JP2662474B2 - 光磁気記憶素子 - Google Patents
光磁気記憶素子Info
- Publication number
- JP2662474B2 JP2662474B2 JP3187382A JP18738291A JP2662474B2 JP 2662474 B2 JP2662474 B2 JP 2662474B2 JP 3187382 A JP3187382 A JP 3187382A JP 18738291 A JP18738291 A JP 18738291A JP 2662474 B2 JP2662474 B2 JP 2662474B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- magneto
- transparent dielectric
- amorphous alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱エネルギーで情報を記
録あるいは消去し、光と磁気の相互作用を利用して情報
を再生する光磁気記憶素子に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、高密度、大容量、高速アクセスが
可能な光メモリ装置の研究開発が各方面で精力的に行わ
れている。中でも情報の記録、再生、消去が可能な光磁
気メモリ装置は文字、画像等のファイルメモリやビデオ
ディスク等の用途が考えられるためとりわけ有望視され
ているものである。 【０００３】この光磁気メモリ装置の記憶材料としては
ＧｄＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ等の
希土類と遷移金属の非晶質合金薄膜が適している。これ
は希土類と遷移金属の非晶質合金薄膜が膜面に垂直な方
向に磁化容易軸を有し、非晶質であるため粒界ノイズが
なく、記録に必要とされるレーザパワーを少なくできる
という優れた性質を有するためである。 【０００４】しかし、上記希土類と遷移金属の非晶質合
金薄膜を記憶材料として用いた場合は磁気光学効果であ
るカー回転角が０．２〜０．３度と小さく再生信号の品
質が良くないという欠点がある。この再生信号の品質を
向上させるために従来より反射膜構造と呼ばれる素子構
造が記憶素子において採用されている（例えば特願昭５
５−８５６９５号参照）。 【０００５】図２は従来の反射膜構造の光磁気記憶素子
の一部側面断面図である。同図で１は透明基板、２は透
明基板１よりも屈折率の高い透明誘電体膜、３は希土類
−遷移金属の非晶質合金薄膜、４は透明誘電体膜、５は
金属反射膜である。この構造の光磁気記憶素子では非晶
質合金薄膜３は十分に薄く、したがってこの非晶質合金
薄膜３に入射した光は一部が通り抜ける。 【０００６】そのため再生光は非晶質合金薄膜３表面で
の反射によるカー効果と、非晶質合金薄膜３を通り抜け
金属反射膜５で反射され再び非晶質合金薄膜３を通り抜
けることで起こるファラディ効果とが合わせられること
によって、単なるカー効果のみの場合に比べて数倍カー
回転角が増大するものである。なお、非晶質合金薄膜３
上の透明誘電体膜２もカー回転角を増大する働きを有す
る（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｍａｇ．Ｖｏｌ−１
６ Ｎｏ５ １９８０ Ｐ１１９４にて報告されてい
る）。 【０００７】一例として透明基板１をガラス板とし、透
明誘電体膜２を１００ｎｍのＳｉＯとし、非晶質合金薄
膜３を１２．５ｎｍのＧｄＴｂＤｙＦｅとし、透明誘電
体膜４を３０ｎｍのＳｉＯ2とし、金属反射膜５を４０
ｎｍのＣｕとした構成ではカー回転角が１．７５度まで
増大した。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】上述の図２の構造では
カー回転角が１．７５度まで増大する一方で、反射光が
５％程度に減少してしまう。ところが、ガラスによって
形成した透明基板１の表面での光の反射は４％程度ある
ため、非晶質合金薄膜３にて反射され情報を含む反射光
と、透明基板１の表面にて反射され情報を含まない反射
光とが同程度の光量となり、情報再生に困難をきたすよ
うになった。すなわち、上述の反射膜構造の光磁気記憶
素子はカー回転角の増大を得るという利点を有する一方
で反射光量が十分に得られないという問題点を有してい
た。 【０００９】また、透明基板１をＰＭＭＡ樹脂あるいは
ポリカーボネート樹脂等からなる樹脂基板で構成する
と、一般に樹脂は吸湿性が高いために図２の素子構造で
は真空中で各被覆膜２〜５を形成し次に大気中に取り出
すと、樹脂の基板１が水分を吸収して各被覆膜２〜５を
内側にして凸状に反ってしまうという問題があった。そ
こで、本発明は基板に樹脂材料を採用した場合でも、吸
湿等による基板の反りを防止することができるととも
に、カー回転角を増大することができ、かつ基板表面で
の反射光を十分に減少せしめることによって高い信号品
質を得ることができる光磁気記憶素子の素子構造を提供
することを目的とする。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の問題
点に鑑みてなされたものであり、樹脂基板の裏面側に透
明誘電体膜と希土類・遷移金属非晶質合金薄膜と反射膜
を積層するとともに、前記基板の表面側に反射防止及び
基板反り防止用の透明誘電体膜を形成したことを特徴と
するものである。 【００１１】 【作用】樹脂基板の一方の面に透明誘電体膜と希土類・
遷移金属非晶質合金薄膜と反射膜とを積層した光磁気記
憶素子の他方の面に形成した、反射防止及び基板反り防
止用の透明誘電体膜によって、樹脂基板の吸湿による反
りを防止することができるとともに、反射光量を減少さ
せてカー回転角を増大せしめ、かつ、前記反り防止によ
り基板表面からの情報の採取に寄与しない入射光の基板
表面からの反射光量を減少させることができる。 【００１２】 【実施例】以下、本発明に係る光磁気記憶素子の一実施
例について詳細に説明する。 【００１３】図１は本発明に係る光磁気記憶素子の一実
施例の一部側面断面図を示す。同図において図２の構成
と同一構成の部分は同一符号をもって示している。な
お、図１の光磁気記憶素子は透明基板１に凹凸のガイド
トラックを設けている。また、透明基板１はガラス板、
透明誘電体膜２はＳｉＯ、非晶質合金薄膜３はＧｄＴｂ
ＤｙＦｅ、透明誘電体膜４はＳｉＯ2、金属反射膜５は
Ｃｕとする。同図で６は透明誘電体膜２と同一材料であ
るＳｉＯを１００〜１１０ｎｍの膜厚にて被覆形成した
第１の被覆膜であり、７は透明誘電体膜４と同一材料で
あるＳｉＯ2を１３０〜１４０ｎｍの膜厚にて被覆形成
した第２の被覆膜である。 【００１４】この構造の光磁気記憶素子は上記第１の被
覆膜６及び第２の被覆膜７が反射防止膜として作用する
ため透明基板１表面で反射し情報の採取に寄与しない反
射光を十分に減少させることができるものである。上記
第１の被覆膜６及び第２の被覆膜７は各々の膜厚が使用
レーザ波長をλ、屈折率をｎとした時、ｄ＝λ／４ｎに
なるように形成されている。また、上記第１の被覆膜６
及び第２の被覆膜７はいずれか一方のみが存在しても反
射防止の機能を果たすことができる。 【００１５】ここで上記第１の被覆膜６及び第２の被覆
膜７の材質は透明誘電体膜２および４の材質に応じて種
々変更することができる。例えばＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、
からなる２層膜あるいはＭｇＦｅ、３ＮａＦ；ＡｌＦ3
（氷晶）等の単層膜であっても構わない。また他の構
造、例えば３層膜あるいはそれ以上の多層膜であっても
構わない。 【００１６】また、以上の説明では透明基板１をガラス
板で構成したものについて説明したが、透明基板１がＰ
ＭＭＡ樹脂あるいはポリカーボネート樹脂等からなる樹
脂基板であってもよい。ここで透明基板１をＰＭＭＡ樹
脂にて構成した場合はＰＭＭＡ樹脂の吸湿性が高いため
に図２の構造の素子では真空中で各被覆膜２〜５を形成
し次に大気中に取り出すと、基板１が水分を吸収して各
被覆膜２〜５を内側にして凸状に反ってしまう。 【００１７】しかるに図１の構造のごとく第１の被覆膜
６及び第２の被覆膜７を真空中にて形成しておけば上述
の反りを未然に防止することができるものである。すな
わち、この場合第１の被覆膜６及び第２の被覆膜７は透
明基板１の表面での反射防止と透明基板１の反り防止の
両方の機能を果たすものである。 【００１８】 【発明の効果】本発明によれば樹脂基板の裏面側に透明
誘電体膜と希土類・遷移金属非晶質薄膜と反射膜とを積
層して記録材料とし、反射光量を減少させてカー回転角
を増大せしめる一方、基板の表面側に透明誘電体膜を形
成することによって、樹脂基板の吸湿による反りを防止
することができ、しかも、情報の採取に寄与しない入射
光の基板表面からの反射光量を減少せしめることができ
るので、情報品質の高い光磁気記憶素子を得ることがで
きる。
録あるいは消去し、光と磁気の相互作用を利用して情報
を再生する光磁気記憶素子に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、高密度、大容量、高速アクセスが
可能な光メモリ装置の研究開発が各方面で精力的に行わ
れている。中でも情報の記録、再生、消去が可能な光磁
気メモリ装置は文字、画像等のファイルメモリやビデオ
ディスク等の用途が考えられるためとりわけ有望視され
ているものである。 【０００３】この光磁気メモリ装置の記憶材料としては
ＧｄＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ等の
希土類と遷移金属の非晶質合金薄膜が適している。これ
は希土類と遷移金属の非晶質合金薄膜が膜面に垂直な方
向に磁化容易軸を有し、非晶質であるため粒界ノイズが
なく、記録に必要とされるレーザパワーを少なくできる
という優れた性質を有するためである。 【０００４】しかし、上記希土類と遷移金属の非晶質合
金薄膜を記憶材料として用いた場合は磁気光学効果であ
るカー回転角が０．２〜０．３度と小さく再生信号の品
質が良くないという欠点がある。この再生信号の品質を
向上させるために従来より反射膜構造と呼ばれる素子構
造が記憶素子において採用されている（例えば特願昭５
５−８５６９５号参照）。 【０００５】図２は従来の反射膜構造の光磁気記憶素子
の一部側面断面図である。同図で１は透明基板、２は透
明基板１よりも屈折率の高い透明誘電体膜、３は希土類
−遷移金属の非晶質合金薄膜、４は透明誘電体膜、５は
金属反射膜である。この構造の光磁気記憶素子では非晶
質合金薄膜３は十分に薄く、したがってこの非晶質合金
薄膜３に入射した光は一部が通り抜ける。 【０００６】そのため再生光は非晶質合金薄膜３表面で
の反射によるカー効果と、非晶質合金薄膜３を通り抜け
金属反射膜５で反射され再び非晶質合金薄膜３を通り抜
けることで起こるファラディ効果とが合わせられること
によって、単なるカー効果のみの場合に比べて数倍カー
回転角が増大するものである。なお、非晶質合金薄膜３
上の透明誘電体膜２もカー回転角を増大する働きを有す
る（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｍａｇ．Ｖｏｌ−１
６ Ｎｏ５ １９８０ Ｐ１１９４にて報告されてい
る）。 【０００７】一例として透明基板１をガラス板とし、透
明誘電体膜２を１００ｎｍのＳｉＯとし、非晶質合金薄
膜３を１２．５ｎｍのＧｄＴｂＤｙＦｅとし、透明誘電
体膜４を３０ｎｍのＳｉＯ2とし、金属反射膜５を４０
ｎｍのＣｕとした構成ではカー回転角が１．７５度まで
増大した。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】上述の図２の構造では
カー回転角が１．７５度まで増大する一方で、反射光が
５％程度に減少してしまう。ところが、ガラスによって
形成した透明基板１の表面での光の反射は４％程度ある
ため、非晶質合金薄膜３にて反射され情報を含む反射光
と、透明基板１の表面にて反射され情報を含まない反射
光とが同程度の光量となり、情報再生に困難をきたすよ
うになった。すなわち、上述の反射膜構造の光磁気記憶
素子はカー回転角の増大を得るという利点を有する一方
で反射光量が十分に得られないという問題点を有してい
た。 【０００９】また、透明基板１をＰＭＭＡ樹脂あるいは
ポリカーボネート樹脂等からなる樹脂基板で構成する
と、一般に樹脂は吸湿性が高いために図２の素子構造で
は真空中で各被覆膜２〜５を形成し次に大気中に取り出
すと、樹脂の基板１が水分を吸収して各被覆膜２〜５を
内側にして凸状に反ってしまうという問題があった。そ
こで、本発明は基板に樹脂材料を採用した場合でも、吸
湿等による基板の反りを防止することができるととも
に、カー回転角を増大することができ、かつ基板表面で
の反射光を十分に減少せしめることによって高い信号品
質を得ることができる光磁気記憶素子の素子構造を提供
することを目的とする。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の問題
点に鑑みてなされたものであり、樹脂基板の裏面側に透
明誘電体膜と希土類・遷移金属非晶質合金薄膜と反射膜
を積層するとともに、前記基板の表面側に反射防止及び
基板反り防止用の透明誘電体膜を形成したことを特徴と
するものである。 【００１１】 【作用】樹脂基板の一方の面に透明誘電体膜と希土類・
遷移金属非晶質合金薄膜と反射膜とを積層した光磁気記
憶素子の他方の面に形成した、反射防止及び基板反り防
止用の透明誘電体膜によって、樹脂基板の吸湿による反
りを防止することができるとともに、反射光量を減少さ
せてカー回転角を増大せしめ、かつ、前記反り防止によ
り基板表面からの情報の採取に寄与しない入射光の基板
表面からの反射光量を減少させることができる。 【００１２】 【実施例】以下、本発明に係る光磁気記憶素子の一実施
例について詳細に説明する。 【００１３】図１は本発明に係る光磁気記憶素子の一実
施例の一部側面断面図を示す。同図において図２の構成
と同一構成の部分は同一符号をもって示している。な
お、図１の光磁気記憶素子は透明基板１に凹凸のガイド
トラックを設けている。また、透明基板１はガラス板、
透明誘電体膜２はＳｉＯ、非晶質合金薄膜３はＧｄＴｂ
ＤｙＦｅ、透明誘電体膜４はＳｉＯ2、金属反射膜５は
Ｃｕとする。同図で６は透明誘電体膜２と同一材料であ
るＳｉＯを１００〜１１０ｎｍの膜厚にて被覆形成した
第１の被覆膜であり、７は透明誘電体膜４と同一材料で
あるＳｉＯ2を１３０〜１４０ｎｍの膜厚にて被覆形成
した第２の被覆膜である。 【００１４】この構造の光磁気記憶素子は上記第１の被
覆膜６及び第２の被覆膜７が反射防止膜として作用する
ため透明基板１表面で反射し情報の採取に寄与しない反
射光を十分に減少させることができるものである。上記
第１の被覆膜６及び第２の被覆膜７は各々の膜厚が使用
レーザ波長をλ、屈折率をｎとした時、ｄ＝λ／４ｎに
なるように形成されている。また、上記第１の被覆膜６
及び第２の被覆膜７はいずれか一方のみが存在しても反
射防止の機能を果たすことができる。 【００１５】ここで上記第１の被覆膜６及び第２の被覆
膜７の材質は透明誘電体膜２および４の材質に応じて種
々変更することができる。例えばＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、
からなる２層膜あるいはＭｇＦｅ、３ＮａＦ；ＡｌＦ3
（氷晶）等の単層膜であっても構わない。また他の構
造、例えば３層膜あるいはそれ以上の多層膜であっても
構わない。 【００１６】また、以上の説明では透明基板１をガラス
板で構成したものについて説明したが、透明基板１がＰ
ＭＭＡ樹脂あるいはポリカーボネート樹脂等からなる樹
脂基板であってもよい。ここで透明基板１をＰＭＭＡ樹
脂にて構成した場合はＰＭＭＡ樹脂の吸湿性が高いため
に図２の構造の素子では真空中で各被覆膜２〜５を形成
し次に大気中に取り出すと、基板１が水分を吸収して各
被覆膜２〜５を内側にして凸状に反ってしまう。 【００１７】しかるに図１の構造のごとく第１の被覆膜
６及び第２の被覆膜７を真空中にて形成しておけば上述
の反りを未然に防止することができるものである。すな
わち、この場合第１の被覆膜６及び第２の被覆膜７は透
明基板１の表面での反射防止と透明基板１の反り防止の
両方の機能を果たすものである。 【００１８】 【発明の効果】本発明によれば樹脂基板の裏面側に透明
誘電体膜と希土類・遷移金属非晶質薄膜と反射膜とを積
層して記録材料とし、反射光量を減少させてカー回転角
を増大せしめる一方、基板の表面側に透明誘電体膜を形
成することによって、樹脂基板の吸湿による反りを防止
することができ、しかも、情報の採取に寄与しない入射
光の基板表面からの反射光量を減少せしめることができ
るので、情報品質の高い光磁気記憶素子を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光磁気記憶素子の一実施例の一部
側面断面図である。 【図２】従来の光磁気記憶素子の一部側面断面図であ
る。 【符号の説明】 １ 透明基板 ２ 透明誘電体膜 ３ 非晶質合金薄膜 ４ 透明誘電体膜 ５ 金属反射膜 ６ 第１の被覆膜 ７ 第２の被覆膜
側面断面図である。 【図２】従来の光磁気記憶素子の一部側面断面図であ
る。 【符号の説明】 １ 透明基板 ２ 透明誘電体膜 ３ 非晶質合金薄膜 ４ 透明誘電体膜 ５ 金属反射膜 ６ 第１の被覆膜 ７ 第２の被覆膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 片山 博之
大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー
プ株式会社内
(72)発明者 高橋 明
大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー
プ株式会社内
(72)発明者 山岡 秀嘉
大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー
プ株式会社内
(56)参考文献 実開 昭58−52651（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．樹脂基板の裏面側に透明誘電体膜と希土類・遷移金
属非晶質合金薄膜と反射膜とを積層するとともに、前記
基板の表面側に反射防止及び基板反り防止用の透明誘電
体膜を形成したことを特徴とする光磁気記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187382A JP2662474B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光磁気記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187382A JP2662474B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光磁気記憶素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57190336A Division JPS5979445A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 光磁気記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04349247A JPH04349247A (ja) | 1992-12-03 |
| JP2662474B2 true JP2662474B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=16205036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3187382A Expired - Lifetime JP2662474B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光磁気記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2662474B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11149664A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-02 | Sharp Corp | 光ディスク |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57120253A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-27 | Sharp Corp | Magnetooptical storage elemen |
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS5852651U (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-09 | キヤノン株式会社 | 光熱磁気記録媒体 |
| JPS5979445A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-08 | Sharp Corp | 光磁気記憶素子 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP3187382A patent/JP2662474B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04349247A (ja) | 1992-12-03 |
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