合金からなる膜面
に垂直な方向に磁気異方性をイコする磁性体膜と、該磁
性体膜と同一材質からなる反射膜とがこの順に積層され
て構成されることを特徴とする磁気光学記憶素子。 ２、 ＋ｊｉｊ記反射膜が膜面に平行な方向に磁気異
方性を有する磁性体によって構成されることを特徴とす
る特、ｒ「請求の範囲第１項記載のイ融気光学記１、は
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15200782A JPS5942577A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15200782A JPS5942577A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 磁気光学記憶素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4294266A Division JP2609407B2 (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5942577A true JPS5942577A (ja) | 1984-03-09 |
| JPH0375948B2 JPH0375948B2 (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=15531020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15200782A Granted JPS5942577A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5942577A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01159840A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
| JPH01160075A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58153244A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP15200782A patent/JPS5942577A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58153244A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01159840A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
| JPH01160075A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0375948B2 (ja) | 1991-12-03 |
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