JPS61139961A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 工　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。

先行技術 光磁気メモリの光記録媒体としては、 Ｍ　ｎ　Ｂ　ｉ　、　Ｍ　ｎ　Ａ　Ｉ　Ｇ　ｅ　、　Ｍ
　ｎ　Ｓ　ｂ　。

Ｍ　ｎ　Ｃｕ　Ｂ　ｉ　、　Ｇ　ｄ　Ｆ　ｅ　、　Ｔ　
ｂ　Ｆ　ｅ　。

ＧｄＣｏ　、ＰｔＣｏ　、ＴｂＣｏ　。

ＴｂＦｅＣｏ　、ＧｄＦｅＣｏ　。

ＴｂＦｅＯ３、ＧｄＩＧ、’ＧｄＴｂＦｅ。

ＧｄＴｂＦｅＣｏＢ１　、ＣｏＦｅ２０４等の材料が短
られている。　これらは、真空蒸着法やスパッタリング
法等の方法で、プラスチック樹脂やガラス等の透明基板
上に薄膜として形成される。　これらの光磁気記録媒体
に共通している特性としては。

磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり１ 、さらに、光ビームによる抵カー効果やファラデー効果
がきわめて大きいという点をあげることができる。

この性質を利用して、光磁気記録の方法としては、例え
ば次の方法がある。

まず、最初に膜全体を０”すなわち一様に磁化しておく
（これを消去という）、　つ　ぎに、“１゛を記録した
い部分にレーザービームを照射する。　レーザービーム
が照射されたところは温度が上昇し、補償点をこえた時
、さらにこの点をこえ、キューリ一点に近づいた時、そ
してさらにキューリ一点をこえた時には、保磁力Ｈｃは
Ｏに近づく、　そして、レーザービームを消し、室温に
もどせば、反磁場のエネルギーにより磁化は反転し、さ
らには、レーザービームを照射の際、外部磁場を初期と
反対の方向に与えて室温にもどすと、磁化反転し、“１
パなる信号が記録される。

また、記録は初期状態が°“０°”であるから、レーザ
ービームを照射しない部分は°“Ｏ″のまま残る。

記録された光磁気メモリの読み取りは、同じようにレー
ザービームを用いて、このレーザービーム照射光の磁化
の方向による反射光の偏光面の回転、すなわち光磁気効
果を利用して行われる。

このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリ一点や補償点が比較的低く室温付近で
あること。

第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的小さ
いこと。

＠３に高温成膜や長時間成膜等の方法をとらずに、比較
的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な膜が得られ
ることがあげられる。

このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希土
類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集め
ている。

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接した
まま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選
択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再
生が不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性薄膜層の表面に保護層を設
けた構成を有するものが多く研究されている。

従来、このような防湿性の保護層としては、−酸化ケ仁
［二酸化ケ、イ素等の無機系の真空蒸着膜等を設ける試
み（特開昭５８−８０１４２号等）が開示されている。

これらの保護層のうち、例えば、５ｉ０２などの無機系
の保護層は、スパッタ法および蒸着法等により形成され
る。

しかし、これらの方法によっては、均一で一様におおわ
れた成膜が難しく、防湿性が十分な保護層はえられない
、　そのため、光磁気記録媒体の磁性Ｒ膜層の経時劣化
が改善されない。

また、常温硬化性の樹脂の塗膜保護層でも、十分な防湿
性はえられず、硬化まで水分、酸素の透過等の影響があ
り、これが劣化をうながす。

ＩＩ　　発明の目的 本発明の目的は、高湿度雰囲気中においても磁性薄膜層
の劣化が防）ヒされ、防湿性のすぐれた光磁気記録媒体
を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、樹脂製の基板の一面上に、中間層
を介して希土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜層を有
し、さらにこの磁性薄膜層の上および基板の他面上に、
保護層を有する光磁気記録媒体において、 保護層が放射線硬化型化合物の塗膜を紫外線によって硬
化させたものであることを特徴とする光磁気記録媒体で
ある。

■　発明の具体的構成 本発明の光磁気記録媒体は、第１図に１例を示すように
、ガラスやプラスチック等の基板１１の上に中間層２１
を設け、さらにその上に光磁気記録媒体用の磁性薄膜層
３１を有する。

この磁性薄膜層は、変調された熱ビームあるいは変調さ
れた磁界により、情報が磁気的に記録されるものであり
、記録情報を磁気−光変換して再生するものであり、い
わゆる垂直磁化膜を用いる。

このような磁性薄膜層として、希土類金属と遷移金属の
合金をスパッタ、薄着法等により、非晶質膜として通常
の厚さに形成する。

希土類金属および遷移金属としては種々のものがあるが
、特に前者としてはＧｄ　、Ｔｂ、また後者としてはＦ
ｅ、Ｇｏが好適である。

そして、その好適例としては、ＧｄＦｅ　。

ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ。

ＧｄＴｂＦｅ等がある。

こ°の磁性薄膜層３１の面上と基板１１の中間層２１が
設けられていない面上には、保護層４１１．４１３が設
層される。

また、基板ｌｌ側面や磁性薄膜層露出端面等にも保！Ｉ
層４１５が設けられ、磁性薄膜層３１、中間層２１そし
て基板を全面シールすることが好ましい。

本発明は、第１図に示すように形成してもよいし、磁性
薄膜層を内側にして対向させ、接着剤等を用いて貼り合
わせて、基板の裏面側からの書き込みを行ってもよい。

さらに、基板は樹脂製とし、アクリル樹脂、ポリカーボ
ネート等から形成する。

このような基板の屈折率ｎｐ、は、通常、１．４５〜１
．５８程度である。

なお、記録は基板をとおして行うことが好ましいので、
書き込み光ないし読み出し光に対する透過率は８６〜９
２％程度とする。

また、基板は、通常、ディスク状とし、１．２〜１．５
ｍｍ程度の厚さとするが、その他、テープ、ドラム等と
してもよい。

本発明の保護層４１１．４１３，４１５は、放射線硬化
型化合物の塗膜を紫外線で硬化させたものである。

これら保護層４１１，４１３，４１５は、高湿度雰囲気
中での磁性８１１！＃３１の酸化劣化を防ぐのに特に効
果的である。

用いる放射線硬化型化合物としては、ラジカル重合性を
示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタクリル酸
、あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル系
二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重結
合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結合等の
放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を熱可塑
性樹脂の分子中に含有、または導入したポリマー、オリ
ゴマー、モノマー等の化合物を用いることができる。

その他、使用可能なポリマー成分としては、単址体とし
てアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミ゛ド等があ
る。

二重結合のあるポリマーとしては、種々のポリエステル
、ポリオール、ポリウレタン等をアクリル二重結合を有
する化合物で変性することもできる。　さらに必要に応
じて、多価アルコールと多価カルボン酸を配合すること
によって、種々の分子量のものもできる。

放射線硬化型化合物として上記のものはその一部であり
、これらは混合して用いることもできる。

また（Ａ）放射線により硬化性をもつ不飽和二重結合を
２債以上有するか、または放射線硬化性を有しない分子
量５．０００〜ｉｏｏ、ｏｏｏのプラスチック状化合物
、および （Ｂ）放射線により硬化性をもつ不飽和二重結合をｌ債
以上有する、分子量２００〜３．０００の化合物である
。

これらは単独で用いてもよく、混合物の形で用いてもよ
い、７ また、（Ａ）、（Ｂ）の化合物における不飽和二重結合
は、１分子当り（Ａ）は２以上、好ましくは５以上、（
Ｂ）は１以上、好ましくは３以上である。

本発明で用いる（Ａ）のプラスチック状化合物は、放射
線によりラジカルを発生し、架橋構造を生じるような、
不飽和二重結合を分子鎖中に二債以上含むものであり、
これはまた、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することに
よっても得ることができる。

放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカル重合性を
有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メタクリル酸
、あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル系
二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重結
合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結合等の
、放射線照射による架橋あるいは重合する基を熱可塑性
樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂である。　そ
の池数射線照射により架橋重合する不飽和二重結合を有
する化合物で、分子量が５，０００〜１００．０００（
７）も（７）、好ましくは１０，０００〜ａｏ、ｏｏｏ
のものであれば用いることができる。

放射線照射による架橋あるいは重合する基を熱可塑性・
樹脂の分子中に含有する樹脂としては、次の様な不飽和
ポリエステル樹脂がある。

分子鎖中に放射線硬化性不飽和二重結合を含有するポリ
エステル化合物、例えば下記（２）の多塩基酸と多価ア
ルコールのエステル結合からなる飽和ポリエステル樹脂
で、多塩基酸の一部をマレイン酸とした放射線硬化性不
飽和二重結合を含有する不飽和ポリエステル樹脂を挙げ
ることができる。　放射線硬化性不飽和ポリエステル樹
脂は、多塩基酸成分１種以上と多価アルコール［）１　
ｍ以上に、マレイン酸、フマル酸等を加え、常法、すな
わち触媒の存在下で、１８０〜２００℃、窒素雰囲気下
、脱水あるいは脱アルコール反応の後、２４０〜２８０
℃まで昇温し、０．５〜１　ｍｍＨｇの減圧下、縮合反
応により得ることができる。　マレイン酸やフマル酸等
の含有量は、製造時の架橋、放射線硬化性等から、酸成
分中１〜４０モル％、好ましくはｉｏ〜３０モル％であ
る。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、次のようなものを挙げることができる。

（１）塩化ビニール系共重合体 塩化ビニール−酢酸ビニール−ビニールアルコール共重
合体、塩化ビニール−ビニールアルコール共重合体、塩
化ビニールービニールアルコール−プロピオン酸ビニー
ル共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−マレイン酸
共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−ビニールアル
コール−マレイン酸共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニ
ール−末端ＯＨ側鎖アルキル基共重合体、例えばＵＣＣ
社！ｖＶＲＯＨ１ＶＹＮＣ１ＶＹＢＧＸ、ＶＥＲＲ，Ｖ
ＹＥＳ、ＶＭＣＡ、ＶＡＧＨ等が挙げられ、このものに
後述の手法により、アクリル系二重結合、マレイン酸系
二重結合、アリル系二重結合を導・大して、放射線感応
変性を行う。

（２）飽和ポリエステル樹脂 フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、二／・り酸、
アジピン酸、セバシン酸のような飽和多塩基酸と、エチ
レングリフール、ジエチレングリコール、グリセリン、
トリメチロールプロパン、１．２プロピレングリコール
、１．３ブタンジオール、ジプロピレングリコール、ｌ
。

４ブタンジオール、１．６ヘキサンジオール、ペンタエ
リスリット、ソルビトール、グリセリン、ネオペンチル
グリコール、１．４シクロヘキサンジメタツールのよう
な多価アルコールとのエステル結合により得られる飽和
ポリエステル樹脂、またはこれらのポリエステル樹脂を
ＳＯ３Ｎａ等で変性した樹脂（例えば／＜イロン５３Ｓ
）が例として挙げられ、これらも同様にして放射線感応
変性を行う。

（３）ポリビニルアルコール系樹脂 ポリビニルアルコール、ブチラール樹脂、アセタール樹
脂、ホルマール樹脂およびこれらの成分の共重合体で、
これら樹脂中に含まれる水酸基に対し、後述の手法によ
り放射線感応変性を行う。

（４）エポキシ系樹脂、フェノキシ系樹脂ビスフェノー
ルＡとエピクロルヒドリン。

メチルエピクロルヒドリンの反応によるエポキシ樹脂、
例えば、 シェル化学製（エピコート１５２，１５４．８２８．１
００１．１００４．１００７）、ダウケミカル製（ＤＥ
Ｎ４３１．ＤＥＲ７３２、ＤＥＲ５１１，ＤＥＲ３３１
）、大日本インキ製（エビクロン４００． ８００）。

さらに上記エポキシの高重合度樹脂であるＵＣＣ社製フ
ェノキシ樹脂（ＰＫＨＡ、ＰＫＨＣ，ＰＫＨＨ）、臭素
化ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの共重合体
、大　　　１日本インキ化学工業製（エビクロン１４５
゜１５２．１５３．１１２０．）等があり、また、これ
らにカルボン酸基を含有するものも含まれる。　これら
樹脂中に含まれるエポキシ基を利用して放射線感応変性
を行う。

（５）繊維素誘導体 各種のものが用いられるが、特に効果的なものは、硝化
綿、セルローズアセトブチレート、エチルセルローズ、
ブチルセルローズ、アセチルセルローズ等が好適である
。　樹脂中の水酸基を活用して、後述の方法により放射
線感応変性を行う。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

本発明で用いられる（Ｂ）放射線硬化性不飽和二重結合
を有する化合物としては、スチレン、エチルアクリレー
ト、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリ
コールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアク
リレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、１
．８−へキナングリコールジアクリレート、１．６−ヘ
キサンゲリコールジメタクリレート、トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリ
メタクリレート、多官能オリゴエステルアクリレート（
７０ニ９クスＭ−７１００，Ｍ−５４００，５５００，
５７００等、東亜合成）、ウレタンエラストマーにツボ
ラン４０４０）のアクリル変性体、あるいはこれらのも
のにＣ００Ｉ（等の官能基が導入されたもの等が挙げら
れる。

このような放射線硬化型化合物の中には、光重合増感剤
が加えられる。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルニー
、チル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベ
ンゾイン等のペンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフ
ェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケト
ン類、アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン
類、Ｉ＼ンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモ
ノスルフィト等のスルフィト類、等を挙げることができ
る。

″　光重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜ｌＯ重
量％の範囲が望ましい。

このような保護層の厚さは０．１〜３０ＪＬｍであり、
より好ましくは１〜１０ｇｍである。

この膜厚が０．１ルｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性＊Ｓ層３１の耐久性が向上しない、　また、３０ｇ
ｍをこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録
媒体の反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えな
い。

コａ＞ヨウｌｔ保護Ｍ４１１．４１３，４１５は１通常
前記の放射線硬化型化合物のうちの１種以上を用いて、
同一材質からなる保護層とする。　しかし必要に応じて
、保護層４１１゜４１３．４１５を、それぞれ異なる放
射線硬化型化合物を用いて形成してもよい。

このような塗膜は、通常、スピンナーコート法およびデ
ィッピング法を用いて形成される。　その他、必要に応
じて、種々の公知の方法を組み合わせて形成してもよい
。

このように設層された保護層４１１゜ ４１３．４１５において、基板１１上に設層された保護
層４１１の屈折率をｎ　、基板ｌｌの屈折率をｎ　とす
るとｎ／ｎｐ、は０，９５〜ｂ　　　　　　　　　　　
ｐ １．０５であることが好ましく、より好ましくは０．９
８〜１．０２である。

この比が上記範囲を満足しないと、保護膜と基板との界
面で、光の散乱や反射がおこる。

そのため光の有効利用ができなくなり光磁気情報の出力
の低下をまねく。

また、このような塗膜を紫外線によって硬化させるには
、公知の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。

また、基板１１と磁性薄膜層中工の間には。

前述の様に中間層２１が設層される。

この中間層は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ，ＡｉＮ。

５ｉａＮａ、ＺｎＳなどから形成される。　そして、こ
の中間層の屈折率は１，５以上であり、より好ましくは
２以上である。　また、この屈折率の上限値は、現在、
存在するものの物質により必然的に決められるものであ
る。

なお、この屈折率の設定範囲は、読みとり光を照射して
、磁性薄膜層中の信号を読みとる際に、中ｌｖＩ暦で読
みとり光を多重干渉させ、増巾効果を得るのに好適な範
囲である。

従って、この範囲の屈折率にて、初期のＣＺＮ比をより
一層向上させることができる。

また、この中間層の屈折率が１．５未満の場合には、上
述した増巾効果が期待できないため、実用上適さない、
　またさらに、この中間層は、特に樹脂製基板の場合、
基板から磁性薄膜層への防湿の効果も兼ねそなえている
。

この中間層は、蒸着法、スパッタ法などの方法により設
層される。

この中間層の膜厚ｄは、使用レーザー波長を入、屈折率
をｎとしたとき、ｄ＝入／　４　ｎになるように設層さ
れる。

■　発明の効果 本発明の光磁気配備媒体は、基板上に中間層を介して磁
性薄膜層を有し、さらにこれらの外部表面には放射線硬
化型化合物の塗膜を紫外線によって硬化させた保護層を
有する。　そしてこの保護層の屈折率をｎ　基板の屈折
率をｎｂとすると、ｎ　　／　ｎ　ｂは好ましくは０．
９５〜１．０５である。

そのため、防湿性が向上し、高温高湿で長時間使用して
も経時劣化が少なく、耐久性に優れる。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。

〔実施例〕

直径２０ｃｍのＰ　Ｍ　Ｍ　Ａ　（ｎ　ｂ　＝１　、４
８　）からなる基板上に、ＺｎＳからなる中間層を高周
波マグネトロンスパッタにより設層した。

この中間層の屈折率はエリプソメトリ−で測定し、その
屈折率は２．３５であった。　また膜厚は９００人であ
った。

この中間層上に、ＧｄＴｂＦｅからなる合金薄膜をスパ
ッタリングにより厚さ０．１ｇｍに設層し、磁性薄膜層
とした。

この磁性ｆｉ！　ＩＩ層上および基体の他面および側面
に、多官能オリゴエステルアクリレート（７０ニックス
Ｍ−８０６０）５０重量部、反応性希釈剤（マンダ）５
０重量部、光増感剤（パイキュアー５５）５０重量部か
らなる塗布組成物をスピンナコートおよびディッピング
で設層し、その後、ａＯＷ紫外線を１５ｓｅｃ照射し、
架橋・硬化させた。　この時の膜厚は１０ｇｍ、ｎ　　
は１．４９であった（サンプル出。

ｌ）。

そして、基板の材質、厚さおよび磁性薄膜層の材質、厚
さ等を同一とし、中間層および保護層の材質をかえたサ
ンプルを作製した（サンプル崩、２，３，４，５．６）
。

なお、保護層２は、二官能オリゴエステルアクリレート
（アロニフクスＭ−６５００）からなる塗布組成物を塗
布し、これを保護層ｌと同様の条件で架橋硬化したもの
である（ｎ　　　＝１．５０）。

また、比較用の保護層３は、紫外線硬化型エポキシ樹脂
からなる塗布組成物を塗布し、これを保護層１と同様の
条件で架橋硬化したもので“６（“　＝”°゛９・　　
　　　　　　　　ｊさらに比較例として、保護層を５ｔ
０２の蒸着膜にかえた（サンプルＮｏ、６）。

なお、表１にはｎ　／ｎｂに比が併記される。

以上の試料および比較例について初期と６０’Ｃ，９０
％ＲＨにて３００時間保存後（７）Ｃ／Ｎ比を測定した
。

結果を表１に示す。

表１に示される結果から、本発明の効果が、あきらかで
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１例を示す光磁気配備媒体の断面図
である。 符号の説明 １１・・・・基板、　　　　２１・・・・中間層、３１
・・・・磁性薄膜層、 ４１１．４１３，４１５・・・・保護層出願人　ティー
ディーケイ株式会社 びＣ： ＦＩＧ、１ 手続補正書印発） 昭和６０年　９月　３日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２６２６１６号 ２、発明の名称 光磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住　　所　　東京都中央区日本橋７丁目１３番１号名　
　称　（３０６）　　ティーディーケイ株式会社代表者
　　大　歳　　　寛 ４、代理人　〒１０１ 住　　所　　東京都千代田区岩木町３丁目２番２号千代
田岩木ビル　４階 ６、補正の内容 （１）明細書部３頁８行目の「光記録媒体を「記録媒体
」と補正する。 （２）同第３頁１７行目の「チック樹脂」を「チック」
と補正する。 （３）同＠４頁２行目の「光ビームによる低」を削除す
る。 （４）同第４頁３行目の「きわめて」を削除する。 （５）同第４頁１１行目〜１２行目の「補償点をこえた
時、さらにこの点をこえ、」を削除する。 （６）同第５頁６行目の「光磁気効果」を「磁気光学効
果」と補正する。 （７）同第５頁９行目の「キューリ一点や補償点が比較
的低く」を「キューリ一点が１００〜′°°″０゛０′
“５′ｆ′″′″ｔ６°　　　　１（８）同第６頁９行
目の「二酸化ケイ素」と「等」との間に「チッ化アルミ
、チッ化ケイ素Ｊを挿入する。 （９）同第７頁１行目の「硬化まで」と「水分」との間
に「に長時間を要し、その間に」を挿入する。 （１０）同第９頁１３行目の「ポリカーボネートｊと「
等」との間に「樹脂、エポキシ樹脂ポリメチルペンテン
等のオレフィン系樹脂」を挿入する。 （１１）同第１９頁１７行目の「や保護膜中のクラック
」を削除する。 （１２）同第２３頁１６行目〜１８行目の「ロニックス
Ｍ＝８０６０）５０重量部１反応性希釈剤（マンダ）５
０重量部、光増感剤（バイキュア５５）５０重量部」を
「ロニックスＭ−８０３０）１００重量部、光増感剤（
バイキュア５５）５重量部」と補正する。 （１３）同第２３頁２０行目のｒ８０ＷＪをｒ　８０　
Ｗ／ｃｍ」　と補正する。 （１４）同第２６頁の表１を別紙のものと差しかえる。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）樹脂製の基板の一面上に、中間層を介して希土類
   −遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜層を有し、さらにこの
   磁性薄膜層の上および基板の他面上に、保護層を有する
   光磁気記録媒体において、 保護層が放射線硬化型化合物の塗膜を紫外線によって硬
   化させたものであることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）前記基板の他面上に設けられた保護層の屈折率を
   ｎ＿ｐ、基板の屈折率をｎ＿ｂとするとき、ｎ＿ｐ／ｎ
   ＿ｂが０．９５〜１．０５である特許請求の範囲第１項
   に記載の光磁気記録媒体。
3. （３）保護層の厚さが０．１〜３０μｍである特許請求
   の範囲第１項または第２項に記載の光磁気記録媒体。
4. （４）中間層の屈折率が１．５以上である特許請求の範
   囲第１項または第３項のいずれかに記載の光磁気記録媒
   体。