JPS5917806B2 - 全面鏡面型液晶表示装置に於ける電極形成方法 - Google Patents
全面鏡面型液晶表示装置に於ける電極形成方法Info
- Publication number
- JPS5917806B2 JPS5917806B2 JP51131406A JP13140676A JPS5917806B2 JP S5917806 B2 JPS5917806 B2 JP S5917806B2 JP 51131406 A JP51131406 A JP 51131406A JP 13140676 A JP13140676 A JP 13140676A JP S5917806 B2 JPS5917806 B2 JP S5917806B2
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- Japan
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- liquid crystal
- display device
- crystal display
- type liquid
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は全面鏡面型液晶表示装置に係り、特には全面鏡
面型液晶表示装置に於ける透明電極形成方法の改良に関
するものである。
面型液晶表示装置に於ける透明電極形成方法の改良に関
するものである。
全面鏡面型液晶表示装置の構成を第１図に基づいて説明
する。
する。
第１図は全面鏡面型液晶表示装置の構成を示す断面図で
ある。図に於いて１は後面ガラス基板であり、２は後面
ガラス基板１の面上に形成されるアルミニウム反射電極
である。
ある。図に於いて１は後面ガラス基板であり、２は後面
ガラス基板１の面上に形成されるアルミニウム反射電極
である。
該アルミニウム反射電極２は表示する文字、数字等を形
造るセグメント状に形成されている。３は前面ガラス基
板であり、その面上にはアルミニウム反射膜４が形成さ
れた後、酸化インジウム透明電極（酸化スズを不純物と
して含有するものを含む。
造るセグメント状に形成されている。３は前面ガラス基
板であり、その面上にはアルミニウム反射膜４が形成さ
れた後、酸化インジウム透明電極（酸化スズを不純物と
して含有するものを含む。
以下同じ。）５が形成されている。反射膜４は反射電極
２に対向する部分は切り欠かれた構成となつている。６
は液晶組成物であり、Ｔはスペーサである。
２に対向する部分は切り欠かれた構成となつている。６
は液晶組成物であり、Ｔはスペーサである。
このような構成とすることによつて表示面全面が一様な
鏡面状態となり、表示文字部のみ力伯濁して見える液晶
表示装置（全面鏡面型液晶表示装置）を提供できる。
鏡面状態となり、表示文字部のみ力伯濁して見える液晶
表示装置（全面鏡面型液晶表示装置）を提供できる。
上記の全面鏡面型液晶表示装置に於いてはアルミニウム
蒸着膜が形成されたガラス基板上に、更に酸化インジウ
ム膜を形成する必要がある。
蒸着膜が形成されたガラス基板上に、更に酸化インジウ
ム膜を形成する必要がある。
酸化インジウム膜の形成方法として従来広く知られてい
るのは電子ビーム蒸着法であり、電子ビームガンにて酸
素雰囲気中酸化インジウム膜を蒸着形成する。基板温度
は３５０℃〜３８０℃である。しかしアルミニウム蒸着
膜上に上記電子ビーム蒸着法により酸化インジウム膜を
形成すると、基板温度が上述したように３５０℃程度と
なる為、アルミニウム蒸着膜は表面粒子の成長及び酸化
によりその反射率が低下してしまう。
るのは電子ビーム蒸着法であり、電子ビームガンにて酸
素雰囲気中酸化インジウム膜を蒸着形成する。基板温度
は３５０℃〜３８０℃である。しかしアルミニウム蒸着
膜上に上記電子ビーム蒸着法により酸化インジウム膜を
形成すると、基板温度が上述したように３５０℃程度と
なる為、アルミニウム蒸着膜は表面粒子の成長及び酸化
によりその反射率が低下してしまう。
また熱による応力が残るため付着強度が低下しピンホー
ル等がアルミニウム蒸着膜に出現する。従つて電子ビー
ム蒸着法により、アルミニウム蒸着膜上に酸化インジウ
ム膜を形成することは好ましくない。
ル等がアルミニウム蒸着膜に出現する。従つて電子ビー
ム蒸着法により、アルミニウム蒸着膜上に酸化インジウ
ム膜を形成することは好ましくない。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり基板温度
の上昇を招くこと無く、酸化インジウム膜を基板上に形
成することができる電極形成方法を提供するものである
。
の上昇を招くこと無く、酸化インジウム膜を基板上に形
成することができる電極形成方法を提供するものである
。
即ち本発明の電極形成方法は、インジウム（不純物とし
てスズを含有するものを含む。
てスズを含有するものを含む。
）を蒸着材料として、酸素雰囲気中でアルミニウム蒸着
膜上にＲＦイオンブレーテイングを行うことにより酸化
インジウム透明電極（酸化スズを含有するものを含む。
）を形成することを特徴とするものである。第２図は本
発明を実施する為の装置の概略を示す図である。
膜上にＲＦイオンブレーテイングを行うことにより酸化
インジウム透明電極（酸化スズを含有するものを含む。
）を形成することを特徴とするものである。第２図は本
発明を実施する為の装置の概略を示す図である。
図に於いて、８は蒸着材料である、スズを５重量％不純
物として含有するインジウムであり、９は電子ビーム、
１０はアルミニウム反射膜が形成された前面ガラス基板
である。
物として含有するインジウムであり、９は電子ビーム、
１０はアルミニウム反射膜が形成された前面ガラス基板
である。
１１はプローブであり、ＲＦ（ラジオ波）が印加されて
いる。
いる。
１２はペルシャー、１３はバイアス電源である。
実施時の一条件をあげれば以下のとおりである。
真空度 １×１０−６Ｔ０ｒｒ（５×１（Ｒ６ＴＯｒｒ
Ｏ２リーク）ＲＦｌ５ＯＷ，ｌ３．６５ＭＩＩｚ基板バ
イアス −１〜２Ｋ第２図に示す如く電子ビームガン上
にプローブ１１を設け、ＲＦを該プローブに印加するよ
うにすることにより、高真空中にてもイオンプレーテイ
ングが可能となる。
Ｏ２リーク）ＲＦｌ５ＯＷ，ｌ３．６５ＭＩＩｚ基板バ
イアス −１〜２Ｋ第２図に示す如く電子ビームガン上
にプローブ１１を設け、ＲＦを該プローブに印加するよ
うにすることにより、高真空中にてもイオンプレーテイ
ングが可能となる。
本発明の電極形成方法では基板温度土昇は１００℃以下
に保たれ、アルミニウム膜の特性劣化を招くことなくア
ルミニウム膜上に酸化インジウム透明電極を形成できる
。
に保たれ、アルミニウム膜の特性劣化を招くことなくア
ルミニウム膜上に酸化インジウム透明電極を形成できる
。
本発明により形成した酸化インジウム膜は透過率９０〜
９５％（λ＝５５００λ測定）、面抵抗５〜６Ω／ＳＱ
のきわめて秀れた特性をもつ。
９５％（λ＝５５００λ測定）、面抵抗５〜６Ω／ＳＱ
のきわめて秀れた特性をもつ。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、基板温度
の上昇を招くこと無く、アルミニウム蒸着膜上に酸化イ
ンジウム膜を形成することができアルミニウム反射膜の
特性劣化（反射率の低下、ピンホール出現等）を伴うこ
となく酸化インジウム膜を形成することができる。本発
明の電極形成方法は、全面鏡面型液晶表示装置に於いて
のみならず、アルミニウム膜上に酸化インジウム膜を形
成する構成の電極すべてに有効である。
の上昇を招くこと無く、アルミニウム蒸着膜上に酸化イ
ンジウム膜を形成することができアルミニウム反射膜の
特性劣化（反射率の低下、ピンホール出現等）を伴うこ
となく酸化インジウム膜を形成することができる。本発
明の電極形成方法は、全面鏡面型液晶表示装置に於いて
のみならず、アルミニウム膜上に酸化インジウム膜を形
成する構成の電極すべてに有効である。
第１図は全面鏡面型液晶表示装置の構成を示す断面図、
第２図は本発明を実施する為の装置の概略を示す図であ
る。 符号１：後面ガラス基板、２：アルミニウム反射電極、
３，１０：前面ガラス基板、４：アルミニウム反射膜，
５：酸化インジウム透明電極、６：液晶組成物、８：ス
ズを不純物として含むインジウム。
第２図は本発明を実施する為の装置の概略を示す図であ
る。 符号１：後面ガラス基板、２：アルミニウム反射電極、
３，１０：前面ガラス基板、４：アルミニウム反射膜，
５：酸化インジウム透明電極、６：液晶組成物、８：ス
ズを不純物として含むインジウム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 後面基板には反射電極を設け、 前面基板にはアルミニウム反射膜と、前記反射電極に対
向する透明電極を設け、前記両基板を、前記反射電極と
前記透明電極が対向するように配置するとともに、前記
両基板間に液晶組成物を充填し、表示面全面が一様な鏡
面状態となるように構成した全面鏡面型液晶表示装置に
於いて、前記アルミニウム反射膜上に、インジウム（不
純物としてスズを含有するものを含む。 ）を酸素雰囲気中で活性ＲＦイオンプレーティングし、
前記アルミニウム反射膜上に透明電極を形成することを
特徴とする、全面鏡面型液晶表示装置に於ける電極形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51131406A JPS5917806B2 (ja) | 1976-10-29 | 1976-10-29 | 全面鏡面型液晶表示装置に於ける電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51131406A JPS5917806B2 (ja) | 1976-10-29 | 1976-10-29 | 全面鏡面型液晶表示装置に於ける電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5355143A JPS5355143A (en) | 1978-05-19 |
| JPS5917806B2 true JPS5917806B2 (ja) | 1984-04-24 |
Family
ID=15057219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51131406A Expired JPS5917806B2 (ja) | 1976-10-29 | 1976-10-29 | 全面鏡面型液晶表示装置に於ける電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917806B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106623A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-11 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子 |
-
1976
- 1976-10-29 JP JP51131406A patent/JPS5917806B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5355143A (en) | 1978-05-19 |
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