JP3125004B2 - 基材の表面加工方法 - Google Patents
基材の表面加工方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】フロンに紫外線を照射すると光分
解してラジカルを生成するが、本発明は、この安定なラ
ジカルを再度紫外線で励起して基材（ＳｉＯ2等の金属
酸化物）の表面を選択的にエッチングする方法に関す
る。
解してラジカルを生成するが、本発明は、この安定なラ
ジカルを再度紫外線で励起して基材（ＳｉＯ2等の金属
酸化物）の表面を選択的にエッチングする方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体を製造する工程の１つに酸化膜に
回路パターンを形成するエッチング工程がある。これは
ＳｉＯ2基板の表面にレジストを塗布し、光によって回
路パターンを転写後、現像（リソグラフィー工程）し、
その後ＳｉＯ2の露出した部をフッ酸又はプラズマ等で
エッチングするという方法である。
回路パターンを形成するエッチング工程がある。これは
ＳｉＯ2基板の表面にレジストを塗布し、光によって回
路パターンを転写後、現像（リソグラフィー工程）し、
その後ＳｉＯ2の露出した部をフッ酸又はプラズマ等で
エッチングするという方法である。
【０００３】しかしこの方法では、ＳｉＯ2基板にレジ
ストを塗布し、パターン転写後現像処理し、その後エッ
チングするというように工程数が多く非常に面倒であ
る。そこで、レジストを使用しない方法として、真空中
に置いたＳｉＯ2基板に１６０ｎｍ以下の紫外線やＳＯ
Ｒ光を直接照射して、ＳｉとＯとを解離する方法が知ら
れている。
ストを塗布し、パターン転写後現像処理し、その後エッ
チングするというように工程数が多く非常に面倒であ
る。そこで、レジストを使用しない方法として、真空中
に置いたＳｉＯ2基板に１６０ｎｍ以下の紫外線やＳＯ
Ｒ光を直接照射して、ＳｉとＯとを解離する方法が知ら
れている。
【０００４】
【発明の解決しようとする課題】しかし前記した方法で
は、一担遊離したＳｉが再び基板上に折出するため、精
度よくエッチングができないという問題があった。本発
明は前記従来技術の問題点に鑑みなされたもので、その
目的は基材の表面に簡単にしかも精度よく所定のパター
ンをエッチングできる基材の表面加工方法を提供するこ
とにある。
は、一担遊離したＳｉが再び基板上に折出するため、精
度よくエッチングができないという問題があった。本発
明は前記従来技術の問題点に鑑みなされたもので、その
目的は基材の表面に簡単にしかも精度よく所定のパター
ンをエッチングできる基材の表面加工方法を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に請求項１に係る基材の表面加工方法においては、圧力
１〜５０ＴｏｒｒのフロンガスにＡｒＦエキシマレーザ
ー光（１９３ｎｍ）を照射して光分解し、さらにＫｒＦ
エキシマレーザー光（２４９ｎｍ）を基材（金属酸化
物）に照射して基材表面のＫｒＦエキシマレーザー光照
射領域をエッチングするようにしたものである。
に請求項１に係る基材の表面加工方法においては、圧力
１〜５０ＴｏｒｒのフロンガスにＡｒＦエキシマレーザ
ー光（１９３ｎｍ）を照射して光分解し、さらにＫｒＦ
エキシマレーザー光（２４９ｎｍ）を基材（金属酸化
物）に照射して基材表面のＫｒＦエキシマレーザー光照
射領域をエッチングするようにしたものである。
【０００６】また請求項２では、前記ＡｒＦエキシマレ
ーザー光を基材の加工予定面に対し平行に照射し、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー光を基材の加工予定面に垂直に照射
するようにしたものである。
ーザー光を基材の加工予定面に対し平行に照射し、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー光を基材の加工予定面に垂直に照射
するようにしたものである。
【０００７】
【作用】フロンガスはＡｒＦエキシマレーザー光によっ
て、ＣＣｌ2Ｆ2→ＣＣｌＦ2＋Ｃｌ→ＣＦ2＋Ｃｌ2とい
うように光分解する。この光分解により生成されたＣＦ
2は波長域２２０〜２６０ｎｍにかけて吸収を有する安
定で寿命の長いラジカルである。そこで１〜５０Ｔｏｒ
ｒの圧力の下でさらにＫｒＦエキシマレーザー光を照射
すると、ＣＦ2ラジカルが励起され、この励起されたＣ
Ｆ2ラジカルは基材（金属酸化物、例えばＳｉＯ2）表面
から酸素原子（Ｏ）を引き抜く。このため遊離した金属
原子（例えばＳｉ）はフロンの光分解によって生成した
塩素（Ｃｌ）と反応して塩素化合物（例えばＳｉＣ
ｌ4）を生成し、ガスとなって飛散し、基材表面には凹
部が形成される。即ちエッチングされる。
て、ＣＣｌ2Ｆ2→ＣＣｌＦ2＋Ｃｌ→ＣＦ2＋Ｃｌ2とい
うように光分解する。この光分解により生成されたＣＦ
2は波長域２２０〜２６０ｎｍにかけて吸収を有する安
定で寿命の長いラジカルである。そこで１〜５０Ｔｏｒ
ｒの圧力の下でさらにＫｒＦエキシマレーザー光を照射
すると、ＣＦ2ラジカルが励起され、この励起されたＣ
Ｆ2ラジカルは基材（金属酸化物、例えばＳｉＯ2）表面
から酸素原子（Ｏ）を引き抜く。このため遊離した金属
原子（例えばＳｉ）はフロンの光分解によって生成した
塩素（Ｃｌ）と反応して塩素化合物（例えばＳｉＣ
ｌ4）を生成し、ガスとなって飛散し、基材表面には凹
部が形成される。即ちエッチングされる。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明方法を実施するための装置の一実施
例を示している。この図において、符号１０は、内部に
試料台１１が設けられ、側方及び上方にレーザ光入射用
の窓１２Ａ，１２Ｂが設けられた反応容器で、反応容器
１０の側面には、原料ガス（フロン１２）を反応容器１
０内に供給するガス流入口１３が設けられている。窓１
２Ａに対向して必要に応じて集光レンズ１４Ａが配置さ
れ、ＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）Ｌ1
が側方から容器１０内に照射されるようになっている。
また窓１２Ｂの上方には、集光レンズ１４Ｂと、電気回
路パターンが透光部として形成されているマスク１６と
が鉛直方向に配置されており、マスク１６の上方から鉛
直下方に向けてＫｒＦエキシマレーザー光（波長２４９
ｎｍ）Ｌ2が照射されるようになっている。ＡｒＦエキ
シマレーザー光Ｌ1は試料台１１上に載置されたＳｉＯ2
基板１８の上方に集光してエネルギ密度が高くなり、原
料ガス（フロン１２）が光分解（ＣＣｌ2Ｆ2→ＣＣｌＦ
2＋Ｃｌ→ＣＦ2Ｃｌ2）されてＣＦ2ラジカルが生成され
る。一方、上方からのＫｒＦエキシマレーザ光Ｌ2の照
射により、マスク１６に形成されている電気回路パター
ンが基板１８上に結像する。即ち基板１８の表面では、
マスク１６の電気回路パターン形状に対応する領域だけ
にレーザー光Ｌ2が照射されて、基板表面のレーザー光
照射領域だけが励起状態となる。このためレーザー光Ｌ
1によって容器１０内の原料ガスが光分解され、これに
よって生成されたＣＦ2ラジカルがレーザ光Ｌ2によって
励起され、この励起されたＣＦ2ラジカルが基板（Ｓｉ
Ｏ2）表面からＯを引き抜く。このためＯと遊離したＳ
ｉは、ＣＦ2ラジカルとともに生成されたＣｌと結合
し、ＳｉＣｌ4（ガス）となって飛散して、基板表面に
は電気回路パターン形状に対応した凹溝が残る。
する。図１は本発明方法を実施するための装置の一実施
例を示している。この図において、符号１０は、内部に
試料台１１が設けられ、側方及び上方にレーザ光入射用
の窓１２Ａ，１２Ｂが設けられた反応容器で、反応容器
１０の側面には、原料ガス（フロン１２）を反応容器１
０内に供給するガス流入口１３が設けられている。窓１
２Ａに対向して必要に応じて集光レンズ１４Ａが配置さ
れ、ＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）Ｌ1
が側方から容器１０内に照射されるようになっている。
また窓１２Ｂの上方には、集光レンズ１４Ｂと、電気回
路パターンが透光部として形成されているマスク１６と
が鉛直方向に配置されており、マスク１６の上方から鉛
直下方に向けてＫｒＦエキシマレーザー光（波長２４９
ｎｍ）Ｌ2が照射されるようになっている。ＡｒＦエキ
シマレーザー光Ｌ1は試料台１１上に載置されたＳｉＯ2
基板１８の上方に集光してエネルギ密度が高くなり、原
料ガス（フロン１２）が光分解（ＣＣｌ2Ｆ2→ＣＣｌＦ
2＋Ｃｌ→ＣＦ2Ｃｌ2）されてＣＦ2ラジカルが生成され
る。一方、上方からのＫｒＦエキシマレーザ光Ｌ2の照
射により、マスク１６に形成されている電気回路パター
ンが基板１８上に結像する。即ち基板１８の表面では、
マスク１６の電気回路パターン形状に対応する領域だけ
にレーザー光Ｌ2が照射されて、基板表面のレーザー光
照射領域だけが励起状態となる。このためレーザー光Ｌ
1によって容器１０内の原料ガスが光分解され、これに
よって生成されたＣＦ2ラジカルがレーザ光Ｌ2によって
励起され、この励起されたＣＦ2ラジカルが基板（Ｓｉ
Ｏ2）表面からＯを引き抜く。このためＯと遊離したＳ
ｉは、ＣＦ2ラジカルとともに生成されたＣｌと結合
し、ＳｉＣｌ4（ガス）となって飛散して、基板表面に
は電気回路パターン形状に対応した凹溝が残る。
【０００９】［実験例１］フロン１２（ＣＣｌ2Ｆ2）１
０Ｔｏｒｒを図１に示す装置のテフロン製容器１０内に
封入し、側方から照射するＡｒＦエキシマレーザー光Ｌ
1のエネルギー密度を１０ｍＪ／cm2、垂直方向から照射
するＫｒＦエキシマレーザー光Ｌ2のエネルギー密度を
３００ｍＪ／cm2としてＳｉＯ2基板と石英ガラス基板に
エッチングした。この結果図２，４に示される図面代用
写真のようなパターン溝が形成された。
０Ｔｏｒｒを図１に示す装置のテフロン製容器１０内に
封入し、側方から照射するＡｒＦエキシマレーザー光Ｌ
1のエネルギー密度を１０ｍＪ／cm2、垂直方向から照射
するＫｒＦエキシマレーザー光Ｌ2のエネルギー密度を
３００ｍＪ／cm2としてＳｉＯ2基板と石英ガラス基板に
エッチングした。この結果図２，４に示される図面代用
写真のようなパターン溝が形成された。
【００１０】図２はＳｉＯ2の基板上のエッチング面を
示し、このエッチング溝の深さ及び溝巾は、図３に示さ
れるように、溝巾２００μm，溝深さ４００〜７００Å
であった。図４は石英ガラス基板上のエッチング面を示
し、このエッチング溝の深さ及び溝巾は図５に示される
ように、溝巾２００μm，溝深さは２５００Åであっ
た。
示し、このエッチング溝の深さ及び溝巾は、図３に示さ
れるように、溝巾２００μm，溝深さ４００〜７００Å
であった。図４は石英ガラス基板上のエッチング面を示
し、このエッチング溝の深さ及び溝巾は図５に示される
ように、溝巾２００μm，溝深さは２５００Åであっ
た。
【００１１】またＡｒＦエキシマレーザ光Ｌ1及びＫｒ
Ｆエキシマレーザー光Ｌ2のエネルギー密度を夫々一定
に保ち、原料ガスの圧力を変化させたところ、図６に示
されるような特性が得られた。即ち、ガス圧１〜５０Ｔ
ｏｒｒの範囲でエッチングが可能であり、ガス圧は２０
Ｔｏｒｒでエッチレートが最大で、最も効率が良い。ま
た、フロン１２の圧力を１５Ｔｏｒｒ、ＡｒＦエキシマ
レーザーのエネルギー密度を１０mJ/cm2とし、ＫｒＦエ
キシマレーザーのエネルギー密度を変化させたところ、
図７に示すように、２６０mJ/cm2で最大のエッチレート
となり、エネルギー密度２４０〜３４０mJ/cm2の範囲で
エッチングが可能であった。
Ｆエキシマレーザー光Ｌ2のエネルギー密度を夫々一定
に保ち、原料ガスの圧力を変化させたところ、図６に示
されるような特性が得られた。即ち、ガス圧１〜５０Ｔ
ｏｒｒの範囲でエッチングが可能であり、ガス圧は２０
Ｔｏｒｒでエッチレートが最大で、最も効率が良い。ま
た、フロン１２の圧力を１５Ｔｏｒｒ、ＡｒＦエキシマ
レーザーのエネルギー密度を１０mJ/cm2とし、ＫｒＦエ
キシマレーザーのエネルギー密度を変化させたところ、
図７に示すように、２６０mJ/cm2で最大のエッチレート
となり、エネルギー密度２４０〜３４０mJ/cm2の範囲で
エッチングが可能であった。
【００１２】またＫｒＦエキシマレーザー光Ｌ2のエネ
ルギー密度を３００mJ/cm2とし、ＡｒＦエキシマレーザ
ーＬ1のエネルギー密度を変化させたところ、図８に示
される特性が得られた。即ち、１６mJ/cm2で最初のエッ
チレートの最大値が得られ、約１００mJ/cm2で最低とな
り、それ以上では再びエネルギー密度の増加に比例して
エッチレートが上昇し、５００mJ/cm2でエッチレートが
約０．０８Å/pulseとなった。なお５００mJ/cm2以上の
エネルギー密度でのデータをとらなかったため明確では
ないが、エネルギー密度を５００mJ/cm2以上とすれば、
もっと高いエッチレートが得られるものと思われる。
ルギー密度を３００mJ/cm2とし、ＡｒＦエキシマレーザ
ーＬ1のエネルギー密度を変化させたところ、図８に示
される特性が得られた。即ち、１６mJ/cm2で最初のエッ
チレートの最大値が得られ、約１００mJ/cm2で最低とな
り、それ以上では再びエネルギー密度の増加に比例して
エッチレートが上昇し、５００mJ/cm2でエッチレートが
約０．０８Å/pulseとなった。なお５００mJ/cm2以上の
エネルギー密度でのデータをとらなかったため明確では
ないが、エネルギー密度を５００mJ/cm2以上とすれば、
もっと高いエッチレートが得られるものと思われる。
【００１３】［実験例２］また、原料ガス圧を５０Ｔｏ
ｒｒ以上とするとエッチングは全く行なわれなかった。
そして原料ガス圧を１５０Ｔｏｒｒとし、ＡｒＦエキシ
マレーザー光Ｌ1を照射してフロン１２を光分解し、さ
らにヒータによって１００℃に加熱保持したガラス基板
１８上にＫｒＦエキシマレーザー光Ｌ2を照射すると、
基板１８上にマスク１６のパターン形状に対応するフッ
素樹脂膜が形成された。このフッ素樹脂膜の形成には原
料ガス圧１００〜２００Ｔｏｒｒで、望ましくは１５０
Ｔｏｒｒがよい。またＫｒＦエキシマレーザー光Ｌ2の
エネルギー密度は２０〜７０mJ/cm2、基板温度は８０〜
１２０℃が望ましい。
ｒｒ以上とするとエッチングは全く行なわれなかった。
そして原料ガス圧を１５０Ｔｏｒｒとし、ＡｒＦエキシ
マレーザー光Ｌ1を照射してフロン１２を光分解し、さ
らにヒータによって１００℃に加熱保持したガラス基板
１８上にＫｒＦエキシマレーザー光Ｌ2を照射すると、
基板１８上にマスク１６のパターン形状に対応するフッ
素樹脂膜が形成された。このフッ素樹脂膜の形成には原
料ガス圧１００〜２００Ｔｏｒｒで、望ましくは１５０
Ｔｏｒｒがよい。またＫｒＦエキシマレーザー光Ｌ2の
エネルギー密度は２０〜７０mJ/cm2、基板温度は８０〜
１２０℃が望ましい。
【００１４】なお前記した実施例では、ＳｉＯ2，石英
ガラスのエッチングにつき説明したが、Ａｌ2Ｏ3その他
の半導体材料である金属酸化物にエッチングする場合に
も同様に適用できる。
ガラスのエッチングにつき説明したが、Ａｌ2Ｏ3その他
の半導体材料である金属酸化物にエッチングする場合に
も同様に適用できる。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明に
よれば、フロンガスをＡｒＦエキシマレーザー光によっ
て光分解し、さらにＫｒＦエキシマレーザー光を照射す
ることによって、光分解によって生成したＣＦ2ラジカ
ルが励起され、この励起されたＣＦ2ラジカルによって
基材（金属酸化物、例えばＳｉＯ2）表面から酸素原子
（Ｏ）が引き抜かれ、このため遊離した金属原子（例え
ばＳｉ）がフロンの光分解によって生成した塩素（Ｃ
ｌ）と反応して塩素化合物（例えばＳｉＣｌ4）を生成
し、ガスとなって飛散するので、基材表面にはＫｒＦエ
キシマレーザー光の照射領域に対応した凹部が形成され
る。即ち精度のよいレジストレスエッチングを簡単に行
なうことができる。
よれば、フロンガスをＡｒＦエキシマレーザー光によっ
て光分解し、さらにＫｒＦエキシマレーザー光を照射す
ることによって、光分解によって生成したＣＦ2ラジカ
ルが励起され、この励起されたＣＦ2ラジカルによって
基材（金属酸化物、例えばＳｉＯ2）表面から酸素原子
（Ｏ）が引き抜かれ、このため遊離した金属原子（例え
ばＳｉ）がフロンの光分解によって生成した塩素（Ｃ
ｌ）と反応して塩素化合物（例えばＳｉＣｌ4）を生成
し、ガスとなって飛散するので、基材表面にはＫｒＦエ
キシマレーザー光の照射領域に対応した凹部が形成され
る。即ち精度のよいレジストレスエッチングを簡単に行
なうことができる。
【図１】本発明方法を実施するための装置の第１の実施
例の概要図
例の概要図
【図２】ＳｉＯ2基板のエッチング面を示す図面代用顕
微鏡写真
微鏡写真
【図３】図２に示すエッチング面の凹凸を示す図
【図４】石英ガラス基板のエッチング面を示す図面代用
顕微鏡写真
顕微鏡写真
【図５】図３に示すエッチング面の凹凸を示す図
【図６】エッチレートのガス圧依存特性図
【図７】エッチレートのＫｒＦエキシマレーザー光エネ
ルギー密度依存特性図
ルギー密度依存特性図
【図８】エッチレートのＡｒＦエキシマレーザー光エネ
ルギー密度依存特性図
ルギー密度依存特性図
１０ 反応容器 １２Ａ，１２Ｂ レーザー光入射用の窓 １３ 原料ガス流入口 １６ マスク １８ 基板 Ｌ1 ＡｒＦエキシマレーザー光 Ｌ2 ＫｒＦエキシマレーザー光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/302 B23K 26/12
Claims (2)
- 【請求項１】 圧力１〜５０ＴｏｒｒのフロンガスにＡ
ｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）を照射して光分
解し、さらにＫｒＦエキシマレーザー光（２４９ｎｍ）
を基材（金属酸化物）に照射して基材表面のＫｒＦエキ
シマレーザー光照射領域をエッチングすることを特徴と
する基材の表面加工方法。 - 【請求項２】 前記ＡｒＦエキシマレーザー光を基材の
加工予定面に対し平行に照射し、ＫｒＦエキシマレーザ
ー光を基材の加工予定面に垂直に照射することを特徴と
する請求項１記載の基材の表面加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03259176A JP3125004B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 基材の表面加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03259176A JP3125004B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 基材の表面加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102110A JPH05102110A (ja) | 1993-04-23 |
| JP3125004B2 true JP3125004B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=17330421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03259176A Expired - Fee Related JP3125004B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 基材の表面加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3125004B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8845916B2 (en) * | 2007-10-01 | 2014-09-30 | Lg Chem, Ltd. | Method for manufacturing glass cliche using laser etching and apparatus for laser irradiation therefor |
| US8524139B2 (en) * | 2009-08-10 | 2013-09-03 | FEI Compay | Gas-assisted laser ablation |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP03259176A patent/JP3125004B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05102110A (ja) | 1993-04-23 |
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