JPS5967634A - 半導体装置の加工方法 - Google Patents
半導体装置の加工方法Info
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- JPS5967634A JPS5967634A JP17802482A JP17802482A JPS5967634A JP S5967634 A JPS5967634 A JP S5967634A JP 17802482 A JP17802482 A JP 17802482A JP 17802482 A JP17802482 A JP 17802482A JP S5967634 A JPS5967634 A JP S5967634A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光照射により半導体基板上の薄膜をエツチ
ングする、半導体装置の加工方法に関する０ 従来の半導体装置の基板上の薄膜のエツチングは、第１
図（Ａ）〜（Ｃ）に工程順に示す半導体装置の要部断面
図のようにしていた。まず、（Ａ）図のように、半導体
基板（１）上に形成しである薄膜（２）上にレジスト（
３）を塗布する。ついで、マスク（図示は略す）を用い
て露光、現像を行ない、（Ｂ）図のように、レジストパ
ターン（３ａ）を形成する。このレジストノくターン（
３ａ）をマスクにして渇膜（２）を化学的又は物理的に
エツチングした後、レジスト（３）を除去する。
ングする、半導体装置の加工方法に関する０ 従来の半導体装置の基板上の薄膜のエツチングは、第１
図（Ａ）〜（Ｃ）に工程順に示す半導体装置の要部断面
図のようにしていた。まず、（Ａ）図のように、半導体
基板（１）上に形成しである薄膜（２）上にレジスト（
３）を塗布する。ついで、マスク（図示は略す）を用い
て露光、現像を行ない、（Ｂ）図のように、レジストパ
ターン（３ａ）を形成する。このレジストノくターン（
３ａ）をマスクにして渇膜（２）を化学的又は物理的に
エツチングした後、レジスト（３）を除去する。
この状態を（Ｃ）図に示す。
上記従来の方法では、工程が複雑であり、製造費用が高
くなり、また、レジスト（３）を用いるので、加工精度
が低く微細加工が困難であった。
くなり、また、レジスト（３）を用いるので、加工精度
が低く微細加工が困難であった。
この発明は、光化学反応を略せる光を転写マスクに通し
、反応流体雰囲気中の半導体基板上の薄膜に照射し、所
要パターンのエツチングが容易にでき、安価になり、微
油１加工ができる、半導体装置の加工方法を提供するこ
とを目的としている。
、反応流体雰囲気中の半導体基板上の薄膜に照射し、所
要パターンのエツチングが容易にでき、安価になり、微
油１加工ができる、半導体装置の加工方法を提供するこ
とを目的としている。
第２図はこの発明の一実施例による加工方法を示す半導
体装置の加工装置の概要構成図である。
体装置の加工装置の概要構成図である。
（１）は半導体基板で、上面に薄膜（２）が形成されて
ろ（５）がはめられである。（４ｂ）は容器（４〕内を
減圧にするための排気口、（４Ｃ）は反応ガスを導入す
る導入口である。（６）は光源で、例えばアルゴンレー
ザ光を投射する。（７）は第１の光学系で、レンズ群な
ど光学部材を有し、レーザ光を拡大、又は縮少などの調
整をし、また、走査させる。（８）は転写マス久（９）
はこのマスクを通ったレーザ光を拡大、又は縮少などの
調整をする第２の光学系で、レンズ群などを有している
。
ろ（５）がはめられである。（４ｂ）は容器（４〕内を
減圧にするための排気口、（４Ｃ）は反応ガスを導入す
る導入口である。（６）は光源で、例えばアルゴンレー
ザ光を投射する。（７）は第１の光学系で、レンズ群な
ど光学部材を有し、レーザ光を拡大、又は縮少などの調
整をし、また、走査させる。（８）は転写マス久（９）
はこのマスクを通ったレーザ光を拡大、又は縮少などの
調整をする第２の光学系で、レンズ群などを有している
。
上記一実施例の装置による加工方法は、次のようにする
。
。
容器（４）内を排気後、反応ガスとしてＣ１２を圧力が
約２００Ｔｏｒｒになるように導入する。光源（６）か
らアルゴンレーザ光（出力４Ｗ）を出し、第１の光学系
（７〕に通しマスク（８）上を９０μｍ ／８の速度で
走査する。マスク（８〕を通ったレーザ光は第２の光学
系（９）を通って調整きれ、透明板（５）を透過し容器
（４）内の半導体基板（１）の薄膜（２）（多結晶シリ
コン厚さ０．４川ｎ）上に投射する。
約２００Ｔｏｒｒになるように導入する。光源（６）か
らアルゴンレーザ光（出力４Ｗ）を出し、第１の光学系
（７〕に通しマスク（８）上を９０μｍ ／８の速度で
走査する。マスク（８〕を通ったレーザ光は第２の光学
系（９）を通って調整きれ、透明板（５）を透過し容器
（４）内の半導体基板（１）の薄膜（２）（多結晶シリ
コン厚さ０．４川ｎ）上に投射する。
多結晶シリコンのレーザ光に照射きれた部分は、反応カ
スによシ光化学反応が起とシエッチングされる。（エル
リイッテ（Ｄ、Ｊ 、 Ｅｈｒｌｉｃｈ）外、アプライ
ド番フィジックス・レター（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓＬｅｔｔ、ｅｒ）第３８巻１９８１年第１０１８
ページ参照）光学系（７）、 （９）゛によシ転写マス
ク（８）のパターンを薄膜（２）（多結晶シリコン）上
に１縮少１等寸、あるいは拡大投射することができる１
、 なお、上記実施例では、光源としてアルゴンレーザを用
いた場合を示したが、光化学反応をさせる他のＣＯ２レ
ーザなどの気体レーザを用いてもよく、場合によっては
インコヒーレント光（例えば水銀ランプ光）でもよい。
スによシ光化学反応が起とシエッチングされる。（エル
リイッテ（Ｄ、Ｊ 、 Ｅｈｒｌｉｃｈ）外、アプライ
ド番フィジックス・レター（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓＬｅｔｔ、ｅｒ）第３８巻１９８１年第１０１８
ページ参照）光学系（７）、 （９）゛によシ転写マス
ク（８）のパターンを薄膜（２）（多結晶シリコン）上
に１縮少１等寸、あるいは拡大投射することができる１
、 なお、上記実施例では、光源としてアルゴンレーザを用
いた場合を示したが、光化学反応をさせる他のＣＯ２レ
ーザなどの気体レーザを用いてもよく、場合によっては
インコヒーレント光（例えば水銀ランプ光）でもよい。
また、反応流体として、上記実施例では反応ガスのＣＩ
！２を用いたが、ｆｖｉＩｆｆ茗の柚類及び光源に応じ
他の種の反応ガスを用いてもよく、場・合によっては反
応溶液（例えば、臭素溶液、ヨウ素溶液など）を用い、
この中に半導体基板を浸してもよい。
！２を用いたが、ｆｖｉＩｆｆ茗の柚類及び光源に応じ
他の種の反応ガスを用いてもよく、場・合によっては反
応溶液（例えば、臭素溶液、ヨウ素溶液など）を用い、
この中に半導体基板を浸してもよい。
さらに、上記実施例では、薄膜（２）として多結晶ンリ
コンの場合を示したが、反応流体を選ぶことにより他の
棟の薄膜のエツチングにも適用できるＣなおまた、上記
実施例では、第１の光学系（６）により光を走査する場
合を示したが、走査の代りに光を拡大するようにしても
よい。
コンの場合を示したが、反応流体を選ぶことにより他の
棟の薄膜のエツチングにも適用できるＣなおまた、上記
実施例では、第１の光学系（６）により光を走査する場
合を示したが、走査の代りに光を拡大するようにしても
よい。
さらＫまた、場合によっては、第２の光学系（９）は省
いてもよい。
いてもよい。
以上のように、この発ＩＮＫよれば、光化学反応をきせ
る光を転写マスクに通し、反応流体雰囲気中の半導体基
板上の薄膜に照射し選択エツチングするようにしたので
、微細パターンのエツチングが短時間で容易にでき、安
価に加工される１０
る光を転写マスクに通し、反応流体雰囲気中の半導体基
板上の薄膜に照射し選択エツチングするようにしたので
、微細パターンのエツチングが短時間で容易にでき、安
価に加工される１０
第１図（Ａ）〜ｆｃｌは従来の加工方法を工程順に示す
半導体装置の要部断面図、第２図はこの発明の一実施例
による加工方法を示す加工装置の概要構成図である。 １・・半導体基板、２・・・薄膜、４ ・密閉容器、６
・・・光源、７・・・第１の光学系、８・・転写マスク
、９・・・纂２の光学系 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛野信−（外１名） 第１図 第２図
半導体装置の要部断面図、第２図はこの発明の一実施例
による加工方法を示す加工装置の概要構成図である。 １・・半導体基板、２・・・薄膜、４ ・密閉容器、６
・・・光源、７・・・第１の光学系、８・・転写マスク
、９・・・纂２の光学系 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛野信−（外１名） 第１図 第２図
Claims (1)
- 上面側に薄膜が施された半導体基板を反応流体雰囲気中
に置き、この反応流体に光化学反応をさせる光を光源か
ら投射し、この投射光を光学系により調整し転写マスク
上妬当て、この転写マスクを通った投射光により上記薄
膜を所要のパターンで照射し、エツチングすることを特
徴とする半導体装置の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17802482A JPS5967634A (ja) | 1982-10-09 | 1982-10-09 | 半導体装置の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17802482A JPS5967634A (ja) | 1982-10-09 | 1982-10-09 | 半導体装置の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967634A true JPS5967634A (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16041242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17802482A Pending JPS5967634A (ja) | 1982-10-09 | 1982-10-09 | 半導体装置の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967634A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5990930A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-25 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法及び装置 |
| JPS62174969A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6365648A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の製造方法 |
| US7495240B2 (en) | 2005-02-02 | 2009-02-24 | Rave Llc | Apparatus and method for modifying an object |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50130370A (ja) * | 1974-04-01 | 1975-10-15 | ||
| JPS54106043A (en) * | 1978-02-07 | 1979-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | Selectively etching method |
| JPS5582780A (en) * | 1978-12-16 | 1980-06-21 | Toshiba Corp | Surface processing method for metal or the like article |
| JPS5863136A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Seiko Epson Corp | 光ドライエツチング装置 |
-
1982
- 1982-10-09 JP JP17802482A patent/JPS5967634A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50130370A (ja) * | 1974-04-01 | 1975-10-15 | ||
| JPS54106043A (en) * | 1978-02-07 | 1979-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | Selectively etching method |
| JPS5582780A (en) * | 1978-12-16 | 1980-06-21 | Toshiba Corp | Surface processing method for metal or the like article |
| JPS5863136A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Seiko Epson Corp | 光ドライエツチング装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5990930A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-25 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法及び装置 |
| JPS62174969A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6365648A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の製造方法 |
| US7495240B2 (en) | 2005-02-02 | 2009-02-24 | Rave Llc | Apparatus and method for modifying an object |
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