JP2501873B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JP2501873B2 JP2501873B2 JP63157267A JP15726788A JP2501873B2 JP 2501873 B2 JP2501873 B2 JP 2501873B2 JP 63157267 A JP63157267 A JP 63157267A JP 15726788 A JP15726788 A JP 15726788A JP 2501873 B2 JP2501873 B2 JP 2501873B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic core
- upper magnetic
- lift
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
- Y10T29/49044—Plural magnetic deposition layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
- Y10T29/49046—Depositing magnetic layer or coating with etching or machining of magnetic material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/4906—Providing winding
- Y10T29/49064—Providing winding by coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高密度記録に対応する薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
薄膜磁気ヘッドは、ヘッドの小型化が可能となり、高
密度化及び多チャンネル化を容易とすると共に、形成す
るトラックの幅を狭め、かつこのトラック幅の精度を高
めることができるという特徴を有する。また、インダク
タンスが小さくコア損失が少ないために高周波特性に優
れ、発生する磁界分布が急峻であるために記録の分解能
が高い等の特性上の利点に加え、量産性に優れ大幅なコ
ストダウンを図り得るという特徴も有する。このため、
近年の磁気記録の高密度化に伴い、この薄膜磁気ヘッド
の優位性が顕著となって、研究開発が盛んに行われるよ
うになった。
密度化及び多チャンネル化を容易とすると共に、形成す
るトラックの幅を狭め、かつこのトラック幅の精度を高
めることができるという特徴を有する。また、インダク
タンスが小さくコア損失が少ないために高周波特性に優
れ、発生する磁界分布が急峻であるために記録の分解能
が高い等の特性上の利点に加え、量産性に優れ大幅なコ
ストダウンを図り得るという特徴も有する。このため、
近年の磁気記録の高密度化に伴い、この薄膜磁気ヘッド
の優位性が顕著となって、研究開発が盛んに行われるよ
うになった。
このような薄膜磁気ヘッドの構造を第３図に基づいて
説明する。
説明する。
基板１上には下部磁気コア層２が形成されている。基
板１は、フェライト、アルミナ又はガラス等の耐摩耗性
に優れた特性を有する非磁性体の支持基板である。下部
磁気コア層２は、Ni−Fe、Fe−Al−Si又はCo系アモルフ
ァス合金等の軟磁性金属膜からなり、薄膜磁気ヘッドの
一方のコアを構成する。この下部磁気コア層２の上層に
は、上部磁気コア層３が形成されている。この上部磁気
コア層３は、下部磁気コア層２と同様の軟磁性金属膜か
らなり、薄膜磁気ヘッドにおける他方のコアを構成す
る。そして、この上部磁気コア層３は、下部磁気コア層
２に対して、一端部で薄い絶縁層４を介した磁気ギャッ
プ５を構成し、中央部に十分な間隙を有し、他端部で直
接磁気的に接続されるように形成されている。また、こ
の上部磁気コア層３の中央部の間隙には、導電体コイル
層６のコイル状の一辺が配置され、巻線型の薄膜磁気ヘ
ッドを形成している。この導電体コイル層６は、Cu、A
l、Au又はAg等の導電体膜からなり、上部磁気コア層３
の中央部の間隙に充填された絶縁層４によって絶縁され
ている。この絶縁層４は、SiO2、Al2O3又はSi3N4等の非
磁性絶縁膜からなる。
板１は、フェライト、アルミナ又はガラス等の耐摩耗性
に優れた特性を有する非磁性体の支持基板である。下部
磁気コア層２は、Ni−Fe、Fe−Al−Si又はCo系アモルフ
ァス合金等の軟磁性金属膜からなり、薄膜磁気ヘッドの
一方のコアを構成する。この下部磁気コア層２の上層に
は、上部磁気コア層３が形成されている。この上部磁気
コア層３は、下部磁気コア層２と同様の軟磁性金属膜か
らなり、薄膜磁気ヘッドにおける他方のコアを構成す
る。そして、この上部磁気コア層３は、下部磁気コア層
２に対して、一端部で薄い絶縁層４を介した磁気ギャッ
プ５を構成し、中央部に十分な間隙を有し、他端部で直
接磁気的に接続されるように形成されている。また、こ
の上部磁気コア層３の中央部の間隙には、導電体コイル
層６のコイル状の一辺が配置され、巻線型の薄膜磁気ヘ
ッドを形成している。この導電体コイル層６は、Cu、A
l、Au又はAg等の導電体膜からなり、上部磁気コア層３
の中央部の間隙に充填された絶縁層４によって絶縁され
ている。この絶縁層４は、SiO2、Al2O3又はSi3N4等の非
磁性絶縁膜からなる。
この薄膜磁気ヘッドにおける上部磁気コア層３を所定
のパターンで形成する方法として、従来は、湿式エッチ
ング法やイオン・ミリング法又はリフト・オフ法が用い
られていた。
のパターンで形成する方法として、従来は、湿式エッチ
ング法やイオン・ミリング法又はリフト・オフ法が用い
られていた。
湿式エッチング法は、フォトレジスト膜によりマスキ
ングした上部磁気コア層３をエッチング液を用いて所定
のパターンにエッチングする方法であり、高価な製造装
置を用いる必要がなく、加工時間も短いという利点を有
する。また、イオン・ミリング法は、エッチング液に代
えてArイオン等の不活性イオンの衝撃を用いた物理的エ
ッチング法である。
ングした上部磁気コア層３をエッチング液を用いて所定
のパターンにエッチングする方法であり、高価な製造装
置を用いる必要がなく、加工時間も短いという利点を有
する。また、イオン・ミリング法は、エッチング液に代
えてArイオン等の不活性イオンの衝撃を用いた物理的エ
ッチング法である。
これに対してリフト・オフ法は、上部磁気コア層３を
直接エッチングすることなく所定のパターンに形成する
方法である。
直接エッチングすることなく所定のパターンに形成する
方法である。
このリフト・オフ法について、第４図に基づき簡単に
説明する。なお、第４図は、リフト・オフ法を模式的に
説明するために、基板11上に直接上部磁気コア層３を形
成する場合について示す。
説明する。なお、第４図は、リフト・オフ法を模式的に
説明するために、基板11上に直接上部磁気コア層３を形
成する場合について示す。
まず、基板11上にフォトレジスト膜12を形成し、これ
を所定のパターンにエッチングする。この所定のパター
ンは、上部磁気コア層３の形成パターンを反転したもの
である。次に、この上面全面に、後に上部磁気コア層３
となる上部磁気コア形成層13を形成する。従って、第４
図（ａ）に示すように、この上部磁気コア形成層13にお
ける上部磁気コア層３の形成パターンに対応する部分は
基板11上に直接形成され、不要部分はフォトレジスト膜
12上に形成されることになる。そして、この基板11全体
をアセトン等の有機溶剤中に浸漬する。すると、基板11
上の上部磁気コア形成層13とフォトレジスト膜12上の上
部磁気コア形成層13との隙間（図示矢印Ａ）から有機溶
剤が浸入し、フォトレジスト膜12が溶解される。このた
め、フォトレジスト膜12の溶解に伴って、その上層の上
部磁気コア形成層13も除去され、第４図（ｂ）に示すよ
うに、残った上部磁気コア形成層13が所定パターンの上
部磁気コア層３となる。
を所定のパターンにエッチングする。この所定のパター
ンは、上部磁気コア層３の形成パターンを反転したもの
である。次に、この上面全面に、後に上部磁気コア層３
となる上部磁気コア形成層13を形成する。従って、第４
図（ａ）に示すように、この上部磁気コア形成層13にお
ける上部磁気コア層３の形成パターンに対応する部分は
基板11上に直接形成され、不要部分はフォトレジスト膜
12上に形成されることになる。そして、この基板11全体
をアセトン等の有機溶剤中に浸漬する。すると、基板11
上の上部磁気コア形成層13とフォトレジスト膜12上の上
部磁気コア形成層13との隙間（図示矢印Ａ）から有機溶
剤が浸入し、フォトレジスト膜12が溶解される。このた
め、フォトレジスト膜12の溶解に伴って、その上層の上
部磁気コア形成層13も除去され、第４図（ｂ）に示すよ
うに、残った上部磁気コア形成層13が所定パターンの上
部磁気コア層３となる。
ところで、近年の磁気記録の高密度化に伴い、記録媒
体も高い保磁力を有するものが用いられるようになっ
た。そして、これに対応するため薄膜磁気ヘッドも、高
保磁力の記録媒体を十分に磁化する能力が必要とされる
ようになって来た。そこで、最近薄膜磁気ヘッドは、磁
気コア層２・３として高飽和磁束密度を有する材料を用
いるだけでなく、以前は１μｍ〜５μｍ程度の厚さであ
った上部磁気コア層３の膜厚を10μｍ〜30μｍ程度まで
厚くして、ここでの磁気飽和を防ぐようにしている。
体も高い保磁力を有するものが用いられるようになっ
た。そして、これに対応するため薄膜磁気ヘッドも、高
保磁力の記録媒体を十分に磁化する能力が必要とされる
ようになって来た。そこで、最近薄膜磁気ヘッドは、磁
気コア層２・３として高飽和磁束密度を有する材料を用
いるだけでなく、以前は１μｍ〜５μｍ程度の厚さであ
った上部磁気コア層３の膜厚を10μｍ〜30μｍ程度まで
厚くして、ここでの磁気飽和を防ぐようにしている。
ところが、このように上部磁気コア層３の膜厚が厚く
なると、前記従来の形成方法では、下記のような問題点
を生じることになる。
なると、前記従来の形成方法では、下記のような問題点
を生じることになる。
湿式エッチング法では、上部磁気コア層３の膜厚が
このように厚くなると、サイドエッチング量が増加し
て、この上部磁気コア層３の形成幅を高い精度で制御す
ることが困難になり、近年の10μｍ〜20μｍ幅の狭トラ
ック化及び±１〜２μｍの高精度化の要求に対応するこ
とができなくなった。
このように厚くなると、サイドエッチング量が増加し
て、この上部磁気コア層３の形成幅を高い精度で制御す
ることが困難になり、近年の10μｍ〜20μｍ幅の狭トラ
ック化及び±１〜２μｍの高精度化の要求に対応するこ
とができなくなった。
イオン・ミリング法は、その物理的エッチング法の
性質上、マスク材であるフォトレジスト膜や絶縁層４と
上部磁気コア層３との間でエッチングの選択性がほとん
どない。
性質上、マスク材であるフォトレジスト膜や絶縁層４と
上部磁気コア層３との間でエッチングの選択性がほとん
どない。
このため、厚い上部磁気コア層３をエッチングしよう
とすると、それ以上に厚いフォトレジスト膜を形成する
必要が生じ、このようなフォトレジスト膜を形成するこ
とが容易でないばかりでなく、厚いフォトレジスト膜が
形成できたとしても、これを高い精度でパターニングし
高精度な上部磁気コア層３を形成することが極めて困難
であった。
とすると、それ以上に厚いフォトレジスト膜を形成する
必要が生じ、このようなフォトレジスト膜を形成するこ
とが容易でないばかりでなく、厚いフォトレジスト膜が
形成できたとしても、これを高い精度でパターニングし
高精度な上部磁気コア層３を形成することが極めて困難
であった。
また、実際のエッチング工程では、上部磁気コア層３
の膜厚のばらつきやエッチングレート分布に幅があるた
めに、少しオーバーエッチングとなるようにしている。
そして、このオーバーエッチングの割合は、上部磁気コ
ア層３が数μｍ程度の場合には問題とならないが、上記
のように10μｍ〜30μｍの厚さに達すると、その影響も
無視できなくなる。即ち、場合によっては、上部磁気コ
ア層３の膜厚を全て除去した後もエッチングが継続さ
れ、絶縁層４まで除去されて導電体コイル層６が露出し
損傷を受けたり、さらにこの導電体コイル層６が断線す
る等の不都合を生じていた。
の膜厚のばらつきやエッチングレート分布に幅があるた
めに、少しオーバーエッチングとなるようにしている。
そして、このオーバーエッチングの割合は、上部磁気コ
ア層３が数μｍ程度の場合には問題とならないが、上記
のように10μｍ〜30μｍの厚さに達すると、その影響も
無視できなくなる。即ち、場合によっては、上部磁気コ
ア層３の膜厚を全て除去した後もエッチングが継続さ
れ、絶縁層４まで除去されて導電体コイル層６が露出し
損傷を受けたり、さらにこの導電体コイル層６が断線す
る等の不都合を生じていた。
リフト・オフ法は、前述のように、フォトレジスト
膜12を後に有機溶剤で溶解する必要があるので、上部磁
気コア形成層13の成膜時に基板温度をあまり高くするこ
とができない。このため、上部磁気コア層３の下地層へ
の密着性を高めることができず、この上部磁気コア層３
の磁気特性も十分に引き出すことができなかった。
膜12を後に有機溶剤で溶解する必要があるので、上部磁
気コア形成層13の成膜時に基板温度をあまり高くするこ
とができない。このため、上部磁気コア層３の下地層へ
の密着性を高めることができず、この上部磁気コア層３
の磁気特性も十分に引き出すことができなかった。
また、上部磁気コア層３に用いる材料や成膜条件によ
っては、基板温度をそれほど高くしなくても密着性や磁
気特性の問題を解決することができる場合がある。しか
しながら、たとえ上部磁気コア形成層13の成膜温度を低
くすることができても、フォトレジスト膜12は、この成
膜時の熱エネルギーによりある程度の変質を受けるもの
である。このため、従来のような有機溶剤を用いた方法
では、フォトレジスト膜12を完全に溶解することが困難
となり、安定したリフト・オフを行うことができなかっ
た。
っては、基板温度をそれほど高くしなくても密着性や磁
気特性の問題を解決することができる場合がある。しか
しながら、たとえ上部磁気コア形成層13の成膜温度を低
くすることができても、フォトレジスト膜12は、この成
膜時の熱エネルギーによりある程度の変質を受けるもの
である。このため、従来のような有機溶剤を用いた方法
では、フォトレジスト膜12を完全に溶解することが困難
となり、安定したリフト・オフを行うことができなかっ
た。
さらに、従来のリフトオフ法では、第４図（ａ）を参
照して説明したように、フォトレジスト膜12における所
定パターンの開口部周縁での隙間、すなわち、開口部内
で基板13上に形成された上部磁気コア形成層13と、フォ
トレジスト膜12上の上部磁気コア形成層13との間に生じ
ている隙間を通して、矢印Ａのように、エッチング液と
しての有機溶剤が侵入し、これによって、フォトレジス
ト膜12が除去される。したがって、従来のリフトオフ法
では、上記した狭い隙間を通してしかエッチング液が侵
入しないため、上記磁気コア形成層13で覆われたフォト
レジスト膜12の全体を除去するために、長時間を必要と
するという問題も有している。
照して説明したように、フォトレジスト膜12における所
定パターンの開口部周縁での隙間、すなわち、開口部内
で基板13上に形成された上部磁気コア形成層13と、フォ
トレジスト膜12上の上部磁気コア形成層13との間に生じ
ている隙間を通して、矢印Ａのように、エッチング液と
しての有機溶剤が侵入し、これによって、フォトレジス
ト膜12が除去される。したがって、従来のリフトオフ法
では、上記した狭い隙間を通してしかエッチング液が侵
入しないため、上記磁気コア形成層13で覆われたフォト
レジスト膜12の全体を除去するために、長時間を必要と
するという問題も有している。
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上記課題
を解決するために、下部磁気コア層上に所定のパターン
で上部磁気コア層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、上部磁気コア層を形成すべき領域に対応する
所定パターンの開口部を有する有機膜からなるリフトオ
フ層を形成した後、上記開口部を含む領域を覆う上部磁
気コア形成層を、その周縁部より外側でリフトオフ層が
表面に露出するように部分的に形成し、次いで、酸素を
含む反応性ガスを用いたプラズマエッチング法によって
リフトオフ層を除去することにより、その上層の上部磁
気コア形成層を除去し、残った上部磁気コア形成層で所
定のパターンの上部磁気コア層を形成することを特徴と
している。
を解決するために、下部磁気コア層上に所定のパターン
で上部磁気コア層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、上部磁気コア層を形成すべき領域に対応する
所定パターンの開口部を有する有機膜からなるリフトオ
フ層を形成した後、上記開口部を含む領域を覆う上部磁
気コア形成層を、その周縁部より外側でリフトオフ層が
表面に露出するように部分的に形成し、次いで、酸素を
含む反応性ガスを用いたプラズマエッチング法によって
リフトオフ層を除去することにより、その上層の上部磁
気コア形成層を除去し、残った上部磁気コア形成層で所
定のパターンの上部磁気コア層を形成することを特徴と
している。
上記の製造方法によれば、リフトオフ層上に上部磁気
コア形成層を形成した後、リフトオフ層をプラズマエッ
チングによって除去し、これによって、リフトオフ層上
の不要な上部磁気コア形成層が除去されて、所定パター
ンの上部磁気コア層が形成される。
コア形成層を形成した後、リフトオフ層をプラズマエッ
チングによって除去し、これによって、リフトオフ層上
の不要な上部磁気コア形成層が除去されて、所定パター
ンの上部磁気コア層が形成される。
このように、上記では、リフトオフ層の除去を従来の
ように有機溶剤を用いて行うのではなくプラズマエッチ
ングにより行うので、上部磁気コア形成層の成膜時に
は、基板温度を所望の温度まで上昇させることができ
る。従って、上部磁気コア層が高い焼成温度を必要とす
る場合にも、十分な密着性と磁気特性を得ることができ
る。また、イオン・ミリング法のように、上部磁気コア
形成層自身やその下地層までエッチングするということ
がないので、上部磁気コア層の形成精度を低下させた
り、導電体コイル層に損傷を与えるおそれもない。
ように有機溶剤を用いて行うのではなくプラズマエッチ
ングにより行うので、上部磁気コア形成層の成膜時に
は、基板温度を所望の温度まで上昇させることができ
る。従って、上部磁気コア層が高い焼成温度を必要とす
る場合にも、十分な密着性と磁気特性を得ることができ
る。また、イオン・ミリング法のように、上部磁気コア
形成層自身やその下地層までエッチングするということ
がないので、上部磁気コア層の形成精度を低下させた
り、導電体コイル層に損傷を与えるおそれもない。
さらに上記では、リフトオフ層における開口部を含む
領域を覆う上部磁気コア形成層は、その周縁部より外側
でリフトオフ層が表面に露出するように部分的に形成さ
れる。したがって、その後のプラズマエッチング時に
は、上部磁気コア形成層の周縁部より外側では、リフト
オフ層がの表面から厚さ方向にエッチングが進行し、そ
の除去が速やかに行われる。
領域を覆う上部磁気コア形成層は、その周縁部より外側
でリフトオフ層が表面に露出するように部分的に形成さ
れる。したがって、その後のプラズマエッチング時に
は、上部磁気コア形成層の周縁部より外側では、リフト
オフ層がの表面から厚さ方向にエッチングが進行し、そ
の除去が速やかに行われる。
また、上部磁気コア形成層で表面が覆われた領域での
リフトオフ層に対しては、開口部周縁における上部磁気
コア形成層の段差部での隙間を通しての反応ガスの侵入
し加え、周縁部で表面に露出するリフトオフ層が除去さ
れるのに伴い、この部位の上部磁気コア形成層の下側に
生じる空間を通して、周縁部からも上部磁気コア形成層
の下側に反応ガスが侵入していくことになる。
リフトオフ層に対しては、開口部周縁における上部磁気
コア形成層の段差部での隙間を通しての反応ガスの侵入
し加え、周縁部で表面に露出するリフトオフ層が除去さ
れるのに伴い、この部位の上部磁気コア形成層の下側に
生じる空間を通して、周縁部からも上部磁気コア形成層
の下側に反応ガスが侵入していくことになる。
このように、開口部と、上部磁気コア形成層における
周縁部との両側から反応ガスが侵入して上部磁気コア形
成層の下側のリフトオフ層に対してのエッチングが行わ
れるので、このリフトオフ層全体の除去をより短時間で
行うことが可能になる。
周縁部との両側から反応ガスが侵入して上部磁気コア形
成層の下側のリフトオフ層に対してのエッチングが行わ
れるので、このリフトオフ層全体の除去をより短時間で
行うことが可能になる。
本発明の一実施例を第１図及び第２図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。
すれば、以下の通りである。
本実施例は、先に構造を説明した第３図に示す巻線型
の薄膜磁気ヘッドの製造方法について示す。
の薄膜磁気ヘッドの製造方法について示す。
まず、第１図（ａ）に示すように、基板１の上面全面
に下部磁気コア層２を形成する。基板１は、フェライ
ト、アルミナ又はガラス等の耐摩耗性に優れた特性を有
する非磁性体の支持基板である。下部磁気コア層２は、
Ni−Fe、Fe−Al−Si又はCo系アモルファス合金等の軟磁
性金属膜からなり、薄膜磁気ヘッドの一方のコアを構成
することになる。
に下部磁気コア層２を形成する。基板１は、フェライ
ト、アルミナ又はガラス等の耐摩耗性に優れた特性を有
する非磁性体の支持基板である。下部磁気コア層２は、
Ni−Fe、Fe−Al−Si又はCo系アモルファス合金等の軟磁
性金属膜からなり、薄膜磁気ヘッドの一方のコアを構成
することになる。
次に、この下部磁気コア層２の上面に所定のパターン
及び厚さで絶縁層４及び導電体コイル層６を形成する。
即ち、まず下部磁気コア層２の上面全面に絶縁層４の下
層部を形成すると共に、その上に導電体コイル層６を所
定のパターンで形成し、さらにこの上面全面に絶縁層４
の上層部を形成する。なお、図面ではこの導電体コイル
層６の一辺の縦断面のみを示している。そして、この導
電体コイル層６の一辺の両側に位置するフロントギャッ
プ部Ｂ及びバックギャップ部Ｃにおける絶縁層４を下部
磁気コア層２の表面まで反応性イオンエッチング法等に
よりテーパエッチングする。また、この絶縁層４を除去
したフロントギャップ部Ｂには、磁気ギャップ５を構成
するための薄い絶縁層４を改めて形成する。この絶縁層
４は、SiO2、Al2O3又はSi3N4等の非磁性絶縁膜であれば
いずれでもよいが、ここでは、Ｐ−CVD法で成膜されたS
iO2膜を用いている。また、導電体コイル層６は、Cu、A
l、Au又はAg等の導電体膜からなる。
及び厚さで絶縁層４及び導電体コイル層６を形成する。
即ち、まず下部磁気コア層２の上面全面に絶縁層４の下
層部を形成すると共に、その上に導電体コイル層６を所
定のパターンで形成し、さらにこの上面全面に絶縁層４
の上層部を形成する。なお、図面ではこの導電体コイル
層６の一辺の縦断面のみを示している。そして、この導
電体コイル層６の一辺の両側に位置するフロントギャッ
プ部Ｂ及びバックギャップ部Ｃにおける絶縁層４を下部
磁気コア層２の表面まで反応性イオンエッチング法等に
よりテーパエッチングする。また、この絶縁層４を除去
したフロントギャップ部Ｂには、磁気ギャップ５を構成
するための薄い絶縁層４を改めて形成する。この絶縁層
４は、SiO2、Al2O3又はSi3N4等の非磁性絶縁膜であれば
いずれでもよいが、ここでは、Ｐ−CVD法で成膜されたS
iO2膜を用いている。また、導電体コイル層６は、Cu、A
l、Au又はAg等の導電体膜からなる。
このようにして絶縁層４及び導電体コイル層６が形成
されると、その上面全面に有機膜からなるリフトオフ層
７を形成して第１図（ａ）に示す状態とする。このリフ
トオフ層７は、10μｍ〜30μｍの厚さのポリイミド膜か
らなり、300℃〜400℃で焼成される。なお、このリフト
オフ層７は、その他、通常より高温の150℃〜200℃以上
で焼成されるフォトレジスト膜を用いてもよく、後に形
成する上部磁気コア形成層８の成膜時における基板温度
より高温で焼成できるものであれば、これに限定されな
い。また、このリフトオフ層７の膜厚についても、後に
形成する上部磁気コア形成層８の膜厚及びその後のプラ
ズマエッチングによる除去条件等により、適宜定めるこ
とができる。
されると、その上面全面に有機膜からなるリフトオフ層
７を形成して第１図（ａ）に示す状態とする。このリフ
トオフ層７は、10μｍ〜30μｍの厚さのポリイミド膜か
らなり、300℃〜400℃で焼成される。なお、このリフト
オフ層７は、その他、通常より高温の150℃〜200℃以上
で焼成されるフォトレジスト膜を用いてもよく、後に形
成する上部磁気コア形成層８の成膜時における基板温度
より高温で焼成できるものであれば、これに限定されな
い。また、このリフトオフ層７の膜厚についても、後に
形成する上部磁気コア形成層８の膜厚及びその後のプラ
ズマエッチングによる除去条件等により、適宜定めるこ
とができる。
上記リフトオフ層７は、第１図（ｂ）に示すように、
所定のパターンにエッチングする。このリフトオフ層７
のエッチングは、Cu、Al又はSiO2等のように酸素プラズ
マに対して耐性を有するマスク材を所定パターンに形成
して、酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング法等に
より行う。また、このリフトオフ層７による所定パター
ンは、後に形成すべき上部磁気コア層３の形成パターン
を反転したものである。従って、リフトオフ層７は、こ
の上部磁気コア層３が形成されるべき部分を開口したも
のとなる。このリフトオフ層７のエッチングに使用した
マスク材は、その後除去される。
所定のパターンにエッチングする。このリフトオフ層７
のエッチングは、Cu、Al又はSiO2等のように酸素プラズ
マに対して耐性を有するマスク材を所定パターンに形成
して、酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング法等に
より行う。また、このリフトオフ層７による所定パター
ンは、後に形成すべき上部磁気コア層３の形成パターン
を反転したものである。従って、リフトオフ層７は、こ
の上部磁気コア層３が形成されるべき部分を開口したも
のとなる。このリフトオフ層７のエッチングに使用した
マスク材は、その後除去される。
なお、このリフトオフ層７は、上記方法以外に、いわ
ゆるポジおよびネガプロセスといわれるレジスト現像液
でポリイミドを一緒に除去する方法により形成すること
もできる。ただし、ここで除去するポリイミドは未焼成
のため、実際にはポリイミド膜となる前の状態である。
また、その他の方法として、感光性のポリイミドレジス
トを用いる方法でもよく、その形成方法は限定されな
い。
ゆるポジおよびネガプロセスといわれるレジスト現像液
でポリイミドを一緒に除去する方法により形成すること
もできる。ただし、ここで除去するポリイミドは未焼成
のため、実際にはポリイミド膜となる前の状態である。
また、その他の方法として、感光性のポリイミドレジス
トを用いる方法でもよく、その形成方法は限定されな
い。
このようにしてリフトオフ層７のエッチングが完了す
ると、その上面の所定領域に上部磁気コア形成層８を形
成して第１図（ｂ）に示す状態とする。上部磁気コア形
成層８は、後に上部磁気コア層３となるものであり、下
部磁気コア層２と同じNi−Fe、Fe−Al−Si又はCo系アモ
ルファス合金等の軟磁性金属膜からなる。ここで、リフ
トオフ層７は、従来のリフト・オフ法のように有機溶剤
を用いるのではなく、後に説明するようにプラズマエッ
チング法により確実に除去されるので、この上部磁気コ
ア形成層８の形成の際には、基板温度を十分に高めるこ
とができる。ただし、特に必要がなければ、ここでの焼
成温度は任意に定めることができる。また、第２図に示
すように、この上部磁気コア形成層８を形成する所定領
域Ｄ（第２図のハッチング部）は、リフトオフ層７の開
口部Ｅ…を全て覆い、かつリフトオフ層７の上面につい
ては、その一部のみを覆うような領域とする。
ると、その上面の所定領域に上部磁気コア形成層８を形
成して第１図（ｂ）に示す状態とする。上部磁気コア形
成層８は、後に上部磁気コア層３となるものであり、下
部磁気コア層２と同じNi−Fe、Fe−Al−Si又はCo系アモ
ルファス合金等の軟磁性金属膜からなる。ここで、リフ
トオフ層７は、従来のリフト・オフ法のように有機溶剤
を用いるのではなく、後に説明するようにプラズマエッ
チング法により確実に除去されるので、この上部磁気コ
ア形成層８の形成の際には、基板温度を十分に高めるこ
とができる。ただし、特に必要がなければ、ここでの焼
成温度は任意に定めることができる。また、第２図に示
すように、この上部磁気コア形成層８を形成する所定領
域Ｄ（第２図のハッチング部）は、リフトオフ層７の開
口部Ｅ…を全て覆い、かつリフトオフ層７の上面につい
ては、その一部のみを覆うような領域とする。
なお、本実施例では、まずFe−Al−Si膜をリフトオフ
層７の上面全面に200℃〜250℃の基板温度で成膜し、こ
れをHC1−HNO3系のエッチング液により所定領域Ｄだけ
を残してエッチングすることにより上部磁気コア形成層
８を形成している。もっとも、マスクスパッタ法又はマ
スク蒸着法等により、最初から所定領域Ｄの形状となる
ように上部磁気コア形成層８を形成することもできる。
ただし、この方法では、所定領域Ｄの端部での上部磁気
コア形成層８の膜厚が薄くなるので、後の工程でプラズ
マエッチングを行う際にこの薄くなった膜がタレて、下
層のリフトオフ層７のサイドエッチング速度を低下させ
るおそれがある。従って、本実施例による方法の方が適
当であると考える。
層７の上面全面に200℃〜250℃の基板温度で成膜し、こ
れをHC1−HNO3系のエッチング液により所定領域Ｄだけ
を残してエッチングすることにより上部磁気コア形成層
８を形成している。もっとも、マスクスパッタ法又はマ
スク蒸着法等により、最初から所定領域Ｄの形状となる
ように上部磁気コア形成層８を形成することもできる。
ただし、この方法では、所定領域Ｄの端部での上部磁気
コア形成層８の膜厚が薄くなるので、後の工程でプラズ
マエッチングを行う際にこの薄くなった膜がタレて、下
層のリフトオフ層７のサイドエッチング速度を低下させ
るおそれがある。従って、本実施例による方法の方が適
当であると考える。
この工程の結果、上部磁気コア形成層８における上部
磁気コア層３となる部分は、リフトオフ層７の開口部Ｅ
内で下部磁気コア層２及び絶縁層４上に形成され、不要
な部分は、リフトオフ層７上に形成されることになる。
磁気コア層３となる部分は、リフトオフ層７の開口部Ｅ
内で下部磁気コア層２及び絶縁層４上に形成され、不要
な部分は、リフトオフ層７上に形成されることになる。
上部磁気コア形成層８が形成されると、プラズマエッ
チング法によりリフトオフ層７を除去する。本実施例で
は、円筒型プラズマエッチング装置を用いて、酸素ガス
圧0.8torr、印加パワー400Wのエッチング条件で酸素ガ
スによるプラズマエッチングを行った。この条件では、
10時間のエッチング時間で15μｍの厚さのポリイミド膜
のサイドエッチングが100μｍ〜150μｍ進行する。ま
た、本実施例では、第２図にl1で示すリフトオフ層７の
開口部Ｅの長さを100μｍとし、l2で示す上部磁気コア
形成層８の所定領域Ｄにおける半分の幅を150μｍとし
ている。従って、このプラズマエッチングによれば、10
時間で全てのリフトオフ層７のサイドエッチングが可能
であり、この上層の不要な上部磁気コア形成層８を除去
することができる。
チング法によりリフトオフ層７を除去する。本実施例で
は、円筒型プラズマエッチング装置を用いて、酸素ガス
圧0.8torr、印加パワー400Wのエッチング条件で酸素ガ
スによるプラズマエッチングを行った。この条件では、
10時間のエッチング時間で15μｍの厚さのポリイミド膜
のサイドエッチングが100μｍ〜150μｍ進行する。ま
た、本実施例では、第２図にl1で示すリフトオフ層７の
開口部Ｅの長さを100μｍとし、l2で示す上部磁気コア
形成層８の所定領域Ｄにおける半分の幅を150μｍとし
ている。従って、このプラズマエッチングによれば、10
時間で全てのリフトオフ層７のサイドエッチングが可能
であり、この上層の不要な上部磁気コア形成層８を除去
することができる。
通常のリフト・オフ法であればリフトオフ層７の除去
は、このリフトオフ層７上の上部磁気コア形成層８と開
口部Ｅ内の上部磁気コア形成層８との隙間から行われ
る。しかし、ここでは、上部磁気コア形成層８の形成を
所定領域Ｄに限り、この所定領域Ｄの端部から第２図の
矢印Ｆ方向にサイドエッチングを行うことができるの
で、エッチングの進行速度が早く、かつエッチング量も
少なくて済む。また、このような酸素を含む反応性ガス
を用いたプラズマエッチングによれば、上部磁気コア形
成層８の成膜時に基板温度を高くした場合にも、リフト
オフ層７を完全に除去することができる。
は、このリフトオフ層７上の上部磁気コア形成層８と開
口部Ｅ内の上部磁気コア形成層８との隙間から行われ
る。しかし、ここでは、上部磁気コア形成層８の形成を
所定領域Ｄに限り、この所定領域Ｄの端部から第２図の
矢印Ｆ方向にサイドエッチングを行うことができるの
で、エッチングの進行速度が早く、かつエッチング量も
少なくて済む。また、このような酸素を含む反応性ガス
を用いたプラズマエッチングによれば、上部磁気コア形
成層８の成膜時に基板温度を高くした場合にも、リフト
オフ層７を完全に除去することができる。
なお、本実施例では、リフトオフ層７の下層の絶縁層
４としてＰ−CVD法で成膜されたSiO2膜を用いているの
で、上記プラズマエッチング法で用いる反応性ガスは酸
素ガスのみを使用した。しかし、CFx−O2系の反応性ガ
スによるプラズマエッチングによれば、リフトオフ層７
のエッチング速度をさらに高めることができる。ただ
し、この場合には、リフトオフ層７の下地層としてCu、
Al、Ni又はFe等の膜を形成するか、又は、Al2O3等から
なる絶縁層４を用いることにより、このCFx−O2系の反
応性ガスに対して耐性を有するようにする必要がある。
４としてＰ−CVD法で成膜されたSiO2膜を用いているの
で、上記プラズマエッチング法で用いる反応性ガスは酸
素ガスのみを使用した。しかし、CFx−O2系の反応性ガ
スによるプラズマエッチングによれば、リフトオフ層７
のエッチング速度をさらに高めることができる。ただ
し、この場合には、リフトオフ層７の下地層としてCu、
Al、Ni又はFe等の膜を形成するか、又は、Al2O3等から
なる絶縁層４を用いることにより、このCFx−O2系の反
応性ガスに対して耐性を有するようにする必要がある。
このようにして、リフトオフ層７上の不要な上部磁気
コア形成層８を除去すれば、第１図（ｃ）に示すよう
に、残った上部磁気コア形成層８により所定パターンの
上部磁気コア層３を形成することができる。そして、こ
れを適宜切断することにより、第３図に示す薄膜磁気ヘ
ッドが完成する。
コア形成層８を除去すれば、第１図（ｃ）に示すよう
に、残った上部磁気コア形成層８により所定パターンの
上部磁気コア層３を形成することができる。そして、こ
れを適宜切断することにより、第３図に示す薄膜磁気ヘ
ッドが完成する。
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以上のよ
うに、下部磁気コア層上に所定のパターンで上部磁気コ
ア層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上
部磁気コア層を形成すべき領域に対応する所定パターン
の開口部を有する有機膜からなるリフトオフ層を形成し
た後、上記開口部を含む領域を覆う上部磁気コア形成層
を、その周縁部より外側でリフトオフ層が表面に露出す
るように部分的に形成し、次いで、酸素を含む反応性ガ
スを用いたプラズマエッチング法によってリフトオフ層
を除去することにより、その上層の上部磁気コア形成層
を除去し、残った上部磁気コア形成層で所定のパターン
の上部磁気コア層を形成する構成をなしている。
うに、下部磁気コア層上に所定のパターンで上部磁気コ
ア層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上
部磁気コア層を形成すべき領域に対応する所定パターン
の開口部を有する有機膜からなるリフトオフ層を形成し
た後、上記開口部を含む領域を覆う上部磁気コア形成層
を、その周縁部より外側でリフトオフ層が表面に露出す
るように部分的に形成し、次いで、酸素を含む反応性ガ
スを用いたプラズマエッチング法によってリフトオフ層
を除去することにより、その上層の上部磁気コア形成層
を除去し、残った上部磁気コア形成層で所定のパターン
の上部磁気コア層を形成する構成をなしている。
これにより、リフトオフ層をプラズマエッチングによ
って完全に除去し、残った上部磁気コア形成層により、
所定パターンの上部磁気コア層を形成することができ
る。
って完全に除去し、残った上部磁気コア形成層により、
所定パターンの上部磁気コア層を形成することができ
る。
従って、本発明は、以下のような効果を奏する。
湿式エッチング法のように、上部磁気コア層自身が
サイドエッチングされるということがないので、厚く形
成した上部磁気コア層のパターン形成精度を高めること
ができる。
サイドエッチングされるということがないので、厚く形
成した上部磁気コア層のパターン形成精度を高めること
ができる。
イオン・ミリング法とは異なり、リフトオフ層のみ
を選択して除去することができるので、厚い上部磁気コ
ア層に対応してさらに厚いフォトレジスト膜を形成する
という必要がなくなり、また導電体コイル層に損傷を与
えるおそれもなくなる。
を選択して除去することができるので、厚い上部磁気コ
ア層に対応してさらに厚いフォトレジスト膜を形成する
という必要がなくなり、また導電体コイル層に損傷を与
えるおそれもなくなる。
従来のリフト・オフ法のように有機溶剤で溶解する
のではないので、上部磁気コア形成層の成膜時における
熱の影響によりリフトオフ層が完全に除去できなくなる
というようなことがない。また、この上部磁気コア形成
層の成膜の際に、必要があれば基板温度を十分に高くす
ることができるので、上部磁気コア層の下地層への密着
性を高め、磁気特性も十分に引き出すことができる。
のではないので、上部磁気コア形成層の成膜時における
熱の影響によりリフトオフ層が完全に除去できなくなる
というようなことがない。また、この上部磁気コア形成
層の成膜の際に、必要があれば基板温度を十分に高くす
ることができるので、上部磁気コア層の下地層への密着
性を高め、磁気特性も十分に引き出すことができる。
しかも、リフトオフによるリフトオフ層および不要な
上部磁気コア形成層の除去を、より短時間で行うことが
できる。
上部磁気コア形成層の除去を、より短時間で行うことが
できる。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第１図（ａ）〜（ｃ）は薄膜磁気ヘッドの製造方
法の各工程を示す部分縦断面図、第２図は第１図（ｂ）
の工程におけるより広い領域の平面図である。第３図は
薄膜磁気ヘッドの構造を示すための縦断面図である。第
４図（ａ）（ｂ）は従来例を示すものであって、リフト
・オフ法の各工程を示す縦断面図である。 ２は下部磁気コア層、３は上部磁気コア層、７はリフト
オフ層、８は上部磁気コア形成層、Ｅは開口部である。
って、第１図（ａ）〜（ｃ）は薄膜磁気ヘッドの製造方
法の各工程を示す部分縦断面図、第２図は第１図（ｂ）
の工程におけるより広い領域の平面図である。第３図は
薄膜磁気ヘッドの構造を示すための縦断面図である。第
４図（ａ）（ｂ）は従来例を示すものであって、リフト
・オフ法の各工程を示す縦断面図である。 ２は下部磁気コア層、３は上部磁気コア層、７はリフト
オフ層、８は上部磁気コア形成層、Ｅは開口部である。
Claims (1)
- 【請求項１】下部磁気コア層上に所定のパターンで上部
磁気コア層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、 上部磁気コア層を形成すべき領域に対応する所定パター
ンの開口部を有する有機膜からなるリフトオフ層を形成
した後、上記開口部を含む領域を覆う上部磁気コア形成
層を、その周縁部より外側でリフトオフ層が表面に露出
するように部分的に形成し、次いで、酸素を含む反応性
ガスを用いたプラズマエッチング法によってリフトオフ
層を除去することにより、その上層の上部磁気コア形成
層を除去し、残った上部磁気コア形成層で所定のパター
ンの上部磁気コア層を形成することを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63157267A JP2501873B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US07/370,181 US4966648A (en) | 1988-06-23 | 1989-06-23 | Process for producing thin film magnetic head |
| DE68921795T DE68921795T2 (de) | 1988-06-23 | 1989-06-23 | Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmmagnetkopfes. |
| EP89306405A EP0348230B1 (en) | 1988-06-23 | 1989-06-23 | Process for producing thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63157267A JP2501873B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025213A JPH025213A (ja) | 1990-01-10 |
| JP2501873B2 true JP2501873B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=15645922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63157267A Expired - Fee Related JP2501873B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4966648A (ja) |
| EP (1) | EP0348230B1 (ja) |
| JP (1) | JP2501873B2 (ja) |
| DE (1) | DE68921795T2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5236735A (en) * | 1989-05-27 | 1993-08-17 | Tdk Corporation | Method of producing a thin film magnetic head |
| US5256249A (en) * | 1991-09-17 | 1993-10-26 | Seagate Technology, Inc. | Method of manufacturing a planarized magnetoresistive sensor |
| JPH06215329A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-08-05 | Mitsumi Electric Co Ltd | 微細導電パターンの形成方法 |
| US6118351A (en) * | 1997-06-10 | 2000-09-12 | Lucent Technologies Inc. | Micromagnetic device for power processing applications and method of manufacture therefor |
| US6440750B1 (en) | 1997-06-10 | 2002-08-27 | Agere Systems Guardian Corporation | Method of making integrated circuit having a micromagnetic device |
| US5966800A (en) * | 1997-07-28 | 1999-10-19 | Read-Rite Corporation | Method of making a magnetic head with aligned pole tips and pole layers formed of high magnetic moment material |
| JP2995170B2 (ja) * | 1998-03-12 | 1999-12-27 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JP3721262B2 (ja) | 1998-07-23 | 2005-11-30 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 薄膜磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッド |
| US6255714B1 (en) | 1999-06-22 | 2001-07-03 | Agere Systems Guardian Corporation | Integrated circuit having a micromagnetic device including a ferromagnetic core and method of manufacture therefor |
| JP2001195708A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JP2001344713A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-14 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法と薄膜磁気ヘッド |
| CN1910678A (zh) * | 2004-01-19 | 2007-02-07 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 制造磁光装置的方法 |
| US8070574B2 (en) * | 2007-06-06 | 2011-12-06 | Shuffle Master, Inc. | Apparatus, system, method, and computer-readable medium for casino card handling with multiple hand recall feature |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59155947A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多層配線方法 |
| JPS60110140A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-15 | Hitachi Ltd | 配線構造体形成方法 |
| JPS6284413A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-17 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS6286517A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS62229513A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Nec Kansai Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS62256208A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-07 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘツドのギヤツプ部の構造 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5661018A (en) * | 1979-10-19 | 1981-05-26 | Hitachi Ltd | Manufacture of thin film magnetic head |
| US4424271A (en) * | 1982-09-15 | 1984-01-03 | Magnetic Peripherals Inc. | Deposition process |
| JPH061769B2 (ja) * | 1983-08-10 | 1994-01-05 | 株式会社日立製作所 | アルミナ膜のパターニング方法 |
| CA1260754A (en) * | 1983-12-26 | 1989-09-26 | Teiji Majima | Method for forming patterns and apparatus used for carrying out the same |
| JPS6260662A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-17 | Alps Electric Co Ltd | サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPS6262414A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-19 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS6288120A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツドの形成方法 |
| JPS63173213A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-16 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1988
- 1988-06-23 JP JP63157267A patent/JP2501873B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-06-23 US US07/370,181 patent/US4966648A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-23 EP EP89306405A patent/EP0348230B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-23 DE DE68921795T patent/DE68921795T2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59155947A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多層配線方法 |
| JPS60110140A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-15 | Hitachi Ltd | 配線構造体形成方法 |
| JPS6284413A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-17 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS6286517A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS62229513A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Nec Kansai Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS62256208A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-07 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘツドのギヤツプ部の構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0348230A3 (en) | 1991-05-02 |
| DE68921795T2 (de) | 1995-07-13 |
| JPH025213A (ja) | 1990-01-10 |
| EP0348230A2 (en) | 1989-12-27 |
| DE68921795D1 (de) | 1995-04-27 |
| EP0348230B1 (en) | 1995-03-22 |
| US4966648A (en) | 1990-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5650897A (en) | Thin film magnetic head including lightning arrester and process for making the same | |
| JP2501873B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| US4539616A (en) | Thin film magnetic head and fabricating method thereof | |
| US5062196A (en) | Method of manufacturing the pole pieces and the gap of magnetic heads in thin layers | |
| JPH07118057B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2702215B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| US6775098B2 (en) | Magnetic recording head with dielectric layer separating magnetic pole tips extensions from the zero throat coil insulator | |
| US6274025B1 (en) | Chemical approach to develop lift-off photoresist structure and passivate MR sensor | |
| JP2535819B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| KR0184395B1 (ko) | 박막 자기 헤드 제조 방법 | |
| JP2747099B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP3336681B2 (ja) | 薄膜磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2635670B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2549367B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP2861080B2 (ja) | 非晶質合金磁性膜のパターン形成方法 | |
| JP2982634B2 (ja) | 水平型薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0554333A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH06295417A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH07296327A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH064828A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH08180330A (ja) | 磁気抵抗効果型読み取り変換器の製造方法 | |
| JPS63281209A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH06301923A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0664716B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP2002008206A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |