JPH056588A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び光磁気記録方法Info
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- JPH056588A JPH056588A JP3254566A JP25456691A JPH056588A JP H056588 A JPH056588 A JP H056588A JP 3254566 A JP3254566 A JP 3254566A JP 25456691 A JP25456691 A JP 25456691A JP H056588 A JPH056588 A JP H056588A
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- magneto
- temperature
- film
- optical recording
- magnetic field
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Abstract
(57)【要約】
【目的】 媒体構成を容易にし、単一レーザビーム、単
一バイアス磁界で信頼性の良いオーバーライトを実現す
る。 【構成】支持体１の上に垂直磁気異方性を示す強磁性膜
３と、室温で反強磁性相を示し該強磁性膜３のキュリー
温度付近にて磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁
性膜４とを積層し、光磁気記録媒体を構成する。この光
磁気記録媒体を用い、高パワーのレーザビームを照射し
て媒体温度を磁気相転移温度以上に加熱し、一定強度の
バイアス磁界を加えて記録を行い、低パワーのレーザビ
ームを照射して媒体温度を磁気相転移温度より低い温度
まで加熱し上記と同じバイアス磁界を加えて消去を行
う。記録情報は消去時より小さいパワーのレーザビーム
を照射して再生する。
一バイアス磁界で信頼性の良いオーバーライトを実現す
る。 【構成】支持体１の上に垂直磁気異方性を示す強磁性膜
３と、室温で反強磁性相を示し該強磁性膜３のキュリー
温度付近にて磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁
性膜４とを積層し、光磁気記録媒体を構成する。この光
磁気記録媒体を用い、高パワーのレーザビームを照射し
て媒体温度を磁気相転移温度以上に加熱し、一定強度の
バイアス磁界を加えて記録を行い、低パワーのレーザビ
ームを照射して媒体温度を磁気相転移温度より低い温度
まで加熱し上記と同じバイアス磁界を加えて消去を行
う。記録情報は消去時より小さいパワーのレーザビーム
を照射して再生する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオーバーライト可能な光
磁気記録媒体及び光磁気記録方法に関する。
磁気記録媒体及び光磁気記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、既に実用
化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容量高
密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の利点
に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という点で
文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コンピュ
ータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気記録
媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能を持
った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課題が
あり、その中の主要なものの１つに、オーバーライト技
術がある。現在提案されているオーバーライト技術は、
記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マルチビ
ーム方式、２層膜方式等）に大別される。
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、既に実用
化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容量高
密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の利点
に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という点で
文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コンピュ
ータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気記録
媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能を持
った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課題が
あり、その中の主要なものの１つに、オーバーライト技
術がある。現在提案されているオーバーライト技術は、
記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マルチビ
ーム方式、２層膜方式等）に大別される。
【０００３】磁界変調方式は記録情報に応じて印加磁界
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
【０００４】一方、光変調方式は記録情報に応じて照射
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方向を１回
転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、２層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層と
ＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度ＴをＴ＞Ｔｃ2（Ｔｃ2は補助層のキュリー
温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界（初期化用磁界
と反対方向）を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体
が冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させること
により記録を行い、また、低出力レーザビームを照射し
て媒体温度をＴｃ1＜Ｔ＜Ｔｃ2（Ｔｃ1はメモリ層のキ
ュリー温度）なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向を
メモリ層に転写させることにより消去を行う。そのた
め、この方式では、媒体設計が難しい等の問題があっ
た。
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方向を１回
転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、２層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層と
ＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度ＴをＴ＞Ｔｃ2（Ｔｃ2は補助層のキュリー
温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界（初期化用磁界
と反対方向）を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体
が冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させること
により記録を行い、また、低出力レーザビームを照射し
て媒体温度をＴｃ1＜Ｔ＜Ｔｃ2（Ｔｃ1はメモリ層のキ
ュリー温度）なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向を
メモリ層に転写させることにより消去を行う。そのた
め、この方式では、媒体設計が難しい等の問題があっ
た。
【０００５】本発明は以上のような従来技術の欠点を解
消し、信頼性が高く、媒体設計が簡単で、しかも単一レ
ーザビーム、単一磁界でオーバーライトできる光磁気記
録媒体及び光磁気記録方法を提供することを目的とす
る。
消し、信頼性が高く、媒体設計が簡単で、しかも単一レ
ーザビーム、単一磁界でオーバーライトできる光磁気記
録媒体及び光磁気記録方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す強磁性膜か
らなるメモリ層と、室温で反強磁性相を示し室温より高
い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で磁気相転移を
生じて強磁性相を示す反強磁性膜からなる補助層とを積
層してなる記録層を有することを特徴とする光磁気記録
媒体が提供される。
め、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す強磁性膜か
らなるメモリ層と、室温で反強磁性相を示し室温より高
い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で磁気相転移を
生じて強磁性相を示す反強磁性膜からなる補助層とを積
層してなる記録層を有することを特徴とする光磁気記録
媒体が提供される。
【０００７】また、本発明によれば、上記構成におい
て、メモリ層と補助層との間に両層間の交換結合力を調
整するための中間層を設けたことを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。
て、メモリ層と補助層との間に両層間の交換結合力を調
整するための中間層を設けたことを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。
【０００８】また、本発明によれば、上記構成におい
て、補助層の熱伝導率がメモリ層の熱伝導率が低いこと
を特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
て、補助層の熱伝導率がメモリ層の熱伝導率が低いこと
を特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
【０００９】また、本発明によれば、上記光磁気記録媒
体を用い、上記のいずれかの光磁気記録媒体を用い、補
助層の磁気相転移温度をＴｐｃ、メモリ層の保磁力とバ
イアス磁界Ｈｅｘとが等しくなる温度をＴａ、補助層の
保磁力とバイアス磁界Ｈｅｘとが等しくなる温度をＴｂ
としたとき、記録時には媒体温度がＴｐｃ≦Ｔ＜Ｔｂと
なる迄昇温するような条件でレーザ照射を行うとともに
外部磁界Ｈｅｘを印加し、消去時には媒体温度がＴａ＜
Ｔ＜Ｔｐｃとなる迄昇温するような条件でレーザ照射を
行うとともに記録時と同じ外部磁界Ｈｅｘを印加するこ
とを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録方法が
提供される。
体を用い、上記のいずれかの光磁気記録媒体を用い、補
助層の磁気相転移温度をＴｐｃ、メモリ層の保磁力とバ
イアス磁界Ｈｅｘとが等しくなる温度をＴａ、補助層の
保磁力とバイアス磁界Ｈｅｘとが等しくなる温度をＴｂ
としたとき、記録時には媒体温度がＴｐｃ≦Ｔ＜Ｔｂと
なる迄昇温するような条件でレーザ照射を行うとともに
外部磁界Ｈｅｘを印加し、消去時には媒体温度がＴａ＜
Ｔ＜Ｔｐｃとなる迄昇温するような条件でレーザ照射を
行うとともに記録時と同じ外部磁界Ｈｅｘを印加するこ
とを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録方法が
提供される。
【００１０】以下本発明を図面に基づき詳述する。本発
明の光磁気記録媒体は、基本的に、垂直磁気異方性を示
す強磁性膜からなるメモリ層と、室温で反強磁性相を示
し室温より高い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で
磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜からなる
補助層とを積層してなる記録層を有する。図１にこのよ
うな光磁気記録媒体の一構成例を示す。この記録媒体
は、ガラス、プラスチック、セラミックスなどからなる
透明支持体１上にＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ、ＳｉＯ2などから
なる保護膜２（膜厚１００Å〜５０００Å）を設け、そ
の上に垂直磁気異方性を示す強磁性膜３（膜厚１００Å
〜５０００Å）を設け、その上に室温で反強磁性相を示
し室温より高い温度であって強磁性膜３のキュリー温度
付近の温度で磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁
性膜４（膜厚１００Å〜１００００Å）を設け、さらに
その上にＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ、ＳｉＯ2などからなる保護
膜５（膜厚１００Å〜５０００Å）を設けて構成され
る。各膜はスパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング
法等により形成することができる。強磁性膜３は例えば
Ｔｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄ
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類−遷移金属系アモルファス
膜、あるいはＭｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ｃｕ−Ｂｉ，Ｃｏ−Ｐ
ｔ，Ｃｏスピネルフェライト，Ｂａフェライトなどの多
結晶膜により構成することができる。反強磁性膜４は例
えばＭｎ2Ｓｂ，(Ｍｎ)ｐＳｂ(Ｙ)ｑ（ただしＹ＝Ｃ
ｒ，Ｔｉ，Ｖ等、ｐ＝２−ｑ）を用いて構成することが
できる。これら強磁性膜３及び反強磁性膜４は図２に示
す如き保磁力の温度特性を有している必要がある。すな
わち、強磁性膜３のキュリー温度をＴｃ1、反強磁性膜
４のキュリー温度をＴｃ2、反強磁性膜４の磁気相転移
温度をＴｐｃ、強磁性膜３の保磁力Ｈｃ1とバイアス磁
界Ｈｅｘとが等しくなる温度をＴａ、反強磁性膜４の保
磁力Ｈｃ2とバイアス磁界Ｈｅｘとが等しくなる温度を
Ｔｂとすると、次のような関係が成立している。 Ｔｐｃ≦Ｔ＜Ｔｂのとき Ｈｃ2＞Ｈｃ1＋Ｈｅｘ Ｔａ＜Ｔ＜Ｔｐｃのとき Ｈｃ1＜Ｈｅｘ Ｔ≦Ｔａのとき Ｈｃ1≧Ｈｅｘ
明の光磁気記録媒体は、基本的に、垂直磁気異方性を示
す強磁性膜からなるメモリ層と、室温で反強磁性相を示
し室温より高い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で
磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜からなる
補助層とを積層してなる記録層を有する。図１にこのよ
うな光磁気記録媒体の一構成例を示す。この記録媒体
は、ガラス、プラスチック、セラミックスなどからなる
透明支持体１上にＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ、ＳｉＯ2などから
なる保護膜２（膜厚１００Å〜５０００Å）を設け、そ
の上に垂直磁気異方性を示す強磁性膜３（膜厚１００Å
〜５０００Å）を設け、その上に室温で反強磁性相を示
し室温より高い温度であって強磁性膜３のキュリー温度
付近の温度で磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁
性膜４（膜厚１００Å〜１００００Å）を設け、さらに
その上にＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ、ＳｉＯ2などからなる保護
膜５（膜厚１００Å〜５０００Å）を設けて構成され
る。各膜はスパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング
法等により形成することができる。強磁性膜３は例えば
Ｔｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄ
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類−遷移金属系アモルファス
膜、あるいはＭｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ｃｕ−Ｂｉ，Ｃｏ−Ｐ
ｔ，Ｃｏスピネルフェライト，Ｂａフェライトなどの多
結晶膜により構成することができる。反強磁性膜４は例
えばＭｎ2Ｓｂ，(Ｍｎ)ｐＳｂ(Ｙ)ｑ（ただしＹ＝Ｃ
ｒ，Ｔｉ，Ｖ等、ｐ＝２−ｑ）を用いて構成することが
できる。これら強磁性膜３及び反強磁性膜４は図２に示
す如き保磁力の温度特性を有している必要がある。すな
わち、強磁性膜３のキュリー温度をＴｃ1、反強磁性膜
４のキュリー温度をＴｃ2、反強磁性膜４の磁気相転移
温度をＴｐｃ、強磁性膜３の保磁力Ｈｃ1とバイアス磁
界Ｈｅｘとが等しくなる温度をＴａ、反強磁性膜４の保
磁力Ｈｃ2とバイアス磁界Ｈｅｘとが等しくなる温度を
Ｔｂとすると、次のような関係が成立している。 Ｔｐｃ≦Ｔ＜Ｔｂのとき Ｈｃ2＞Ｈｃ1＋Ｈｅｘ Ｔａ＜Ｔ＜Ｔｐｃのとき Ｈｃ1＜Ｈｅｘ Ｔ≦Ｔａのとき Ｈｃ1≧Ｈｅｘ
【００１１】図３は本発明による光磁気記録媒体の別の
構成例を示すものである。この記録媒体が図１の記録媒
体と異なるところは、強磁性膜３と反強磁性膜４の間
に、両膜３，４間の交換結合力を調整するための中間層
６を設けた点である。ここで、中間層６を設けた場合の
利点について述べると、記録するときには、強磁性膜
（メモリ層）３と反強磁性膜（補助層）４の磁気特性は
下記のような条件を満たしている必要がある。 Ｈｃ1＜Ｈｃ2−σｗ／（２Ｍｓ・ｈ）−Ｈｅｘ ここで、Ｈｃ1は強磁性膜３の保磁力、Ｈｃ2は反強磁性
膜４の保磁力、σｗは両膜３，４間の磁壁エネルギー、
Ｍｓは反強磁性膜４の飽和磁化、ｈは反強磁性膜４の膜
厚、Ｈｅｘはバイアス磁界である。図１のような構成で
は上記の条件を満足するように磁性膜３，４の材料選択
を行う必要がある。ところが、図３のような構成では磁
性膜３，４の材料選択だけでなく中間層６の膜厚制御に
より調整が可能となり、その分だけ材料選択の幅が大き
くなる。中間層６の材料としては、これら磁性膜３，４
を劣化させないもので、非磁性材料か面内磁気異方性を
もつ磁性材料が好ましい。具体的には、このような材料
としては、前述した希土類−遷移金属系アモルファス膜
はもちろんのこと、Ｓｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ
等をあげることができる。中間層６の膜厚は、薄すぎる
と交換結合力の調整効果が得られず、厚すぎると両磁性
層３，４間の交換結合力が小さくなりすぎ記録、消去に
支障をきたすので、数Å〜５０００Å程度が適当であ
る。中間層６はスパッタ法、蒸着法、イオンプレーティ
ング法等により形成することができる。
構成例を示すものである。この記録媒体が図１の記録媒
体と異なるところは、強磁性膜３と反強磁性膜４の間
に、両膜３，４間の交換結合力を調整するための中間層
６を設けた点である。ここで、中間層６を設けた場合の
利点について述べると、記録するときには、強磁性膜
（メモリ層）３と反強磁性膜（補助層）４の磁気特性は
下記のような条件を満たしている必要がある。 Ｈｃ1＜Ｈｃ2−σｗ／（２Ｍｓ・ｈ）−Ｈｅｘ ここで、Ｈｃ1は強磁性膜３の保磁力、Ｈｃ2は反強磁性
膜４の保磁力、σｗは両膜３，４間の磁壁エネルギー、
Ｍｓは反強磁性膜４の飽和磁化、ｈは反強磁性膜４の膜
厚、Ｈｅｘはバイアス磁界である。図１のような構成で
は上記の条件を満足するように磁性膜３，４の材料選択
を行う必要がある。ところが、図３のような構成では磁
性膜３，４の材料選択だけでなく中間層６の膜厚制御に
より調整が可能となり、その分だけ材料選択の幅が大き
くなる。中間層６の材料としては、これら磁性膜３，４
を劣化させないもので、非磁性材料か面内磁気異方性を
もつ磁性材料が好ましい。具体的には、このような材料
としては、前述した希土類−遷移金属系アモルファス膜
はもちろんのこと、Ｓｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ
等をあげることができる。中間層６の膜厚は、薄すぎる
と交換結合力の調整効果が得られず、厚すぎると両磁性
層３，４間の交換結合力が小さくなりすぎ記録、消去に
支障をきたすので、数Å〜５０００Å程度が適当であ
る。中間層６はスパッタ法、蒸着法、イオンプレーティ
ング法等により形成することができる。
【００１２】また、本発明の光磁気記録媒体では、図１
又は図２のような構成において、反強磁性膜４の熱伝導
率を強磁性膜３の熱伝導率より低くなるように材料選択
することができる。このような構成にすると、記録の
際、強磁性膜３の熱伝導率が反強磁性膜４の熱伝導率よ
り高いため、強磁性膜３は速く温度が下がるのに対し
て、反強磁性膜４はやや遅れて温度が下がり、反強磁性
膜４の磁化は強磁性膜３の磁化が大きくなるまで存在
し、消えることはないので、記録／消去の信頼性という
点で更にすぐれたものとなる。
又は図２のような構成において、反強磁性膜４の熱伝導
率を強磁性膜３の熱伝導率より低くなるように材料選択
することができる。このような構成にすると、記録の
際、強磁性膜３の熱伝導率が反強磁性膜４の熱伝導率よ
り高いため、強磁性膜３は速く温度が下がるのに対し
て、反強磁性膜４はやや遅れて温度が下がり、反強磁性
膜４の磁化は強磁性膜３の磁化が大きくなるまで存在
し、消えることはないので、記録／消去の信頼性という
点で更にすぐれたものとなる。
【００１３】なお、本発明の光磁気記録媒体の層構成は
図１又は図３に示すものに限定されるものでなく種々の
変形、変更が可能であり、例えば保護膜５の上に反射膜
を設けても良いし、保護膜２，５を適当に除いても良
い。
図１又は図３に示すものに限定されるものでなく種々の
変形、変更が可能であり、例えば保護膜５の上に反射膜
を設けても良いし、保護膜２，５を適当に除いても良
い。
【００１４】次に、図１及び図３に示す光磁気記録媒体
を用いた光磁気記録方法について説明する。記録は、高
いパワーのレーザビームを記録すべき部分に照射して媒
体温度を強磁性膜３のキュリー温度Ｔｃ1付近迄上げる
とともに、外部磁界Ｈｅｘを印加して行う。当該記録す
べき部分の磁化は通常の媒体駆動状態において強磁性膜
３が上向き（または下向き）で反強磁性膜４が見かけ上
ゼロであったものが、高いパワーのレーザビーム照射に
よりＴｃ1付近迄昇温するため強磁性膜３では磁化が消
失ないし殆んど零となり、反強磁性膜４では磁気相転移
が生じて（Ｔｐｃで生じる）反強磁性相から強磁性相に
変化し、しかも図中下向き（飽和磁化とは逆方向）の磁
化が生じる。この下向きの磁化は、冷却の過程で強磁性
膜３の方へ転写され、そのまま保持される。このとき反
強磁性膜４の磁化は室温に戻ると反強磁性相になるため
見かけ上の磁化はゼロとなるが、アンチフェロ的な結合
が存在しているため、外部から大きな磁界が加わっても
反転することはなく安定であり、また室温においては反
強磁性膜４の磁化が強磁性膜３の磁化に影響を与えるこ
とがないので信頼性が向上する。図４の（ａ）には記録
後の降温時における磁化状態が示してある。なお記録を
行うときの温度範囲はＴｐｃ≦Ｔ＜Ｔｂで、Ｔｂ以上に
温度を上げると反強磁性膜４の磁化方向がバイアス磁界
Ｈｅｘ方向（図では上方向）を向いてしまい、記録でき
なくなる。
を用いた光磁気記録方法について説明する。記録は、高
いパワーのレーザビームを記録すべき部分に照射して媒
体温度を強磁性膜３のキュリー温度Ｔｃ1付近迄上げる
とともに、外部磁界Ｈｅｘを印加して行う。当該記録す
べき部分の磁化は通常の媒体駆動状態において強磁性膜
３が上向き（または下向き）で反強磁性膜４が見かけ上
ゼロであったものが、高いパワーのレーザビーム照射に
よりＴｃ1付近迄昇温するため強磁性膜３では磁化が消
失ないし殆んど零となり、反強磁性膜４では磁気相転移
が生じて（Ｔｐｃで生じる）反強磁性相から強磁性相に
変化し、しかも図中下向き（飽和磁化とは逆方向）の磁
化が生じる。この下向きの磁化は、冷却の過程で強磁性
膜３の方へ転写され、そのまま保持される。このとき反
強磁性膜４の磁化は室温に戻ると反強磁性相になるため
見かけ上の磁化はゼロとなるが、アンチフェロ的な結合
が存在しているため、外部から大きな磁界が加わっても
反転することはなく安定であり、また室温においては反
強磁性膜４の磁化が強磁性膜３の磁化に影響を与えるこ
とがないので信頼性が向上する。図４の（ａ）には記録
後の降温時における磁化状態が示してある。なお記録を
行うときの温度範囲はＴｐｃ≦Ｔ＜Ｔｂで、Ｔｂ以上に
温度を上げると反強磁性膜４の磁化方向がバイアス磁界
Ｈｅｘ方向（図では上方向）を向いてしまい、記録でき
なくなる。
【００１５】消去は、記録時より低いパワーのレーザビ
ームを消去すべき部分に照射して媒体温度をＴａ≦Ｔ＜
Ｔｐｃの温度迄上げるとともに、外部磁界Ｈｅｘを印加
して行う（図４の（ｂ））。この温度では反強磁性膜４
は反強磁性相を呈しており磁化は見かけ上ゼロで、また
強磁性膜３の保磁力Ｈｃ1と外部磁界Ｈｅｘの関係はＨ
ｃ1＜Ｈｅｘとなっているため、強磁性膜３の磁化が上
向きとなり、消去がなされる。また、再生は媒体温度が
Ｔａ以下となるパワーレベルのレーザビームを照射する
ことにより行われる。
ームを消去すべき部分に照射して媒体温度をＴａ≦Ｔ＜
Ｔｐｃの温度迄上げるとともに、外部磁界Ｈｅｘを印加
して行う（図４の（ｂ））。この温度では反強磁性膜４
は反強磁性相を呈しており磁化は見かけ上ゼロで、また
強磁性膜３の保磁力Ｈｃ1と外部磁界Ｈｅｘの関係はＨ
ｃ1＜Ｈｅｘとなっているため、強磁性膜３の磁化が上
向きとなり、消去がなされる。また、再生は媒体温度が
Ｔａ以下となるパワーレベルのレーザビームを照射する
ことにより行われる。
【００１６】このように反強磁性膜からなる補助層の磁
化は常に同一方向を向いているため、磁化の初期化とい
う操作は必要なく、単一ビーム、単一磁界でのオーバー
ライトが可能となる。
化は常に同一方向を向いているため、磁化の初期化とい
う操作は必要なく、単一ビーム、単一磁界でのオーバー
ライトが可能となる。
【００１７】また、記録時に強磁性膜（メモリ層）３及
び反強磁性膜（補助層）４が共にＴｐｃ≦Ｔ＜Ｔｂの温
度となるようにレーザビーム照射を行い、消去時に強磁
性膜（メモリ層）３のみがＴａ≦Ｔ＜Ｔｐｃの温度とな
るようにレーザビーム照射を行っても良い。このように
すると、消去時に反強磁性膜４の温度が必ずＴｐｃより
低くなっているので、確実に外部磁界Ｈｅｘ方向に強磁
性膜３の磁化をそろえることが出来、記録／消去の信頼
性を上げることができる。
び反強磁性膜（補助層）４が共にＴｐｃ≦Ｔ＜Ｔｂの温
度となるようにレーザビーム照射を行い、消去時に強磁
性膜（メモリ層）３のみがＴａ≦Ｔ＜Ｔｐｃの温度とな
るようにレーザビーム照射を行っても良い。このように
すると、消去時に反強磁性膜４の温度が必ずＴｐｃより
低くなっているので、確実に外部磁界Ｈｅｘ方向に強磁
性膜３の磁化をそろえることが出来、記録／消去の信頼
性を上げることができる。
【００１８】
【実施例】次に本発明を実施例により更に詳細に説明す
るが、本発明はここに例示の実施例に限定されるもので
はない。
るが、本発明はここに例示の実施例に限定されるもので
はない。
【００１９】実施例１
グルーブ付きポリカーボネート基板（直径１３０ｍｍ）
の上にｒｆ２元マグネトロンスパッタ法により下記の膜
を真空中で順次積層し、図１の構成の記録媒体を得た。 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4膜（１０００Å） 強磁性膜：Ｔｂ0.2（Ｆｅ0.95Ｃｏ0.05）0.8膜（６００
Å） 反強磁性膜：Ｍｎ1.5ＳｂＣｒ0.5膜（１５００Å） 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4膜（１０００Å）
の上にｒｆ２元マグネトロンスパッタ法により下記の膜
を真空中で順次積層し、図１の構成の記録媒体を得た。 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4膜（１０００Å） 強磁性膜：Ｔｂ0.2（Ｆｅ0.95Ｃｏ0.05）0.8膜（６００
Å） 反強磁性膜：Ｍｎ1.5ＳｂＣｒ0.5膜（１５００Å） 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4膜（１０００Å）
【００２０】強磁性膜のキュリー温度Ｔｃ1、反強磁性
膜のキュリー温度Ｔｃ2及び磁気相転移温度Ｔｐｃ、強
磁性膜の保磁力Ｈｃ1とバイアス磁界Ｈｅｘとが等しく
なる温度Ｔａ、反強磁性膜の保磁力Ｈｃ2とバイアス磁
界Ｈｅｘとが等しくなる温度Ｔｂは次の通りであった。 Ｔｃ1＝１５０℃ Ｔｃ2＝２６０℃ Ｔｐｃ＝１２０℃ Ｔａ＝８０℃ Ｔｂ＝２００℃
膜のキュリー温度Ｔｃ2及び磁気相転移温度Ｔｐｃ、強
磁性膜の保磁力Ｈｃ1とバイアス磁界Ｈｅｘとが等しく
なる温度Ｔａ、反強磁性膜の保磁力Ｈｃ2とバイアス磁
界Ｈｅｘとが等しくなる温度Ｔｂは次の通りであった。 Ｔｃ1＝１５０℃ Ｔｃ2＝２６０℃ Ｔｐｃ＝１２０℃ Ｔａ＝８０℃ Ｔｂ＝２００℃
【００２１】以上のようにして得た記録媒体を線速10m/
秒で駆動させ、外部磁界Ｈｅｘ＝８００ Ｏｅ（記録時
と消去時ともに同一方向）を印加するとともに、記録
時、消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワー
を変化させて１ＭＨｚの信号を記録再生し、記録／再生
特性の評価を行った。 記録時のレーザパワー：７ｍＷ 消去時のレーザパワー：４ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ その結果、Ｃ／Ｎ比は４８ｄＢであった。さらに、同記
録媒体上に同一条件で２ＭＨｚの記録周波数でオーバー
ライトを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４７ｄＢで良好な値
を示した。
秒で駆動させ、外部磁界Ｈｅｘ＝８００ Ｏｅ（記録時
と消去時ともに同一方向）を印加するとともに、記録
時、消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワー
を変化させて１ＭＨｚの信号を記録再生し、記録／再生
特性の評価を行った。 記録時のレーザパワー：７ｍＷ 消去時のレーザパワー：４ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ その結果、Ｃ／Ｎ比は４８ｄＢであった。さらに、同記
録媒体上に同一条件で２ＭＨｚの記録周波数でオーバー
ライトを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４７ｄＢで良好な値
を示した。
【００２２】実施例２
実施例１において、反強磁性膜としてＭｎ1.8ＳｂＣ
ｒ0.2膜（１５００Å）を用いるとともに、強磁性膜と
反強磁性膜との間に中間層としてＳｉ3Ｎ4膜（１０Å）
を設けた以外は同様にして図３の構成の記録媒体を得
た。Ｔｃ1、Ｔｃ2、Ｔｐｃ、Ｔａ及びＴｂは次の通りで
あった。 Ｔｃ1＝１５０℃ Ｔｃ2＝２４０℃ Ｔｐｃ＝１１０℃ Ｔａ＝８０℃ Ｔｂ＝１９０℃ この記録媒体に対し実施例１と同様な特性評価を行った
結果、Ｃ／Ｎ比は４８ｄＢであった。さらに、同記録媒
体上に同一条件で２ＭＨｚの記録周波数でオーバーライ
トを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４７ｄＢで良好な値を示
した。
ｒ0.2膜（１５００Å）を用いるとともに、強磁性膜と
反強磁性膜との間に中間層としてＳｉ3Ｎ4膜（１０Å）
を設けた以外は同様にして図３の構成の記録媒体を得
た。Ｔｃ1、Ｔｃ2、Ｔｐｃ、Ｔａ及びＴｂは次の通りで
あった。 Ｔｃ1＝１５０℃ Ｔｃ2＝２４０℃ Ｔｐｃ＝１１０℃ Ｔａ＝８０℃ Ｔｂ＝１９０℃ この記録媒体に対し実施例１と同様な特性評価を行った
結果、Ｃ／Ｎ比は４８ｄＢであった。さらに、同記録媒
体上に同一条件で２ＭＨｚの記録周波数でオーバーライ
トを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４７ｄＢで良好な値を示
した。
【００２３】実施例３
グルーブ付きポリカーボネート基板（直径１３０ｍｍ）
の上にｒｆマグネトロンスパッタ法により下記の膜を真
空中で順次積層し、図１の構成で、実施例１とは強磁性
膜および反強磁性膜の膜厚を変えた記録媒体を得た。 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4膜（１０００Å） 強磁性膜：Ｔｂ0.2（Ｆｅ0.95Ｃｏ0.05）0.8膜（４００
Å） 反強磁性膜：Ｍｎ1.5ＳｂＣｒ0.5膜（２０００Å） 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4膜（１０００Å） Ｔｃ1、Ｔｃ2、Ｔｐｃ、Ｔａ及びＴｂは次の通りであっ
た。 Ｔｃ1＝１５０℃ Ｔｃ2＝２６０℃ Ｔｐｃ＝１２０℃ Ｔａ＝８０℃ Ｔｂ＝２００℃ この記録媒体に対し実施例１と同様な特性評価を行った
結果、Ｃ／Ｎ比は４８ｄＢであった。さらに、同記録媒
体上に同一条件で２ＭＨｚの記録周波数でオーバーライ
トを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４８ｄＢで良好な値を示
した。
の上にｒｆマグネトロンスパッタ法により下記の膜を真
空中で順次積層し、図１の構成で、実施例１とは強磁性
膜および反強磁性膜の膜厚を変えた記録媒体を得た。 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4膜（１０００Å） 強磁性膜：Ｔｂ0.2（Ｆｅ0.95Ｃｏ0.05）0.8膜（４００
Å） 反強磁性膜：Ｍｎ1.5ＳｂＣｒ0.5膜（２０００Å） 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4膜（１０００Å） Ｔｃ1、Ｔｃ2、Ｔｐｃ、Ｔａ及びＴｂは次の通りであっ
た。 Ｔｃ1＝１５０℃ Ｔｃ2＝２６０℃ Ｔｐｃ＝１２０℃ Ｔａ＝８０℃ Ｔｂ＝２００℃ この記録媒体に対し実施例１と同様な特性評価を行った
結果、Ｃ／Ｎ比は４８ｄＢであった。さらに、同記録媒
体上に同一条件で２ＭＨｚの記録周波数でオーバーライ
トを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４８ｄＢで良好な値を示
した。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、前記構成としたことに
より、単一ビーム、単一磁界でのオーバーライトが信頼
性良く行える。
より、単一ビーム、単一磁界でのオーバーライトが信頼
性良く行える。
【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の層構成例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の強磁性膜及び反強磁
性膜の保磁力Ｈｃの温度特性を示す図である。
性膜の保磁力Ｈｃの温度特性を示す図である。
【図３】本発明に係る光磁気記録媒体の別の層構成例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】（ａ）は記録時における磁化状態を示し、
（ｂ）は消去時における磁化状態を示す図である。
（ｂ）は消去時における磁化状態を示す図である。
１ 支持体
２，５ 保護膜
３ 強磁性膜（メモリ層）
４ 反強磁性膜（補助層）
６ 中間層
Claims (4)
- 【請求項１】 垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなる
メモリ層と、室温で反強磁性相を示し室温より高い該メ
モリ層のキュリー温度付近の温度で磁気相転移を生じて
強磁性相を示す反強磁性膜からなる補助層とを積層して
なる記録層を有することを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 メモリ層と補助層との間に両層間の交換
結合力を調整するための中間層を設けたことを特徴とす
る請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 補助層の熱伝導率がメモリ層の熱伝導率
より低いことを特徴とする請求項１又は２に記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の光磁気
記録媒体を用い、補助層の磁気相転移温度をＴｐｃ、メ
モリ層の保磁力とバイアス磁界Ｈｅｘとが等しくなる温
度をＴａ、補助層の保磁力とバイアス磁界Ｈｅｘとが等
しくなる温度をＴｂとしたとき、記録時には媒体温度が
Ｔｐｃ≦Ｔ＜Ｔｂとなる迄昇温するような条件でレーザ
照射を行うとともに外部磁界Ｈｅｘを印加し、消去時に
は媒体温度がＴａ＜Ｔ＜Ｔｐｃとなる迄昇温するような
条件でレーザ照射を行うとともに記録時と同じ外部磁界
Ｈｅｘを印加することを特徴とするオーバーライト可能
な光磁気記録方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3254566A JPH056588A (ja) | 1990-11-19 | 1991-09-06 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
| US08/263,947 US5736265A (en) | 1990-11-19 | 1994-06-22 | Magneto-optical recording medium and recording method using the same |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31332490 | 1990-11-19 | ||
| JP2-313324 | 1990-11-19 | ||
| JP3-18445 | 1991-01-18 | ||
| JP1844691 | 1991-01-18 | ||
| JP3-18446 | 1991-01-18 | ||
| JP1844591 | 1991-01-18 | ||
| JP3254566A JPH056588A (ja) | 1990-11-19 | 1991-09-06 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056588A true JPH056588A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=27456968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3254566A Pending JPH056588A (ja) | 1990-11-19 | 1991-09-06 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5736265A (ja) |
| JP (1) | JPH056588A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965285A (en) * | 1995-03-27 | 1999-10-12 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and reproducing method for the same |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5968678A (en) * | 1995-08-31 | 1999-10-19 | Sanyo Electric., Ltd. | Magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof |
| EP0847052A4 (en) * | 1996-06-14 | 2000-10-11 | Seiko Epson Corp | MAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM |
| JP3853512B2 (ja) * | 1997-04-21 | 2006-12-06 | 株式会社リコー | 磁気光学素子 |
| JP4093681B2 (ja) * | 1999-05-26 | 2008-06-04 | シャープ株式会社 | 熱磁気記録媒体、熱磁気記録方法、熱磁気再生方法、熱磁気記録再生装置 |
| US6939654B2 (en) * | 2002-12-06 | 2005-09-06 | Ricoh Company, Ltd. | Carrier and developer for developing latent electrostatic images |
| US7245430B2 (en) * | 2003-04-21 | 2007-07-17 | Ricoh Company, Ltd. | Method and apparatus for displaying three-dimensional stereo image using light deflector |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179216A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 磁気光学記録再生用Ｍｎ−Ｓｂ系薄膜材料の製造方法 |
| JPH0789414B2 (ja) * | 1986-01-31 | 1995-09-27 | シャープ株式会社 | 光学記憶素子 |
| ATE216528T1 (de) * | 1986-07-08 | 2002-05-15 | Canon Kk | Gerät und system zur aufzeichnung auf einem magnetooptischen aufzeichnungsmedium |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP3254566A patent/JPH056588A/ja active Pending
-
1994
- 1994-06-22 US US08/263,947 patent/US5736265A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965285A (en) * | 1995-03-27 | 1999-10-12 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and reproducing method for the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5736265A (en) | 1998-04-07 |
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