JPS5954023A - 薄膜磁気記録ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気記録ヘツドの製造方法Info
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- JPS5954023A JPS5954023A JP58141786A JP14178683A JPS5954023A JP S5954023 A JPS5954023 A JP S5954023A JP 58141786 A JP58141786 A JP 58141786A JP 14178683 A JP14178683 A JP 14178683A JP S5954023 A JPS5954023 A JP S5954023A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
- H05K3/046—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer
- H05K3/048—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer using a lift-off resist pattern or a release layer pattern
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- H—ELECTRICITY
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板上に所望の形状を製作するための付着方法
に関し、更に詳しくは薄膜磁気記録ヘッドを作るための
、付加メッキ法を使う付着法に関する。本発明はパター
ン形状の個々の島よりむしろ全ウェハの付着に特に有用
である。全ウェハは密度、組成及びメッキ速度が独立し
たパターン島の付着より全ウェハ付着の方がより容易に
制御されるので特に有利である。
に関し、更に詳しくは薄膜磁気記録ヘッドを作るための
、付加メッキ法を使う付着法に関する。本発明はパター
ン形状の個々の島よりむしろ全ウェハの付着に特に有用
である。全ウェハは密度、組成及びメッキ速度が独立し
たパターン島の付着より全ウェハ付着の方がより容易に
制御されるので特に有利である。
これまで、薄膜磁気記録ヘッドを作るための付着方法は
全ての不必要な形状のエツチング除去及び化学除去と結
合しそれによって所望の形状を残ｊ−薄膜ヘツＰの種々
の層の付加メッキを使っている。通常、不必要な形状の
化学エツチングのとき−マスク又は他のシールドが所望
の形状をエッチ液から保護するために使われる。しかし
、もしこのマスク又は他の保護シールドが所望の形状を
適切に防護しなかったら、エッチ液は所望の形状を侵す
ことができ、所望の形状の１鼠咬“又は他の傷を生ずる
。又、エッチ液工程の前のキャップ又はマスクの不十分
な硬化はこのキャップ又はマスクに傷！作り所望の形状
がエツチング工程の間に侵されるようにする。
全ての不必要な形状のエツチング除去及び化学除去と結
合しそれによって所望の形状を残ｊ−薄膜ヘツＰの種々
の層の付加メッキを使っている。通常、不必要な形状の
化学エツチングのとき−マスク又は他のシールドが所望
の形状をエッチ液から保護するために使われる。しかし
、もしこのマスク又は他の保護シールドが所望の形状を
適切に防護しなかったら、エッチ液は所望の形状を侵す
ことができ、所望の形状の１鼠咬“又は他の傷を生ずる
。又、エッチ液工程の前のキャップ又はマスクの不十分
な硬化はこのキャップ又はマスクに傷！作り所望の形状
がエツチング工程の間に侵されるようにする。
付着工程に関連する先行技術の例はロマンキュー（Ｒｏ
ｍａｎｋｉｗ ）の米国特許第４，２２４，３６１号、
フェンダ（Ｆｅｎｇ ）外の特許第４，２３８．５５９
号、ダンクレバーが（Ｄｕｎｋｌｅｂｅｒｇｅｒ ）の
特許第４．２５６，８１６号、及びアイビーエム テク
ニカルブレティン（よりＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｂｕ
ｌｌｅｔｉｎ ） ２２巻９号４１６７ページのデツカ
−（Ｄｅｃｋｅｒ ）及びエレツツ（Ｅｒｅｚ）著「磁
気ヘッド製造用マスク工程」に見られる。
ｍａｎｋｉｗ ）の米国特許第４，２２４，３６１号、
フェンダ（Ｆｅｎｇ ）外の特許第４，２３８．５５９
号、ダンクレバーが（Ｄｕｎｋｌｅｂｅｒｇｅｒ ）の
特許第４．２５６，８１６号、及びアイビーエム テク
ニカルブレティン（よりＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｂｕ
ｌｌｅｔｉｎ ） ２２巻９号４１６７ページのデツカ
−（Ｄｅｃｋｅｒ ）及びエレツツ（Ｅｒｅｚ）著「磁
気ヘッド製造用マスク工程」に見られる。
本発明の目的は化学エッチ液を使用することなく不必要
な形状が持ち上げ工程で取り去られる、基板上に所望の
形状を作るための付着工程を提供することＫある。
な形状が持ち上げ工程で取り去られる、基板上に所望の
形状を作るための付着工程を提供することＫある。
本発明によれば、基板の一部の上に付着禁止剤をその縁
が製作される形状の境界に隣接したパターンに形成する
ことによって所望の形が基板上に製作される。付着材料
の第１層又は種層がこの付着禁止剤及び基板の露出され
た部分の上に付着され、そしてホトレジストのパターン
がこの種層の上に作られ、そのホトレジストは付着禁止
剤の縁に隣接した種層な覆う。付着材料の第２層がこの
種層の露出された部分の上に作られ、ホトレジストはそ
の後除去される。そこで、付着禁止剤と第１層及び第２
層の不必要な部分が機械的に除去される。本発明の一つ
の形では、この付着禁止剤と第１付着層及び第２付着層
の不必要部分はこれらの３層を基板から機械的に持ち−
１：げることによって除去される。本発明の第２の形で
は、付着禁止剤は基板上に残り、付着層の不必要部分は
これら２つの付着層を機械的に持ち上げることによって
除去される。どちらの場合も、付着材料の第１層は持ち
上げ工程で付着禁止剤の縁で切断される。
が製作される形状の境界に隣接したパターンに形成する
ことによって所望の形が基板上に製作される。付着材料
の第１層又は種層がこの付着禁止剤及び基板の露出され
た部分の上に付着され、そしてホトレジストのパターン
がこの種層の上に作られ、そのホトレジストは付着禁止
剤の縁に隣接した種層な覆う。付着材料の第２層がこの
種層の露出された部分の上に作られ、ホトレジストはそ
の後除去される。そこで、付着禁止剤と第１層及び第２
層の不必要な部分が機械的に除去される。本発明の一つ
の形では、この付着禁止剤と第１付着層及び第２付着層
の不必要部分はこれらの３層を基板から機械的に持ち−
１：げることによって除去される。本発明の第２の形で
は、付着禁止剤は基板上に残り、付着層の不必要部分は
これら２つの付着層を機械的に持ち上げることによって
除去される。どちらの場合も、付着材料の第１層は持ち
上げ工程で付着禁止剤の縁で切断される。
本発明の一つの特徴によれば、付着材料の第３層が、基
板の露出された部分の上に付着禁止剤の第２層を形成し
且つ所望の形状とこの付着禁止剤の上に付着材料の第６
層を付着することによって、所望の形状の第１層及び第
２層の露出された部分の上に形成される。その後、付着
禁止剤及び第３層の不必要部分は、前述のように、機械
的に除去される。
板の露出された部分の上に付着禁止剤の第２層を形成し
且つ所望の形状とこの付着禁止剤の上に付着材料の第６
層を付着することによって、所望の形状の第１層及び第
２層の露出された部分の上に形成される。その後、付着
禁止剤及び第３層の不必要部分は、前述のように、機械
的に除去される。
本発明の一つの特徴はエッチ液及び付着材料の除去のた
めに通常側われる他の化学材料が本方法では使われない
という事実にある。それで、所望の形状がエッチ液で腐
蝕される危険はない。
めに通常側われる他の化学材料が本方法では使われない
という事実にある。それで、所望の形状がエッチ液で腐
蝕される危険はない。
本発明の他の特徴はエツチング工程で所望の形状を保護
するため保護キャップ又は他のシールドが何も必要ない
という事実にある。
するため保護キャップ又は他のシールドが何も必要ない
という事実にある。
本発明の上記及びその他の特徴は以下の詳細な説明及び
添付の図面からより十分に理解されよう。
添付の図面からより十分に理解されよう。
図面、特に第１Ａ図から第１Ｆ図を参照すると、先行技
術で行われた付着法の工程が示されている。
術で行われた付着法の工程が示されている。
第１Ａ図から第１１１′図に示されている方法は、本質
的に、前述のロマンキューの特許に述べられている方法
である。この先行技術の技法は適当な絶縁性又は非導電
性材料で構成された基板１０、と更に付着されるべき材
料のために適当な密着性ペースを提供するために基板の
上に付着された種層１２を使用した。ホトレジスト マ
スク１４は普 □通の方法で種層１２の表面上に
形成され、露出されそして洗浄されてホトレジスト材料
の適当なパターンを残した（第１Ｂ図）。究極的に付着
されるべき材料は種層１２の露出された表面上に付着さ
れそれによってその材料の層１６を形成した。
的に、前述のロマンキューの特許に述べられている方法
である。この先行技術の技法は適当な絶縁性又は非導電
性材料で構成された基板１０、と更に付着されるべき材
料のために適当な密着性ペースを提供するために基板の
上に付着された種層１２を使用した。ホトレジスト マ
スク１４は普 □通の方法で種層１２の表面上に
形成され、露出されそして洗浄されてホトレジスト材料
の適当なパターンを残した（第１Ｂ図）。究極的に付着
されるべき材料は種層１２の露出された表面上に付着さ
れそれによってその材料の層１６を形成した。
例えば、データ処理装置に使用するための薄膜ヘラｒの
ような磁性物体の形成に於いては、種層１２と層１６は
ニッケル鉄合金のような、適当な強磁性体であろう。層
１６の付着が完了すると、ホトレジスト マスク１４の
残りの部分が露出され且つ洗い流されて、それによって
層１６に開口部１８を残した（第１Ｃ図）。その後、開
口部１８の中の露出された種層はスパッタ エツチング
又はイオン ミリングによって種層１２及び基板１０の
中のわずかの距離を通して、参照番号２０で示されるよ
うに、除去された。その後、適当なホトレジスト キャ
ップ２２は層１６の領域２４の上並びにホトレジスト１
４の除去及び種層１２を通してのエツチングによって形
成された開口部１８．２０の中につげられた（第１Ｄ図
）。
ような磁性物体の形成に於いては、種層１２と層１６は
ニッケル鉄合金のような、適当な強磁性体であろう。層
１６の付着が完了すると、ホトレジスト マスク１４の
残りの部分が露出され且つ洗い流されて、それによって
層１６に開口部１８を残した（第１Ｃ図）。その後、開
口部１８の中の露出された種層はスパッタ エツチング
又はイオン ミリングによって種層１２及び基板１０の
中のわずかの距離を通して、参照番号２０で示されるよ
うに、除去された。その後、適当なホトレジスト キャ
ップ２２は層１６の領域２４の上並びにホトレジスト１
４の除去及び種層１２を通してのエツチングによって形
成された開口部１８．２０の中につげられた（第１Ｄ図
）。
層１６及び種層１２の露出された部分はその後、例えば
塩化第二鉄酸で化学的にエツチングされ、そしてホトレ
ジスト２２が露出され且つ除去されて、それによって第
１Ｅ図に示すような産物を残した。
塩化第二鉄酸で化学的にエツチングされ、そしてホトレ
ジスト２２が露出され且つ除去されて、それによって第
１Ｅ図に示すような産物を残した。
大ていの金属は絶縁性基板によく着かない。例えば、セ
ラミック又は二酸化珪素基板上に銅ヲよく付着させるこ
とは困難である。しかし他の金属は絶縁性基板によ（付
着する。例えば、ニッケル、鉄及び鉄−ニッケル合金は
セラミック及び二酸化仕方基板によく付着する。この現
象の理由は十分わかっていないが、ある金属（例えば、
ニッケル及び鉄）が基板中の酸素とその界面で反応して
基板によ（付着する金属酸化物の薄い層（例えば、５０
Ａ）を形成すると理論づけられている。純金属又は合金
はそこでこの金属酸化物によ（着（だるう。このように
して、先行技術の方法に於ける付着種層１２に、実際に
付着した鉄−ニッケル合金が鉄及びニッケル酸化物の薄
い層を形成し、それに合金の残りが付着した。しかし−
１つの問題は、この鉄−ニッケル合金がエッチし去られ
たとき（第１Ｄ図から第１Ｅ図に行（）、エッチ液は基
板の表面上の金属酸化物を除去せず、それでこの金属酸
化物が、参照番号２６で示される残留物として残された
ことである。従って一過度の残留物２６を、例えばイオ
ン ミリング、スパッタリング、重炭酸ナトリウムスク
ラビング又は他の適当な異方性の方法のような機械的ス
クラビングによって除去することが必要であった。先行
技術の方法によって作られた完成したデバイスが第１Ｆ
図に示されている。
ラミック又は二酸化珪素基板上に銅ヲよく付着させるこ
とは困難である。しかし他の金属は絶縁性基板によ（付
着する。例えば、ニッケル、鉄及び鉄−ニッケル合金は
セラミック及び二酸化仕方基板によく付着する。この現
象の理由は十分わかっていないが、ある金属（例えば、
ニッケル及び鉄）が基板中の酸素とその界面で反応して
基板によ（付着する金属酸化物の薄い層（例えば、５０
Ａ）を形成すると理論づけられている。純金属又は合金
はそこでこの金属酸化物によ（着（だるう。このように
して、先行技術の方法に於ける付着種層１２に、実際に
付着した鉄−ニッケル合金が鉄及びニッケル酸化物の薄
い層を形成し、それに合金の残りが付着した。しかし−
１つの問題は、この鉄−ニッケル合金がエッチし去られ
たとき（第１Ｄ図から第１Ｅ図に行（）、エッチ液は基
板の表面上の金属酸化物を除去せず、それでこの金属酸
化物が、参照番号２６で示される残留物として残された
ことである。従って一過度の残留物２６を、例えばイオ
ン ミリング、スパッタリング、重炭酸ナトリウムスク
ラビング又は他の適当な異方性の方法のような機械的ス
クラビングによって除去することが必要であった。先行
技術の方法によって作られた完成したデバイスが第１Ｆ
図に示されている。
第１Ａ図から第１Ｆ図に示す方法での問題に１鼠咬“の
形成がある。それはホトレジスト キャップ２２が製品
の所望の形を適正に保護できないために化学エッチ液が
層１６又は種層１２の所望の部分ケ侵すことによって生
ずる完成した製品の破損、破砕又は破断である。更に、
スクラビング工程で使用する研磨剤が所望の種層又は層
１６に破損な生ずるかもしれず、又は（更に悪いことに
は）研磨剤の残留物が残されて最終製品を汚すかもしれ
ない。又、先行技術の方法は一層１６及び種層１２の不
要の部分をエツチングする間に所望の部分の除去を避け
るため層１６のエツチングの前にギャップ２２の後ベー
キングを要した。このキャップの不適正な硬化又はベー
キングはキャップの破損を生じそれによってエッチ液に
所望の形状を侵させた。このようにして、キャップ２２
の不適正な硬化は上述のゝ鼠咬“の形成につながった。
形成がある。それはホトレジスト キャップ２２が製品
の所望の形を適正に保護できないために化学エッチ液が
層１６又は種層１２の所望の部分ケ侵すことによって生
ずる完成した製品の破損、破砕又は破断である。更に、
スクラビング工程で使用する研磨剤が所望の種層又は層
１６に破損な生ずるかもしれず、又は（更に悪いことに
は）研磨剤の残留物が残されて最終製品を汚すかもしれ
ない。又、先行技術の方法は一層１６及び種層１２の不
要の部分をエツチングする間に所望の部分の除去を避け
るため層１６のエツチングの前にギャップ２２の後ベー
キングを要した。このキャップの不適正な硬化又はベー
キングはキャップの破損を生じそれによってエッチ液に
所望の形状を侵させた。このようにして、キャップ２２
の不適正な硬化は上述のゝ鼠咬“の形成につながった。
又、第１Ｃ図に示すような種層のスパッターエツチング
は所望の形状の同様な量をエツチングし去る傾向がある
。本発明は、化学エツチングのとき種層のエツチングの
必要性を除去し、スクラビング工程の必要を除去し且つ
ホトレジストキャップの後ベータの必要を除去すること
によって先行技術の前述の欠点を除去する。又、製品の
外側の領域で不要な金属酸化物が形成されることも除去
される。
は所望の形状の同様な量をエツチングし去る傾向がある
。本発明は、化学エツチングのとき種層のエツチングの
必要性を除去し、スクラビング工程の必要を除去し且つ
ホトレジストキャップの後ベータの必要を除去すること
によって先行技術の前述の欠点を除去する。又、製品の
外側の領域で不要な金属酸化物が形成されることも除去
される。
第２Ａ図から第２Ｅ図は本発明の現在好ましい実施例に
よる付着方法を示す。第２Ａ図に示すように、所望の形
状を有するホトレジスト マスク３０は表面基板３２上
に形成される。基板３２は、１リ セラミック又は二酸化珪素のような、適当な非磁性、非
電導性材料で構成される。このマスクを形成する１つの
便利な方法は基板３２の全面にポジホトレジストを塗り
そしてこのホトレジスト層の必要のない部分を露出し、
現像し且つ溶解し、それによって第２Ａ図に示すその結
果のホトレジスト マスク３０を残す。少くとも意図し
た最終製品のパターンを包含する残ったマスクはそこで
露出されるが一溶解されない。−酸化珪素（ｓｉｏ ）
のような、薄い付着禁止剤層３４が基板３２の露出され
た面上及びマスク３０の上面上に（例えば蒸着法によっ
て）付着される。重要なことは禁止剤層３４はマスク３
０の側面には付着されないことで、それで層３４を付着
するためにビンポイント又は平行流の付着源が使われる
。さもなければ、マスク３０はその側縁を付着される禁
止剤に露出しないように維持するように構成されるべき
である。マスク３０はそこで溶解され、その上面に付着
された付着禁止剤ヶ運び去る。鉄−ニッケル合金のよう
な、適当な強磁性材料を含む種層３６はｌ ／ そこで第２Ｂ図に示すように付着禁止剤層３４の上面及
び基板３２の露出された部分の上に（例えば真空スパッ
タ蒸着法によって）付着される。典型的には、種層３６
は４００から１００ＯＡのオーダであり一方禁止剤層３
４は３００から５０ＯＡのオーダであるので、積層は付
着禁止剤層より厚いだろう。笛２ホトレジストマスク３
８は第２Ａ図に示した工程でホトレジスト マスク３０
によって形成されたように付着禁止剤層３４の縁に隣接
して種層３６の表面上に形成される。マスク３８は形成
される製品の大きさ及び形を正確に定める。強磁性層４
０はそこで第２Ｃ図に示すように種層３６の露出された
部分の上に蒸着又はメッキされる。鉄−ニッケル合金で
もよい層４０は所望によって２ミクロンから４ミクロン
の厚さに付着されてもよい。層４０は結局薄膜磁気へツ
Ｖの１つの極片を形成するだろう。ホトレジスト マス
ク３８はそこで露出及びアセトン溶剤によって通常の方
法で除去され、そして層４０及び種層３６の付着禁止剤
層３４の上の部分は第２Ｄ図に示すように機械的に除去
されてもよい。過剰種層３６は、それに付着された過剰
層４０と共に、禁止剤層３４から単純にはがされてもよ
い。粘着テープ、超音波攪拌、流体ジェット流又は他の
適当な機械的手法が過剰な種層３６及び層４０の除去の
補助に都合よ（使われてもよい。種層３６は伺着禁止層
３４の緑に隣接する参照番号４２で示されるように破断
される。
よる付着方法を示す。第２Ａ図に示すように、所望の形
状を有するホトレジスト マスク３０は表面基板３２上
に形成される。基板３２は、１リ セラミック又は二酸化珪素のような、適当な非磁性、非
電導性材料で構成される。このマスクを形成する１つの
便利な方法は基板３２の全面にポジホトレジストを塗り
そしてこのホトレジスト層の必要のない部分を露出し、
現像し且つ溶解し、それによって第２Ａ図に示すその結
果のホトレジスト マスク３０を残す。少くとも意図し
た最終製品のパターンを包含する残ったマスクはそこで
露出されるが一溶解されない。−酸化珪素（ｓｉｏ ）
のような、薄い付着禁止剤層３４が基板３２の露出され
た面上及びマスク３０の上面上に（例えば蒸着法によっ
て）付着される。重要なことは禁止剤層３４はマスク３
０の側面には付着されないことで、それで層３４を付着
するためにビンポイント又は平行流の付着源が使われる
。さもなければ、マスク３０はその側縁を付着される禁
止剤に露出しないように維持するように構成されるべき
である。マスク３０はそこで溶解され、その上面に付着
された付着禁止剤ヶ運び去る。鉄−ニッケル合金のよう
な、適当な強磁性材料を含む種層３６はｌ ／ そこで第２Ｂ図に示すように付着禁止剤層３４の上面及
び基板３２の露出された部分の上に（例えば真空スパッ
タ蒸着法によって）付着される。典型的には、種層３６
は４００から１００ＯＡのオーダであり一方禁止剤層３
４は３００から５０ＯＡのオーダであるので、積層は付
着禁止剤層より厚いだろう。笛２ホトレジストマスク３
８は第２Ａ図に示した工程でホトレジスト マスク３０
によって形成されたように付着禁止剤層３４の縁に隣接
して種層３６の表面上に形成される。マスク３８は形成
される製品の大きさ及び形を正確に定める。強磁性層４
０はそこで第２Ｃ図に示すように種層３６の露出された
部分の上に蒸着又はメッキされる。鉄−ニッケル合金で
もよい層４０は所望によって２ミクロンから４ミクロン
の厚さに付着されてもよい。層４０は結局薄膜磁気へツ
Ｖの１つの極片を形成するだろう。ホトレジスト マス
ク３８はそこで露出及びアセトン溶剤によって通常の方
法で除去され、そして層４０及び種層３６の付着禁止剤
層３４の上の部分は第２Ｄ図に示すように機械的に除去
されてもよい。過剰種層３６は、それに付着された過剰
層４０と共に、禁止剤層３４から単純にはがされてもよ
い。粘着テープ、超音波攪拌、流体ジェット流又は他の
適当な機械的手法が過剰な種層３６及び層４０の除去の
補助に都合よ（使われてもよい。種層３６は伺着禁止層
３４の緑に隣接する参照番号４２で示されるように破断
される。
鉄−ニッケル種層は、勿論、層４０の所望の形状に隣接
する領域で基板３２によ（接着する。これは多分、前に
説明したように、界面に酸化金属の薄膜を形成する結果
である。又、−酸化珪素禁止剤層３４は（二酸化珪素又
はセラミックである）基板によく接着する。しかし、−
酸化珪素は種層３６の隣接する金属に容易に酸素原子を
渡しはしない。従って、禁止剤層３４は酸素の基板から
種層への移行に対し障壁を形成し、それで種層によく接
着しない。それで、種層３６は、図示するように、禁止
剤層３４から容易にはがすことができる。更に、種層３
６は比較的薄＜（４００から１ 整 １０００λ）、ホトレジスト３８の除去によって残され
た開口部で層４０の厚さによって裏打ちされず、且つ基
板によく接着されているので、種層は禁止剤層３４の縁
に隣接した４２で、それがこの種層の強度の最も弱い領
域なので、破損するだろう。
する領域で基板３２によ（接着する。これは多分、前に
説明したように、界面に酸化金属の薄膜を形成する結果
である。又、−酸化珪素禁止剤層３４は（二酸化珪素又
はセラミックである）基板によく接着する。しかし、−
酸化珪素は種層３６の隣接する金属に容易に酸素原子を
渡しはしない。従って、禁止剤層３４は酸素の基板から
種層への移行に対し障壁を形成し、それで種層によく接
着しない。それで、種層３６は、図示するように、禁止
剤層３４から容易にはがすことができる。更に、種層３
６は比較的薄＜（４００から１ 整 １０００λ）、ホトレジスト３８の除去によって残され
た開口部で層４０の厚さによって裏打ちされず、且つ基
板によく接着されているので、種層は禁止剤層３４の縁
に隣接した４２で、それがこの種層の強度の最も弱い領
域なので、破損するだろう。
実作業で、い（つかの薄膜ヘッド片が１つのウェハから
同時に作られてもよい、それで本発明では過剰種層及び
層４０なウェハ上の全てのパターンから１つの動作では
がし且つ除去することが可能である。又、実作業で、図
面には示されていないが、禁止剤材料の少量が層３４か
ら過剰種層３６と共にはがされるかもしれない。種層に
はよく付くが基板には付かない禁止剤層３４を使用する
ことが望ましいかもしれないが、それで禁止剤層は過剰
種層と共に除去されるかもしれず、実際には完成した製
品はともかく洗浄しなければならないのでこれの経済的
誘因はあまりない。銅禁止層がこの点で種層に接着する
ために使われ且つ基板から種層と共に除去されてもよい
が、銅禁止層を使って達成される結果は説明した方法を
使って達成される程よくな（且つ経済的関心は一酸化珪
素禁止剤の使用がより好ましい方法として示す。
同時に作られてもよい、それで本発明では過剰種層及び
層４０なウェハ上の全てのパターンから１つの動作では
がし且つ除去することが可能である。又、実作業で、図
面には示されていないが、禁止剤材料の少量が層３４か
ら過剰種層３６と共にはがされるかもしれない。種層に
はよく付くが基板には付かない禁止剤層３４を使用する
ことが望ましいかもしれないが、それで禁止剤層は過剰
種層と共に除去されるかもしれず、実際には完成した製
品はともかく洗浄しなければならないのでこれの経済的
誘因はあまりない。銅禁止層がこの点で種層に接着する
ために使われ且つ基板から種層と共に除去されてもよい
が、銅禁止層を使って達成される結果は説明した方法を
使って達成される程よくな（且つ経済的関心は一酸化珪
素禁止剤の使用がより好ましい方法として示す。
４２での切断又は破断によって残された縁からの過剰種
層３６及び望ましくない付着禁止剤は適当なバック ス
パッタリング又はイオン ミリング法によって除去され
てもよい。付着禁止層は種層より薄いので、及びこれら
２つは同様なミリング率を有するので、過剰種層は付着
禁止層と同時に除去されて第２Ｅ図に示す完成品を作る
かもしれない。
層３６及び望ましくない付着禁止剤は適当なバック ス
パッタリング又はイオン ミリング法によって除去され
てもよい。付着禁止層は種層より薄いので、及びこれら
２つは同様なミリング率を有するので、過剰種層は付着
禁止層と同時に除去されて第２Ｅ図に示す完成品を作る
かもしれない。
第３Ａ図から第３Ｄ図は最終製品で材料４０の上に別の
層をつける手法を示す。例えは、第３Ａ図から第３Ｄ図
に示された方法は第２Ｅ図に示す強磁性極片４０の表面
上に適当なギャップ材料を形成するのに有用である。第
２Ｅ図に示す製品から出発して、ホトレジスト キャッ
プ４４がこの製品の本質的部分の上に形成されそして第
２付着禁止剤層４６（例えば−酸化珪素）が第２Ａ図に
関連して説明したように形成される。このホトレ６ ジスト キャップは次に除去され、それによって極片４
０を露出する。第３Ｂ図参照。層４８を構成する非磁性
ギャップ材料がそこで極片４０、種Ｊ＠３６、基板３２
及び付着禁止剤層４６の露出部分の上に（例えば真空蒸
着法によって）付着される。層４８は厚さ約５０００か
ら８００ＯＡの酸化アルミ（Ａ１２０３ ） ’ｆ：含
んでもよい。層４８の不必要部分はその後第２Ｄ図に関
連して説明したように層４８をはがすことによって機械
的に除去される。第５Ｃ図参照。この製品はそこで第２
Ｅ図に関連して説明したように機械的に仕上げられて第
３Ｄ図に示す製品を完成させることができる。
層をつける手法を示す。例えは、第３Ａ図から第３Ｄ図
に示された方法は第２Ｅ図に示す強磁性極片４０の表面
上に適当なギャップ材料を形成するのに有用である。第
２Ｅ図に示す製品から出発して、ホトレジスト キャッ
プ４４がこの製品の本質的部分の上に形成されそして第
２付着禁止剤層４６（例えば−酸化珪素）が第２Ａ図に
関連して説明したように形成される。このホトレ６ ジスト キャップは次に除去され、それによって極片４
０を露出する。第３Ｂ図参照。層４８を構成する非磁性
ギャップ材料がそこで極片４０、種Ｊ＠３６、基板３２
及び付着禁止剤層４６の露出部分の上に（例えば真空蒸
着法によって）付着される。層４８は厚さ約５０００か
ら８００ＯＡの酸化アルミ（Ａ１２０３ ） ’ｆ：含
んでもよい。層４８の不必要部分はその後第２Ｄ図に関
連して説明したように層４８をはがすことによって機械
的に除去される。第５Ｃ図参照。この製品はそこで第２
Ｅ図に関連して説明したように機械的に仕上げられて第
３Ｄ図に示す製品を完成させることができる。
本発明はこのようにして絶縁性基板の上に薄膜金属性パ
ターンヶ不必要部分のエツチングによる除去の必要なし
に形成する方法を提供する。この方法は、データ処理の
目的用の薄膜記録ヘッドを作るのに有用なように、鉄−
ニッケル合金に関連して説明したが、本発明は他の金属
にも同等に適用できる。又、本発明は絶縁性基板によく
付着する金属を使って説明したが、この方法は絶縁性基
板によく付着しない金属の蒸着にも適用できる。
ターンヶ不必要部分のエツチングによる除去の必要なし
に形成する方法を提供する。この方法は、データ処理の
目的用の薄膜記録ヘッドを作るのに有用なように、鉄−
ニッケル合金に関連して説明したが、本発明は他の金属
にも同等に適用できる。又、本発明は絶縁性基板によく
付着する金属を使って説明したが、この方法は絶縁性基
板によく付着しない金属の蒸着にも適用できる。
例えば、もし鉄−ニッケル合金の代りに銅の蒸着を望む
なら、種層３６は基板と接しその上に銅が重ねられるチ
タン及び／又はクロームの下層な會むだろう。
なら、種層３６は基板と接しその上に銅が重ねられるチ
タン及び／又はクロームの下層な會むだろう。
本発明は図面に示し且つ説明に述べた、限定としてでな
く例として挙げた実施例によって限定されるものではな
く添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。
く例として挙げた実施例によって限定されるものではな
く添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。
第１Ａ図から第１Ｆ図は先行技術に使われた手法による
付着法の工程を示す。 第２Ａ図から第２Ｅ図は本発明の現在好ましい実施例に
よる付着法の工程を示す。 第３Ａ図から第３Ｄ図は第２Ａ図から第２Ｅ図に示す付
着法の修整形を示す。 ３２・・・基板 ３４・・・付着禁止層 ３６・・・種層又は第１付着材料層 ３８・・・ホトレジスト マスク ９ ４０・・・第２付着材料層 ４６・・・第２付着禁止層 ４８・・・第３付着材料層 代理人 浅 村 皓 ０ 第１頁の続き ン アメリカ合衆国ミネソタ州アッ プル・バレー・レッドウェル・ レーン９５７ ０発 明 者 パトリック・カミングス・ダースト アメリカ合衆国ミネソタ州コツ テッジ・グローブ・ヘール・ア ベニュー９２３２
付着法の工程を示す。 第２Ａ図から第２Ｅ図は本発明の現在好ましい実施例に
よる付着法の工程を示す。 第３Ａ図から第３Ｄ図は第２Ａ図から第２Ｅ図に示す付
着法の修整形を示す。 ３２・・・基板 ３４・・・付着禁止層 ３６・・・種層又は第１付着材料層 ３８・・・ホトレジスト マスク ９ ４０・・・第２付着材料層 ４６・・・第２付着禁止層 ４８・・・第３付着材料層 代理人 浅 村 皓 ０ 第１頁の続き ン アメリカ合衆国ミネソタ州アッ プル・バレー・レッドウェル・ レーン９５７ ０発 明 者 パトリック・カミングス・ダースト アメリカ合衆国ミネソタ州コツ テッジ・グローブ・ヘール・ア ベニュー９２３２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）所望の形状を製作するための付着方法であって、
その縁が製作される形状の境界に隣接したパターンで基
板（３２）の表面の一部の上に付着禁止剤の層（３４）
を形成する工程、付着禁止剤のこの層及び該基板の露出
された部分の上に付着刷料の第１層（３６）を付着する
工程、該付着禁止剤層の該縁に隣接する付着材料の該第
１層の上に、該製作される形状の境界を定めるホトレジ
ストのパターン（３８）を形成する工程、付着材料の該
第１層の露出された部分の上に付着材料の第２１ｉ１ｉ
（４０）を付着する工程、該ホトレジストのパターンを
除去する工程、並びに該付着禁止剤、付着材料の該第２
層の製作される形状でない部分、及び付着材料の該第１
層の該付着禁止剤の上の部分を除去し、少くとも付着材
料の該第１層及び該第２層の該部分は該付着禁止剤の該
縁に隣接した付着材料の該第２層を持ち上げ且つ破断又
は切断することによって除去される工程を含む付着法。 （２、特許請求の範囲第１項記載の方法に於いて、該付
着禁止剤、該第１層を含む付着材料、及び該基板が、該
付着禁止剤は該基板より該第１層によく付着し、且つ該
付着禁止剤は付着材料の該第１層及び該第２層の該部分
と共に持ち上げることによって該基板から除去されるよ
うに選ばれている方法。 （３）特許請求の範囲第１項記載の方法に於いて、該付
着禁止剤、該第１層を含む付着材料、及び該基板が、付
着材料の該第１層は該付着禁止剤より該基板によく付着
し、且つ付着材料の該第１層及び該第２層の該部分が該
付着禁止剤から持ち上げることによって除去され、そし
て該付着禁止剤がその後に除去されるように選ばれてい
る方法。 （４）特許請求の範囲第３項記載の装置に於いて、該基
板が絶縁性材料であり、付着材料の該第１層及び該第２
層が鉄−ニッケル合金であり、且つ該付着禁止剤が酸化
珪素である装置。 （５）特許請求の範囲第３頌記載の方法で更に該基板の
露出された部分の上に付着禁＋Ｌ剤の第２層（４６）を
形成する工程、付着材料の該第１層及び該第２層の露出
された部分並びに付着禁止剤の該第２層の上に付着材料
の第６層（４８）を付着する工程、並びに付着禁止剤の
該第２層及び付着材料の該第３層の該付着禁止層の上の
部分を除去し、少くとも該付着層の該部分は製作される
該形状に隣接した該第３付着層を持ち上げ且つ破断又は
切断することによって除去される工程を含む方法。 （６）％許請求の範囲第５項記載の装置に於いて、該基
板が絶縁性材料であり、付着材料σ５該第１層及び該第
２層が鉄−ニッケル合金であり、且つ該付着禁止剤が酸
化珪素である装置。 （７）％許請求の範囲第６項記載の装置に於いて、付着
材料の該第６層がＡｌ２Ｏ３である装置。 （８）特許請求の範囲第１項記載の方法に於いて、該基
板が絶縁性材料であり１つ付着材料の該第１層及び該第
２層が類似の金属である方法。 （９）ｌ特許請求の範囲第８項記載の方法に於いて、付
着材料の該第１層及び該第２層が鉄−ニッケル合金であ
り、且つ該付着禁止剤が酸化珪素である方法。 （１０） 特許請求の範囲第１項記載の方法に於いて
、該基板が絶縁性材料であり且つ付着材料の該第１層及
び該第２層が非類似の金属である方法。 α１）特許請求の範囲第１項記載の方法で更に該基板の
露出された部分の上に付着禁止剤の第２層（４６）を形
成する工程、付着材料の該第１層及び該第２層の露出さ
れた部分並びに付着禁止剤の該第２層の上に付着材料の
第６層（４８）を付着する工程、並びに付着禁止剤の該
第２層及び付着材料の該第６層の該付着禁止層の上の部
分を除去し、少くとも該付着層の該部分は製作される該
形状に隣接した該第６付着層を持ち上げ且つ破断又は切
断することによって除去される工程を含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US418352 | 1982-09-15 | ||
| US06/418,352 US4424271A (en) | 1982-09-15 | 1982-09-15 | Deposition process |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954023A true JPS5954023A (ja) | 1984-03-28 |
Family
ID=23657764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141786A Pending JPS5954023A (ja) | 1982-09-15 | 1983-08-02 | 薄膜磁気記録ヘツドの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4424271A (ja) |
| JP (1) | JPS5954023A (ja) |
| AU (1) | AU557664B2 (ja) |
| CA (1) | CA1198308A (ja) |
| DE (1) | DE3328754A1 (ja) |
| FR (1) | FR2533039B1 (ja) |
| GB (1) | GB2129446B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59223916A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-15 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS60201516A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-12 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの磁極の製造方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2535344A1 (fr) * | 1982-10-29 | 1984-05-04 | Thomson Csf | Procede de depot selectif d'une couche de metal refractaire sur une piece en graphite |
| JPS621552A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-07 | Toshiba Corp | 記録ヘツドの製造方法 |
| US5159511A (en) * | 1987-04-01 | 1992-10-27 | Digital Equipment Corporation | Biasing conductor for MR head |
| US4912584A (en) * | 1988-03-09 | 1990-03-27 | Digital Equipment Corporation | Method for fabricating magnetic recording poles |
| JP2501873B2 (ja) * | 1988-06-23 | 1996-05-29 | シャープ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPH02253692A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法およびパネル基板の製造方法 |
| US5203944A (en) * | 1991-10-10 | 1993-04-20 | Prinz Fritz B | Method for fabrication of three-dimensional articles by thermal spray deposition using masks as support structures |
| US6444257B1 (en) | 1998-08-11 | 2002-09-03 | International Business Machines Corporation | Metals recovery system |
| US6291138B1 (en) * | 1999-07-23 | 2001-09-18 | Headway Technologies, Inc. | Masking frame plating method for forming masking frame plated layer |
| DE19962431B4 (de) * | 1999-12-22 | 2005-10-20 | Micronas Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit Haftzone für eine Passivierungsschicht |
| US7229746B2 (en) * | 2003-04-02 | 2007-06-12 | Delphi Technologies, Inc. | Printed high strength permanent magnet targets for magnetic sensors |
| US9552833B2 (en) * | 2014-11-11 | 2017-01-24 | Seagate Technology Llc | Devices including a multilayer gas barrier layer |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3853715A (en) * | 1973-12-20 | 1974-12-10 | Ibm | Elimination of undercut in an anodically active metal during chemical etching |
| IE51854B1 (en) * | 1980-12-03 | 1987-04-15 | Memorex Corp | Method of fabricating a metallic pattern on a substrate |
-
1982
- 1982-09-15 US US06/418,352 patent/US4424271A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-07-28 CA CA000433451A patent/CA1198308A/en not_active Expired
- 1983-08-02 JP JP58141786A patent/JPS5954023A/ja active Pending
- 1983-08-09 DE DE19833328754 patent/DE3328754A1/de not_active Withdrawn
- 1983-08-10 GB GB08321536A patent/GB2129446B/en not_active Expired
- 1983-08-22 AU AU18171/83A patent/AU557664B2/en not_active Ceased
- 1983-09-15 FR FR8314709A patent/FR2533039B1/fr not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59223916A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-15 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS60201516A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-12 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの磁極の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1198308A (en) | 1985-12-24 |
| GB8321536D0 (en) | 1983-09-14 |
| FR2533039B1 (fr) | 1987-01-16 |
| FR2533039A1 (fr) | 1984-03-16 |
| GB2129446B (en) | 1985-08-29 |
| AU1817183A (en) | 1984-03-22 |
| AU557664B2 (en) | 1987-01-08 |
| DE3328754A1 (de) | 1984-03-15 |
| US4424271A (en) | 1984-01-03 |
| GB2129446A (en) | 1984-05-16 |
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