JPS5964790A - 放射性α粒子カウント数の低い錫およびその製造方法 - Google Patents
放射性α粒子カウント数の低い錫およびその製造方法Info
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- JPS5964790A JPS5964790A JP17268882A JP17268882A JPS5964790A JP S5964790 A JPS5964790 A JP S5964790A JP 17268882 A JP17268882 A JP 17268882A JP 17268882 A JP17268882 A JP 17268882A JP S5964790 A JPS5964790 A JP S5964790A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本活明は電子材料向けに適した放射性α粒子カウント故
の低い揚およびその製造方法に関する。
の低い揚およびその製造方法に関する。
近年電子材料１ｉＪＪけとして錫の用途が拡大しつつあ
り１例えば、ＩＣは勿論のこと大容縫メモ＋７−素子で
ある６４ＫＲＡＭ等のメモリーや各１超ＬＳＩ等の半導
体装置のアセンブリーに際し、装置部材接ハ用のろう材
として特に８０％ＡＵ−２０％Ｓｎろりはセラミツクパ
ック−９４８合用ろう材として用いらｔｔ′１：ｌｎる
。
り１例えば、ＩＣは勿論のこと大容縫メモ＋７−素子で
ある６４ＫＲＡＭ等のメモリーや各１超ＬＳＩ等の半導
体装置のアセンブリーに際し、装置部材接ハ用のろう材
として特に８０％ＡＵ−２０％Ｓｎろりはセラミツクパ
ック−９４８合用ろう材として用いらｔｔ′１：ｌｎる
。
しかるに、従来市販されているｆ−！ｉｌＪｍあるいは
輸入の錫ンま放射性同位元素、特にＵ、Ｔｈの含有菫が
多く、従ってα粒子のカラン）ｄが２〜Ｉ ＯＣＰＨ／
Ｃｍ２と尚（、この影響によって将来の２５６ ＫＲＡ
Ｍ’ＰＩメガビットＲＡＭの如きより高い１ｄ順性全要
求される超ＬＳＩ釦用いた場吟、ソフトエラーを惹起す
るｉＩ吐性が十分に予想されるところひある。
輸入の錫ンま放射性同位元素、特にＵ、Ｔｈの含有菫が
多く、従ってα粒子のカラン）ｄが２〜Ｉ ＯＣＰＨ／
Ｃｍ２と尚（、この影響によって将来の２５６ ＫＲＡ
Ｍ’ＰＩメガビットＲＡＭの如きより高い１ｄ順性全要
求される超ＬＳＩ釦用いた場吟、ソフトエラーを惹起す
るｉＩ吐性が十分に予想されるところひある。
本発明者らは以上の点を４尽し、上記のぼ子材斜向けに
適した錫の放射性特性について情死？４１ねた結果、製
品としての錫の放射性同位元素の含有酸は３０ｐｐｂ未
満で、かつ放射性α粒子カウント故は０．２ ＣＰＨ／
ｃｍ”以下であることが必要であることを見出し、かか
る放射性物性を有する錫の装置青味として、スルファミ
ン酸を１解散とするＮ、１方法を通用することにより解
決し、本発明を完成゛するにいたった。すなわち、不発
明の要旨とするところｔま。
適した錫の放射性特性について情死？４１ねた結果、製
品としての錫の放射性同位元素の含有酸は３０ｐｐｂ未
満で、かつ放射性α粒子カウント故は０．２ ＣＰＨ／
ｃｍ”以下であることが必要であることを見出し、かか
る放射性物性を有する錫の装置青味として、スルファミ
ン酸を１解散とするＮ、１方法を通用することにより解
決し、本発明を完成゛するにいたった。すなわち、不発
明の要旨とするところｔま。
ｉｌｌ ９９．９５＠遺優以上の品ｆＩｌを有し、放
射性同位元素の含有量が３０ｐｐｂ氷満で、かつ放射性
α粒子のカウント叙が０．２ＣＰＩｉ乙−以上であるこ
と全０畝とする放射性α粒子カウント数の低り錫。
射性同位元素の含有量が３０ｐｐｂ氷満で、かつ放射性
α粒子のカウント叙が０．２ＣＰＩｉ乙−以上であるこ
と全０畝とする放射性α粒子カウント数の低り錫。
＋２１ ９９．９５遁を優以上の品位を有する扇ｔアノ
ートトシ、ａｔ組成は８ｎ ： ３０〜１３０ ’ｔ／
１３．スルフ゛ｒミン戚３０〜２００１１／ノで亀解剪
許はカソードＸ流：ｄ＋ｆ ： ０．５〜２．０ Ａｍ
ｐ／ｄｅｎ’ 、ａａｉｌｔ：１５〜５０°Ｃで畦躊ｘ
ｉテ°〉ことと特はとする放イす性α粒子カウント数の
低い禍の製造方法、にある。
ートトシ、ａｔ組成は８ｎ ： ３０〜１３０ ’ｔ／
１３．スルフ゛ｒミン戚３０〜２００１１／ノで亀解剪
許はカソードＸ流：ｄ＋ｆ ： ０．５〜２．０ Ａｍ
ｐ／ｄｅｎ’ 、ａａｉｌｔ：１５〜５０°Ｃで畦躊ｘ
ｉテ°〉ことと特はとする放イす性α粒子カウント数の
低い禍の製造方法、にある。
不発明で寛ｊ弄浴として使ｌ目されるスルファミン＋ｄ
は＋１１販晶のものでも故封性同泣元素金はとんど百”
まないのでそのｆま圧用がｌｌＪ相で１品位９９．９５
電ｊｔ係以上の錫ｒ゛ｒノードとじ、「１ｊ販のスル７
アミンーｔ−区屏を反とし゛ＣＣ金倉１己巣注のもとで
、すなわち、γノード：品位９９．９５４ｔチ以上のＳ
ｎＶ＆ＩＭ成 ： ８ｎ ３０〜１Ｂ０ｆ／ｅ＃ス
ルフアミン岐３０〜２０Ｏｆ−／にＪ 覗屏条件：サソード電流ａＫ Ｏ，５〜２．０ Ａｍｐ
／ｄｍ”で′ｔＩｉ解梢製することにより、アノード
中忙官有されてｂる放射性同位元素が梢製除去されて、
放射性α粒子カウント数の低いカソードが１瞭られる。
は＋１１販晶のものでも故封性同泣元素金はとんど百”
まないのでそのｆま圧用がｌｌＪ相で１品位９９．９５
電ｊｔ係以上の錫ｒ゛ｒノードとじ、「１ｊ販のスル７
アミンーｔ−区屏を反とし゛ＣＣ金倉１己巣注のもとで
、すなわち、γノード：品位９９．９５４ｔチ以上のＳ
ｎＶ＆ＩＭ成 ： ８ｎ ３０〜１Ｂ０ｆ／ｅ＃ス
ルフアミン岐３０〜２０Ｏｆ−／にＪ 覗屏条件：サソード電流ａＫ Ｏ，５〜２．０ Ａｍｐ
／ｄｍ”で′ｔＩｉ解梢製することにより、アノード
中忙官有されてｂる放射性同位元素が梢製除去されて、
放射性α粒子カウント数の低いカソードが１瞭られる。
このようにｌｉｔ解で得られた錫は９９．９５嵐麓チ以
上の品位を有し、放射性同位元素の含有量は３０ｐｐｂ
未満でかつ放射性α粒子カウント数０．２ ＣＰＨ７ロ
２以下であり、上ｍｌ電子材料向けとして十分適応でき
るものである。
上の品位を有し、放射性同位元素の含有量は３０ｐｐｂ
未満でかつ放射性α粒子カウント数０．２ ＣＰＨ７ロ
２以下であり、上ｍｌ電子材料向けとして十分適応でき
るものである。
本発明による製造方法の１例を図面釦よって説明する。
すなわち、電解槽１に品位９９．９５重量％以上の錫ア
ノード２と不溶解性カソード板３を挿入し、環流ポンプ
４でスルファミン酸ａＳ液７を通して環流させ、直流？
４を啄装置６により通電電解し１．Ｉ：記各Ｍｉ電子材
料向けに適応した放射性α粒子カウント数の低い錫が得
られる。
ノード２と不溶解性カソード板３を挿入し、環流ポンプ
４でスルファミン酸ａＳ液７を通して環流させ、直流？
４を啄装置６により通電電解し１．Ｉ：記各Ｍｉ電子材
料向けに適応した放射性α粒子カウント数の低い錫が得
られる。
本発明は以上のように上記１子材料向けとしての適性を
有する錫およびそのＩＡ遣方法金得供するもので、工業
的１曲１直は１唾ｈ・ 次に１本発明を実施例によってさらに具体的に説明する
。
有する錫およびそのＩＡ遣方法金得供するもので、工業
的１曲１直は１唾ｈ・ 次に１本発明を実施例によってさらに具体的に説明する
。
実施例
上自己のスルファミン酸浴より？ＩられたＳｎカソード
中の放射性同位元素のｉ）ｌ［及び放射性α粒子カウン
ト戟の測定結果を次表に実施例１〜４として、また比較
のため眞、通常の電解梢製法である畦弗化水Ｘ酸より得
られたＳｎカソード中の数値を比較例１〜４として、そ
れぞれｅｘａに併せ示す。
中の放射性同位元素のｉ）ｌ［及び放射性α粒子カウン
ト戟の測定結果を次表に実施例１〜４として、また比較
のため眞、通常の電解梢製法である畦弗化水Ｘ酸より得
られたＳｎカソード中の数値を比較例１〜４として、そ
れぞれｅｘａに併せ示す。
次表から明らかであるように、本発明方法で得られたー
カソードはアノードに比し放射性同位元素の含有濃度か
大幅九低ドするとともに放射性α粒子カウント数も減少
しており１本発明の効果が顕著であることが確認できた
。
カソードはアノードに比し放射性同位元素の含有濃度か
大幅九低ドするとともに放射性α粒子カウント数も減少
しており１本発明の効果が顕著であることが確認できた
。
比ｒｆ１例ではアノード九比し、かえってカソードの分
が放射性同位元素の［１及びα粒子カウント数とも上昇
しているが、これは市販の珪弗化水素酸中には放射性同
位元素、特にＴｈの含有量が高いことによるものと考え
られる。
が放射性同位元素の［１及びα粒子カウント数とも上昇
しているが、これは市販の珪弗化水素酸中には放射性同
位元素、特にＴｈの含有量が高いことによるものと考え
られる。
４、 １Ｍ１１ｎｉの１．１１中： ｊＪ−：説明Ｉｓ
＋開は木イｊ ：４’Ｊ ＆） ｌ嶋・１’ｊｊ １列
の漠ＩＨシ１ミ妖図をボすつ１、ンＩｆ１．’１６し〆
１て、 １ φ・・置市：ｊＩＩｆ 僧 ２曹・０錦ｆノード ３ ・ｅ・・不（＃Ｉ＋’ｒ ｌ生カソード仮４晦＠
ＩＩ １１ Ｊ＋、”（流ポンプ５・・・・晶又＋Ｖ４
器 ６ ψ・ｌ μ；１ ｔシＩｔ Ｌ＋Ｖ、 イト１ζ装
置ＮＮ７・１１スルフｒミン醗ｔＫ屏液
＋開は木イｊ ：４’Ｊ ＆） ｌ嶋・１’ｊｊ １列
の漠ＩＨシ１ミ妖図をボすつ１、ンＩｆ１．’１６し〆
１て、 １ φ・・置市：ｊＩＩｆ 僧 ２曹・０錦ｆノード ３ ・ｅ・・不（＃Ｉ＋’ｒ ｌ生カソード仮４晦＠
ＩＩ １１ Ｊ＋、”（流ポンプ５・・・・晶又＋Ｖ４
器 ６ ψ・ｌ μ；１ ｔシＩｔ Ｌ＋Ｖ、 イト１ζ装
置ＮＮ７・１１スルフｒミン醗ｔＫ屏液
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１９９，９５ｉ量慢以上の品位金有し、放射性同位
元素の言有破がａｏｐｐｂ未満でかつ放射性α粒子のカ
ウント数が０．２ ＣＰ Ｈ／ ｃｍ”以下であること
を特徴とする放射性α粒子カウント数の低い錫。 （２）品位９９．９５→ｉ最以丘の錫をアノードとし、
液組成は８ｎ ： ３０〜１５０ ｆ／４． ス、＋１
／７アミ／［［３０〜２００ Ｆｆ／６ テ１１４１．
）ｌ／＃条注はカソード′亀流端１１ ６０、５〜２．
ＯＡｍｐ ／ｄｍ ” 、液４［：１５〜５０°Ｃで
−ｍ金行うことを特徴とする放射性α粒子カウント数の
低い錫の製造方法、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17268882A JPS5964790A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 放射性α粒子カウント数の低い錫およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17268882A JPS5964790A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 放射性α粒子カウント数の低い錫およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5964790A true JPS5964790A (ja) | 1984-04-12 |
| JPS621478B2 JPS621478B2 (ja) | 1987-01-13 |
Family
ID=15946510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17268882A Granted JPS5964790A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 放射性α粒子カウント数の低い錫およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5964790A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5456881B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2014-04-02 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | α線量が少ない錫又は錫合金の製造方法 |
| US9597754B2 (en) | 2011-03-07 | 2017-03-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper or copper alloy, bonding wire, method of producing the copper, method of producing the copper alloy, and method of producing the bonding wire |
| US9666547B2 (en) | 2002-10-08 | 2017-05-30 | Honeywell International Inc. | Method of refining solder materials |
| US10030315B2 (en) * | 2015-11-24 | 2018-07-24 | International Business Machines Corporation | Separation of alpha emitting species from plating baths |
| US10287698B2 (en) | 2015-11-24 | 2019-05-14 | International Business Machines Corporation | Separation of alpha emitting species from plating baths |
| US10711358B2 (en) | 2014-02-20 | 2020-07-14 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method of producing low alpha-ray emitting bismuth, and low alpha-ray emitting bismuth |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101213326B (zh) | 2005-07-01 | 2010-11-17 | 日矿金属株式会社 | 高纯度锡或锡合金及高纯度锡的制造方法 |
| US20160097139A1 (en) | 2014-10-02 | 2016-04-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method For Manufacturing High Purity Tin, Electrowinning Apparatus For High Purity Tin And High Purity Tin |
| WO2017069027A1 (ja) | 2015-10-19 | 2017-04-27 | Ｊｘ金属株式会社 | 高純度錫及びその製造方法 |
| EP3428320B1 (en) | 2016-03-09 | 2021-05-05 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | High-purity tin and method for producing same |
-
1982
- 1982-10-01 JP JP17268882A patent/JPS5964790A/ja active Granted
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9666547B2 (en) | 2002-10-08 | 2017-05-30 | Honeywell International Inc. | Method of refining solder materials |
| JP5456881B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2014-04-02 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | α線量が少ない錫又は錫合金の製造方法 |
| JP2014088621A (ja) * | 2010-03-16 | 2014-05-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | α線量が少ない錫又は錫合金及びその製造方法 |
| US9394590B2 (en) | 2010-03-16 | 2016-07-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Low α-dose tin or tin alloy, and method for producing same |
| US9597754B2 (en) | 2011-03-07 | 2017-03-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper or copper alloy, bonding wire, method of producing the copper, method of producing the copper alloy, and method of producing the bonding wire |
| US10711358B2 (en) | 2014-02-20 | 2020-07-14 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method of producing low alpha-ray emitting bismuth, and low alpha-ray emitting bismuth |
| US10138568B2 (en) | 2015-11-24 | 2018-11-27 | International Business Machines Corporation | Separation of alpha emitting species from plating baths |
| US10167568B2 (en) | 2015-11-24 | 2019-01-01 | International Business Machines Corporation | Separation of alpha emitting species from plating baths |
| US10287698B2 (en) | 2015-11-24 | 2019-05-14 | International Business Machines Corporation | Separation of alpha emitting species from plating baths |
| US10287702B2 (en) | 2015-11-24 | 2019-05-14 | International Business Machines Corporation | Separation of alpha emitting species from plating baths |
| US10458033B2 (en) | 2015-11-24 | 2019-10-29 | International Business Machines Corporation | Separation of alpha emitting species from plating baths |
| US10577703B2 (en) | 2015-11-24 | 2020-03-03 | International Business Machines Corporation | Separation of alpha emitting species from plating baths |
| US10030315B2 (en) * | 2015-11-24 | 2018-07-24 | International Business Machines Corporation | Separation of alpha emitting species from plating baths |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS621478B2 (ja) | 1987-01-13 |
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