JP3219165B2 - 金属膜パターン形成方法 - Google Patents
金属膜パターン形成方法Info
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Description
ルピース等のように、高精度パターンが要求される金属
膜パターンの形成方法に関する。
をメッキによって形成する場合、基板の表面に、接着層
となる第1の金属膜を付着させ、この第1の金属膜の表
面に下地層となる第2の金属膜を積層しておき、この第
2の金属膜の表面にポールピースとなる第3の金属膜を
メッキによって付着させる。第3の金属膜のパターン形
成に当っては、フォトリソグラフィと称される高精度パ
ターン形成技術が適用されるが、フォトリソグラフィに
よるパターン形成技術には化学的エッチング処理工程が
含まれており、第1の金属膜及び第2の金属膜が、必要
な領域を超えてエッチングされ、アンダーカットを生じ
ることがある。アンダーカットを回避するための従来技
術としては、特開昭57ー120675号公報に記載さ
れた技術が公知である。
る第1の金属膜まで、イオンミリングによって除去す
る。このため、第3の金属膜がミリングに曝される時間
が長くなり、ポールピースとなるべき第3の金属膜の膜
厚が減少したり、受けるダメージが大きくなる等の問題
点があった。
して、特開昭64ー47883号公報がある。この先行
技術では、フォトレジスト枠の除去跡において、第2の
金属膜は除去し、第1の金属膜は残すように処理する。
第2の金属膜の除去はイオンミリングによって行なう
が、第1の金属膜は残すように処理するので、第3の金
属膜がイオンミリングに曝される時間が短くなる。この
ため、イオンミリングによる第3の金属膜の膜厚減少及
びダメージを低減させることができる。
64ー47883号公報に開示された発明では、第2の
金属膜をイオンミリングによって除去していたので、ポ
ールピースとなる第3の金属膜の膜厚減少及びダメージ
を完全に回避する訳には行かなかった。
なるべき第3の金属膜の膜厚減少及び受けるダメージ
を、確実に回避し得る金属膜パターン形成方法を提供す
ることである。
め、本発明に係る金属膜パターン形成方法は、少なくと
も6つの工程を含む。第1の工程は、基板上に第1の金
属膜及び第2の金属膜を積層して形成した後、第2の金
属膜上にフォトレジスト枠を付着させる工程であり、前
記第1の金属膜及び前記第2の金属膜は互いに異なる材
料でなる。第2の工程は、前記第2の金属膜の表面の前
記フォトレジスト枠によって区画された内外に第3の金
属膜を付着させる工程であり、前記第3の金属膜は前記
第2の金属膜とは異なる材料でなる。第3の工程は、前
記フォトレジスト枠を除去する工程である。第4の工程
は、前記フォトレジスト枠の除去跡において前記第2の
金属膜を除去し前記第1の金属膜を残すように処理する
工程であって、前記第2の金属膜の除去手段は、エッチ
ング液を用いて、前記第2の金属膜のみを選択的にエッ
チングする化学的選択エッチングである。第5の工程
は、前記除去跡を満たし、かつ、前記除去跡によって囲
まれた第3の金属膜を覆うようにフォトレジストを付着
させる工程である。第6の工程は、フォトレジストの外
側の第3の金属膜、第2の金属膜、第1の金属膜及びフ
ォトレジストを除去する工程である。
いて第2の金属膜を除去し第1の金属膜を残すように処
理する工程であって、第2の金属膜の除去手段が化学的
選択エッチングであるから、第3の金属膜がイオンミリ
ングに曝されることがない。このため、イオンミリング
による第3の金属膜の膜厚減少及びダメージを回避する
ことができる。
トレジストによって満たしてあるので、第1の金属膜
は、第2の金属膜の下側から延長された部分をフォトレ
ジストによって覆った構造となる。このため、化学的エ
ッチングによって第3の金属膜及び第2の金属膜を除去
した場合、エッチング剤による食刻はフォトレジストの
下側に延長された部分にとどまり、第2の金属膜の下側
に位置する第1の金属膜には及ばない。従って、第1の
金属膜のアンダーカットを回避できる。また、第1の金
属膜を、第3の金属膜を除去する時に使用されるエッチ
ング剤に対して耐エッチング性のある材質によって形成
し、第1の金属膜のアンダーカットを回避できる。
成工程を示す図である。
程、図3に示された工程が第2の工程、図4に示された
工程が第3の工程、図5に示された工程が第4の工程、
図6に示された工程が第5の工程、図7以降が第6の工
程にそれぞれ対応する。まず、第1の工程では、図1に
示すように、基板1の上にメッキ等の手段によって第1
の金属膜2及び第2の金属膜3を積層して付着させる。
薄膜磁気ヘッドを構成する場合の基板1、第1の金属膜
2及び第2の金属膜3の材質は周知である。代表的に
は、基板1はAl2O3 .TiC 等で構成され、表面にAl2O3
膜等の絶縁膜を有する。第1の金属膜2はチタン等で構
成され、第2の金属膜3はニッケル系合金、クロム等で
構成される。次に、図2に示すように、第2の金属膜3
の上に、フォトレジスト枠4を付着させる。フォトレジ
スト枠4は最終的に得ようとするパターンに対応したパ
ターンとなるように付着させる。
第2の金属膜3の表面のフォトレジスト枠4によって区
画された内外に、第3の金属膜5をメッキによって付着
させる。この第3の金属膜5は薄膜磁気ヘッドにおいて
はパーマロイ等の磁性薄膜として形成される。
フォトレジスト枠4を除去して第2の金属膜3を露出さ
せる。
第4の工程では、図5に示されるように、フォトレジス
ト枠4の除去跡41において、第2の金属膜3は除去
し、第1の金属膜2は残すように処理する。第1の金属
膜2を除去する場合、従来は、イオンミリング処理を行
なっていた。このため、前述したように、イオンミリン
グによる第3の金属膜5の膜厚減少及びダメージを完全
に回避する訳には行かなかった。本発明においては、第
2の金属膜3は、イオンミリングではなく、化学的選択
エッチングによって行なう。従って、第3の金属膜5が
イオンミリングに曝されることがない。このため、イオ
ンミリングによる第3の金属膜5の膜厚減少及びダメー
ジを完全に回避することができる。化学的選択エッチン
グは第2の金属膜3の材質に応じたエッチング液を選択
することによって実行される。第2の金属膜3がニッケ
ル系合金でなる場合に適したエッチング液の代表例はア
ルキルベンゼンスルホン酸である。
に、除去跡41を満たし、かつ、除去跡41によって囲
まれた第3の金属膜3を覆うように、フォトレジスト6
を付着させる。
に、フォトレジスト6の外側の第3の金属膜5及び第2
の金属膜3を除去する。この場合、第1の金属膜2は第
2の金属膜3の下からフォトレジスト6の下側に延長さ
れた部分があるから、化学的エッチングによって第3の
金属膜5及び第2の金属膜3を除去した場合、第1の金
属膜2の食刻はフォトレジスト6の下側に延長された部
分にとどまり、第2の金属膜3の下側に位置する部分ま
では及ばない。従って、第1の金属膜2のアンダーカッ
トを回避できる。また、第1の金属膜2をチタンによっ
て形成した場合には、パーマロイでなる第3の金属膜5
を除去する時に使用されるエッチング剤FeCl3 に対する
耐エッチング性を確保できるので、この面からも、第1
の金属膜2のアンダーカットを回避できる。
6を除去し、次に、図9に示すように第1の金属膜2を
除去して最終パターンが得られる。
のような効果が得られる。 (a)第4の工程は、フォトレジスト枠の除去跡におい
て第2の金属膜を除去し第1の金属膜を残すように処理
する工程であって、第2の金属膜の除去手段が化学的選
択エッチングであるから、イオンミリングによる第3の
金属膜の膜厚減少及びダメージを完全に回避し得る金属
膜パターン形成方法を提供できる。 (b)フォトレジスト枠の除去跡を、フォトレジストに
よって満たしてあるので、第1の金属膜のアンダーカッ
トを回避し得る金属膜パターン形成方法を提供できる。
示す図である。
る。
る。
る。
る。
る。
る。
る。
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 少なくとも6つの工程を含む金属膜パタ
ーン形成方法であって、 第1の工程は、基板上に第1の金属膜及び第2の金属膜
を積層して形成した後、第2の金属膜上にフォトレジス
ト枠を付着させる工程であり、前記第1の金属膜及び前
記第2の金属膜は互いに異なる材料でなり、 第2の工程は、前記第2の金属膜の表面の前記フォトレ
ジスト枠によって区画された内外に第3の金属膜を付着
させる工程であり、前記第3の金属膜は前記第2の金属
膜とは異なる材料でなり、 第3の工程は、前記フォトレジスト枠を除去する工程で
あり、 第4の工程は、前記フォトレジスト枠の除去跡において
前記第2の金属膜を除去し前記第1の金属膜を残すよう
に処理する工程であって、前記第2の金属膜の除去手段
は、エッチング液を用いて、前記第2の金属膜のみを選
択的にエッチングする化学的選択エッチングであり、 第5の工程は、前記除去跡を満たし、かつ、前記除去跡
によって囲まれた第3の金属膜を覆うようにフォトレジ
ストを付着させる工程であり、 第6の工程は、フォトレジストの外側の第3の金属膜、
第2の金属膜、第1の金属膜及びフォトレジストを除去
する工程である金属膜パターン形成方法。
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JP25547992A JP3219165B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 金属膜パターン形成方法 |
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JPH0681173A JPH0681173A (ja) | 1994-03-22 |
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JP25547992A Expired - Fee Related JP3219165B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 金属膜パターン形成方法 |
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Cited By (1)
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1992
- 1992-08-31 JP JP25547992A patent/JP3219165B2/ja not_active Expired - Fee Related
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