JPS5947845B2 - 透明導電膜製造方法 - Google Patents
透明導電膜製造方法Info
- Publication number
- JPS5947845B2 JPS5947845B2 JP9005377A JP9005377A JPS5947845B2 JP S5947845 B2 JPS5947845 B2 JP S5947845B2 JP 9005377 A JP9005377 A JP 9005377A JP 9005377 A JP9005377 A JP 9005377A JP S5947845 B2 JPS5947845 B2 JP S5947845B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- thin film
- conductive film
- indium
- film
- Prior art date
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- Expired
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板上に透明導電膜を形成する透明導電膜製造
方法に関するものであり、特には高安定抵抗の酸化イン
ジウム透明導電膜を得ることのできる透明導電膜製造方
法を提供するものである。
方法に関するものであり、特には高安定抵抗の酸化イン
ジウム透明導電膜を得ることのできる透明導電膜製造方
法を提供するものである。
本発明の透明導電膜製造方法の概略は以下のとおれであ
る。１ 基板上に金属インジウム薄膜を形成する。
る。１ 基板上に金属インジウム薄膜を形成する。
２ シラノール（Ｓｉ（ＯＨ）４）を主成分とする溶液
を上記基板上に塗布し、その後焼成によれ、上記金属イ
ンジウム薄膜を酸化し、酸化インジウム透明導電膜とす
る。
を上記基板上に塗布し、その後焼成によれ、上記金属イ
ンジウム薄膜を酸化し、酸化インジウム透明導電膜とす
る。
即ち、焼成により、Ｉｎ→Ｉｎ２０３（透明化）及びＳ
ｉ（ＯＨ）４→ＳｉＯ２の反応が起る。
ｉ（ＯＨ）４→ＳｉＯ２の反応が起る。
基板上に金属インジウム薄膜を形成する手段としては、
真空蒸着法、スパッタ９シダ法等がある。
真空蒸着法、スパッタ９シダ法等がある。
各々についての具体的薄膜形成条件を以下に示す。〔真
空蒸着法〕真空度１×１０−５Ｔｏｒｒ 蒸着材料 Ｉｎ（Ｓｎを９モル％ドープしたもの）基板
温度 ２００℃ 。
空蒸着法〕真空度１×１０−５Ｔｏｒｒ 蒸着材料 Ｉｎ（Ｓｎを９モル％ドープしたもの）基板
温度 ２００℃ 。
膜厚３００〜６００Ａ
〔スパッタリング法〕
真空度１×１０−５Ｔｏｒｒ（１×１０−５Ｔｏｒｒよ
り Ａｒガスリーク）スパッタ９シダターゲット Ｉｎ
（Ｓｎを９モル％ドープしたもの）基板温度 室温〜２
００℃ 。
り Ａｒガスリーク）スパッタ９シダターゲット Ｉｎ
（Ｓｎを９モル％ドープしたもの）基板温度 室温〜２
００℃ 。
膜厚３００〜６００Ａ
また、シラノールを主成分とする溶液としては、シラノ
ールの溶液等を使用する。
ールの溶液等を使用する。
本発明の透明導電膜製造方法の特徴は、透明導電膜を形
成するステップを２段階（金属インジウム薄膜形成 該
薄膜の透明化）としたことであり、その結果以下のよう
な効果を奏する。
成するステップを２段階（金属インジウム薄膜形成 該
薄膜の透明化）としたことであり、その結果以下のよう
な効果を奏する。
１ 透明導電膜のパターン化が容易となる。
即ち、金属インジウム薄膜の状態では、エッチングによ
るパターン化が容易に行える。例えば、１％ＨＣｌ水溶
液で該金属インジウム薄膜は１〜２分でエッチングでき
る。従つて、透明導電膜パターン化用のエッチング装置
の簡略化ができる。２ 従来のＩｎ２ｏ３電子ビーム法
にて透明導電膜を形成する場合は、基板温度は３５０〜
４００℃を必要とするが、本発明の方法では基板温度は
室温〜２００℃であり、装置の小型簡略化を達成できる
とともに、装置保守も簡便となる。
るパターン化が容易に行える。例えば、１％ＨＣｌ水溶
液で該金属インジウム薄膜は１〜２分でエッチングでき
る。従つて、透明導電膜パターン化用のエッチング装置
の簡略化ができる。２ 従来のＩｎ２ｏ３電子ビーム法
にて透明導電膜を形成する場合は、基板温度は３５０〜
４００℃を必要とするが、本発明の方法では基板温度は
室温〜２００℃であり、装置の小型簡略化を達成できる
とともに、装置保守も簡便となる。
更に金属インジウム薄膜の透明化であるが、該薄膜形成
後、シラノールを主成分とする溶液を基板上に途布し、
空気中で焼成（温度：３５０〜４００℃）して、薄膜を
透明化する。本発明では、金属インジウム薄膜の透明化
の手段としてシラノール溶液を使用するものであｈ、そ
の結果以下のような効果を奏する。金属インジウム薄膜
の透明化と同時に、ＳｉＯ２薄膜がインジウム膜上に形
成される。
後、シラノールを主成分とする溶液を基板上に途布し、
空気中で焼成（温度：３５０〜４００℃）して、薄膜を
透明化する。本発明では、金属インジウム薄膜の透明化
の手段としてシラノール溶液を使用するものであｈ、そ
の結果以下のような効果を奏する。金属インジウム薄膜
の透明化と同時に、ＳｉＯ２薄膜がインジウム膜上に形
成される。
このＳｉＯ２薄膜は、ａ）電極保護膜
ｂ）酸化インジウム薄膜の抵抗安定化
ｃ）液晶表示用の場合は、ラピング処理が施される液晶
配向層の役割を果す。
配向層の役割を果す。
Claims (1)
- １ 基板上に透明導電膜を形成する方法に於て、上記基
板面上に、インジウム薄膜を形成する工程と、上記イン
ジウム薄膜上にシラノールを主成分とする溶液を塗布す
る工程と、焼成によつて上記インジウム薄膜を酸化し、
酸化インジウム薄膜とする工程とから成ることを特徴と
する透明導電膜製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9005377A JPS5947845B2 (ja) | 1977-07-26 | 1977-07-26 | 透明導電膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9005377A JPS5947845B2 (ja) | 1977-07-26 | 1977-07-26 | 透明導電膜製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5425493A JPS5425493A (en) | 1979-02-26 |
| JPS5947845B2 true JPS5947845B2 (ja) | 1984-11-21 |
Family
ID=13987843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9005377A Expired JPS5947845B2 (ja) | 1977-07-26 | 1977-07-26 | 透明導電膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5947845B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609088B2 (ja) * | 1980-10-20 | 1985-03-07 | 新日本製鐵株式会社 | 深絞り加工性の優れたフェライト系ステンレス薄鋼板の製造法 |
| ES2035015T3 (es) * | 1986-11-29 | 1993-04-16 | Klaus Kalwar | Procedimiento para fabricar un electrodo corona y electrodo corona fabricado segun este procedimiento. |
| US5702543A (en) * | 1992-12-21 | 1997-12-30 | Palumbo; Gino | Thermomechanical processing of metallic materials |
| WO2003080885A1 (fr) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Nippon Steel Corporation | Piece moulee et tole d'acier ferritique, et leur procede de fabrication |
-
1977
- 1977-07-26 JP JP9005377A patent/JPS5947845B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5425493A (en) | 1979-02-26 |
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