JPS59223916A - パタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ１発明の技術分野 本発明は、磁気装置のデータの書込み、読取りを行う薄
膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に薄膜磁気ヘッドの
パターン形成方法の改良に関す。

（ｂｌ技術の背景 近来、コンピュータの周辺端末機及びその附属装置とし
て各種磁気装置が開発、実用化されている。磁気装置の
磁気記憶媒体としては、磁気テープ、磁気ディスク、磁
気ドラム等が用いられ、これらの磁気記憶媒体へのデー
タの書込み、読取りには各種の磁気ヘッドが使用されて
おり、中でも高分解能を有し、且つ廉価な薄膜磁気ヘッ
ドが広く普及しており主流を成している。

薄膜磁気ヘッドの磁極の製作には、微細加工技術が広く
応用されており、基板に施されたメッキ層をエツチング
によってパターン形成して製作されるが、エツチング処
理によるパターン周辺を不必要に侵食する。所謂“食わ
れ”現象を呈し、磁気特性を損なうことがあるので、そ
の改良が望まれている。

（Ｃ１従来技術と問題点 以下従来方法について第１図〜第５図を参照して説明す
る。第１図は本発明が適用されるコンタクトスタートス
トップタイプ（Ｃ３Ｓタイプ）の磁気ディスク装置を一
部破断して例示する側面図、第２図は第１図の磁気ヘッ
ドを一部破断して示す側断面図、第３図は第２図の平面
図、第４図ｉａｌ〜（ｅｌは従来方法を示す工程図、第
５図は第４図（ａ）〜（ｅｌの説明図である。

第１図に示すように、磁気ディスクパック１は回転軸３
に、表面に磁性材を塗布したディスク２を通常１０Ｐｉ
程度等間隔に嵌合固定して構成され、回転軸３の下端は
筺体１ｏの底の中心部に固定された軸受４に嵌合し回転
できるように支持されている。

一方磁気ヘッド５はアーム６の先端部に取り付けられて
おり、複数のアーム６の他端は夫々キャリア７に固定さ
れている。

キャリア７は溝付ローラ８を有し、レール９の上に移動
できるように位置している。

そして前記磁気ディスクパックｌ、磁気ヘッド５、キャ
リア７、レール９及び軸受４は筐体１゜に納められてい
る。

モータ１１は周辺装置のフレームベース１２に装着され
ており、磁気ディスク装置の軸受４の下方より回転軸３
に連結して磁気ディスク装置を駆動する機構になってい
る。

このような構成を有するので、磁気ディスクパック１の
回転とキャリア７の移動によって、磁気へソｌ”　５は
対向しているディスク２のすべての面上を移動でき、磁
気ヘッド５の先端の後述する磁極のコイルに書込み或い
は読取り電流が流れると、ディスク２の面の所定の位置
でのデータの記録或いは読取りが行われる。

ここにおいて磁気へソド５の構成及び製作方法を説明す
ると、第２図及び第３図に示すように、磁気ヘッド５は
例えばガラスの基板１３上に形成された素子パターン１
５．１６から成る磁気素子１４、コイルパターン１７及
び絶縁層１８で構成され、磁気素子１４の先端部ａを研
摩して磁極とする。先端部ａの図において上方は保護膜
１９で保護されている。

ここにおいて素子パターン１５の形成方法について説明
すると、第４図＋ａ）は基板１３面にメンキベース２０
として、例えばパーマロイ　（Ｎｉ−Ｆｅ　）　。

チタン（Ｔｉ）及びアルミニュウム（Ａ］）を夫々順に
蒸着し、第１のパターンマスクを当ててレジストを塗布
してマスキングをして、磁場中でパーマ汀 ロイのメッキを施した後、レジストを除去し、素子パタ
ーン１５及びダミーパターン２１．２２が形成された状
態を示す。ダミーパターン２１．２２を必要とする理由
は、素子パターン１５のメッキ層を均一に形成させて異
方性を持たせる為である。

このような状態から、ダミーパターン２１．２２及び不
要な部分のメッキベース２０を除去して基板１３上に素
子パターン１５だけを残すには、第５図（ｂ）に示すよ
うに、第２のパターンマスクを当ててメッキベース２０
の露出部分、素子パターン１５及びダミーパターン２１
．２２上にレジスト２３を塗布してマスキングをする。

そして第５図（Ｃ）に示すように、硫酸（Ｈ，ＳＯ４）
　。

過酸化水素（ｈ（ｈ）及び水の混合液でエツチングを行
って、ダミーパターン２１．２２を除去し、更に第５図
（ｄ）に示すように、レジスト２３を除去する。

最後に、第５図１ｅ）に示すように、メッキベース２０
を例えばイオンミル法によって除去すると、基板１３上
に素子パターン１５だけが残って、パターン形成工程が
終了する。

イオンミル法はアルゴンのような高原子量の元素を高圧
電極による加速運動により、基板１３面のメンキベース
２０に衝突させて除去するものである。

このようにして基板１３上に磁気ヘッド５に必要なパー
マロイの素子パターン１５が形成される。

しかしながらこの工程において、第５図（Ｃ１で説明し
たエツチング工程は、レジスト２３でマスキングされて
いない部分のメッキ層、即ち、ダミーパターン２１．２
２を除去するのが目的であるにも関らず、第６図に示す
ように、メッキベース２０にも腐食が進行し、レジスト
２３とメンキベース２０の間にエツチング液が侵入して
、素子パターン１５下部周辺部す、　　ｃを侵食する。

食われ”現象を生ずる場合があるという欠点がある。

この為、素子パターン１５の断面を使用する磁気素子１
４の磁気特性が損なわれ、データの書込み、読取りが不
確実になってエラーを生ずることがあるので使用できな
い、従って不良率が高くなるという問題がある。

（ｄ１発明の目的 本発明の目的は、上記の欠点を解決する為のもので、磁
気ヘッドの磁気素子のパターン形成においてメッキ層の
“食われ”現象を防止することができるパターン形成方
法を提供するにある。

＋８１発明の構成 パターン形成時のダミーパターンを除去するエソチング
工程に先立って、少なくともパターンとダミーパターン
との間のメッキベースを除去することを特徴とする薄膜
パターン形成方法であり、かくすることにより目的を達
成することができる。

（ｆ１発明の実施例 以下、本発明の一実施例を第６図（ａｌ〜（ｆ）の工程
図を参照して説明する。第４図（ａｌ〜（ｉｌｌ）及び
第５図と同一個所は同符号で示す。

第６図ｆａｌ〜ｆｆｌは従来例で説明した第４図ｆａｌ
〜（ｅ）の第４図（ａｔ、　（ｂｌの間に、メッキベー
ス１５を除去する工程、即ち、第６図（ｂｌを追加し、
第４図（ｂ）〜ｔｅ＋を第６図（Ｃ１〜（ｆ）としたも
のである。

従って第６図（ａ）は第４図ｔａ＋と同じであり、第６
図（ｂ）に示すように、素子パターン１５とパターン２
１．２２の間のメソキヘ−ス２０をイオンミル法によっ
て除去する。この際、除去するメッキベース２０はエツ
チング時にエツチング液によって溶けるものだけ１例え
ばアルミニュウム蒸着層だけでもよい。

そして第６図（Ｃ）に示すように、基板１３の露出部分
にレジスト２３でマスキングすると、素子パターン１５
と基板１３の間のメッキベース２０はレジスト２３で覆
われる。

第６図＋ｄ）に示すように、エツチングによってダミー
パターン２１．２２を除去すると、その下のメッキベー
ス２０は若干腐食されるが残っている。

そして素子パターン１５の下部周辺は腐食されない。

第６図（ｅ）に示すように、レジスト２３のマスキング
を除去し、更に第６図ｆｆｌに示すように、イオンミル
法によって、ダミーパターン２１，２２及々 びレジスト２３を除去した後に残っているメッキベース
２０を取り除いて素子パターン１５の形成工程は終了す
る。

このようにして、基板１３上に“食われ”のない素子パ
ターン１５を形成することができ、パターン不良が減少
して良品率を高めることができ、コストの改善が可能と
なる。

上記は薄膜磁気ヘッドの磁極の薄膜パターンの形成につ
いて説明したが、メンキベースを有する基板にメッキ層
によるパターンを形成する場合に一般的に適用して同様
の効果が得られる。

（ａ発明の詳細 な説明したように本発明によれば、磁気ヘッドのパター
ン形成工程において、エソチング工程の前にメンキベー
スを除去することによって、素子パターンの“食われ”
現象を防止することかできるので、磁気ヘッドの磁気特
性を損なうことがなく、品質を高めることができ、コス
トの改善を計ることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明が通用されるコンタクトスタートストッ
プタイプの磁気ディスク装置を一部破断して例示する側
面図、第２図は第１図の磁気ヘッドを一部破断して示す
側断面図、第３図は第２図の平面図、第４図（ａｌ〜（
ｅ）は従来方法を示す工程図、第５図は第４図（ａｌ　
〜（ｅｌの説明図、第６図（ａ）〜（ｆ）は本発明によ
る実施例を示す工程図である。 図において、５は磁気ヘッド、１３は基板、１４は磁気
素子、１５．１６は素子パターン、１７はコイルパター
ン、１８は絶縁層、１９は保護膜、２０はメッキベース
、２１．２２はダミーパターン、２３はレジストを示す
。 ０ Ｃつ 櫨 第４Ｇ 第５図 某乙区

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. メッキベースを有する基板面にメッキを施し、該基板面
   に所定のパターンを形成するパターン形成方法であって
   、前記パターン形成時のダミーパターンを除去するエツ
   チング処理に先立って、少なくとも前記パターンと前記
   ダミーパターンとの間の前記メッキベースを除去するこ
   とを特徴とする薄膜パターン形成方法。