JPS59223916A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS59223916A JPS59223916A JP58096207A JP9620783A JPS59223916A JP S59223916 A JPS59223916 A JP S59223916A JP 58096207 A JP58096207 A JP 58096207A JP 9620783 A JP9620783 A JP 9620783A JP S59223916 A JPS59223916 A JP S59223916A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- magnetic
- element pattern
- substrate
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a1発明の技術分野
本発明は、磁気装置のデータの書込み、読取りを行う薄
膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に薄膜磁気ヘッドの
パターン形成方法の改良に関す。
膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に薄膜磁気ヘッドの
パターン形成方法の改良に関す。
(bl技術の背景
近来、コンピュータの周辺端末機及びその附属装置とし
て各種磁気装置が開発、実用化されている。磁気装置の
磁気記憶媒体としては、磁気テープ、磁気ディスク、磁
気ドラム等が用いられ、これらの磁気記憶媒体へのデー
タの書込み、読取りには各種の磁気ヘッドが使用されて
おり、中でも高分解能を有し、且つ廉価な薄膜磁気ヘッ
ドが広く普及しており主流を成している。
て各種磁気装置が開発、実用化されている。磁気装置の
磁気記憶媒体としては、磁気テープ、磁気ディスク、磁
気ドラム等が用いられ、これらの磁気記憶媒体へのデー
タの書込み、読取りには各種の磁気ヘッドが使用されて
おり、中でも高分解能を有し、且つ廉価な薄膜磁気ヘッ
ドが広く普及しており主流を成している。
薄膜磁気ヘッドの磁極の製作には、微細加工技術が広く
応用されており、基板に施されたメッキ層をエツチング
によってパターン形成して製作されるが、エツチング処
理によるパターン周辺を不必要に侵食する。所謂“食わ
れ”現象を呈し、磁気特性を損なうことがあるので、そ
の改良が望まれている。
応用されており、基板に施されたメッキ層をエツチング
によってパターン形成して製作されるが、エツチング処
理によるパターン周辺を不必要に侵食する。所謂“食わ
れ”現象を呈し、磁気特性を損なうことがあるので、そ
の改良が望まれている。
(C1従来技術と問題点
以下従来方法について第1図〜第5図を参照して説明す
る。第1図は本発明が適用されるコンタクトスタートス
トップタイプ(C3Sタイプ)の磁気ディスク装置を一
部破断して例示する側面図、第2図は第1図の磁気ヘッ
ドを一部破断して示す側断面図、第3図は第2図の平面
図、第4図ial〜(elは従来方法を示す工程図、第
5図は第4図(a)〜(elの説明図である。
る。第1図は本発明が適用されるコンタクトスタートス
トップタイプ(C3Sタイプ)の磁気ディスク装置を一
部破断して例示する側面図、第2図は第1図の磁気ヘッ
ドを一部破断して示す側断面図、第3図は第2図の平面
図、第4図ial〜(elは従来方法を示す工程図、第
5図は第4図(a)〜(elの説明図である。
第1図に示すように、磁気ディスクパック1は回転軸3
に、表面に磁性材を塗布したディスク2を通常10Pi
程度等間隔に嵌合固定して構成され、回転軸3の下端は
筺体1oの底の中心部に固定された軸受4に嵌合し回転
できるように支持されている。
に、表面に磁性材を塗布したディスク2を通常10Pi
程度等間隔に嵌合固定して構成され、回転軸3の下端は
筺体1oの底の中心部に固定された軸受4に嵌合し回転
できるように支持されている。
一方磁気ヘッド5はアーム6の先端部に取り付けられて
おり、複数のアーム6の他端は夫々キャリア7に固定さ
れている。
おり、複数のアーム6の他端は夫々キャリア7に固定さ
れている。
キャリア7は溝付ローラ8を有し、レール9の上に移動
できるように位置している。
できるように位置している。
そして前記磁気ディスクパックl、磁気ヘッド5、キャ
リア7、レール9及び軸受4は筐体1゜に納められてい
る。
リア7、レール9及び軸受4は筐体1゜に納められてい
る。
モータ11は周辺装置のフレームベース12に装着され
ており、磁気ディスク装置の軸受4の下方より回転軸3
に連結して磁気ディスク装置を駆動する機構になってい
る。
ており、磁気ディスク装置の軸受4の下方より回転軸3
に連結して磁気ディスク装置を駆動する機構になってい
る。
このような構成を有するので、磁気ディスクパック1の
回転とキャリア7の移動によって、磁気へソl” 5は
対向しているディスク2のすべての面上を移動でき、磁
気ヘッド5の先端の後述する磁極のコイルに書込み或い
は読取り電流が流れると、ディスク2の面の所定の位置
でのデータの記録或いは読取りが行われる。
回転とキャリア7の移動によって、磁気へソl” 5は
対向しているディスク2のすべての面上を移動でき、磁
気ヘッド5の先端の後述する磁極のコイルに書込み或い
は読取り電流が流れると、ディスク2の面の所定の位置
でのデータの記録或いは読取りが行われる。
ここにおいて磁気へソド5の構成及び製作方法を説明す
ると、第2図及び第3図に示すように、磁気ヘッド5は
例えばガラスの基板13上に形成された素子パターン1
5.16から成る磁気素子14、コイルパターン17及
び絶縁層18で構成され、磁気素子14の先端部aを研
摩して磁極とする。先端部aの図において上方は保護膜
19で保護されている。
ると、第2図及び第3図に示すように、磁気ヘッド5は
例えばガラスの基板13上に形成された素子パターン1
5.16から成る磁気素子14、コイルパターン17及
び絶縁層18で構成され、磁気素子14の先端部aを研
摩して磁極とする。先端部aの図において上方は保護膜
19で保護されている。
ここにおいて素子パターン15の形成方法について説明
すると、第4図+a)は基板13面にメンキベース20
として、例えばパーマロイ (Ni−Fe ) 。
すると、第4図+a)は基板13面にメンキベース20
として、例えばパーマロイ (Ni−Fe ) 。
チタン(Ti)及びアルミニュウム(A])を夫々順に
蒸着し、第1のパターンマスクを当ててレジストを塗布
してマスキングをして、磁場中でパーマ汀 ロイのメッキを施した後、レジストを除去し、素子パタ
ーン15及びダミーパターン21.22が形成された状
態を示す。ダミーパターン21.22を必要とする理由
は、素子パターン15のメッキ層を均一に形成させて異
方性を持たせる為である。
蒸着し、第1のパターンマスクを当ててレジストを塗布
してマスキングをして、磁場中でパーマ汀 ロイのメッキを施した後、レジストを除去し、素子パタ
ーン15及びダミーパターン21.22が形成された状
態を示す。ダミーパターン21.22を必要とする理由
は、素子パターン15のメッキ層を均一に形成させて異
方性を持たせる為である。
このような状態から、ダミーパターン21.22及び不
要な部分のメッキベース20を除去して基板13上に素
子パターン15だけを残すには、第5図(b)に示すよ
うに、第2のパターンマスクを当ててメッキベース20
の露出部分、素子パターン15及びダミーパターン21
.22上にレジスト23を塗布してマスキングをする。
要な部分のメッキベース20を除去して基板13上に素
子パターン15だけを残すには、第5図(b)に示すよ
うに、第2のパターンマスクを当ててメッキベース20
の露出部分、素子パターン15及びダミーパターン21
.22上にレジスト23を塗布してマスキングをする。
そして第5図(C)に示すように、硫酸(H,SO4)
。
。
過酸化水素(h(h)及び水の混合液でエツチングを行
って、ダミーパターン21.22を除去し、更に第5図
(d)に示すように、レジスト23を除去する。
って、ダミーパターン21.22を除去し、更に第5図
(d)に示すように、レジスト23を除去する。
最後に、第5図1e)に示すように、メッキベース20
を例えばイオンミル法によって除去すると、基板13上
に素子パターン15だけが残って、パターン形成工程が
終了する。
を例えばイオンミル法によって除去すると、基板13上
に素子パターン15だけが残って、パターン形成工程が
終了する。
イオンミル法はアルゴンのような高原子量の元素を高圧
電極による加速運動により、基板13面のメンキベース
20に衝突させて除去するものである。
電極による加速運動により、基板13面のメンキベース
20に衝突させて除去するものである。
このようにして基板13上に磁気ヘッド5に必要なパー
マロイの素子パターン15が形成される。
マロイの素子パターン15が形成される。
しかしながらこの工程において、第5図(C1で説明し
たエツチング工程は、レジスト23でマスキングされて
いない部分のメッキ層、即ち、ダミーパターン21.2
2を除去するのが目的であるにも関らず、第6図に示す
ように、メッキベース20にも腐食が進行し、レジスト
23とメンキベース20の間にエツチング液が侵入して
、素子パターン15下部周辺部す、 cを侵食する。
たエツチング工程は、レジスト23でマスキングされて
いない部分のメッキ層、即ち、ダミーパターン21.2
2を除去するのが目的であるにも関らず、第6図に示す
ように、メッキベース20にも腐食が進行し、レジスト
23とメンキベース20の間にエツチング液が侵入して
、素子パターン15下部周辺部す、 cを侵食する。
食われ”現象を生ずる場合があるという欠点がある。
この為、素子パターン15の断面を使用する磁気素子1
4の磁気特性が損なわれ、データの書込み、読取りが不
確実になってエラーを生ずることがあるので使用できな
い、従って不良率が高くなるという問題がある。
4の磁気特性が損なわれ、データの書込み、読取りが不
確実になってエラーを生ずることがあるので使用できな
い、従って不良率が高くなるという問題がある。
(d1発明の目的
本発明の目的は、上記の欠点を解決する為のもので、磁
気ヘッドの磁気素子のパターン形成においてメッキ層の
“食われ”現象を防止することができるパターン形成方
法を提供するにある。
気ヘッドの磁気素子のパターン形成においてメッキ層の
“食われ”現象を防止することができるパターン形成方
法を提供するにある。
+81発明の構成
パターン形成時のダミーパターンを除去するエソチング
工程に先立って、少なくともパターンとダミーパターン
との間のメッキベースを除去することを特徴とする薄膜
パターン形成方法であり、かくすることにより目的を達
成することができる。
工程に先立って、少なくともパターンとダミーパターン
との間のメッキベースを除去することを特徴とする薄膜
パターン形成方法であり、かくすることにより目的を達
成することができる。
(f1発明の実施例
以下、本発明の一実施例を第6図(al〜(f)の工程
図を参照して説明する。第4図(al〜(ill)及び
第5図と同一個所は同符号で示す。
図を参照して説明する。第4図(al〜(ill)及び
第5図と同一個所は同符号で示す。
第6図fal〜fflは従来例で説明した第4図fal
〜(e)の第4図(at、 (blの間に、メッキベー
ス15を除去する工程、即ち、第6図(blを追加し、
第4図(b)〜te+を第6図(C1〜(f)としたも
のである。
〜(e)の第4図(at、 (blの間に、メッキベー
ス15を除去する工程、即ち、第6図(blを追加し、
第4図(b)〜te+を第6図(C1〜(f)としたも
のである。
従って第6図(a)は第4図ta+と同じであり、第6
図(b)に示すように、素子パターン15とパターン2
1.22の間のメソキヘ−ス20をイオンミル法によっ
て除去する。この際、除去するメッキベース20はエツ
チング時にエツチング液によって溶けるものだけ1例え
ばアルミニュウム蒸着層だけでもよい。
図(b)に示すように、素子パターン15とパターン2
1.22の間のメソキヘ−ス20をイオンミル法によっ
て除去する。この際、除去するメッキベース20はエツ
チング時にエツチング液によって溶けるものだけ1例え
ばアルミニュウム蒸着層だけでもよい。
そして第6図(C)に示すように、基板13の露出部分
にレジスト23でマスキングすると、素子パターン15
と基板13の間のメッキベース20はレジスト23で覆
われる。
にレジスト23でマスキングすると、素子パターン15
と基板13の間のメッキベース20はレジスト23で覆
われる。
第6図+d)に示すように、エツチングによってダミー
パターン21.22を除去すると、その下のメッキベー
ス20は若干腐食されるが残っている。
パターン21.22を除去すると、その下のメッキベー
ス20は若干腐食されるが残っている。
そして素子パターン15の下部周辺は腐食されない。
第6図(e)に示すように、レジスト23のマスキング
を除去し、更に第6図fflに示すように、イオンミル
法によって、ダミーパターン21,22及々 びレジスト23を除去した後に残っているメッキベース
20を取り除いて素子パターン15の形成工程は終了す
る。
を除去し、更に第6図fflに示すように、イオンミル
法によって、ダミーパターン21,22及々 びレジスト23を除去した後に残っているメッキベース
20を取り除いて素子パターン15の形成工程は終了す
る。
このようにして、基板13上に“食われ”のない素子パ
ターン15を形成することができ、パターン不良が減少
して良品率を高めることができ、コストの改善が可能と
なる。
ターン15を形成することができ、パターン不良が減少
して良品率を高めることができ、コストの改善が可能と
なる。
上記は薄膜磁気ヘッドの磁極の薄膜パターンの形成につ
いて説明したが、メンキベースを有する基板にメッキ層
によるパターンを形成する場合に一般的に適用して同様
の効果が得られる。
いて説明したが、メンキベースを有する基板にメッキ層
によるパターンを形成する場合に一般的に適用して同様
の効果が得られる。
(a発明の詳細
な説明したように本発明によれば、磁気ヘッドのパター
ン形成工程において、エソチング工程の前にメンキベー
スを除去することによって、素子パターンの“食われ”
現象を防止することかできるので、磁気ヘッドの磁気特
性を損なうことがなく、品質を高めることができ、コス
トの改善を計ることができるという効果がある。
ン形成工程において、エソチング工程の前にメンキベー
スを除去することによって、素子パターンの“食われ”
現象を防止することかできるので、磁気ヘッドの磁気特
性を損なうことがなく、品質を高めることができ、コス
トの改善を計ることができるという効果がある。
第1図は本発明が通用されるコンタクトスタートストッ
プタイプの磁気ディスク装置を一部破断して例示する側
面図、第2図は第1図の磁気ヘッドを一部破断して示す
側断面図、第3図は第2図の平面図、第4図(al〜(
e)は従来方法を示す工程図、第5図は第4図(al
〜(elの説明図、第6図(a)〜(f)は本発明によ
る実施例を示す工程図である。 図において、5は磁気ヘッド、13は基板、14は磁気
素子、15.16は素子パターン、17はコイルパター
ン、18は絶縁層、19は保護膜、20はメッキベース
、21.22はダミーパターン、23はレジストを示す
。 0 Cつ 櫨 第4G 第5図 某乙区
プタイプの磁気ディスク装置を一部破断して例示する側
面図、第2図は第1図の磁気ヘッドを一部破断して示す
側断面図、第3図は第2図の平面図、第4図(al〜(
e)は従来方法を示す工程図、第5図は第4図(al
〜(elの説明図、第6図(a)〜(f)は本発明によ
る実施例を示す工程図である。 図において、5は磁気ヘッド、13は基板、14は磁気
素子、15.16は素子パターン、17はコイルパター
ン、18は絶縁層、19は保護膜、20はメッキベース
、21.22はダミーパターン、23はレジストを示す
。 0 Cつ 櫨 第4G 第5図 某乙区
Claims (1)
- メッキベースを有する基板面にメッキを施し、該基板面
に所定のパターンを形成するパターン形成方法であって
、前記パターン形成時のダミーパターンを除去するエツ
チング処理に先立って、少なくとも前記パターンと前記
ダミーパターンとの間の前記メッキベースを除去するこ
とを特徴とする薄膜パターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58096207A JPS59223916A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58096207A JPS59223916A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59223916A true JPS59223916A (ja) | 1984-12-15 |
Family
ID=14158816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58096207A Pending JPS59223916A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59223916A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5954023A (ja) * | 1982-09-15 | 1984-03-28 | マグネテイツク・プリフエラルズ・インコ−ポレ−テツド | 薄膜磁気記録ヘツドの製造方法 |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP58096207A patent/JPS59223916A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5954023A (ja) * | 1982-09-15 | 1984-03-28 | マグネテイツク・プリフエラルズ・インコ−ポレ−テツド | 薄膜磁気記録ヘツドの製造方法 |
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